《半导体物理基础》总复习 ppt课件

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精品资料
• 你怎么称呼老师？
• 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点，你 是否会认为老师的教学方法需要改进？
• 你所经历的课堂，是讲座式还是讨论式？ • 教师的教鞭
• “不怕太阳晒，也不怕那风雨狂，只怕先生骂我 笨，没有学问无颜见爹娘 ……”
• “太阳当空照，花儿对我笑，小鸟说早早早……”
第一章
1.半导体材料的一般特性。 2.晶向指数和晶面指数。（）、{ }、[ ]、 < > 2.回旋共振实验原理.已知半导体导带的极值的方向，判断回旋共振实验的结果。 3.比较Si,Ge,GaAs能带结构的特点。 4.重空穴,轻空穴的概念.
第二章
1.什么是本征半导体和本征激发？ 2.施主杂质和受主杂质。 3.画出（a）本征半导体、（b）n型半导体、（c）p型半导体的能带图，标出费米
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第六章
1. 试述平衡p-n结形成的物理过程，画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向.
2. 会写内建电势差VD的公式。分析锗p-n结与硅p-n结的VD哪个大?为什么? 3. 已知掺杂分布，说出求电场、内建电压和空间电荷区宽度的步骤。
4. 平衡p-n结,正向偏置p-n结,反向偏置p-n结的空间图、能带图，各区域载流子浓度表 达式、载流子运动方向、电流方向。
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第五章
1. 热平衡态、非平衡态、稳态概念. 2. 何谓准费米能级，为何要引入准费米能级？它和费米能级的区别是什么？ 3. 会写非平衡态下载流子浓度表达式。 1. ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ谓直接复合？间接复合？
2. 推导直接复合的非平衡载流子寿命公式，并试从直接复合的非平衡载流子寿命 公式出发说明小注入条件下，寿命为定值。
2.状态密度,导带的有效状态密度Nc,价带的有效状态密度Nv概念.
3. n0 p0 的物ni2理意义.
4 n型,p 型（包括同时含有施主和受主杂质）半导体的电中性方程。 5.解释载流子浓度随温度的变化关系。 6.了解温度、杂质浓度对费米能级位置的影响。 7.何谓非简并半导体、简并半导体？简并化条件？ 8.定性说明简并半导体的能带结构会发生何变化？
能级、导带底、价带顶、施主能级和受主能级的位置。 4.掺杂对半导体导电类型及导电能力如何影响的? 5.金原子的带电状态与浅能级杂质的关系？
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6.何谓浅能级杂质?深能级杂质?各自的作用 7.何谓杂质补偿？有何实际应用？
第三章
1.写出热平衡时, n0,p0,nD 的,表p达A 式，n0、p0用ni表示的表达式。
5. 写出p-n结I-V方程,并说明方程中每一项的物理意义?
6. p-n结的理想伏-安特性与实际伏-安特性有哪些区别?定性分析原因。
7. p-n结电容包括哪两种?在正向偏置或反向偏置下哪种电容起主要作用？为什么？
8. 为什么说p-n结电容具有可变性？
9. 定性分析影响p-n结电容大小的因素？并举例说明p-n结电容对器件性能的影响。
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第四章
1. 何谓漂移运动？迁移率的定义、量纲。 2. 平均自由程和平均自由时间的概念。 3. 半导体的主要散射机制？温度对它们的影响，原因？ 4. 解释迁移率与杂质浓度、温度的关系 5. 解释电阻率随温度的变化关系.公式：电阻率与迁移率、载流子浓度关系式。 6. 电导有效质量、态密度有效质量的公式，并了解应用场合。 7. 强电场下Si、Ge和GaAs的漂移速度的变化规律，并解释之。 8. 何谓热载流子？ 9. 说明耿氏振荡的形成机制。
10.p-n结击穿主要有哪几种?说明各种击穿产生的原因和条件.影响它们的因素有哪些?
11.在隧道二极管中,n区常重掺杂使EFn位于导带中,p区重掺杂使EFp位于价带中,画出
这种二极管在零偏时的能带图,并说明外加正偏或反偏时,能带将如何变化?
11.隧道二极管与一般p-n二极管的伏-安特性有什么不同?它有什么特点?
3. 了解间接复合的净复合率公式中各参量代表的意义，并从间接复合的净复合率 公式出发说明深能级是最有效的复合中心。
4. 已知间接复合的非平衡载流子寿命公式的一般形式，推导不同费米能级位置下 的寿命公式。
5. 何谓扩散运动？扩散系数的定义、量纲。 6. 爱因斯坦关系式？会推导。 7. 扩散长度和牵引长度的定义。 8. 在不同条件下，对连续性方程进行化简。