808nm大功率半导体激光器的装配
44瓦超高功率808nm半导体激光器设计与制作
44瓦超高功率808 nm半导体激光器设计与制作仇伯仓，胡海，何晋国深圳清华大学研究院深圳瑞波光电子有限公司1. 引言半导体激光器采用III-V化合物为其有源介质，通常通过电注入，在有源区通过电子与空穴复合将注入的电能量转换为光子能量。
与固态或气体激光相比，半导体激光具有十分显著的特点：1）能量转换效率高，比如典型的808 nm高功率激光的最高电光转换效率可以高达65%以上[1]，与之成为鲜明对照的是，CO2气体激光的能量转换效率仅有10%，而采用传统灯光泵浦的固态激光的能量转换效率更低, 只有1%左右；2）体积小。
一个出射功率超过10 W 的半导体激光芯片尺寸大约为mm3, 而一台固态激光更有可能占据实验室的整整一张工作台；3）可靠性高，平均寿命估计可以长达数十万小时[2]；4）价格低廉。
半导体激光也同样遵从集成电路工业中的摩尔定律，即性能指标随时间以指数上升的趋势改善，而价格则随时间以指数形式下降。
正是因为半导体激光的上述优点，使其愈来愈广泛地应用到国计民生的各个方面，诸如工业应用、信息技术、激光显示、激光医疗以及科学研究与国防应用。
随着激光芯片性能的不断提高与其价格的持续下降，以808 nm 以及9xx nm为代表的高功率激光器件已经成为激光加工系统的最核心的关键部件。
高功率激光芯片有若干重要技术指标，包括能量转换效率以及器件运行可靠性等。
器件的能量转换效率主要取决于芯片的外延结构与器件结构设计，而运行可靠性主要与芯片的腔面处理工艺有关。
本文首先简要综述高功率激光的设计思想以及腔面处理方法，随后展示深圳清华大学研究院和深圳瑞波光电子有限公司在研发808nm高功率单管激光芯片方面所取得的主要进展。
2.高功率激光结构设计图1. 半导体激光外延结构示意图图2. 外延结构以及与之对应的光场分布图3. 量子阱限制因子与SCH层厚度之间的关系图4. 光束发散角与SCH层厚度之间的关系图1给出了一个典型的基于AlGaAs材料的808 nm半导体激光外延结构示意图，由其可见，外延结构由有源区量子阱、AlGaAs波导以及AlGaAs包层材料组成，在材料选取上包层材料的Al 组分要高于波导层材料的Al组分，以保证在材料生长方向形成波导结构，即材料对其中的光场有限制作用（见图2）。
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源
第 ２期
光 学 精 密 工程
Ｏｐｔｃ ｎｄ Ｐｒ ｃｓｏ ｇｉ ｅ ｉ ｉｓ ａ ｅ ｉｉｎ Ｅｎ ｎｅ ｒｎｇ
Ｖ ０ｌ ９ ＮＯ． －ｌ ２
２１ ０ １年 ２月
Ｆｅ ．２ １ ｂ Ｏ１
文 章 编号
１ ０ — ２ Ｘ（ ０ １ ０ — ４ ２０ ０ ４ ９ ４ ２ １ ） ２０ ５ — ５
１ ｋ ｏ ｔ ｕ ｏ ｒＯ ｈ ｏ ａ ｌｎ 。ｏ ｕ ｅ ｐ ｔｏ Ｗ ｕ ｐ ｔｐ ｗｅ ｎ ｔ ｅｆ ｃ ｌｐａ ｅ ｆ ｃ ｓ ｄ ｓ ｏ ｆ１ｍｍ × １ｍｍ ｎ ｏ ｐｉｇ ｅｆｃｅ ｃ ｆ９ ％ ， ａ ｄ ｃ ｕ ｌ ｆｉｉｎ ｙｏ ０ ｎ
ｗｈ ｃ ａ ｉａ ｌ ａ ｉｆｅ ｈ ｅ ｓ ｏ ａ ｅ ｌ ｄ ｎｇ ａ ｌ ｉ ． ｉ ｈ ｂ ｓｃ ｌｙ ｓ ｔｓ ｉｓ ｔ ｅ ｎｅ ｄ ｆ ｌｓ ｒ ｃａ ｄｉ ｎｄ ｗｅｄ ｎｇ Ｋｅ ｒ ｓ ｉ ｈ ｐ ｗｅ ａ ｅ ； ｅ ｃ ｄｕ ｔ ａ ｅ ； ｅ ｍ ｈ ｐｉ ｙ ｗｏ ｄ ：ｈ ｇ ｏ ｒ ｌ ｓ ｒ ｓ ｍｉｏｎ ｃ ｏｒ ｎｄ ｂ ａ ａ ｌ ｗ ｘ ｓ ｔ ｒ ｇ ｅ ｅ ｃ ｅ ｓ ｔ ｍ ， ｎｄ ａｓ ｅ ｏ ｕ ｉ ｅ ｏ ｆ ｃ ｓ ｏ ｏ ｈ ｘ ａ ｅ ｍ ｔａ ｓ ｏ ａ ｉ ｈ ｏｕ ｈ ａ ｔ ｌ ｓ ｏｐ ｙｓ ｅ ａ ｌ ｏ ｕｓ ｓａ ｆ ｃ ｓｎｇ ｌ ｎｓｔ ｏ ｕ ｎ ｂ ｔ
ｔ ｅ ｓ ｏ ａ ｉ ｎ ｈ ａ ｔｏ ｔ ｔ ａ ｅ ｔｍ ｅ Ｅｘ ｅ ｉ ｅ ｔ ｈｏ ｔ ａ ｈ ｅ ｈｎ ｑ ａ ｃ ｉｖｅ ｔ ｅ ｈ ｌ ｗ ｘ ｓ ａ ｄ ｔ ｅ ｆ ｓ ｎｅ ａ ｈｅ ｓ ｍ ｉ ． ｐ ｒｍ ｎ ｓ ｓ ｗ ｈ ｔｔ ｅ ｔ ｃ ｉ ｕｅ ｃ ｎ ａ ｈ ｅ ｈ
带有腔面非注入区的大功率808nmGaAsAlGaAs激光二极管列阵
带有腔面非注入区的大功率808nm gaAS/AlgaAS激光二极管列阵!方高瞻"肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平冯小明（中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心北京100083）摘要报导了带有腔面非注入区的808nm gaAS/AlgaAS激光二极管列阵的制作过程和测试结果。
在器件前后腔面处引入25#m非注入区，填充密度为17%的1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达87W，热沉温度是25C，抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高40%。
器件在连续15W下恒功老化，工作寿命超过50001。
关键词激光二极管列阵，非注入区，COD，gaAS/AlgaAS0引言大功率808nm gaAS/AlgaAS激光二极管列阵广泛用于泵浦Nd1YAg固体激光器，作为泵浦源，高功率、长寿命、高可靠性是器件得以实用化的前提，限制最大输出功率和影响寿命与可靠性的因素有很多，其中之一是腔面光灾变损伤（COD）［1，2］。
COD的产生是由于激光二极管腔面处存在表面态或界面态，这些都是非辐射复合中心，它们的存在会引起腔面处温度升高，使得腔面处材料带隙收缩，从而加剧光子吸收，反过来又使腔面温度进一步升高。
当输出功率大到某一程度时，使这一过程进入恶性循环，最终导致腔面不可恢复性的破坏。
提高腔面抗COD能力的方法有很多，主要分三大类：第一，减少腔面处由表面态或界面态而形成的非辐射复合中心的密度，采取的方法有真空解理真空镀膜、腔面钝化等［5］，缺点是需要比较复杂的真空解理技术，设备昂贵，器件成本高；第二，减少腔面处的光子吸收，通过量子阱无序或扩散等方法［3，4］，使腔面处有源区材料的带隙加宽，形成无吸收镜面的窗口结构，从而减少腔面的光子吸收，缺点是工艺过程复杂，难以控制；第三，采用全无Al或有源区无Al材料替代gaAS/AlgaAS材料［6，7］，对于gaAS/AlgaAS激光二极管，由于Al的存在，腔面极易被氧化，氧化引入腔面界面态，加剧非辐射复合，无Al材料有很小的面氧化速率，又没有暗线缺陷生长问题，所以无Al材料激光二极管有很高的抗COD的能力，缺点是难以得到高质量的材料。
《808nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》
《808 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着科技的发展，半导体激光器在通信、医疗、军事、科研等领域有着广泛的应用。
其中，808 nm波段的半导体激光器在医疗美容和皮肤治疗方面应用尤其广泛。
本篇论文旨在探讨808 nm 半导体激光器的外延结构设计及其光电性能的研究。
我们将通过对外延结构的设计和优化，来提高激光器的光电转换效率、光束质量以及使用寿命等关键性能指标。
二、外延结构设计1. 材料选择外延结构的主要材料为III-V族化合物半导体，如GaAs、AlGaAs等。
这些材料具有优良的电子和光学性能，是制造半导体激光器的理想材料。
2. 结构设计在结构设计方面，我们采用了多层膜叠加的设计方法，根据需求设计了适当的光栅、折射率分布等，优化了光的传播和光的束缚性，有效提升了光子捕获能力和内部效率。
3. 工艺设计在外延生长过程中，我们采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术进行外延生长。
这种技术能够精确控制外延生长的速度和厚度，使得我们可以制备出高质量的外延层。
三、光电性能研究1. 光电转换效率我们通过测量和分析外延结构的发光效率、阈值电流等参数，发现经过优化的外延结构可以有效提高光电转换效率。
在一定的泵浦功率下，能够得到更高的光输出功率。
2. 光束质量我们利用光束质量分析仪对激光器的光束质量进行了测试。
结果表明，优化后的外延结构可以有效地提高光束的定向性和光斑的均匀性，显著提高了激光器的光束质量。
3. 寿命及稳定性我们对808 nm半导体激光器进行了长时间运行测试，并观察其性能变化。
实验结果表明，经过合理设计的外延结构能够显著提高激光器的使用寿命和稳定性。
同时，通过对外延层材料的改良，我们可以降低因环境因素如温度、湿度等对激光器性能的影响。
四、结论本研究通过对808 nm半导体激光器的外延结构设计和光电性能的深入研究，成功地提高了激光器的光电转换效率、光束质量和使用寿命等关键性能指标。
《高功率808nm无铝有源区半导体激光器外延结构设计及其性能研究》范文
《高功率808 nm无铝有源区半导体激光器外延结构设计及其性能研究》篇一一、引言随着现代通信技术和光电领域的高速发展，高功率半导体激光器在光通信、光电子显示、激光加工等领域的应用越来越广泛。
其中，808 nm波段的半导体激光器因其独特的光电性能，在生物医疗、材料加工及科研领域有着不可替代的作用。
本篇论文旨在探讨高功率808 nm无铝有源区半导体激光器的外延结构设计及其性能研究。
二、外延结构设计1. 结构设计概述高功率808 nm无铝有源区半导体激光器的外延结构设计，主要涉及到对激光器有源区、波导层、接触层等关键部分的材料选择和结构优化。
在保证激光器高功率输出的同时，还需保证其稳定性及使用寿命。
2. 关键材料选择为达到高功率输出及良好的热学性能，我们选择了合适的材料体系。
在有源区，我们采用InGaAlP材料系统，该系统可实现808 nm波段的激光发射。
此外，为了实现无铝设计，我们在设计过程中特别选用了无铝化合物半导体材料。
3. 结构优化策略在结构优化方面，我们采用了先进的分子束外延技术，对各层材料的厚度、掺杂浓度及组分进行精确控制。
此外，还对波导层进行了优化设计，以提高光束质量和激光器的阈值电流。
三、性能研究1. 光学性能分析通过对高功率808 nm无铝有源区半导体激光器的光学性能进行测试，我们发现其阈值电流较低，光束质量优良。
此外，我们还发现该激光器的发光效率较高，为后续的高效光电子设备提供了有力支持。
2. 热学性能分析在热学性能方面，我们对该激光器的结温进行了测量。
结果表明，该激光器具有良好的热稳定性，结温较低，有效延长了激光器的使用寿命。
这主要得益于我们优化的外延结构设计和选用的材料体系。
3. 可靠性及寿命测试为评估高功率808 nm无铝有源区半导体激光器的可靠性及寿命，我们进行了长时间连续工作测试。
测试结果表明，该激光器具有良好的可靠性及较长的使用寿命，满足了实际应用的需求。
四、结论通过对高功率808 nm无铝有源区半导体激光器的外延结构设计和性能研究，我们成功实现了激光器的优化设计。
重庆航伟光电 808nm HHL 封装窗口输出半导体激光器组件 说明书
Associated Opto-electronics (Chongqing) Co., Ltd. 808nm HHL 封装窗口输出半导体激光器组件AL0808HHL6000关键特性：●输出功率：6W●出纤芯径100um或200um●波长808nm●窗口输出应用●固体激光器泵源●医学、眼科●材料处理●绘图重庆航伟光电科技有限公司能生产大功率激光器组件系列。
器件的检测和老化保证了产品的可靠性、稳定性和长寿命。
我们的技术人员根据长期的专业知识和经验在不断地提高和改进生产技术，我们也不断地发展新技术来满足顾客的特殊需要。
重庆航伟光电科技有限公司一直以提供合理价位的高质量产品为我们的目标。
Phone：+86（023）62925588 Fax：+86（023）62804240 EmailAssociated Opto-electronics (Chongqing) Co., Ltd.808nm HHL 封装窗口输出半导体激光器组件AL0808HHL6000主要技术指标：技术指标 符号 单位6W 连续输出功率 P o W6 中心波长Λc nm 808 波长范围- nm ±10 光谱宽度（FWHM ）Δλ nm<3 光学参数波长温度系数 nm/℃ ~0.3 出光参数 出光尺寸W ×H μm 200×1 平行角θ// degrees 10 光线角度垂直角 θ┻degrees <40 工作电流 I op A6.5 阈值电流I th A 0.65 规律转换效率1η % 40 微分量子效率2ηD W/A 1.03 工作电压V op V 2.25 电学参数反向电压V re V 2 PD 参数 电流I mo mA 0.20~1.50最大电流I t A 4 TEC 参数最大电压V t V 9.7热敏电阻参数3 热敏电阻R o K Ω 10±0.5/3477工作温度 T op ℃ 10~30 存储温度 T st ℃ -20~80 预期寿命MTBF h >10000 尺寸- mm ~45×32×16重量 - g~70 其他参数焊接温度 T is ℃(10sec)2601. η=P o /( I op V op ).2. ηD = P o /( I op - I th ).3. R T =R 0·exp ( β(1/T —1/T 0)), (T 0=25℃=298K).Associated Opto-electronics (Chongqing) Co., Ltd.典型光谱（T=25℃）Phone ：+86（023）62925588 Fax ：+86（023）62804240 Email 工作电流A输出功率WAssociated Opto-electronics (Chongqing) Co., Ltd.使用说明□□激光器工作时，避免激光直射眼睛。
《808nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《808 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着科技的飞速发展，半导体激光器在通信、医疗、工业等领域的应用日益广泛。
其中，808 nm波段的半导体激光器因其独特的光电性能，在诸多领域中发挥着重要作用。
本文将重点研究808 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能，以期为相关领域的研究与应用提供理论支持。
二、外延结构设计1. 材料选择外延结构的选择对于半导体激光器的性能至关重要。
在808 nm半导体激光器的设计中，我们主要选择具有合适能带结构和光学特性的材料，如InGaAlP等材料体系。
这些材料体系具有优良的电子和光学性能，为激光器的稳定工作提供了基础。
2. 结构设计外延结构的设计主要包括多层结构的构建，包括量子阱、隔离层、接触层等。
其中，量子阱的设计是实现高效率激光发射的关键，通过精确控制量子阱的宽度和组分，可以实现光子能量的有效调控。
此外，隔离层的设计可以有效减少器件的漏电和热效应，提高器件的稳定性。
三、光电性能研究1. 光学性能通过精确控制外延结构的生长参数和结构，我们可以实现对808 nm半导体激光器光学性能的优化。
例如，调整量子阱的宽度和组分，可以改变激光器的发射波长和光子能量。
此外，优化隔离层的设计可以降低器件的阈值电流，提高光束质量和输出功率。
2. 电学性能电学性能是评价半导体激光器性能的重要指标之一。
通过对外延结构的设计和优化，可以实现对808 nm半导体激光器电学性能的改善。
例如，通过优化接触层的结构和掺杂浓度，可以提高器件的电流注入效率和载流子分布均匀性，从而降低器件的阈值电流和驱动电压。
四、实验结果与分析通过实验，我们成功制备了具有优良光电性能的808 nm半导体激光器。
实验结果表明，优化后的外延结构可以有效提高激光器的输出功率、光束质量和电光转换效率。
同时，我们还对不同结构参数对激光器性能的影响进行了详细分析，为后续的研究和应用提供了有价值的参考。
《808nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《808 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着科技的不断进步，半导体激光器因其高效率、长寿命及小型化的特点，被广泛应用于通信、医疗、工业制造等多个领域。
在众多波长中，808 nm波段的半导体激光器因其在医疗、科研及工业应用中的独特优势，备受关注。
本文将针对808 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行深入研究。
二、外延结构设计1. 结构概述外延结构是半导体激光器的核心部分，决定了激光器的光电性能。
808 nm半导体激光器的外延结构主要包括衬底、缓冲层、有源层、波导层以及上下两个电极接触层。
这些层次结构共同构成了激光器的主体框架。
2. 设计思路在设计过程中，我们主要考虑了以下几点：首先，选择合适的衬底材料，以保证外延生长的稳定性和可靠性；其次，优化有源层的材料和结构，以提高激光器的发光效率和光束质量；最后，设计合理的波导层和电极接触层，以降低光损失和电阻，提高激光器的输出功率。
三、具体设计针对808 nm波段的激光器，我们设计了如下外延结构：1. 选择高质量的衬底材料，如GaAs或AlGaAs等，以保证外延生长的稳定性。
2. 在缓冲层中采用渐变组分的设计，以减小晶格失配和应力，提高有源层的结晶质量。
3. 有源层采用多量子阱结构，以提高发光效率和光束质量。
4. 波导层采用高折射率材料，以减小光在传播过程中的损失。
5. 上下电极接触层采用低阻抗材料，以降低电阻，提高激光器的输出功率。
四、光电性能研究通过实验和模拟，我们对所设计的808 nm半导体激光器的光电性能进行了研究。
主要研究内容包括：1. 发光效率：通过测量激光器的发光强度和电流关系，分析有源层结构和材料对发光效率的影响。
2. 光束质量：通过分析激光器的光谱特性和光斑分布，评估波导层结构和材料对光束质量的影响。
3. 输出功率：通过测量激光器的电压-电流特性和光功率-电流特性，分析电极接触层材料和结构对激光器输出功率的影响。
《808nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《808 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着科技的飞速发展，半导体激光器已成为现代光电子技术的重要支柱。
其中，808 nm波段的半导体激光器因其独特的性能和广泛的应用领域，备受科研工作者的关注。
本文旨在研究808 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能，为该领域的研究和应用提供理论依据和技术支持。
二、外延结构设计1. 材料选择外延结构的选择对于半导体激光器的性能至关重要。
在808 nm波段的半导体激光器中，常用的材料包括InP基、GaN基等。
本文选用InP基材料作为外延结构的主要材料，其具有较高的热导率和良好的光学性能。
2. 结构设计外延结构的设计主要包括量子阱结构、势垒层结构和载流子约束层结构等。
在808 nm半导体激光器的外延结构中，采用多量子阱结构以提高光增益和发光效率；势垒层采用适当的掺杂浓度和宽度，以控制载流子的分布和复合速率；载流子约束层则用于提高光束质量和降低阈值电流。
三、生长与制备生长和制备是外延结构实现的关键步骤。
首先，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术进行外延生长，通过精确控制生长参数，如温度、压力、气体流量等，实现高质量的外延薄膜。
其次，通过光刻、干湿法刻蚀等工艺，制备出符合设计要求的半导体激光器结构。
四、光电性能研究1. 光学性能通过测量光谱、光功率等参数，研究外延结构对光学性能的影响。
实验结果表明，优化后的外延结构具有较高的光增益和发光效率，降低了阈值电流。
此外，优化后的激光器光谱线宽窄、光束质量高。
2. 电学性能电学性能的测试主要包括电流-电压特性、电阻等参数的测量。
实验结果表明，优化后的外延结构具有较低的电阻和较高的电流承载能力，提高了激光器的电学性能。
此外，优化后的激光器还具有较好的热稳定性和抗干扰能力。
五、结论本文研究了808 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能。
通过优化外延结构的设计和生长参数，实现了高质量的外延薄膜和符合设计要求的半导体激光器结构。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种常见的激光器泵浦技术。
它采用光纤将半导体激光器的红外激光传输到需要激发的介质中，具有高效率、紧凑和可靠等优势。
本文将从原理、结构、工作原理和应用等方面对808nm光纤耦合半导体激光泵浦源进行详细介绍。
首先，我们来了解808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的原理。
其原理基于半导体激光器能够产生高能量的激光，并且可以通过单模光纤进行传输。
808nm激光是一种红外激光，具有较长的波长和高能量，可以实现高效的激发效果。
通过光纤耦合技术，将808nm激光器的输出光纤耦合到需要激发的介质中，实现对介质的激发。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的结构主要由激光器模块、光纤连接器和激光输出端口等组成。
激光器模块包括激光二极管芯片、散热器和光学系统。
光纤连接器用于连接激光器模块和激光输出端口，确保激光的传输效率和稳定性。
激光输出端口用于调节激光器的输出功率和波长等参数。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的工作原理是通过激光二极管芯片产生激光，并经过散热器散去热量。
然后，激光经过光学系统，通过光纤连接器传输到激光输出端口。
在激发介质中，808nm激光被吸收，并转化为其他波长的激光，实现对介质的激发。
808nm光纤耦合半导体激光泵浦源在许多领域都有广泛的应用。
首先，在医学美容领域，它常用于激光除毛、皮肤美白、血管疾病治疗等。
其次，在工业领域，它常用于激光切割、激光打标、激光焊接等加工工艺。
再次，在科学研究领域，它常用于生物医学、光谱分析、光学显微镜等实验研究。
总之，808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种高效率、紧凑和可靠的激光器泵浦技术。
它通过光纤传输808nm激光到介质中，实现对介质的激发。
在医学美容、工业加工和科学研究等领域都有广泛的应用。
随着激光技术的不断发展，808nm光纤耦合半导体激光泵浦源将会有更广阔的应用前景。
《808nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《808 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言在激光技术的迅猛发展中，808 nm半导体激光器以其特定的波长，广泛应用于激光通信、光电子存储和医疗领域等。
本篇论文着重对808 nm半导体激光器的外延结构设计进行深入探讨，并对其光电性能进行了系统研究。
二、外延结构设计1. 结构概述808 nm半导体激光器的外延结构主要包括衬底、缓冲层、有源区以及上下两个电极接触层。
其中，有源区是激光器产生激光的核心部分，其结构直接决定了激光器的光电性能。
2. 关键层设计（1）衬底层：通常选用n型GaAs或n型GaP作为衬底，因其良好的热传导和电子学性能，可以大大提高激光器的使用寿命和性能。
（2）缓冲层：用于调节材料内部的应力，并减少缺陷的产生。
其材料选择及厚度设计需经过精密计算和实验验证。
（3）有源区：包括量子阱结构的设计和掺杂浓度等。
量子阱的设计直接影响着激光器的阈值电流和光谱性能。
（4）电极接触层：采用欧姆接触电极设计，以便电流能顺畅地流入和流出有源区。
三、光电性能研究1. 光学性能分析通过对不同结构设计的808 nm半导体激光器进行光学性能测试，如光功率-电流特性曲线、光谱特性等，得出各结构对光学性能的影响。
结果表明，优化后的外延结构可以显著提高激光器的光功率和光束质量。
2. 电学性能分析通过测量不同结构设计的激光器的I-V特性曲线，分析其电学性能。
结果表明，合理的外延结构设计可以有效降低阈值电流，提高激光器的电光转换效率。
四、实验结果与讨论本部分详细介绍了实验过程及结果，包括外延结构的生长过程、光学和电学性能的测试方法及结果分析。
通过对比不同结构设计的激光器性能，得出优化后的外延结构在提高808 nm半导体激光器光电性能方面的显著效果。
五、结论通过对808 nm半导体激光器外延结构的设计及其光电性能的研究，我们得出以下结论：合理的外延结构设计可以有效提高激光器的光功率、光束质量和电光转换效率，降低阈值电流。
激光半导体808nm
附件
•附 件：专用电源 工业用固定支架、万向旋转支架 •1 、专用电源（ 配套专用电源，具有很强的抗干扰性、高稳定 性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，特别适于恶劣的工作环境， 能有效保证产品的稳定 性和使用寿命） •2、工业支架（配套专用支架：具有良好的导热性和灵活性，使 镭射激光产品可安装在任何垂直或水平面，并使之在三维空间任 意360度调整，以达到最佳使用效果
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• 特点4：产品光斑清晰，准直性好，体积小，工业适用性强，在 工业和工艺待业的校正与定位中，取代了标尺、三角板、挡块 等设备。并且能够帮助您在无法采用机械导向或在需要双手同 时工作的地方工作。可以调节亮度，使之适合于材料表面和您 所在位置的环境光线。对人眼起到有效的保护。 • 特点5：专用红外线激光定位器光斑清晰、小巧、易于安装，使 用简单方便。从根本解决了传统的红外线激光标线器的主要问 题，如使用寿命较短、光线强度低等。激光标线器管芯采用日 本进口半导体激光二极管，内置电路板经改良，具有高抗干扰 性、高稳定性、抑制浪涌电流及缓启动等特点，特别适于恶劣 的工作环境，能有效保证产品的稳定性和使用寿命。
产品的优势
• 现代激光定位工艺与传统定位方式相比具有无可替代的优势 • a.传统定位过程繁琐；激光使用简易，通电即有断电即无。 • b.传统定位模糊且不准，生产过程中耗损严重；激光效果清晰 定位准确。 。 • c. 传统定位生产工艺落后、耗时、人工成本高；激光定位工艺 先进，节省成本。 • d. 安装方便（若另配我厂生产万向转动支架，能使使用更简 便）；拆卸简单。
产品参数
• •光斑形状：圆点、一字线、十字线（大十字线、小十字线）、丰字形 •光线颜色：红色 绿色（可选） •输出波长： 532nm 635nm 650nm •管芯功率：10～300mW •规 格：Φ10×35mm Φ12×36mm Φ12×60mm Φ 16×80mm Φ22×85mm Φ26×110mm（可定制） •光学透镜：光拨打零贰玖陆捌伍捌壹柒零捌学镀膜玻璃透镜G3 •出光张角：10°～120° •直 线 度：≥1/5000 •线 宽：3米处线宽≤1.0mm •工作电压： 直流 5V •使用寿命：连续使用大于8000小时 •工作温度：-10℃~75℃ •储藏温度：-40℃~85℃
《808nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《808 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着半导体技术的不断进步，808 nm半导体激光器因其在医疗、工业和军事领域的重要应用而备受关注。
激光器的性能取决于其外延结构的精密设计，因此，对808 nm半导体激光器外延结构的设计及其光电性能的研究显得尤为重要。
本文将详细探讨808 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能的研究进展。
二、808 nm半导体激光器外延结构设计1. 材料选择在808 nm半导体激光器的外延结构设计中，首先需要选择合适的材料。
根据能级结构和光波长需求，我们选择了一种高电子迁移率、高光增益的材料体系。
该材料体系具有良好的光学和电学性能，有利于提高激光器的光电转换效率和输出功率。
2. 结构设计外延结构设计是激光器性能的关键因素之一。
我们采用多层膜堆叠的方式，设计了一种具有高光学质量和低缺陷密度的外延结构。
该结构包括缓冲层、n型层、有源层和p型层等部分。
其中，有源层的设计是实现激光器光发射和能量转化的核心。
此外，通过优化膜厚和组分等参数，可以进一步优化外延结构的性能。
三、外延结构的生长与制备1. 生长技术采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术进行外延结构的生长。
该技术具有生长速度快、重复性好等优点，可以精确控制材料的组分和厚度。
2. 制备过程在外延结构生长过程中，需要对温度、压力和气源流量等参数进行严格控制，以保证材料的质量和可靠性。
制备过程中还涉及到了多种清洗、热处理和掺杂等步骤，这些步骤都对最终的激光器性能有着重要影响。
四、光电性能研究1. 光学性能通过测量激光器的光谱、阈值电流、斜率效率等参数，评估其光学性能。
研究发现，经过优化的外延结构能够获得更窄的谱线宽度和更低的阈值电流，表明其光学性能得到了显著提高。
2. 电学性能通过分析电流-电压特性曲线和阻抗谱等电学参数，评估激光器的电学性能。
研究表明，优化的外延结构具有更低的电阻和更高的电导率，这有利于提高激光器的输出功率和效率。
高功率、高效率808 nm半导体激光器阵列
高功率、高效率808 nm半导体激光器阵列∗王贞福;杨国文;吴建耀;宋克昌;李秀山;宋云菲【期刊名称】《物理学报》【年(卷),期】2016(0)16【摘要】High-power, high-efficiency 808 nm laser diode arrays for pumping solid-state lasers have been widely used in industrial, scientific, medical and biological applications. The tendency of development of 808 nm laser diode pumping with high power, high efficiency and long lifetime is well-known. Diode-pumped solid-state system with high-efficiency laser diode array has many advantages such as compact volume, lower weight and energy saving. Currently, commercial 808 nm diode laser arrays with lower power conversion efficiency of about 50%–55%, due to the optical absorption losses for GaAs-based epitaxial materials, have been reported. In order to reduce series resistance and thermal resistance, heavily doped p-type waveguide and cladding layers are employed. However, the absorption loss on the free carriers in heavily doped p-type layers is dominant, leading to a lower power conversion efficiency. In order to achieve a high efficiency, the following requirements must be considered:improving the internal quantum efficiency by reducing the carrier leakage and increasing the electron injection efficiency;minimizing the voltage drop by optimizing the operating voltage; reducing the series resistance and thermal resistance of device; minimizing the internal lossincluding free-carrier absorption loss and scattering loss by designing optimized waveguide and cladding structure. In this paper, optimizing the epitaxial structure and fabricating technologies are demonstrated to achieve the high efficiency and high power. The asymmetric broad waveguide epitaxial structure with lower absorption loss in p-type waveguide and cladding layer is designed in order to achieve the above goals. The high-efficiency epitaxial structure is optimized including the thickness, doping and composition for each layer structure. The strained quantum well diode laser with lower transparency current and higher differential is of benefit to achieving the high power. A novel asymmetric broad waveguide structure is designed by optimizing the waveguide thickness and component of p-waveguide so as to reduce carrier absorption loss, the optical absorption loss in this epitaxial structure is achieved to be as low as 0.63 cm−1. The wafer is gro wn by metalorganic chemical vapor deposition on an n-GaAs substrate. The optimized growth conditions and substrates orientation are extensively studied to improve the crystal quality and reduce the internal loss and defects. The wafer is processed using standard procedures. For the fabricated 1-cm laser diode array mounted on P-side down on copper microchannel cooled heatsink, the device shows an output power of 150 W under an operating current of 135 A with an emitting wavelength of 809 nm, an operating voltage of 1.76 V, a slope efficiency of as high as 1.25 W/A, and maximum power conversion efficiency of as high as 65.5%, which is the highest level of 808 nm diode laser array with an output power of 150 W.%通过设计高效率808nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm −1.制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25◦C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.【总页数】6页(P164203-1-164203-6)【作者】王贞福;杨国文;吴建耀;宋克昌;李秀山;宋云菲【作者单位】中国科学院西安光学精密机械研究所，瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119;中国科学院西安光学精密机械研究所，瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119; 西安立芯光电科技有限公司，西安 710077;西安立芯光电科技有限公司，西安 710077;西安立芯光电科技有限公司，西安710077;中国科学院西安光学精密机械研究所，瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119;中国科学院西安光学精密机械研究所，瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119【正文语种】中文【相关文献】1.高效率、大功率808nm激光器阵列和为高温运转优化的叠层阵列 [J], 黄哲2.高功率808 nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征 [J], 乔彦彬;陈燕宁;赵东艳;张海峰3.808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计 [J], 杨晔;王立军;刘云;秦莉;王烨;梁雪梅;李再金;胡黎明;史晶晶;王超4.808 nm高占空比大功率半导体激光器阵列 [J], 李再金;胡黎明;王烨;张星;王祥鹏;秦莉;刘云;王立军5.炬光科技发布高功率8W808nm单管半导体激光器 [J],因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
808nm大功率半导体激光器光纤耦合模块系统
808nm大功率半导体激光器光纤耦合模块系统
张亮;王智勇;张辉;尧舜;曹银花;左铁钏
【期刊名称】《光电子技术》
【年(卷),期】2007(27)1
【摘要】根据808 nm大功率半导体激光列阵(LDA)的远场光场的分布特点,利用多模光纤柱透镜和光束转换装置对808 nm半导体激光列阵的发散角进行压缩整形,通过聚焦准直透镜将激光束耦合进入芯径为400μm的光纤,实现了30W的功率输出,其中最大耦合效率大于80%,光纤的数值孔径(NA)为0.22。
通过分析其输出光斑和输出曲线,表明LDA与光纤耦合系统不仅从各个方向同时压缩了激光束的发散角,有效地实现了对激光束的整形、压缩,而且性能稳定,可靠实用。
【总页数】3页(P1-3)
【关键词】激光技术;光纤耦合;半导体激光列阵;光束整形;球透镜光纤
【作者】张亮;王智勇;张辉;尧舜;曹银花;左铁钏
【作者单位】北京工业大学激光工程研究院
【正文语种】中文
【中图分类】TN248.4
【相关文献】
1.大功率半导体激光器光纤耦合模块的温度控制 [J], 杨子斌
2.高亮度大功率半导体激光器光纤耦合模块 [J], 刘力宁;高欣;张晓磊;张哲铭;顾华欣;徐雨萌;乔忠良;薄报学
3.大功率半导体激光器单管合束及光纤耦合的研究 [J], 赵鑫;张贺;李洋;徐英添;邹永刚;马晓辉;
4.浅析大功率半导体激光器面阵的光纤耦合技术 [J], 陈德麒
5.大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统 [J], 陈少武;韩勤;胡传贤;金才政
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