808nm红外激光器
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
第 ２期
光 学 精 密 工程
Ｏｐｔｃ ｎｄ Ｐｒ ｃｓｏ ｇｉ ｅ ｉ ｉｓ ａ ｅ ｉｉｎ Ｅｎ ｎｅ ｒｎｇ
Ｖ ０ｌ ９ ＮＯ． －ｌ ２
２１ ０ １年 ２月
Ｆｅ ．２ １ ｂ Ｏ１
文 章 编号
１ ０ — ２ Ｘ（ ０ １ ０ — ４ ２０ ０ ４ ９ ４ ２ １ ） ２０ ５ — ５
１ ｋ ｏ ｔ ｕ ｏ ｒＯ ｈ ｏ ａ ｌｎ 。ｏ ｕ ｅ ｐ ｔｏ Ｗ ｕ ｐ ｔｐ ｗｅ ｎ ｔ ｅｆ ｃ ｌｐａ ｅ ｆ ｃ ｓ ｄ ｓ ｏ ｆ１ｍｍ × １ｍｍ ｎ ｏ ｐｉｇ ｅｆｃｅ ｃ ｆ９ ％ ， ａ ｄ ｃ ｕ ｌ ｆｉｉｎ ｙｏ ０ ｎ
ｗｈ ｃ ａ ｉａ ｌ ａ ｉｆｅ ｈ ｅ ｓ ｏ ａ ｅ ｌ ｄ ｎｇ ａ ｌ ｉ ． ｉ ｈ ｂ ｓｃ ｌｙ ｓ ｔｓ ｉｓ ｔ ｅ ｎｅ ｄ ｆ ｌｓ ｒ ｃａ ｄｉ ｎｄ ｗｅｄ ｎｇ Ｋｅ ｒ ｓ ｉ ｈ ｐ ｗｅ ａ ｅ ； ｅ ｃ ｄｕ ｔ ａ ｅ ； ｅ ｍ ｈ ｐｉ ｙ ｗｏ ｄ ：ｈ ｇ ｏ ｒ ｌ ｓ ｒ ｓ ｍｉｏｎ ｃ ｏｒ ｎｄ ｂ ａ ａ ｌ ｗ ｘ ｓ ｔ ｒ ｇ ｅ ｅ ｃ ｅ ｓ ｔ ｍ ， ｎｄ ａｓ ｅ ｏ ｕ ｉ ｅ ｏ ｆ ｃ ｓ ｏ ｏ ｈ ｘ ａ ｅ ｍ ｔａ ｓ ｏ ａ ｉ ｈ ｏｕ ｈ ａ ｔ ｌ ｓ ｏｐ ｙｓ ｅ ａ ｌ ｏ ｕｓ ｓａ ｆ ｃ ｓｎｇ ｌ ｎｓｔ ｏ ｕ ｎ ｂ ｔ
ｔ ｅ ｓ ｏ ａ ｉ ｎ ｈ ａ ｔｏ ｔ ｔ ａ ｅ ｔｍ ｅ Ｅｘ ｅ ｉ ｅ ｔ ｈｏ ｔ ａ ｈ ｅ ｈｎ ｑ ａ ｃ ｉｖｅ ｔ ｅ ｈ ｌ ｗ ｘ ｓ ａ ｄ ｔ ｅ ｆ ｓ ｎｅ ａ ｈｅ ｓ ｍ ｉ ． ｐ ｒｍ ｎ ｓ ｓ ｗ ｈ ｔｔ ｅ ｔ ｃ ｉ ｕｅ ｃ ｎ ａ ｈ ｅ ｈ
常用激光器波长
常用激光器波长 Output Wavelengths of Common Lasers
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。
常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
808nm半导体激光器可广泛应用于激光医疗，红外夜视，激光印刷，激光泵浦，以及各种科研应用
通常808nm都是用作激光激励源的，比较好的Dilas,Nlight。
不过我推荐前者。
所谓的工业环境是啥？在工业环境下运作？？目前有用808nm 500瓦左右的激光做塑料焊接的，这是个很好的激光应用。
红外激光光源
红外激光光源苏美开（济南福来斯光电技术有限公司，flsoe@ ）1概述尽管低照度CCD 摄像技术和微光夜视技术现在已经取得巨大进步，但是在低照度环境下，所有的图像监视装置接收到的仍然只是高噪声、低分辨率的模糊图像。
原因是光线太弱。
采用半导体激光红外光源可以从根本上改进夜间、尤其是夜间远距离拍摄的效果。
半导体红外激光光源是专为红外夜视系统配置的、远距离红外照明光源；配合红外摄像机、黑白CCD 摄像机或微光夜视系统用于夜间及24小时的、全天候条件下的监视摄像，照明距离从几米到数公里。
2 光束整形激光束压缩透镜主要用于将激光光束发散角进行压缩,在一般距离上观察时为了在不同距离上都能正常观察目标,通常采用变倍镜头,即近距离将光束发散角变大,这样照明范围大,光强度变弱,成像部分不会因为光强度大而饱和,远距离让将光束发散角变小,这样照明范围小,光强度变强,成像部分不会因为远距离衰减,从而增大观察距离。
光斑整型的目的主要是为了将半导体激光器光斑整成圆型或方型。
我们知道，半导体激光器输出光斑是椭圆形，水平和垂直发散角一般为θ‖×θ⊥=8º×40º。
不可能用于直接照明观察，因此需要整成圆型或方型。
对于用于有监视器观察显示的通常整理成长方型。
CCD 光敏面为矩型,且其长宽之比为3:4，这样如果我们将激光光斑整形为此比例的矩行，则正好相互匹配，产生的视觉效果非常好。
如果其中一个方向上视场角正好为激光器水平发散角（如8º）。
可以将垂直方向发散角压缩为11º或6º。
设柱透镜焦距为f, LD 发光带尺寸为d ，则，由几何光学可知，LD 光束经透镜后发散角为f d=θ 则θdf =（1） 由（1）即可确定需要的最短焦距值。
由此可以得到需要的激光器最小有效孔径为 )2/tan(2⊥=θf D （2）LD LEN例如，808nm 2W 管子光带尺寸为0.001×0.2mm,θ=6×180π=0.1，代入（1）得f=2mm 。
红外808nm激光器
红外808nm激光器在照明领域中应用的最大优势在于激光具有极高的发光效率和发光强度，半导体激光的光电转换效率最高可达80%，大大的降低能耗，增加照明距离。
其中，红外808nm激光器可轻易实现100-1000米照明距离，满足风光供电监控项目对远距离监控的需要。
如在野外建立监控点，距离一般都比较远。
还在监控夜领域也逐渐被广泛的使用。
技术参数均可拨打零贰玖-陆捌伍捌壹柒零捌
输出波长：780nm 808nm 980nm
输出功率：780nm 5～150mw
808nm 100～5000mw
980nm 50～3000mw
工作电压：3~6V DC
工作电流：≤5500mA
光束发散度：0.5～50mrad
光学透镜：光学镀膜玻璃或塑胶透镜
尺寸：Φ10.8×25mm；Φ12×40mm；Φ16×55mm；Φ22×80mm；Φ26×100mm；
39×39×100mm；49×49×130mm（可定制）
工作温度：－10～40℃
储存温度：－40～85℃
激光等级：Ⅲb
yxl。
高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源
第50卷第4期2021年4月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.50㊀No.4April,2021高可靠性无铝有源层808nm 半导体激光器泵浦源刘㊀鹏1,2,3,朱㊀振2,陈㊀康2,王荣堃1,夏㊀伟2,3,徐现刚1,2(1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南㊀250100;2.山东华光光电子股份有限公司,济南㊀250101;3.济南大学物理科学与技术学院,济南㊀250022)摘要:针对高功率808nm 激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP /GaInP 材料体系的无铝有源区半导体激光器㊂使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P 侧材料的热阻及光吸收㊂优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As 和P 混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP 单晶外延薄膜㊂制作的激光器室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率为1.26W /A,10A 下的功率达到10.5W,功率转换效率为58%㊂连续电流测试最大功率为23W@24.5A,准连续电流测试最大功率为54W@50A,没有产生灾变性光学损伤(COD)㊂在15A 电流加速老化下,激光器工作4200h 未出现功率衰减及COD 现象,说明制备的无铝有源区808nm 激光器具有高可靠性的输出性能㊂关键词:无铝材料;高可靠性;InGaAsP;808nm;非对称;泵浦源;半导体激光器中图分类号:TN248.4㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2021)04-0757-05High Reliable Al-Free 808nm Semiconductor Laser Diode Pump SourceLIU Peng 1,2,3,ZHU Zhen 2,CHEN Kang 2,WANG Rongkun 1,XIA Wei 2,3,XU Xiangang 1,2(1.Institute of Novel Semiconductors,State Key Laboratory of Crystal Material,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan 250101,China;3.School of Physics and Technology,University of Jinan,Jinan 250022,China)Abstract :For 808nm high power laser used as pump source,Al-free active-region laser diode was designed and fabricated,consisting of InGaAsP /GaInP.In this work,a double asymmetric structure of cladding and waveguide layers to reduce the thermal resistance and optical loss of P-side layers were proposed.By optimizing the MOCVD growth of As and P hybrid material,InGaAsP single-crystal epitaxial film with steep interface was fabricated.The threshold current is 1.5A at room temperature and the slope efficiency is 1.26W /A.The output power is 10.5W at 10A and the power efficiency is 58%.Under continuous wave (CW)operation,the maximum output power is 23W@24.5A,while it can reach 54W@50A under quasi continuous wave (QCW)mode without catastrophic optical damage (COD).No power degradation or COD occurred for accelerated aging over 4200h at 15A,showing high long-term reliability of Al-free active-region 808nm laser diode.Key words :Al-free material;high reliabile;InGaAsP;808nm;asymmetric;pump source;semiconductor laser diode㊀㊀收稿日期:2021-03-01㊀㊀基金项目:山东省激光装备创新创业共同体项目㊀㊀作者简介:刘㊀鹏(1994 ),男,山东省人,硕士研究生㊂E-mail:seekersliupeng@㊀㊀通信作者:朱㊀振,博士,高工㊂E-mail:zhuzhen@ 徐现刚,博士,教授㊂E-mail:xxu@ 0㊀引㊀㊀言半导体激光器具有体积小㊁质量轻㊁效率高及易于集成等优点,在工业加工㊁智能传感㊁医养健康及固体和光纤激光器泵浦源等方面有着重要应用㊂其中808nm 半导体激光器是Nd 掺杂YAG 固体激光器的理想泵浦源,被广泛用于精细加工㊁雷达测距等领域[1-2]㊂除了激光器的功率和效率,可靠性是实际应用中最为关注的性能㊂随着激光器输出功率越来越高,灾变性光学损伤(COD)成为影响半导体激光器可靠性及寿命的关键因素㊂这和激光器的材料生长和腔面处理有直接关系㊂由于AlGaAs 材料生长工艺比较成熟,目前758㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷808nm激光器大部分使用AlGaInAs/AlGaAs作为有源层㊂但是含铝材料不稳定,极易氧化形成缺陷并在材料内部延伸造成器件失效㊂国际上,大功率808nm激光器一般都在腔面做特殊处理来控制缺陷的产生或延伸,如美国II VI公司的E2工艺[3],德国FBH研究所的H离子清洗工艺[4]㊂但特殊处理会带来复杂的工艺问题,降低良率,给808nm激光器的批量化生产增加难度㊂本文通过量产型金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了InGaAsP/GaInP结构的808nm半导体激光器㊂由于有源区不含活泼性的铝元素,材料生长及腔面处理的工艺窗口较大,激光器的性能更加稳定和可靠㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,10W工作寿命推测在40000h以上㊂本文是继承和发扬了蒋民华院士 为晶体提供泵源 的指导思想,不忘初心,通过各单位多年持久的产学研紧密结合,坚持创新,在山东华光光电子股份有限公司实现了规模化量产,满足了市场需求㊂同时开发了630~1100nm波段的多种半导体激光器泵浦源,其中808nm激光器由于具有优异的性能,是产业化较为成功的泵源之一㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀激光器结构如上所述,无铝结构的激光器在抑制体材料缺陷及提高腔面光学损伤方面有很多优势,但和传统的AlGaAs材料相比,InGaAsP/GaInP材料也有一些短板㊂根据JDSU的研究[5],GaInP材料的热导率是0.08W/(cm㊃K),为Al0.25Ga0.75As材料的一半,而其相同掺杂浓度下的电导率也要低于AlGaAs材料,这会影响激光器的高功率和高转换效率输出㊂在激光器外延结构设计上采用双非对称结构,如表1所示,P侧GaInP波导层的厚度要小于N侧GaInP波导层的厚度,P型AlGaInP限制层的Al组分要高于N型AlGaInP 限制层的Al组分㊂这不仅使光场偏向N区,降低空穴对光子的吸收,同时还能缩减P侧的外延层厚度,降低P区外延层的热阻及电阻㊂GaInP波导层中间为一层8nm厚度的InGaAsP单量子阱㊂InGaAsP材料可以通过调节III族及V族原子的组分实现量子阱的压缩和伸张应变,进而得到不同的激光偏振模式㊂为获得更低的阈值电流密度,可以使用压应变的InGaAsP量子阱㊂表1㊀808nm激光器的外延结构Table1㊀Epitaxial structure of808nm laser diodeLayer Material Thickness/nm Doping/cm-3Contact GaAs200>1ˑ1019P-cladding Al x Ga0.5-x In0.5P9001ˑ1018P-waveguide Ga0.5In0.5P400Quantum well InGaAsP8N-waveguide Ga0.5In0.5P800N-cladding Al y Ga0.5-y In0.5P15001ˑ1010Buffer GaAs2002ˑ1018为满足激光器耦合进入400μm芯径的光纤的需求,激光器发光区的宽度设计为390μm,周期为750μm,腔长为2mm㊂1.2㊀激光器制备外延材料生长使用量产型MOCVD系统㊂衬底为偏向<111>A方向15ʎ的GaAs(100)晶面,可以有效抑制GaInP材料的有序结构,增加材料生长窗口㊂III族有机源采用三甲基镓(TMGa)㊁三甲基铝(TMAl)和三甲基铟(TMIn),V族源材料为砷烷(AsH3)和磷烷(PH3),N型掺杂为Si,P型掺杂为Mg㊂外延层生长过程的温度控制在600~700ħ,反应室压力为104Pa㊂量子阱是整个激光器结构的核心,其生长质量决定了激光器的性能㊂InGaAsP为四元材料,且AsH3和PH3在不同生长条件下的分配系数差别较大,需要对量子阱的生长方式进行特殊设计㊂如图1所示,通过优化量子阱及两侧界面的生长温度及气流切换方式,得到界面陡峭的InGaAsP量子阱㊂外延层的结晶质量和表面状态也会影响激光器的性能参数㊂图2是经过优化后㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源759㊀的单层GaInP的原子力显微镜(AFM)照片,可以看到外延层的表面非常平整,粗糙度Ra仅为0.13nm,很接近外延生长前的GaAs衬底表面㊂图1㊀GaInP/InGaAsP量子阱的TEM照片Fig.1㊀TEM image of GaInP/InGaAsP quantum well图2㊀GaInP外延层的AFM照片Fig.2㊀AFM image of GaInP epitaxial layer 外延片生长完成以后进行芯片工艺的制作㊂使用湿法腐蚀工艺形成390μm的宽条,并在宽条两侧覆盖SiO2绝缘膜,形成电流注入区㊂P面金属电极为Ti/Pt/Au,N面金属电极为Ge/Ni/Au㊂解理成2mm腔长的巴条,使用电子束蒸发设备在前后腔面分别蒸镀5%的增透膜及98%的高反膜㊂解离成管芯,P面朝下烧结于AlN陶瓷材料的AuSn热沉上㊂2㊀结果与讨论为验证设计的外延结构及生长的材料质量,测试并计算了芯片的内量子效率和腔内损耗㊂将工艺晶片分别解理成1.0mm㊁1.5mm㊁2.0mm㊁2.5mm四种腔长的巴条,在未镀膜的条件下,利用脉冲电流分别测试它们的斜率效率和阈值电流,然后通过数值拟合,得到图3和4的曲线㊂通过计算得到芯片的内量子效率ηi 为97%,光吸收损耗系数αi为1.1cm-1,透明电流密度J tr为96A㊃cm-2,模式增益系数ΓG0为15cm-1㊂这个结果同德国Jenoptik公司及FBH研究所报道的808nm激光器结果是接近的[6-7]㊂图3㊀外微分量子效率和腔长的拟合曲线Fig.3㊀Curve of external differential efficiency and cavity length图4㊀阈值电流密度和腔长的拟合曲线Fig.4㊀Curve of threshold current density and cavity length图5为封装后的808nm激光器在25ħ条件下的功率-电流-电压曲线㊂从图中可以看出,激光器的阈值电流为1.5A,对应的阈值电流密度为192A㊃cm-2㊂激光器的斜率效率为1.26W/A,对应的外量子效率为82%㊂在10A电流下,激光器的输出功率达到了10.5W,电压1.82V,转换效率为58%㊂图6为热沉温度分别是25ħ㊁35ħ㊁45ħ及55ħ下的功率及电压曲线㊂随着温度增加,激光器的载流子溢出变得严重,阈值电流会增加,斜率效率会下降㊂由于P型限制层使用了高带隙的AlGaInP材料,高温下可以很好地将载流子限制在有源区内,激光器在55ħ及10A电流下的输出功率仍达到了9.3W,具有较好的温度特性㊂图7是激光器在10A电流下测试的光谱曲线㊂其峰值波长为807.9nm,光谱的半高宽(FWHM)为1.7nm㊂图8是激光器的远场特性测试㊂激光器工作时的水平发散角为9ʎ,垂直发散角为31ʎ㊂760㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第50卷图5㊀808nm LD的功率-电流-电压曲线Fig.5㊀Power-current-voltage curves of808nm LD图6㊀不同温度下的808nm LD功率曲线Fig.6㊀Power curves of808nm LD at different temperatures图7㊀808nm LD的光谱曲线Fig.7㊀Optical spectrum of808nm LD图8㊀808nm LD的远场发散角Fig.8㊀Far field angle of808nm LD图9㊀CW及QCW大电流测试下的功率曲线Fig.9㊀Power curves at high current CW and QCW testing图10㊀激光器加速老化曲线Fig.10㊀Accelerated aging curves of the laser 808nm的大功率激光器一般在工业及特种行业中作为泵浦源使用,需要具有高的可靠性㊂由于大功率激光器的主要失效模式为COD造成的突然失效,其COD功率是影响激光器可靠性的重要因素㊂在实验中,可以通过大电流测试考评激光器的COD水平㊂图9为连续电流(CW)及准连续电流(QCW,脉宽1ms,周期100ms)模式测试下的激光器功率曲线图㊂受限于测试电源的最大电流,激光器在CW24.5A下功率达到了23W,在QCW50A下的功率达到了54W,并且两种测试方式均没有COD产生,说明制作的808nm激光器的腔面COD功率在54W以上,具有高的抗腔面光学损伤特性㊂激光器的寿命和稳定性可以通过提高电流或温度的加速老化方式进行快速考评㊂由于808nm激光器的主要失效原因是腔面COD,提高电流(功率)的加速方式更能反映808nm激光器的可靠性水平㊂国内外同行大部分使用12A以内的加速电流进行老化[6,8-9],鉴于无铝结构激光器在抗腔面光学损伤方面的优势,使用更高的15A加速电流㊂图10是10只㊀第4期刘㊀鹏等:高可靠性无铝有源层808nm半导体激光器泵浦源761㊀808nm激光器在15A电流㊁水冷温度25ħ下的在线监控老化曲线㊂经过4200h的老化,激光器没有出现功率衰减及突然失效现象㊂通过文献所用的加速因子计算方法[10],推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命也在20000h以上㊂3㊀结㊀㊀论本文使用MOCVD方法生长了高质量的InGaAsP/GaInP材料体系的激光器外延片,并制作了390μm条宽及2mm腔长的器件㊂室温测试阈值电流为1.5A,斜率效率1.26W/A,10A下的功率达到10.5W,转换效率为58%㊂CW电流测试最大功率为23W@24.5A,QCW电流测试最大功率为54W@50A㊂在15A电流加速老化下,激光器工作4200h未出现功率衰减及COD现象,推算808nm激光器在10W下的寿命为40000h以上,12W下的寿命在20000h以上㊂参考文献[1]㊀陈良惠,杨国文,刘育衔.半导体激光器研究进展[J].中国激光,2020,47(5):13-31.CHEN L H,YANG G W,LIU Y X.Development of semiconductor lasers[J].Chinese Journal of Lasers,2020,47(5):13-31(in Chinese).[2]㊀宁永强,陈泳屹,张㊀俊,等.大功率半导体激光器发展及相关技术概述[J].光学学报,2021,41(1):0114001.NING Y Q,CHEN Y Y,ZHANG J,et al.Brief review of development and techniques for high power semiconductor lasers[J].Acta Optica Sinica,2021,41(1):0114001(in Chinese).[3]㊀EPPERLEIN P W.Semiconductor laser engineering,reliability and diagnostics[M].John Wiley&Sons Ltd:Wiley,2013.[4]㊀CRUMP P,WENZEL H,ERBERT G,et al.Passively cooled TM polarized808nm laser bars with70%power conversion at80W and55Wpeak power per100μm stripe width[J].IEEE Photonics Technology Letters,2008,20(16):1378-1380.[5]㊀PETERS M,ROSSIN V,ACKLIN B.High-efficiency high-reliability laser diodes at JDS Uniphase[C]//Lasers and Applications in Science andEngineering.Proc SPIE5711,High-Power Diode Laser Technology and Applications III,San Jose,California,USA.2005,5711:142-151.[6]㊀PIETRZAK A,HüLSEWEDE R,ZORN M,et al.High-power single emitters and low fill factor bars emitting at808nm[C]//SPIE LASE.ProcSPIE9733,High-Power Diode Laser Technology and Applications XIV,San Francisco,California,USA.2016,9733:97330R. [7]㊀KNAUER A,ERBERT G,STASKE R,et al.High-power808nm lasers with a super-large optical cavity[J].Semiconductor Science andTechnology,2005,20(6):621-624.[8]㊀REN Z Q,LI Q M,LI B,et al.High wall-plug efficiency808-nm laser diodes with a power up to30.1W[J].Journal of Semiconductors,2020,41(3):61-63.[9]㊀MARTIN HU H,QIU B C,WANG W M,et al.High performance808nm GaAsP/InGaP quantum well lasers[C]//SPIE/COS Photonics Asia.Proc SPIE10017,Semiconductor Lasers and Applications VII,Beijing,China.2016,1001:100170M.[10]㊀BAO L,KANSKAR M,DEVITO M,et al.High reliability demonstrated on high-power and high-brightness diode lasers[C]//SPIE LASE.ProcSPIE9348,High-Power Diode Laser Technology and Applications XIII,San Francisco,California,USA.2015,9348:93480C.。
980nm激光红血丝工作原理
980nm激光红血丝工作原理980nm激光是一种常用于治疗红血丝的激光，它的工作原理是通过选择性光热作用的机制来清除血管内的血液，并刺激血管壁的再生和修复，从而减少或消除红血丝。
980nm激光属于近红外激光，其波长为980纳米，这一波长的激光被血红蛋白和水分子强烈吸收。
当激光作用在血管上时，光能量会被吸收并转化为热能，使血液中的红细胞受热膨胀，血管周围组织也因受热而受损。
随着激光的持续作用，血管会受到热能的破坏而闭合，从而达到去除红血丝的效果。
在激光治疗过程中，医生会使用专门的激光手柄将激光光束导引到需要处理的血管位置。
激光光束经过浓缩和聚焦后，能够在皮肤表面准确地发射出一个直径很小的光斑，使激光能量集中作用于目标血管上，减少对周围组织的伤害。
当激光束作用到红血丝所在的血管上时，光能量会迅速被血红蛋白和水分子吸收。
血红蛋白吸收能量后会发生光热效应，使之受热膨胀，随后破裂，将血液释放到周围组织中。
水分子吸收能量后也会产生蒸发效应，使周围组织温度升高，在热作用下发生变性、搅乱和破坏。
这些作用会导致血管周围组织的结构破裂和堵塞，从而使血管关闭。
激光的作用不仅仅限于对血管内部的血液，它还能对血管壁产生热作用。
当激光束作用于血管壁时，激光能量会使血管壁产生热应激，进而刺激创伤愈合和新生血管的形成。
这种刺激作用有助于血管壁的修复和再生，从而改善红血丝的情况。
激光治疗红血丝的效果通常需要多次疗程以达到最佳效果。
在每次治疗之间，需要给予足够的恢复时间以保护皮肤。
激光治疗后可能会有一些副作用，如暂时性红斑、肿胀、轻微疼痛和瘀血等，但这些反应通常在几天内自行消退。
总结起来，980nm激光通过选择性光热作用的机制，作用于血管和血液中的组织，从而清除血管内的血液，刺激血管壁的再生和修复。
虽然激光治疗红血丝的效果是可靠的，但治疗前需要充分了解其原理和可能出现的副作用，并在专业医生的指导下进行治疗。
夜视监控红外摄像机如何选配红暴强弱不同的红外激光补光灯
夜视监控红外摄像机如何选配红暴强弱不同的红外激光补光灯——红外光波长越长，红暴越弱，红暴距离越近近几年来，高清晰的红外激光夜视监控在为平安城市、天网工程、雪亮工程等的公共安全视频监控系统中起到了举足轻重的作用。
现代化安防监控系统，不仅需要满足治安管理、城市管理、交通管理、应急指挥等需求，而且还要兼顾灾难事故预警、安全生产监控等方面对图像监控的需求，利用图像采集、传输、控制、显示等设备和控制软件组成，对固定区域进行实时监控和信息记录的视频监控系统，是充分调动人民群众参与社会治安管理的有力武器。
在某些特定夜视监控应用场景中，对监控设备要求具有较高的隐蔽性。
但是，众所周知绝大多数的红外摄像机都会有或多或少的红暴现象。
甚至乎，市场上不少商家直接把有无红暴作为一种技术水平来宣传，好像有红暴就是低技术，无红暴就是高技术。
这到底是怎么回事呢？红外激光夜视监控设备厂家又该如何选用不同红暴强弱的红外激光补光灯？红外光属于人眼不可见，早已成为科学定论。
关于红暴的成因，网络上众说纷纭，却难有个让人信服说法。
更甚者，有人认为红暴说明了红外光是人眼可见的，只是因为红外光剂量大小的问题，造成有的看不见，有的能看见；808nm红外光比940nm的红暴更明显，说明了波长越短红外光的剂量越大，波长越长红外光的剂量越少。
很显然，这只是一种想当然的、为博取眼球的谬论。
有实验证明，一束1550nm的红外激光与650nm的红色激光，同样能在瞬间击穿一块薄铁板，而人眼却仍无法看见这束1550nm的红外激光。
如按这谬论计算，人们根本无法想像究竟需要多大剂量的红外光，才能被人眼所见。
因此，在决定如何选用红外激光补光灯之前，我们非常有必要先明确这几个问题：什么是红暴现象？红暴的真正原因是什么？红暴的强弱受哪些因素影响？什么是红暴现象？人眼可见光的波长范围为380nm-780nm，其中620-780nm为红色光范围，当直接观察780nm的光波时，仍可看见一个非常暗淡的樱桃红色光。
新品808nm近红外激光灯的应用
新品808nm近红外激光灯
新品808nm近红外激光灯管芯采用日本进口半导体激光二极管，内置电路板经改良，具有很强的抗干扰性、高稳定性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，新品808nm近红外激光灯特别适于工业工作环境，能有效保证产品的稳定性和使用寿命。
新品808nm近红外激光灯多用于触摸桌面类、互动投影类产品中，该激光器出光后打出一个扇面，在目标上形成一条人眼看不到的直线，配合专门的设备观察（如CCD摄像机）等实现触控-互动投影。
同类产品还有：
808nm半导体红外一字线、多点触控-互动投影用808nm--200mw红外一字线激光器、电子
1）激光定位灯使用应注意相关的激光使用安全规定，不能直射人眼；
2）激光器中半导零贰玖陆捌伍捌壹柒零捌体激光管属静电敏感器件，应遵守相关的静电防护规定。
测试和使用环境应保证没有静电；
3）电源线请勿用力拽拉；
4）电源电压不要超过DC 5 V，最好选用激光器专用直流稳压电源供电，“+”（红线）、“−”（黑线）极性绝对不可接反；
5）激光器通电时，“+”（红线）、“−”（黑线）极电源线绝对不可短路，以免烧毁激光器；
6）自制稳压电源请注意消除浪涌脉冲电压电流，稳压5V或<5V将延长使用寿命，避免在各种浪涌脉冲较大的场合中使用激光器；Yxl。
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源单肖楠;刘云;曹军胜【摘要】A kind of beam shaping technique was presented to improve the beam quality of a semiconductor laser and to achieve the beam splitting, translating, and rearranging by a parallel plate glass stack. The experiment uses a 20-layer 808 nm semiconductor laser array designed by ourselves with the output power of 60 W per bar, 19 light-emitting points of 1 μm× 135 μm each and 30％ filling factor to expand beam at a slow axis through a telescope system,and also uses a focusing lens to focus on both the slow axis and the fast one at the same time. Experiments show that the technique can achieve the 1 kW output power on the focal plane, focused spot of 1 mm × 1 mm and coupling efficiency of 90 ％,which basically satisfies the needs of laser cladding and welding.%提出了一种新型光束整形技术,该技术通过平行平板玻璃堆实现光束的分割、平移、重排,从而改善半导体激光的光束质量.该试验采用自主设计的中心波长为808 nm,连续输出功率为60W/bar,填充因子为30 %,具有19个发光点,每个发光点尺寸为1μm×135μm的20层半导体激光叠阵,通过望远镜系统对慢轴方向进行扩束后用一个聚焦镜同时对快慢轴聚焦,最终在焦平面上得到了1kW输出,且聚焦光斑达到1mm×1mm,耦合效率达到90%,基本满足激光熔覆和激光焊接的要求.【期刊名称】《光学精密工程》【年(卷),期】2011(019)002【总页数】5页(P452-456)【关键词】高功率激光器;半导体激光器;光束整形【作者】单肖楠;刘云;曹军胜【作者单位】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033【正文语种】中文【中图分类】TN248.4千瓦级半导体激光系统在工业、军事、核能等领域都有广泛的应用。
光信息专业实验报告：半导体泵浦激光原理实验 (2)
光信息专业实验报告：半导体泵浦激光原理实验九、实验数据处理与结果分析1、808nm LD半导体激光器的激光功率与电源电流间的关系将光功率计紧贴激光器放置，以避免外界光的干扰。
开启光功率计并进行调零，然后从零开始逐步增大电源电流I，观察并记录光功率计读数P。
所得数据如表1.由表1数据可作出I-P关系图，如图1、2。
观察图像可以发现除去I=0~80mA段，I与P基本呈线性关系。
对I=80~400mA段作线性拟合，得图3、4.图3 第一次实验所得808nmLD的I-P线性拟合结果图图4 第二次实验所得808nmLD的I-P线性拟合结果图可见两次拟合所得的线性相关系数分别为r1=0.99625和r2=0.99716，表明除去I=0~80mA段，I与P的线性相关程度很高。
拟合直线的表达式分别为y1=0.34x-27.49和y2=0.32x-24.79,则当y=0时，x1=80.85，x2=77.47，故808nmLD激光器的阈值电流I0为122x x+=79.16mA左右。
当电源电流小于阈值电流时，激光器输出的光主要由自发辐射产生，因而很弱；当电源电流大于阈值电流时，激光器产生受激辐射光放大，即产生了激光，因此光功率很大。
在产生激光以后，光功率P与电源电流I呈线性正相关的关系。
2、532nm 绿色激光的光功率与转换效率，及其与808nm LD激光器电源电流的关系调节出强度较大且功率稳定的绿色激光后，在光路中加入滤色片滤去红外激光，用光功率计测量不同电源电流对应的绿色激光功率，计算转换效率，并与前面测得的808nm LD激光器光功率对照得出对应关系。
所得数据和计算结果如表2.表2 不同电源电流对应532nm激光的光功率与转化效率其中转换效率100%Pη=⨯.由表2数据可得出532nm激光功率P’及转换效率η与电源电流I间的关系，如图5、6.图5 532nm激光的I-P关系图图6 532nm激光的I-η关系图由图5可以看出，532nm激光功率与电源电流基本呈正相关的关系。
808nm红外激光器操作流程
808nm红外激光器操作流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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半导体泵浦激光实验
半导体泵浦激光原理实验一．实验仪器1．808nm半导体激光器≤500mW2．半导体激光器可调电源电流0～500mA3．Nd:YVO4晶体 3×3×1mm4．KTP倍频晶体 2×2×5mm5．输出镜（前腔片）φ6 R=50mm6．光功率指示仪 2μW～200mW 6挡二．实验目的及意义半导体泵浦0.53μm绿光激光器由于其具有波长短，光子能量高，在水中传输距离远和人眼敏感等优点。
效率高、寿命长、体积小、可靠性好。
近几年在光谱技术、激光医学、信息存储、彩色打印、水下通讯、激光技术等科学研究及国民经济的许多领域中展示出极为重要的应用, 成为各国研究的重点。
半导体泵浦0.53μm绿光激光器适用于大学近代物理教学中非线性光学实验。
本实验以808nm半导体泵浦Nd：YVO4激光器为研究对象，让学生自己动手，调整激光器光路，在腔中插入KTP晶体产生532nm倍频激光，观察倍频现象，测量阈值、相位匹配等基本参数。
从而对激光技术有一定了解。
三.实验原理光与物质的相互作用可以归结为光与原子的相互作用，有三种过程：吸收、自发辐射和受激辐射。
如果一个原子，开始处于基态，在没有外来光子，它将保持不变，如果一个能量为hv21的光子接近，则它吸收这个光子，处于激发态E2。
在此过程中不是所有的光子都能被原子吸收，只有当光子的能量正好等于原子的能级间隔E1-E2时才能被吸收。
hvE 2 E 1(a) 21 2 E 1(c) 光与物质作用的吸收过程 E2 E 12E 1(a) 2 1 (b) 光与物质作用的自发辐射过程激发态寿命很短，在不受外界影响时，它们会自发地返回到基态，并放出光子。
自发辐射过程与外界作用无关，由于各个原子的辐射都是自发的、独立进行的，因而不同原子发出来的光子的发射方向和初相位是不相同的。
处于激发态的原子，在外的光子的影响下，会从高能态向低能态跃迁，并两个状态间的能量差以辐射光子的形式发射出去。
808嫩肤原理
808嫩肤原理宝子们，今天咱们来唠唠超火的808嫩肤，这可是让好多小姐妹皮肤变得像剥了壳的鸡蛋一样嫩的神奇项目呢！808嫩肤啊，它主要是利用808nm波长的激光来发挥作用的。
这个808nm的激光可不得了，就像一个超级精准的小能手。
咱们的皮肤里有好多东西呢，像毛囊里的黑色素就特别吸引这个808nm激光的注意。
激光一照过去，就像小磁石找到了铁屑一样，一下子就被毛囊里的黑色素吸收了。
你想啊，黑色素就像皮肤上的小坏蛋，让我们的皮肤看起来暗沉、粗糙，还可能会长出小毛毛变得不好看。
这808激光一被黑色素吸收，就会产生热量。
这个热量就像是给黑色素这个小坏蛋来了一场“热风暴”，把它破坏掉。
而且啊，这个热量可不会乱跑到别的地方去伤害我们的皮肤细胞，它就专门针对黑色素，是不是很厉害呀？当黑色素被破坏了之后呢，我们的皮肤就开始有变化啦。
那些因为黑色素沉淀而变得暗沉的地方，就会慢慢变得白皙起来。
就像是乌云散去，阳光洒下来的感觉呢。
而且啊，808嫩肤对毛囊也有作用哦。
毛囊里的黑色素被破坏了，毛发的生长可能也会受到影响。
对于那些毛发比较旺盛，想让皮肤变得更光滑细腻的小姐妹来说，这简直是个福音呢。
不过呢，808嫩肤可不是只做一次就一劳永逸的。
咱们的皮肤一直在新陈代谢，黑色素也可能会重新出现。
所以一般要按照疗程来做。
每次做的时候，就像是给皮肤来一次大扫除，把新冒出来的黑色素小坏蛋再清理一遍。
还有哦，宝子们在做808嫩肤的时候，一定要找正规的地方。
毕竟这是在我们的脸上做事情呢，可不能马虎。
正规的地方，他们的仪器是经过严格检测的，操作人员也是经过专业培训的。
这样才能保证这个808激光在我们脸上发挥最大的好处，又不会对我们的皮肤造成伤害。
做完808嫩肤之后呢，皮肤可能会有点小反应，就像刚运动完有点累一样。
可能会有一点点红啊，或者稍微有点干。
这个时候可不要慌，按照医生或者美容师的嘱咐，好好做皮肤护理就好啦。
多敷敷补水的面膜，做好防晒。
808nm激光器说明
808nm激光器说明808nm激光器是一种常见的激光器类型，其波长为808纳米。
本文将对808nm激光器进行详细说明，包括其原理、应用领域以及特点。
一、激光器原理808nm激光器是一种半导体激光器，其工作原理基于半导体材料的电子能级结构。
当外加电流通过半导体材料时，电子会从低能级跃迁到高能级，形成电子空穴对。
当这些电子和空穴重新结合时，会释放出光子能量，产生激光。
二、应用领域808nm激光器在医疗、工业和科研领域有广泛的应用。
1. 医疗应用：808nm激光器被广泛应用于医疗美容领域，用于脱毛、皮肤再生和血管治疗等。
其波长能够被黑色素吸收，可以有效地破坏毛囊和血管，达到治疗的效果。
2. 工业应用：808nm激光器在工业领域主要用于材料加工，如激光焊接、激光切割和激光打标等。
其高能量密度和较高的光束质量使其成为高效、精确的加工工具。
3. 科研应用：808nm激光器在科研领域被广泛用于光谱分析、光学测量和实验研究等。
其稳定的输出功率和较窄的光谱线宽使其成为研究人员进行精确实验的理想选择。
三、特点808nm激光器具有以下特点：1. 高效能：808nm激光器的电光转换效率较高，能够将大部分电能转化为激光能量，具有较高的能量利用率。
2. 窄线宽：808nm激光器的光谱线宽较窄，能够提供较高的光束质量和较好的光学性能。
3. 长寿命：808nm激光器采用半导体材料作为激光介质，具有较长的使用寿命和稳定性。
4. 易于控制：808nm激光器的输出功率和频率可以通过调节电流和温度等参数进行精确控制，具有较好的可调性。
5. 安全性高：808nm激光器的波长处于近红外区域，对人体组织的穿透性较强，但对眼睛的损伤较小，使用时需要注意眼睛的防护。
808nm激光器是一种重要的激光器类型，具有广泛的应用领域和独特的特点。
随着科技的不断进步，808nm激光器在各个领域的应用将会更加广泛，为人们的生活和工作带来更多便利和创新。
大族激光设备工艺参数(3篇)
第1篇一、概述大族激光设备是一种集激光技术、光学技术、机械技术、自动化技术于一体的高新技术产品。
它广泛应用于金属加工、非金属加工、医疗、科研等领域。
本文将对大族激光设备的工艺参数进行详细介绍。
二、激光设备的主要工艺参数1. 激光波长激光波长是指激光光束的频率对应的波长。
大族激光设备常用的激光波长有：（1）红外激光：波长为1064nm、915nm、808nm等，主要用于金属加工、焊接、切割等。
（2）可见光激光：波长为532nm、355nm等，主要用于非金属加工、医疗、科研等。
2. 激光功率激光功率是指激光设备输出的激光能量。
大族激光设备常用的激光功率有：（1）低功率激光：功率为1-10W，主要用于医疗、科研等领域。
（2）中功率激光：功率为10-100W，主要用于金属加工、焊接、切割等。
（3）高功率激光：功率为100-10000W，主要用于大型金属切割、焊接、热处理等。
3. 激光束质量激光束质量是指激光束的形状、大小、发散角等参数。
大族激光设备常用的激光束质量有：（1）高斯光束：光束形状呈高斯分布，发散角小，聚焦效果好。
（2）多模激光束：光束形状呈多模分布，发散角较大，聚焦效果一般。
4. 激光脉冲宽度激光脉冲宽度是指激光脉冲持续的时间。
大族激光设备常用的激光脉冲宽度有：（1）纳秒级脉冲：脉冲宽度为1-10ns，主要用于高精度加工、激光打标等。
（2）微秒级脉冲：脉冲宽度为10-1000μs，主要用于焊接、切割等。
5. 激光束扫描速度激光束扫描速度是指激光束在加工表面上的移动速度。
大族激光设备常用的激光束扫描速度有：（1）低速扫描：扫描速度为0.1-1m/s，主要用于高精度加工、激光打标等。
（2）高速扫描：扫描速度为1-10m/s，主要用于金属切割、焊接等。
6. 激光加工距离激光加工距离是指激光束与加工表面之间的距离。
大族激光设备常用的激光加工距离有：（1）短距离加工：加工距离为0-5mm，主要用于激光打标、焊接等。