芯片工艺流程

单项工艺-光刻(2)
现场用光刻曝光设备
单项工艺-光刻(3)
检查用显微镜
单项工艺-光刻(4)
清 洗
淀积/生长隔离层
（SiO2 Si3N4 金属…）
匀
胶
-HMDS喷淋（增加Si的粘性） -匀光刻胶
单项工艺-光刻(5)
前 烘
-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发
对
版
-对每个圆片必须按要求对版
匀
胶
-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。
单项工艺-光刻(6)
显影/漂洗
-将圆片进行显影/漂洗，不需要的 的光刻胶溶解到有机溶剂。
坚
膜
-硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。
腐
蚀
-干法腐蚀/湿法腐蚀
去
胶
单项工艺-光刻(7)
光刻工艺过程
单项工艺-CVD（1）
单项工艺-CVD（2）
初级离子气体被吸收到硅片表面
单项工艺-CVD（3）
初级离子气体在硅片表面分解
单项工艺-CVD（4）
玻
璃
的
解
吸
单项工艺-CVD（5）
单相工艺-离子注入（1）
单相工艺-离子注入（2）
单相工艺-离子注入（3）
单相工艺-蒸发（1）
蒸发原理示意图
单相工艺-蒸发（2）
溅射原理示意图
单相工艺-蒸发（3）
单相工艺-清洗
基础认知
衬底材料
外延层
扩散层
一次氧化
基区光刻
干氧氧化
离子注入
基区扩散
发射区光刻
发射区预淀积
发射区扩散（*）
发射区低温氧化（*）
氢气处理
N+光刻（适用于P型片）
N+淀积扩散（适用P型片）
N+低温氧化（适用P型片）
氢气处理（适用P型片）
3B光刻
铝蒸发
四次光刻
氮氢合金
AL上CVD
2
氮气烘焙（适用N型片）
2
五次光刻
2
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中测抽测
2 测试系统
减薄、抛光
2
减薄和抛光部分
蒸金/银
2
背金合金
2
芯片测试
2 测试系统
N型片制造（一般）工艺流程
P型片制造（一般）工艺流程
芯片生产工艺流程（课件）
单晶拉制（1）
单晶拉制（2）
单晶拉制（3）
单晶拉制（4）
单晶拉制（5）
环境和着装
单项工艺-扩散(1)
卧式4炉管扩散/氧化炉
扩散/氧化进炉实景图
单项工艺-扩散(2)
立式扩散/氧化炉
扩散/氧化进炉实景图
单项工艺-扩散(3)
扩散工序作业现场
单项工艺-光刻(1)
先进光刻曝光设备