电容屏(Film_To_Film结构)制作流程

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电容屏工艺流程介绍

电容屏工艺流程介绍

电容屏工艺流程介绍
一:电容屏工艺流程
1、前处理:前处理是电容屏制作的第一步,需要经过专门的清洗机
清洗玻璃,确保电容屏表面的无尘、消除玻璃表面的氧化物膜,使玻璃表
面更为光滑,准备进行下一步制作。

2、刻蚀:电容屏的刻蚀步骤是把电感量产品的技术文档上的线路精
确的移植到玻璃上,一般使用刻蚀机进行操作,经过刻蚀精确的定位,玻
璃表面形成导电线路,为工业PCB制作奠定基础。

3、电镀:电镀是把玻璃表面上形成的刻蚀线路表面进行电镀,将电
镀金属覆盖在线路上,增加玻璃表面微小的膜厚度,提高导电性能,也可
以防止短路,使PCB能够更好的进行封装。

4、成型:成型是利用专门成型机将电感量产品中技术文档上的线路
压到玻璃表面,使其不断受到压缩,最终形成特定的导通曲线,形成电容
屏的基本结构。

5、检测:检测是检测电容屏制作成品的质量,包括电容屏表面的外
形尺寸、表面的平整度检测、电容屏的导电性能、电容屏的耐久性检测等,电容屏检测也可以用视觉检测和经验检测,确保电容屏正常工作。

6、烧录:烧录是用专门的烧录机,将工厂所需要的控制程序和显示
程序烧录到PCB板上。

电容屏生产流程共20页文档

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பைடு நூலகம்
谢谢!
20
电容屏生产流程
56、死去何所道,托体同山阿。 57、春秋多佳日,登高赋新诗。 58、种豆南山下,草盛豆苗稀。晨兴 理荒秽 ,带月 荷锄归 。道狭 草木长 ,夕露 沾我衣 。衣沾 不足惜 ,但使 愿无违 。 59、相见无杂言,但道桑麻长。 60、迢迢新秋夕,亭亭月将圆。

26、要使整个人生都过得舒适、愉快,这是不可能的,因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭

27、只有把抱怨环境的心情,化为上进的力量,才是成功的保证。——罗曼·罗兰

28、知之者不如好之者,好之者不如乐之者。——孔子

29、勇猛、大胆和坚定的决心能够抵得上武器的精良。——达·芬奇

30、意志是一个强壮的盲人,倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华

电容式投射触摸屏的制备流程

电容式投射触摸屏的制备流程

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在进行电容式投射触摸屏的制备之前,需要进行充分的准备。

电容屏(Film_To_Film结构)制作流程

电容屏(Film_To_Film结构)制作流程

B
按客户要求,更改出PIN定义与FPC位置
C
按键往视窗方向移动0.35MM,FPC往左移动了5.35mm
DATE 10.11.06 10.11.16 10.11.16
NAME CHRICS CHRICS CHRICS
FRONT VIEW
259.00±0.10(Lens) 245.73(SENSOR OUTLINE) A
三道风切的压力上 10±3 KPa、第三道风切的压力下 8±3 KPa、第四道风切的压力上 10±3 KPa、第四道风切的压力下 8±3 KPa、
第五道风切的压力 4±1 KPa、脱膜喷林的压力 25±3KPa、第六道风切的压力上 10±2 KPa、第六道风切的压力下 8±2 KPa、第七
道风切的压力上 10±2 KPa、第七道风切的压力下 8±2 KPa、超声波清洗(循环水清洗喷淋的压力上 0.25±0.05 MPa)、超声波清
3)固化参数:
绝缘油
稀释剂
CR-18T-KT1

回墨刀速度 (档) 3±0.5
刮刀速度(档) 2.2±0.5
刮刀深度 (mm)
5~10
回墨刀深度 (mm) -1~1
刮刀压力 (kgf/cm2)
5±1
刮刀硬度(度) 80~85
硬化剂 —
配比 —
使用粘度 200~350dpa.s
光积量(mj/cm2) 950 ~1150
5.95
Tempered glass
T=1.1mm C
Pantone 425C
16.64±0.30
14.36±0.30
Back adhesive to outline
16.64±0.30
14.36±0.30

电容屏的工艺过程

电容屏的工艺过程

电容屏的工艺过程电阻屏:目前用户数最多的,并能够持续到明年,因为电阻屏更便宜,而且更精准。

虽然电容屏也开始配备了特殊的手写笔,比如戴尔Mini 3i,但是在需要精准的触控时,却比较麻烦。

电容屏:高端智能市场的代表。

目前市面上的电容屏分为两种:基于Film的电容屏和基于玻璃的电容屏。

玻璃基础的电容屏在现在使用的比较少了,它们只在特别高端和昂贵的手机上存在,比如苹果iPhone。

基于Film的电容屏相对便宜,现在广泛用于中端定位的设备中。

电容触摸屏的介绍电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜体层,再在导体层外加上一块保护玻璃,双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器。

电容式触摸屏在触摸屏四边均镀上狭长的电极,在导电体内形成一个低电压交流电场。

在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。

电容触摸屏的双玻璃不但能保护导体及感应器,更有效地防止外在环境因素对触摸屏造成影响,就算屏幕沾有污秽、尘埃或油渍,电容式触摸屏依然能准确算出触摸位置。

电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质。

当手指触摸在金属层上时,触点的电容就会发生变化,使得与之相连的振荡器频率发生变化,通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。

由于电容随温度、湿度或接地情况的不同而变化,故其稳定性较差,往往会产生漂移现象。

该种触摸屏适用于系统开发的调试阶段。

编辑本段电容触摸屏的缺陷电容触摸屏的透光率和清晰度优于四线电阻屏,当然还不能和表面声波屏和五线电阻屏相比。

电容屏反光严重,而且,电容技术的四层复合触摸屏对各波长光的透光率不均匀,存在色彩失真的问题,由于光线在各层间的反射,还造成图像字符的模糊。

电容屏在原理上把人体当作一个电容器元件的一个电极使用,当有导体靠近与夹层ITO工作面之间耦合出足够量容值的电容时,流走的电流就足够引起电容屏的误动作。

电容屏流程图

电容屏流程图

Incoming CG after IQC
Main Bond
Sensor &CG Lamination
FA/Scrap NG
FA/Scrap NG
OK
NG 24hrs dwell time start Gluing / UV Curing NG
CCD Go/No Go
OK OQC
Cosmetic VMI
Bonding & Lamination Process Flow
Incoming FPC after IQC
Alignment VMI
Pre-bond (Back side) Rework FA/Scrap NG OK Alignment VMI
ACF Apply (Back side)
OK
Alignment VMI
电容屏流程图 processflow sio2(500) raw glass(0.4mm) ito (75 insulationlayer(1.8um) metal layer( 0.3Ω/)(3000) top passivation layer(2.0um) fpc shielding ito(75Ω/) top oca (0.175mm) cg(0.7mm) bm bm stack-up bottom passivation layer(500) acf photo/etch process flow pbt test fa/scrap ng ok metal sputter trace)incoming raw glass ito photo/etch pi process (toray) metal photo/etch laser cutting back side sio2 sputter apply protective film sensorboth side ng ok cosmetic vmi ultrasonic clean dito sputter back side sio2 etching paste print top side passivation (toray) cnc process flow apply protective film sensorboth sides ultrasonic clean ng sensor cnc pbt test ok ng fa/scrap ok peeling both side pf cosmetic vmi bonding laminationprocess flow incoming fpc after iqc acf apply (back side) acf apply (front side) pre-bond (front side) pre-bond (back side) main bond alignment vmi ok ok alignment vmi rework rework ng oqc incoming oca after iqc package sensor ocalamination 24hrs dwell time start ccd go/no go cosmetic vmi ok ok ok

电容屏印刷工艺

电容屏印刷工艺

印刷工艺学习个人整理仅供参考总生产流程:备料印刷组合镭射切割压合封胶贴面板和成托板脱泡测试终检QA产品结构:一、普通结构:Film+Glass二、三层结构:Film+Glass+面板三、四层结构:Film+Film+面板+承托板(钢化玻璃)以四层结构为例:上线:开料反保缩水耐酸蚀刻正保银胶绝缘粘胶下线:开料反保缩水耐酸蚀刻银胶绝缘绝缘点粘胶Glass:插料耐酸蚀刻绝缘点正保反保银胶绝缘粘胶油墨的型号:上下线只有印银胶时油墨型号不同生产过程各阶段质检要点;一、开料:注意裁切的尺寸、外观、方阻首先注意规格书上的标示,例如规格:0.125mm / 400欧姆/ 410mm ×100m / RO11 尺寸:410×360数:48 Pcs其中开料部分的厚度是0.125mm;方阻为400欧姆;开料一卷的宽为410 mm,长度为100 m ,所开出的料尺寸为410 mm ×360mm;开料数目为48片。

尾池提供的为0.188mm的Film卓伟提供的为0.1mm和0.188mm的Film乐惠提供的为0.125mm和0.188mm.日东提供的为0.188mm开料质检要点:①撕开双面保护膜,对光检查是否有压伤、划伤、白点。

其中白点在每3-5个以放行,而不能有划伤。

②用方阻器测试导电面的方阻,而非导电面则无方阻。

(而对于非导电面则需要用手轻提起一角,凹的一面为导电面,)这对上、下线同样适用。

方阻的界限按照规格书标准。

③乐惠膜450~~~~550 日东膜<550玻璃<450 卓韦、尾池<450 二、反保:印刷是否有透空、反保的厚度例如规格书:非导电面保护胶:500-01/eh.BHJ / 200目/ 19-21∪黄刀/印刷厚度25-35 ∪500-01(936)是所使用油墨的型号eh.BHJ / 200目是网版的型号19-21 是网版的厚度反保质检要点:①在印反保前首先撕去原非导电面的保护膜,然后在此面上印油墨,所使用的油墨的型号为936(蓝色),在印完之后检查油墨和非导电面间是否有透空。

电容屏生产 流程共20页

电容屏生产 流程共20页

电容屏生产 流程
36、如果我们国家的法律中只有某种 神灵, 而不是 殚精竭 虑将神 灵揉进 宪法, 总体上 来说, 法律就 会更好 。—— 马克·吐 温 37、纲纪废弃之日,便是暴政兴起之 时。— —威·皮 物特
38、若是没有公众舆论的支持,法律 是丝毫 没有力 量的。 ——菲 力普斯 39、一个判例造出另一个判例,它们 迅速累 聚,进 而变成 法律。 ——朱 尼厄斯
自感应电容触摸屏结构
互感应电容触摸屏结构
镀膜
Sputter原理图
基板
ITO镀膜
金属镀膜
Remark:金属镀在锡面
ITO蚀刻---单面制程
ITO
基板
光阻
上光阻
Mask
曝光
去光阻
蚀刻
显影
金属蚀刻---单面制程
搭桥所用光阻为负光阻,ITO&
显影 (搭桥)
镀金属层
去光阻
蚀刻
显影
曝光
上光阻
搭桥结构示意图
ITO
绝缘材料
金属
金属蚀刻---双面制程(Metal First)
金属 ITO
基板
光阻
上光阻
Mask
曝光
去光阻
蚀刻
显影
金属面ITO蚀刻---双面制程
基板
上光阻
曝光
去光阻
蚀刻
显影
非金属面ITO蚀刻---双面制程
基板
上光阻
曝光
去光阻
蚀刻
显影
双层结构示意图
金属
金属面ITO 非金属面ITO
网印可剥胶
镀SiO2
不镀SiO2
切割
功能测试
后段流程介绍
Sensor

电容触摸屏工艺流程简介

电容触摸屏工艺流程简介

印刷正面 镭射银浆
印刷反面 镭射银浆
ITO厂工序
印刷 反面ISO
印刷正面 ISO(可选)
反面银浆镭射
正面银浆镭射
成品
贴合
绑定
切割成小片
单层镀ITO
基板
ITO镀膜
双层镀ITO
基板
ITO镀膜
单层镀ITO+METAL
基板
ITO镀膜
金属镀膜
双层镀ITO+METAL
基板
ITO镀膜
金属镀膜
ITO蚀刻-单面结构
L
其中要求如下: 1.不允许有S形翘曲
ITO
ITO架桥:导电性差(40Ω/■左右),解决
了金属点可见的问题,同时增加一道光照,成本
增加。
绝缘材料 金属或ITO
黄光SITO 结构工艺流程图(金属架桥)
单层镀ITO
ITO蚀刻单面结构
黄光厂工序
金属蚀刻单面结构
镀SIO2/OC
印刷可剥胶 (可选)
成品
贴合
绑定
切割
2.黄光DITO结构触摸屏制程
1.黄光SITO结构触摸屏制程
介绍:SITO是Single ITO的简称。即菱型
线路做法。XY轴(发射极和感应极)都在玻璃的
同一面。
X PATTERN和Y PATTERN通过搭桥的方式,
实现触摸屏发射极和感应极的作用。
架桥的选择:
金属架桥:导电性好(0.4Ω/■左右),但
是金属点会可见,影响外观。(推荐)
大片ITO蚀刻干蚀刻
印刷 银浆线路
大片ITO蚀刻干蚀刻
印刷 银浆线路
贴大片 OCA1
贴大片 OCA2
切割成小片
成品

触摸屏生产工艺及其流程

触摸屏生产工艺及其流程

触摸屏生产工艺及其流程一、设计规范1.产品结构1)薄膜对薄膜结构(film to film)a.FPC或Mylar引出(图一)或Mylar图一b.ITO Film直接引出(图二)图二此结构由于采用两层ITO Film,厚度较薄,最薄可做到0.45mm,但价格较贵;产品较薄,客户上机时需非常小心,不能弯折产品,否则产品导电膜会龟裂,导致产品功能不良。

在厚度允许的情况下不建议客户选用此结构。

2)薄膜对玻璃结构(film to glass)a.FPC或Mylar引出(图三)或Mylar图三b.ITO玻璃直接引出(图四)c.ITO Film直接引出(图五)图五此结构成本低,工艺成熟,透明度高,引出线可随意选择,厚度可调整。

b、c两类型采用点胶形式比压合形式好,因上线材料较厚,采用压合时效果不太好;而压头大小也要合适,如果比实际压合面积大会压坏材料。

3)薄膜对薄膜含承托板结构(film to film+PC or glass )或Mylar此结构成本高,结构多,透明度低,OCA与Film贴合时良率低,此结构不建议客户使用。

引出线可采用Mylar或FPC。

或Mylar图七线路部分设计原则1)常用术语a. 外形尺寸(Out dimension):产品的外形面积b. 可视区(View dimension):透明区,装机后可看到的区域。

此区域不能出现不透明的走线及键片等c. 驱动面积(Active dimension):实际可操作的区域。

………………驱动面积比可视面积小………………d. 键片(Spacer):用于粘合上、下线路的双面胶。

e. 承托板:粘于下线背面,起支撑产品的作用。

由于材料增多,产品透明度有所降低f. 敏感区:驱动面积与键片内框的距离。

由于存在键片高度落差,当使用不当,很容易在此区域造成ITO膜断裂导致产品功能不良。

在产品设计上必须考虑周详。

此区域虽小,但不容忽视。

g. 蚀刻:把多余的ITO用酸腐蚀掉。

电容屏工艺过程介绍

电容屏工艺过程介绍

电容屏的工艺过程:电阻屏:目前用户数最多的,并能够持续到明年,因为电阻屏更便宜,而且更精准。

虽然电容屏也开始配备了特殊的手写笔,比如戴尔Mini 3i,但是在需要精准的触控时,却比较麻烦。

电容屏:高端智能市场的代表。

目前市面上的电容屏分为两种:基于Film的电容屏和基于玻璃的电容屏。

玻璃基础的电容屏在现在使用的比较少了,它们只在特别高端和昂贵的手机上存在,比如苹果iPhone。

基于Film的电容屏相对便宜,现在广泛用于中端定位的设备中。

电容触摸屏的介绍电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜体层,再在导体层外加上一块保护玻璃,双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器。

电容式触摸屏在触摸屏四边均镀上狭长的电极,在导电体内形成一个低电压交流电场。

在触摸屏幕时,由于人体电场,手指与导体层间会形成一个耦合电容,四边电极发出的电流会流向触点,而电流强弱与手指到电极的距离成正比,位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱,准确算出触摸点的位置。

电容触摸屏的双玻璃不但能保护导体及感应器,更有效地防止外在环境因素对触摸屏造成影响,就算屏幕沾有污秽、尘埃或油渍,电容式触摸屏依然能准确算出触摸位置。

电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质。

当手指触摸在金属层上时,触点的电容就会发生变化,使得与之相连的振荡器频率发生变化,通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。

由于电容随温度、湿度或接地情况的不同而变化,故其稳定性较差,往往会产生漂移现象。

该种触摸屏适用于系统开发的调试阶段。

编辑本段电容触摸屏的缺陷电容触摸屏的透光率和清晰度优于四线电阻屏,当然还不能和表面声波屏和五线电阻屏相比。

电容屏反光严重,而且,电容技术的四层复合触摸屏对各波长光的透光率不均匀,存在色彩失真的问题,由于光线在各层间的反射,还造成图像字符的模糊。

电容屏在原理上把人体当作一个电容器元件的一个电极使用,当有导体靠近与夹层ITO工作面之间耦合出足够量容值的电容时,流走的电流就足够引起电容屏的误动作。

电容触摸屏工艺流程简介

电容触摸屏工艺流程简介


目前我司常用的是纳钙玻璃,价格相对低,但是强度相对差,一般材质为旭硝子,铝硅玻璃相比强度更高,但是价格高,一 般材质为康宁。
名词解释:
• • • 6.方阻:d为膜厚,I为电流,L1为膜厚在电流方向上的长度,L2为膜层在垂直电流方向的长度,ρ为导电膜的体电阻率。ρ和d可以认为是不变的定值, 当L1=L2时,为正方形的膜层,无论方块大小如何,其电阻率为定值ρ/ d,这就是方阻的定义,即R□= ρ/ d; 在我们的工作中,对上面的公式进行转化: R( 线阻)=R□*L2/L1
• 即翘曲的高度与翘起边 的长度之比
其中要求如下: 1.不允许有S形翘曲
h
L
曝光
上光阻
金属蚀刻-双面结构
金属 ITO 光阻 Mask
基板
上光阻
曝光
去光阻
蚀刻
显影
金属面ITO蚀刻-双面结构
基板
上光阻
曝光
去光阻蚀刻显影源自非金属面ITO蚀刻-双面结构
基板
上光阻
曝光
去光阻
蚀刻
显影
镀SIO2/OC
镀 SiO2(O C)
不镀 SiO2(OC)
印刷可剥胶
切割
功能测试
后段流程介绍
ITO
绝缘材料 金属或ITO
黄光SITO 结构工艺流程图(金属架桥)
单层镀ITO
ITO蚀刻单面结构
黄光厂工序
金属蚀刻单面结构
镀SIO2/OC
印刷可剥胶 (可选)
成品
贴合
绑定
切割
2.黄光DITO结构触摸屏制程
介绍:DITO是Double ITO的简称。即两面 线路做法。 XY轴分别布于玻璃上下两层 X PATTERN和Y PATTERN分别在玻璃的两 面,实现触摸屏发射极和感应极的作用。

电容屏制作流程

电容屏制作流程

1、打开气、电源开关2、靠边放置基板置基材承载板3、按基材真空固定,撕除保护膜4、靠边放置膜片至翻转板载台5、按膜片真空(或脚踏开关)固定,撕除保护膜6、按双启动按钮,完成贴合,回到原位待机,取料重复完成动作KA-PT7寸偏光片贴附机操作流程及异常情况排除操作流程1、打开气、电源开关2、靠边放置基板置基材放置平台上3、按基材真空固定,撕除保护膜4、靠边放置膜片至膜片放置平台5、按膜片真空固定,撕除保护膜6、按启动按钮,完成贴合,回到原位待机,取料重复完成动作异常情况排除1、电源指示正常设备不工作,异常原因有:a、急停按钮被误操作b、无压缩空气到设备内部c、设备不再启动原点异常情况排除的办法有:a、反指针旋转,使急停复位b、检查压缩空气输送管路c、调整或更换起点感应开关2、17、18指示正常,材料吸附不牢,异常原因有:a、压缩空气不到或压力太低b、真空发生器阻塞c、真空控制电磁阀损坏异常情况排除的办法有:a、调整压缩气源b、清洁真空发生器c、更换真空电磁阀2、制品末端有大面积气泡,异常原因有:a、贴合行程太短b、提前掉片异常情况排除的办法有:a、调整贴合行程b、调整直线运行速度1、接通电源、气源2、打开设备(电源开)按钮3、放置基材至玻璃承载平台4、点击(LCD真空)按钮,开启真空,撕除保护膜5、放置膜片至膜片承载平台6、点击(POL真空)按钮,开启真空,撕除保护膜7、点击(启动)按钮,设备自动运行贴合8、完毕,等待下次贴合KA-PT22偏光片贴附机操作流程1、打开气、电源开关2、靠边放置基板置基材承载板3、按基材真空固定,撕除保护膜4、靠边放置膜片至翻转板载台5、按膜片真空(或脚踏开关)固定,撕除保护膜6、按双启动按钮,完成贴合,回到原位待机,取料重复完成动作KA-PT19偏光片贴附机操作流程及维护和保养操作流程1、打开气、电源开关2、靠边放置基板置基材承载板3、按基材真空固定,撕除保护膜4、靠边放置膜片至翻转板载台5、按膜片真空(或脚踏开关)固定,撕除保护膜6、按双启动按钮,完成贴合,回到原位待机,取料重复完成动作维护和保养过滤器的更换初效过滤器一般每3-4周便要清洗一次,清洁方式可用压缩空气吹落所沾灰尘。

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/min、脱膜液比重 1.02~1.06 g/cm3、第一道风切的压力 12±2 KPa、蚀刻喷淋压力 15±2 KPa、第二道风切的压力上 6.5±2 KPa、第
二道风切的压力下 5.5±2 KPa、循环水喷淋的压力上 25±3 KPa、循环水喷淋的压力下 17±3 KPa、DI 水喷淋的压力 10±5 KPa、第
4
IR 固化
4.2 工艺环境及参数
4.2.1 大片裁切/预烘岗位
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000
2)工艺参数:
菲林材料 Prov188
3)预烘参数:
菲林型号 Prov188
裁切长度 500
预烘温度(℃) 150
裁切宽度 370
裁切速度 8000~10000
223.72(Window/AA)
4.00 17.64
1.55±0.10(含胶) 1.45±0.1
Back VIEW
? 2.50
5.05 A
Clear window ?1.00 A
256.90 [10.114"]
5.80
Back adhesive(T=0.125) TOP BOTTOM
TP ITO FILM
2
2)丝印参数:
网间距 (mm)
胶刮角 度
(度)
3.5±0.3 55±5
回墨刀速 度(档)
3±0.5
回墨刀深度 (mm) -1~1
刮刀速 刮刀深度 度(档) (mm)
2.0±0.5
5~13
离板高度(mm) 1±0.5
刮刀硬度 (度)
刮刀压力 (kgf/cm2)
80~85
4~6
3)UV 固化参数:
材料 UR-ER
补强
IC
导电面 3.50±0.30 5.00±0.50
补强板
A A
A 0.30±0.05
2-R1.50
4-R5.00
与元器件放置区
61
R0.50
61.99 28.67
NOTES: 1.Unspecified Tolerance :±0.20 2.All materials in the drawing Comply with the ROHS 3. The transparence of panel is over 80%
2)工艺参数:同普通电阻屏热压参数
附:工程图
6
10.36 15.36
47.00
157.00±0.10(Lens) 144.13(SENSOR OUTLINE)
126.28(Window/AA) 89.00
REV.
DESCRIPTION
A
更改摄像头大小以及FPC导电面与补强长度,末端厚度,sinsor大小
检查压头的平整度,检查导电粒子的破裂情况(破裂面大于 80%)。注 意由于银浆引脚不在同一平面内,在较低的引脚面背面垫一层硅胶片
功能测试
外观清洁/检查 6.2 工艺环境及参数 6.2.1 邦定 FPC
检验项目同四线产品一样 。
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000
第 1 槽温度 150±5℃
3.2.5 丝印银浆/固化岗位
刮刀深度 (mm)
5~10
回墨刀深度 (mm) -1~1
离板高度 (mm)
1±0.5
第 2 槽温度 125±5℃
第 3 槽温度 115±5℃
刮刀压力 (kgf/cm2)
5±1
刮刀硬度 (度) 80~85
传送速度 2.0m/min
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000
特殊工艺:
GENERAL TOL: ALL UNITS:
0.20
mm
DATE
DWN: ouzhis 10.11.06
MODEL NUMBER : DR工程图
SHEET:
CHK:
DATE:
APP:
DO NOT SCALE THIS DRAWING. PROJECTION
1 OF 1 10.11.2009
三道风切的压力上 10±3 KPa、第三道风切的压力下 8±3 KPa、第四道风切的压力上 10±3 KPa、第四道风切的压力下 8±3 KPa、
第五道风切的压力 4±1 KPa、脱膜喷林的压力 25±3KPa、第六道风切的压力上 10±2 KPa、第六道风切的压力下 8±2 KPa、第七
道风切的压力上 10±2 KPa、第七道风切的压力下 8±2 KPa、超声波清洗(循环水清洗喷淋的压力上 0.25±0.05 MPa)、超声波清
7
B
按客户要求,更改出PIN定义与FPC位置
C
按键往视窗方向移动0.35MM,FPC往左移动了5.35mm
DATE 10.11.06 10.11.16 10.11.16
NAME CHRICS CHRICS CHRICS
FRONT VIEW
259.00±0.10(Lens) 245.73(SENSOR OUTLINE) A
IR 固化
丝印第二道绝缘油
注意避免溢胶现象。网版使用:DCT0025-M-F1-IO1
IR 固化
丝印第二道 Ag
网版使用:(Film To Film 结构)-M-F1-AG2
IR 固化
转大片贴合
3.2 工艺环境及参数
3.2.1 大片裁切/预烘岗位
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000
丝印可剥蓝膜前将非 ITO 面耐高温保护膜去掉,注意避免菲林面的折伤。
IR 固化
1
丝印第一道 Ag
首件固化后测试产品的粘附力,有无断线和连线的情况 。 网版使用:(Film To Film 结构)
IR 固化
丝印第一道绝缘油
注意避免溢胶现象。网版使用:(Film To Film 结构)-M-F1-IO2
6
第 1 槽温度 第 2 槽温度 第 3 槽温度 第 4 槽温度 第 5 槽温度 传送速度
155℃
155℃
140℃
140℃
140℃
1.3m/min
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000
2)丝印参数:
网间距 (mm)
胶刮角度(度)
3.3±0.3
65±5
九道风切的压力下 12±2 KPa。
3.2.4 丝印蓝膜/固化岗位
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000
2)丝印参数:
网间距 (mm)
胶刮角度 (度)
回墨刀速度 (档)
刮刀速度 (档)
3.7±0.3
65±5
3±0.5
2.2±0.5
3)固化参数:
蓝膜材料 #503F
丝印抗蚀刻油墨
检查油墨印刷效果,不得有溢胶现象。丝印前将油墨搅拌均匀。
UV 固化
固化条件同四线电阻产品的工艺参数。
酸刻脱膜 丝印两面可剥蓝膜
根据该产品的工艺要求设定好滚轮传送速度,生产时 检查酸液浓度是否在工艺参数要求范围内。确保走料钱酸刻温度大于 38.5 度。走 流程前用胶带盖住大 MARK 标,以免大 MARK 标被蚀刻后无法正常对位。
3)固化参数:
绝缘油
稀释剂
CR-18T-KT1

回墨刀速度 (档) 3±0.5
刮刀速度(档) 2.2±0.5
刮刀深度 (mm)
5~10
回墨刀深度 (mm) -1~1
刮刀压力 (kgf/cm2)
5±1
刮刀硬度(度) 80~85
硬化剂 —
配比 —
使用粘度 200~350dpa.s
光积量(mj/cm2) 950 ~1150
预烘时间(min) 60
5.1 大片贴合和 TP 切割流程及注意事项
上菲林流程
下菲林流程
撕两面可剥 蓝胶
撕 ITO 面 可剥蓝胶
ITO 面 加 OCA,
ITO 面 加 OCA来自上下菲林贴合贴合方法请参照《(Film To Film 结构)人工贴合工艺》
背面上耐高温 保护膜
5
转裁切并去 FPC 位光学胶
走速 ≥2m/min
4.1 下层 ITO film 制作流程图及注意事项
根据材料的幅宽,按照工艺参数进行裁切。各个
大片裁切
周转过程中必须使用千层架。对裁切好的 FILM 抽测 其面电阻,观察其面电阻的均匀性。
预烘
根据 prov188 膜材料规格书要求的预烘条件进行操作
丝印两面可剥蓝胶 IR 固化 丝印银浆
2)工艺参数:
菲林材料 日东 V 膜
裁切长度 500
3)预烘参数:
菲林型号 日东 V 膜
预烘温度(℃) 140
3.2.2 丝印抗蚀刻油/固化岗位
裁切宽度 370
裁切速度 8000~10000
预烘时间(min) 90
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000
注意上菲林 FPC 位去光学胶,下菲林 FPC 位去光学胶, 对应的上菲林半切
5.2 工艺环境及参数 6.2.1 大片贴合岗位
1)作业环境:温度:22±3℃、湿度:60±10%RH、Partical:CLASS1000 2)贴合方法:参照《(Film To Film 结构)人工贴合工艺》
6.1 后道工序流程图及注意事项 FPC 邦定
洗(循环水清洗喷淋的压力下 0.20±0.05 Mpa)、循环水喷淋的压力上 0.25±0.05 MPa、循环水喷淋的压力下 0.20±0.05 MPa、DI
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