SS8550三极管规格书：三极管SS8550参数与封装尺寸
8550三级的基本管参数
8550三级的基本管参数1. 管道的基本概述8550三级是一种常见的管道，用于输送液体、气体或固体颗粒。
它通常由钢材或其他合金制成，具有高强度和耐腐蚀性。
8550三级管道广泛应用于石油、化工、天然气、供水等领域。
2. 管道的尺寸和形状8550三级管道的尺寸和形状对其性能起着重要作用。
通常，管道的尺寸由内径（ID）和壁厚（WT）来确定。
内径决定了管道的流量能力，而壁厚则影响了其强度和耐压性能。
3. 管道材料选择8550三级管道可以使用多种材料制造，包括碳钢、不锈钢、合金钢等。
选择适当的材料取决于介质的性质以及工作条件。
碳钢通常用于一般场合，而不锈钢在对抗腐蚀要求较高的环境中更为常见。
4. 管道连接方式8550三级管道连接方式多种多样，常见的包括焊接、螺纹连接、法兰连接等。
焊接是一种常用的连接方式，可提供良好的密封性和强度。
螺纹连接适用于小口径管道，而法兰连接则适用于大口径管道。
5. 管道的压力等级8550三级管道的压力等级是指管道能够承受的最大压力。
根据不同的工作条件和介质特性，管道的压力等级可以选择不同的标准，如ANSI、API等。
6. 管道的耐腐蚀性能8550三级管道在一些特殊环境中可能会受到腐蚀的影响。
为了提高管道的耐腐蚀性能，可以采取一些措施，如使用耐腐蚀材料、涂层保护等。
7. 管道支撑与固定8550三级管道在安装过程中需要进行支撑与固定，以确保其稳定性和安全性。
通常采用吊挂支撑、支架支撑等方式来实现。
8. 管道检测与维护8550三级管道需要进行定期检测和维护，以确保其正常运行和安全性。
常见的检测方法包括超声波检测、磁粉检测等。
维护工作主要包括清洗、涂层修复等。
9. 管道安全与环保8550三级管道的安全性和环保性是非常重要的。
在使用过程中，应严格遵守相关安全规范，如防火、防爆等。
同时，应注重管道的环保设计，减少对环境的污染。
10. 管道的未来发展趋势8550三级管道在不断发展和创新中，未来将更加注重节能减排、智能化控制等方面的发展。
8550三级的基本管参数
8550三级的基本管参数
三级管参数取决于具体的型号和制造商，但通常包括以下基本参数：
1. 最大集电极电流（Ic(max)）：三级管可供给最大集电极电流的值。
2. 最大集电极-基极电压（Vce(max)）：三级管在集电极和基极之间可承受的最大电压值。
3. 最大基极电流（Ib(max)）：三级管基极的最大电流值。
4. 最大功率耗散（Pd）：三级管可承受的最大功率损耗。
5. 放大倍数（β）：三级管的放大倍数，也称为直流电流放大倍数。
它表示输入电流到输出电流的倍数。
6. 饱和电压（Vce(sat)）：在饱和状态下，三级管集电极和基极之间的电压降。
7. 硬性期望的工作点（Q点）：三级管在直流工作时的电流和电压的状态，也称为静态操作点。
这些参数对于设计和应用三级管电路非常重要，因为它们决定了三级管的性能和工作稳定性。
注意，具体的型号和制造商可能会提供更多的参数，因此建议参考相关的数据手册和规格表获取更详细的信息。
三极管 SS8550
COLLECTOR POWER DISSIPATION Pc (mW)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
VOLTAGE V
(mV)
CEsat
DC CURRENT GAIN h FE
SS8550
h FE
——
I
C
500
Ta=100℃
Ta=25℃
100
10 -0.1
-1000
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I
C
V =-1V CE -1000
-100
Ta=100℃ Ta=25℃
-10
-1 0.2
100
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C /C ob ib
——
V /V CB EB
-900 -1000
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
fT
——
I
C
COLLCETOR CURRENT I (mA) C
100
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
VCE-10V
Ta=25 oC
10
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C ib
β=10
-1000
f=1MHz
I =0/ I =0
E
C
Ta=25 oC
C ob
1 -0.2
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。
s8550三极管 (2)
s8550三极管1. 引言S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，广泛应用于各种电子电路中。
本文将介绍S8550三极管的基本特性、引脚说明以及应用案例。
2. 基本特性S8550三极管的主要技术参数如下：•极性：PNP型•最大集电极电流（IC）：700mA•最大收集极-基极电压（VCBO）：40V•最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V•最大基极-发射极电压（VEBO）：5V•最大功率（P）：625mW•最大温度（TJ）：150℃3. 引脚说明S8550三极管的引脚如下所示：----B | | C| |E | |----•B：基极（Base）•C：集电极（Collector）•E：发射极（Emitter）4. 应用案例S8550三极管由于其小功率特性，适用于许多电子电路中，以下是一个简单的应用案例：使用S8550三极管实现亮度调节。
4.1 原理图----V1 | | C| |---- R1 ---- LEDE | |----4.2 说明•通过电阻R1限制电流，以实现LED的亮度调节。
•通过控制输入电压V1的大小，改变电流流过R1，进而改变LED的亮度。
4.3 注意事项•确保输入电压V1不超过S8550三极管的最大集电极-基极电压（VCBO）。
•根据实际要求选择合适的电阻值R1，以控制LED的亮度在合适范围内。
5. 结论S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，具有较高的集电极电流和较低的最大功率，适用于各种电子电路中。
在设计和应用中，需要根据其特性和引脚说明进行正确的选型和连接，方能发挥其最佳性能。
以上是关于S8550三极管的简要介绍及应用案例。
三极管8550参数
三极管8550参数（原创版）目录1.三极管 8550 概述2.三极管 8550 的主要参数3.三极管 8550 的用途4.三极管 8550 与 8050 的区别5.三极管 8550 的封装和资料正文一、三极管 8550 概述三极管 8550 是一种常用的普通三极管，属于低电压、大电流、小信号的 PNP 型硅三极管。
它的最大集电极电流为 1.5A，广泛应用于开关电路、射频放大电路、功率放大电路、推挽功放电路等领域。
二、三极管 8550 的主要参数1.集电极 - 基极电压（Vcbo）：-40V2.工作温度：-55℃ to 150℃3.最大集电极电流（Ic）：1.5A4.直流电增益（hFE）：10 to 605.功耗（Pc）：不确定，需要根据实际应用场景和使用条件来确定三、三极管 8550 的用途1.开关应用：由于三极管 8550 具有较快的开关速度和较低的电压，因此常用于开关电路，如振荡器、脉冲发生器等。
2.放大：三极管 8550 可以作为电压放大器和电流放大器使用，具有较好的放大性能。
3.射频放大：三极管 8550 可以用于射频放大电路，提高无线电信号的传输距离和质量。
4.功率放大：三极管 8550 可用于功率放大电路，如音频功率放大器、射频功率放大器等。
5.推挽功放：三极管 8550 可以与其他三极管配合使用，构成推挽功放电路，具有较高的输出功率和较好的稳定性。
四、三极管 8550 与 8050 的区别三极管 8550 和 8050 在参数上具有一定的相似性，但它们之间存在一些区别：1.类型：8550 为 PNP 型三极管，而 8050 为 NPN 型三极管。
2.偏置：由于 8550 和 8050 的类型不同，它们在电路中的偏置电压也不同，需要根据实际应用场景进行调整。
五、三极管 8550 的封装和资料1.封装：三极管 8550 有多种封装形式，如 SOT-23、TO-92 等。
不同的封装形式具有不同的外形尺寸和引脚排列，需要根据实际应用需求选择合适的封装。
三极管8550和8050封装定义及参数
三极管8550和8050封装定义及参数三极管（Transistor）是一种广泛应用于电子设备中的重要半导体器件，它有多种不同的封装类型，其中8550和8050是两种常见的封装类型。
本文将依次介绍这两种封装类型的定义和参数。
8550型三极管封装定义及参数：8550型三极管是一种NPN型晶体管，其封装类型采用TO-92封装。
TO-92是一种常见的小功率晶体管封装形式，它具有三个引脚用于连接电路。
以下是8550型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8550型三极管的电流增益是其一个重要参数，它代表了输入电流和输出电流之间的倍数关系。
其典型值通常在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。
2.最大集电电流（Ic）：8550型三极管的最大集电电流是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大电流值。
一般而言，其最大集电电流在0.15A至0.625A之间。
3.最大耗散功率（Pd）：8550型三极管的最大耗散功率是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大功率值。
一般而言，其最大耗散功率大约为0.625W。
8050型三极管封装定义及参数：8050型三极管是一种PNP型晶体管，其封装类型同样采用TO-92封装。
以下是8050型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8050型三极管的电流增益一般在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。
2.最大集电电流（Ic）：8050型三极管的最大集电电流一般在0.15A 至0.625A之间。
3.最大耗散功率（Pd）：8050型三极管的最大耗散功率大约为0.625W。
总结：8550和8050型三极管都是常见的TO-92封装类型，它们在尺寸和引脚连接方面相似。
不同之处在于8550是NPN型三极管，而8050是PNP型三极管，这意味着它们在电流流动方向上存在差异。
8550和8050型三极管的重要参数包括电流增益、最大集电电流和最大耗散功率。
这些参数对于正确选择和使用这些三极管至关重要，可以根据具体的应用需求进行选择。
9011、9012、9013、9014、9015、9018、8055、8550三极管参数知识
一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
9011、9012、9013、9014、9015、9018、8055、8550三极管参数知识
一、概述s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 1：e 2：b 3：c二、三极管管脚判断当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9014,9013系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
三、三极管好坏判断在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
FOSAN富信科技二三极管FX SS8550规格书【2022】
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSS8550■FEATURES 特點Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動Complementary to SS8050与SS8050互补■最大額定值(T a =25℃)CHARACTERISTIC 特性參數Symbol 符號Rating 額定值Unit 單位Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓V CBO -30Vdc Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓V CEO -20Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓V EBO -5.0Vdc Collector Current 集電極電流Ic -1500mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率P C 300mWJunction Temperature 結溫T j 150℃Storage Temperature Range 儲存溫度T stg-55〜150℃■DEVICEMARKING 打標SS8550=Y2■H FE RANGE放大倍數分檔H FE (1)(85〜150),(120〜220)(200~300),(280~400)ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8550■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性(T A=25℃unless otherwise noted如無特殊說明，溫度爲25℃)Characterstic 特性參數Symbol符號Test Condition測試條件Min.最小值Typ.典型值Max.最大值Unit單位Collector Cutoff Current 集電極截止電流I CBO V CB=-30V,I E=0——-0.1μAEmitter Cutoff Current 發射極截止電流I EBO V EB=-5V,I C=0——-0.1μACollector-Base Breakdown Voltage集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO I C=-100μA-30——V Collector-Emitter Breakdown Voltage集電極-發射極擊穿電壓V(BR)CEO I C=-10mA-20——V Emitter-Base Breakdown Voltage發射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO I E=-100μA-5——VDC Current Gain 直流電流增益H FE(1)V CE=-1V,I C=-100mA85—400—H FE(2)V CE=-1V,Ic=-1500mA40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降V CE(sat)I C=-1500mA,I B=-150mA——-0.6VBase-Emitter Voltage 基極-發射極電壓V BE V CE=-1V,I C=-10mA—-0.8-1.0VTransition Frequency 特徵頻率f T V CE=-5V,I C=-10mA100120—MHzCollector Output Capacitance 輸出電容C ob V CB=-10V,I E=0,f=1MHz—1330pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8550■DIMENSION外形封裝尺寸。
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数
代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400 图一是这几种三极管的管脚排列引脚。
8550、8050引脚参数
8550、8050引脚参数/piane/blog/item/6a3983b4815bcdc736d3cadb.html8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.<三极管8550管脚图>1.发射极2.基极3.集电极8550参数:集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃to +150℃和8050（NPN）相对贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.--------------------------------------------------------------8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz8050引脚图芯片尺寸：4 英寸（100mm）芯片代码：C060AJ-00芯片厚度：240±20μm管芯尺寸：600×600μm 2焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝背面金属：金典型封装：S8050，H8050极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度-55~150℃Tj——结温150℃PC——集电极耗散功率1WVCBO——集电极—基极电压40VVCEO——集电极—发射极电压25VVEBO——发射极—基极电压6VIC——集电极电流1.2A电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）。
三极管9011,9012,9013,9014,8050,8550引脚图_封装外形-参数
三极管9012.90139013参数最大耗散功率(P CM)：0.625W最大集电极电流(I CM)：0.5A集电极-发射极击穿电压(V CEO)：25V集电极-基极击穿电压(V CBO)：45V发射极-基极击穿电压(V EBO)：5V集电极-发射极饱和压降(V CE)：0.6V特怔频率(fr)：150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166H144-220 I190-3009012参数s9012s9013，s9014, s9015，，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9013,9014系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
FOSAN富信电子 三极管 SS8550-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点PNP Power Amplifier功率放大▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO-40VCollector-Emitter Voltage集电极发射极电V CEO-25V压Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO-5V Collector Current集电极电流I C-1500mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标SS8550=Y2ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =-100uA ，I E =0)BV CBO -40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =-1mA ，I B =0)BV CEO -25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =-100uA ，I C =0)BV EBO -5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =-40V ，I E =0)I CBO ——-100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =-20V ，V BE =0)I CES ——-100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =-5V ，I C =0)I EBO ——-100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-100mA)H FE （1）120—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =-1V ，I C =-1500mA)H FE （2）40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V CE(sat)——-0.6V Base-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =-1500mA ，I B =-150mA)V BE(sat)——-1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =-10V ，I C =-50mA)f T 100——MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =-10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—18—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.SS8550■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
SS8550技术参数
SS8550PNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings T a =25°C unless otherwise notedElectrical Characteristics T a =25°C unless otherwise notedh FE ClassificationSymbol ParameterRatings Units V CBO Collector-Base Voltage -40V V CEO Collector-Emitter Voltage -25V V EBO Emitter-Base Voltage -6V I C Collector Current-1.5A P C Collector Power Dissipation 1W T J Junction Temperature 150°C T STGStorage Temperature-65 ~ 150°CSymbol ParameterTest Condition Min.Typ.Max.Units BV CBO Collector-Base Breakdown Voltage I C = -100µA, I E =0-40V BV CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage I C = -2mA, I B =0-25V BV EBO Emitter-Base Breakdown Voltage I E = -100µA, I C =0-6V I CBO Collector Cut-off Current V CB = -35V, I E =0-100nA I EBO Emitter Cut-off Current V EB = -6V, I C =0-100nAh FE1h FE2h FE3DC Current GainV CE = -1V, I C = -5mA V CE = -1V, I C = -100mA V CE = -1V, I C = -800mA 45854017016080300V CE (sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C = -800mA, I B = -80mA -0.28-0.5V V BE (sat)Base-Emitter Saturation Voltage I C = -800mA, I B = -80mA -0.98-1.2V V BE (on)Base-Emitter on Voltage V CE = -1V, I C = -10mA -0.66-1.0V C ob Output CapacitanceV CB = -10V, I E =0f=1MHz15pF f TCurrent Gain Bandwidth ProductV CE = -10V, I C = -50mA100200MHzClassificationB C D h FE285 ~ 160120 ~ 200160 ~ 3001. Emitter2. Base3. CollectorSS85502W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.•Complimentary to SS8050•Collector Current: I C =1.5A•Collector Power Dissipation: P C =2W (T C =25°C)TO-921SS8550SS8550TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.FACT™FACT Quiet series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic™TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™。
8550三级管引脚参数
8550三级管引脚参数1. 引言三级管（transistor）是一种常用的电子元件，可以用来放大电流、开关电路以及作为电压稳定器等。
8550三级管是一种常见的PNP型三级管，常用于低功耗放大电路和开关电路中。
本文将详细介绍8550三级管的引脚参数及其功能。
2. 8550三级管引脚图8550三级管一共有三个引脚，分别是基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
下面是8550三级管的引脚图：CE B3. 8550三级管引脚参数3.1. 基极（Base）基极是8550三级管的控制极，通过控制基极电流的大小来控制三级管的放大作用。
基极引脚的参数如下：•引脚编号：1•符号：B•功能：控制极，用于控制三级管的放大作用•极性：NPN型三级管，基极电流大于等于0.1mA时，三级管导通；基极电流小于0.1mA时，三级管截止。
3.2. 发射极（Emitter）发射极是8550三级管的输出极，负责输出电流。
发射极引脚的参数如下：•引脚编号：2•符号：E•功能：输出极，用于输出电流•极性：NPN型三级管，发射极电流大于等于0.1mA时，输出电流正常；发射极电流小于0.1mA时，输出电流截止。
3.3. 集电极（Collector）集电极是8550三级管的输入极，负责接收输入信号。
集电极引脚的参数如下：•引脚编号：3•符号：C•功能：输入极，用于接收输入信号•极性：NPN型三级管，集电极电流大于等于0.1mA时，输入信号正常；集电极电流小于0.1mA时，输入信号截止。
4. 8550三级管引脚功能说明8550三级管的引脚功能如下：•基极（Base）：控制极，用于控制三级管的放大作用。
•发射极（Emitter）：输出极，负责输出电流。
•集电极（Collector）：输入极，负责接收输入信号。
通过控制基极电流的大小，可以控制8550三级管的放大作用。
当基极电流大于等于0.1mA时，三级管导通，可以放大输入信号。
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DC current gain
hFE(1) hFE(2)
VCE=-1V, IC=-100mA VCE=-1V, IC=-800mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE
VCE=-1V, IC=-10mA
Transition frequency
fT
VCE=-10V,IC=-50mA , f=30MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
V(BR)EBO IE=-100µA, IC=0
Collector cut-off current
ICBO
VCB=-40V, IE=0
Collector cut-off current
ICEO
VCE=-20V, IB=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
Parameter
Symbol
Test conditions
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=-100µA, IE=0
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-0.1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage
-300
-400
-500
-600
-700
-800
-900 -1000
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
fT
——
I
C
COLLCETOR CURRENT I (mA) C
100
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
VCE-10V
Ta=25 oC
10
-1
-10
CLASSIFICATION OF hFE(1)
RANK RANGE MARKING
L 120–200
H 200–350
Y2
Min
Typ
Max Unit
-40
V
-25
V
-5
V
-100
nA
-100
nA
-100
nA
120
400
40
-0.5
V
-1.2
V
-1
V
100
MHz
20
pF
J 300–400
A,Apr,2011
AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)
A,Apr,2011
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.
0.900
FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050
SOT–23
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
VCBO Collector-Base Voltage
【 南京南山半导体有限公司 —பைடு நூலகம்长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SS8550 TRANSISTOR (PNP)
BASE-EMITTER SATURATION
Typical Characterisitics
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
(mV)
BEsat
VOLTAGE V
Static Characteristic
-180
1mA -160
0.9mA
-140
0.8mA
-120
0.7mA
-100
0.045
0.000
0.004
0.035
0.041
0.012
0.020
0.003
0.006
0.110
0.118
0.047
0.055
0.089
0.100
0.037 TYP.
0.071
0.079
0.022 REF.
0.012
0.020
0°
8°
The bottom gasket
3000×15 PCS
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
0.300
0.500
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
2.550
0.950 TYP.
1.800
2.000
0.550 REF.
0.300
0.500
0°
8°
Dimensions In Inches
Min.
Max.
0.035
Label on the Reel 3000×1 PCS
Seal the box with the tape
The top gasket
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×203 mm
I
C
-900
-800
Ta=25℃
-700
-600
Ta=100℃
-500
-400
-300 -200
-0.1
-1000
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V —— I
BE
C
β=10
-1000
-100
Ta=100 oC
-10
Ta=25℃
-1
-0.1 -200
500
VCE=-1V
417
Tj
Junction Temperature
Tstg
Storage Temperature
150 -55～+150
Unit V V V A
mW ℃/W
℃ ℃
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
-40
VCEO Collector-Emitter Voltage
-25
VEBO Emitter-Base Voltage
-5
IC
Collector Current
-1.5
PC
Collector Power Dissipation
300
RΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient
C /C ob ib
——
V /V CB EB
C ib
β=10
-1000
f=1MHz
I =0/ I =0
E
C
Ta=25 oC
C ob
1 -0.2
350 300 250 200 150 100
50 0 0
-1
-10
20
REVERSE VOLTAGE V (V)
Pc —— Ta
25
50
75
100
125
150
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
0.6mA
0.5mA -80
0.4mA
-60 0.3mA
-40 0.2mA
-20 I =0.1mA
B
-0 -0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0 -4.5 -5.0
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
-1000
V
——
BEsat
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
COLLECTOR POWER DISSIPATION Pc (mW)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
VOLTAGE V
(mV)
CEsat
DC CURRENT GAIN h FE
SS8550
h FE
——
I
C
500
Ta=100℃
Ta=25℃
100
10 -0.1
-1000
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I
C
V =-1V CE -1000