肖特基二极管简介

BTA54C BTA54S
DO41
SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。

不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。

所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。

这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。

肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。

超过200V电压的也必定是模块。

电流越大，电压越低。

与可控硅元件不一样。

电流与电压成反比（模块除外）。

10A、20A、30A规格的有做到200V电压。

电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。

关于肖特基MBR系列
为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？
因为最早是摩托罗拉产品型号
M：是以最早MOTOROLA的命名，取M
B：Bridge 桥；Barrier：势垒
R：Rectifier，整流器
“MBR”意为整流器件
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA 缩写M
B：Barrier缩写B
R：Rectifier 缩写R
10：电流10A
200：电压200V
C：表示TO-220AB封装，常指半塑封。

T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；
MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装
元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，
例如：
MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252
MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263
MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封
MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。

各厂家命名有不同。

如：SS12、SS14、SS16、SS18....
常用的参数
(1) V F正向压降Forward Voltage Drop
(2) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage
(3) I R反向电流Reverse Current
(4) I F(AV)正向电流Forward Current
(5) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop
(6) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage
(7) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage
(8) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage
(9) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time
(10) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent
(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature
(12) T J工作结温Operating Junction Temperature
(13) T STG储存温度Storage T emperature Range
(16) T C管子壳温Case Temperature。