模电期末复习重点
模拟电子电路复习重点
第0章绪论电子系统组成：模电的核心主线：“电压放大”模电/数电的区别与联系：信号上：时间/幅度上是否离散/量化器件：三极管工作区域：放大/ 饱和、截至联系：理论：采样定理/电路：AD/DA转换课程要求：基本概念+基本电路+基本分析方法+一定的设计综合（应用）能力。
第1章常用半导体基础（数/模电基础）本征/杂志半导体中的两种载流子：多子/少子的概念PN结原理：多子扩散/少子漂移的平衡及偏置对平衡的影响结果PN结单向导电性：二极管等效电路：三极管特性：（三极2结）放大原理：Ib控制IC（流控电流源—>电流分配）Ube控制IC（压控电流源）三极管的输入输出特性曲线与三个工作区：放大（模拟）/饱和截至（数字电路）温度对三极管输入输出曲线、特性等的影响： 温度影响电路性能的本质！I：增加1倍/10°。
CBO输入曲线：左移输出曲线：上移动（与二极管相同：沿远点逆时针转动） 场效应管（不要求）第2章 **基本放大电路（三种放大电路接法）----重点！放大概念：（电压/电流/功率放大:突出有源器件的作用之一） 衡量电路放大性能的参数及其意义： Ri ：从前往后看到底，包含RL ，不含RS Ro: 从后往前看到底，包含Rs ，不含RL负载效应/匹配的概念---》举例：大马拉小车/小马拉大车 A U / A US /A UL 定义（负载效应）其他参数：通频带/非线性失真系数/最大不失真输出电压/最大功率效率等 线性失真/非线性失真区别。
放大电路原理：直流偏置与信号放大的关系： 非线性系统的分段线性化：y=kx:线性系统y=kx+b 线性，本质上非线性系统（齐次性+叠加性）直流分析：正确偏置Q 点在线性区!发射结正偏，集电结反偏，会正确判断交流分析：图解法：特征点/交直流负载线参数法：h 参数低频交流小信号模型 等效参数：三种方法电路的比较： 共射/共集/共基 等效电阻的“看法”： 三种放大电路接法：第3章 多级放大电路1、 耦合方式：直接耦合/非直接耦合比较2、 多级放大电路的计算（输入输出电阻/放大倍数）：Ri：看到底，往往决定于第一级Ro：看到底，往往决定于最后级Au: 多级放大倍数之积(特别注意负载效应！) 后级输入是前级的负载前级输出是后级的信号源内阻。
模拟电路期末重点总结
模拟电路期末重点总结一、基本概念1. 信号与信号描述的方式2. 模拟电路的基本组成部分3. 模拟电路中的基本元件：电阻、电容和电感4. 基本电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律5. 模拟电路的常见信号源：直流电源、交流电源、信号发生器等二、放大器及其应用1. 放大器的基本原理和分类2. 放大器的频率响应：通频带、增益带宽积、截止频率3. 常见放大器电路：共基极放大器、共射极放大器、共集电极放大器4. 放大器的非线性失真及其衡量方法5. 放大器的稳定性分析与补偿方法6. 放大器的应用：功率放大、差分放大器、运算放大器等三、滤波器1. 滤波器的基本原理和分类2. 滤波器的频率响应：通频带、截止频率、衰减特性、相位特性3. 一阶滤波器：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器4. 二阶及以上滤波器：巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器5. 滤波器的设计：选择频率响应、元件参数计算、频率响应曲线绘制等四、反馈与稳定性1. 反馈的基本概念和分类2. 反馈电路的基本特性：增益、输入阻抗、输出阻抗3. 反馈网络的分析方法：开环增益、闭环增益、反馈系数、传输函数4. 反馈对电路性能的影响：增益稳定、频率稳定、阻抗稳定5. 反馈的设计与应用：选择反馈类型、计算反馈网络参数、稳定性分析等五、振荡器与信号发生器1. 振荡器的基本概念和分类2. 反馈振荡器的工作原理和条件3. 原型振荡器电路：震荡频率计算、电路稳定性分析4. 信号发生器的基本原理和常见电路：正弦波发生器、方波发生器、脉冲发生器等5. 信号发生器的电路设计与参数计算六、功率放大器与运算放大器1. 功率放大器的基本概念和应用领域2. A类、B类、AB类功率放大器的工作原理和特点3. 放大器的功率分配：效率和最大功率输出4. 运算放大器的基本概念和特性5. 运算放大器的基础电路：反相放大器、非反相放大器、加法器等6. 运算放大器的应用：积分器、微分器、比较器、滤波器等七、混频器与调制解调器1. 混频器的基本原理和分类2. 混频器的输入输出特性：转移函数、幅频特性、相频特性3. 调制解调器的基本原理和应用：AM调制解调、FM调制解调、PM调制解调4. 调制解调器的电路实现：调幅电路、调频电路、解调电路等八、特殊用途电路1. 比较器的基本原理和应用2. 电压源的设计与应用3. 倍压电路和反相器：电压倍增电路、反相放大电路等4. 电流源和电流镜电路：恒流源、恒流电桥等5. 电流传感器的电路设计和应用在模拟电路的学习中，我们需要掌握模拟电路的基本概念和基本组成部分，了解模拟电路中的基本元件和基本电路定律。
模电重点总结~~复习必备~~(1)
模电重点总结~~复习必备~~(1)一、放大器1. 放大器基础放大器分类、放大器的基本结构、反馈电路2. 放大器的性能指标增益、带宽、输入和输出阻抗、通用性、线性度、噪声系数3. 放大器常见电路共射放大电路、共基放大电路、共集放大电路4. 放大器的偏置电路固定偏置电路、随源电阻分压偏置电路、随恒流源电路二、运算放大器1. 运算放大器基本结构反相放大器、非反相放大器、比例运算放大器、积分放大器、微分放大器2. 运算放大器电路问题输入偏移电压、输入偏移电流、失调电流3. 运算放大器通用电路加法器、减法器、积分器、微分器三、滤波器1. 滤波器基本分类根据频带分类、根据频率特性分类2. RC滤波器低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器3. LC滤波器低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器四、功率放大器1. 功率放大器分类A类功率放大器、B类功率放大器、AB类功率放大器、C类功率放大器2. 音频功率放大器电路二极管偏置电路、鼓输电路、交叉驱动电路3. 大功率放大器大功率功率放大器稳定性、大功率功率放大器保护电路五、信号发生器1. 信号发生器分类非晶体管信号发生器、晶体管信号发生器、数字信号发生器2. 信号发生器常见电路RC振荡电路、震荡电路、Quartz晶体振荡器3. 信号发生器的性能指标频率稳定度、频率准确度、频率分辨率、波形失真度、输出阻抗以上是模拟电子电路的重点总结，希望对大家的学习有所帮助。
对于这些知识点，需要不断地进行反复学习和练习。
掌握这些基础知识对于未来的电子工程师是非常重要的。
模电复习提纲(已整理)
模拟电子线路课程内容概要（复习提纲）1.半导体器件基础：（1）了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体，什么是N型半导体，什么是P型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或N型半导体。
其多数载流子为电子，少数载流子为空穴；在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼，镓，铟等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或P型半导体。
其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
（2）PN结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。
答：PN结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。
二极管的导通条件是PN结正向偏置。
硅二极管的管压降为0.6~0.8V，锗二极管的管压降为0.2~0.3V。
门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
（3）三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。
三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？答：三极管导电机理是当基极电压Ub有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流Ib的控制，集电极电流Ic会有一个很大的变化，基极电流Ib越大，集电极电流Ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识在模拟电子技术中，半导体是至关重要的材料。
半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。
半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。
在纯净的半导体中，掺入微量的杂质可以显著改变其导电性能。
比如，掺入五价杂质形成 N 型半导体，其中自由电子是多数载流子；掺入三价杂质形成 P 型半导体，空穴则成为多数载流子。
PN 结是半导体器件的核心结构，它是由 P 型半导体和 N 型半导体接触形成的。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
这一特性为二极管等器件的工作原理奠定了基础。
二、二极管二极管是最简单的半导体器件之一。
它的主要特性就是上述提到的单向导电性。
二极管的伏安特性曲线可以清晰地展示其工作状态。
当正向电压超过开启电压时，电流迅速增大；反向电压在一定范围内，反向电流很小，当反向电压超过击穿电压时，反向电流急剧增大。
二极管在电路中有多种应用，如整流、限幅、钳位等。
在整流电路中，利用其单向导电性将交流转换为直流；在限幅电路中，可以限制信号的幅度；在钳位电路中，能将信号的电位固定在某个值。
三、三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，分为NPN 型和PNP 型。
三极管的工作状态有截止、放大和饱和三种。
在放大状态下，基极电流的微小变化会引起集电极电流的较大变化，这就是三极管的放大作用。
要使三极管工作在放大状态，需要满足一定的外部条件，即发射结正偏，集电结反偏。
通过合理设置电路参数，可以实现对输入信号的放大。
三极管在模拟电子电路中广泛应用于放大电路、开关电路等。
四、基本放大电路基本放大电路是模拟电子技术中的重要内容。
常见的有共射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
共射极放大电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数，但输入输出电阻适中；共集电极放大电路的电压放大倍数接近于 1，但输入电阻大，输出电阻小，常用于输入级和输出级；共基极放大电路具有较大的高频特性和宽频带。
模电必考知识点总结
模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。
2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。
3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。
4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。
二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。
2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。
3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。
4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。
三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。
2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。
四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。
2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。
3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。
五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。
模电知识点归纳2(完全版)
模电知识点归纳2(完全版)一、知识概述《模拟电路基础（模电）知识点归纳2（完全版）》①基本定义：模电，全称模拟电路，是处理和转换连续性模拟信号的电路系统设计理论。
简单来说，它就像是一个翻译官，把生活中的各种连续变化的信息（比如声音、温度、光信号）转换成电子设备能理解的格式。
②重要程度：模电在电子工程中占据着举足轻重的地位，是电子技术的基石。
无论是你手里的智能手机，还是家里的电视机、冰箱，都离不开模电的功劳。
掌握模电，就相当于掌握了电子设备背后的“语言逻辑”。
③前置知识：在学习模电之前，你需要对基本的电路理论和数学基础有一定的了解，比如欧姆定律、基尔霍夫定律，以及基础的微积分和代数知识。
④应用价值：模电的应用无处不在，从小型电子设备到大型工业系统，都离不开它的身影。
比如，音频接口的转换、温度传感器的工作原理、甚至是医疗设备的信号检测，都离不开模电的支持。
二、知识体系①知识图谱：模电的知识体系相当庞大，从基础的元器件认识、电路分析方法到复杂的信号处理电路，每一个环节都是紧密相连的。
你可以把它想象成一座高楼大厦，每一层都建立在前一层的基础上。
②关联知识：模电与数字电路、通信原理、信号处理等多个学科都有紧密的联系。
学好模电，有助于你更好地理解这些相关领域的知识。
③重难点分析：模电的重难点在于对电路动态过程的分析和理解。
很多时候，一个微小的变化可能会引起整个电路行为的巨变，这就需要你具备敏锐的观察力和严谨的逻辑思维。
④考点分析：在考试中，模电的考点主要集中在基本原理的理解、电路分析方法的应用，以及对特定电路特性的分析上。
通过ţa多练习，你可以更好地掌握这些考点。
三、详细讲解（理论概念类）以“放大器电路”为例：①概念辨析：放大器电路，顾名思义，就是用来放大信号的电路。
它可以把微弱的输入信号增强，使其达到能够驱动后续电路或负载的水平。
②特征分析：放大器电路具有增益高、稳定性好、失真小等特点。
增益高意味着它能有效地放大信号；稳定性好则保证了电路在各种工作条件下都能保持稳定的性能；失真小则是衡量放大器性能优劣的一个重要指标。
模电期末复习重点讲解
VD1
VD3
~220V 50Hz
U21=15V U22=15V
VD2
VD4
U I1 C1 U I2 C2
VDZ1 UZ1 =8V
VDZ2 UZ2 =8V
R
RL1
UO1
RL2
UO2
第3章 半导体二极管
什么是半导体，本征半导体，杂质半导体 杂质半导体的导电机理； PN结的形成及其单向导电性； 半导体二极管的伏安特性； 要注意基本概念与实验的结合。
R4
R5
+VCC
R1
VT2
uO VT 1
uI R2
R3
R6
解：1） ICQ1 ICQ2 1mA
U BQ1
VCC
R2 R1 R2
2.7V
R3
U BQ1 U BE1 I CQ1
2k
2）
U BQ2
VCC
R6 R5 R6
4V
UCQ1 U BQ2 U BE2 3.3V U BQ1 2.7V
3.在如图所示电路中，已知输入电压vi为正弦波，其最大有效值 Vi=0.5,此时负载上得到最大输出功率；运算放大电路为理想运 放；三极管导通时|VBE|均为0.7V，VT3和VT4的饱和管压降 |VCES|＝2V；电路的交越失真可忽略不计。试问： 1)电路的最大输出功率；2)在输出功率最大时，输出级的效率； 3)为使输出功率达到最大，电阻R3至少应取多少千欧？
•可变电阻区 vDS≤（vGS－VT）
iD 2Kn (vGS VT ) vDS
外围电路补充完整）； 第四步：根据模型图求Av,Ri,Ro
例2：NMOS放大电路的分析计算
第一步：直流电源单独工作（交流信号为0），分析直流通路
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电知识点复习总结
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化，得到二极管特性的 等效模型。 （1）理想模型
（a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型
（2）恒压降模型
（3）折线模型
（a）V-I特性 （b）电路模型
漂移运动： 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导 体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
特别注意： ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
（一）稳压二极管
I/mA
1 结构：面接触型硅二极管
2 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿 具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
， IC
IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法,基极作为公共电极，用CB表示； 共集电极接法,集电极作为公共电极，用CC表示.
模电重点总结复习必备
u
+
－
A
+
∞
i
f
R
i
i
f
i
i
i+
i-
i
+
+
T
-
i
+
u
R
i
i
i
b
i
f
2
虚短
3
虚断
1
串联负反馈，输入端电压求和
6
并联负反馈，输入端电流求和
5
虚断
4
虚短
判断能否自激的方法
（1）画出 的波特图
（2）找出两个特定的频率
（3）判断
（4）若不自激，则判断幅度裕度和相位裕度
方法一：
方法二:
02
01
分析方法：分频段研究法和时间常数法
直流稳压电源
工作原理
整流
计算
稳压
滤波
g
g
d
S
d
i
工作在非线性区时的特点
工作在线性区时的特点
虚断
虚短 虚断
运算放大器
波特图
画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子
基本放大电路
01.
多级放大电路
01.
差分放大电路
01.
反馈放大电路
01.
运算放大器
01.
功率放大器
01.
频率响应
01.
直流稳压电源
01.
三、电路部分
共发射极、共集电极、共基极、 共源、共漏
特点和典型功能：
较大，Ri很大；适于小信号电压放大
共漏放大电路
+
C
g3
模电知识要点总结-期末复习用-较全面[适合考前时间充分的全面复习]
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模电知识要点总结_期末复习用_较全面 【适合考前时间充分的全面复习］第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1. 半导体一导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si 、猪Ge ） °2. 特性——光敏、热敏和掺杂特性.3. 本征半导体一一纯净的具有单晶体结构的半导体. 一带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子•在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体-体现的是半导体的掺杂特性. 在本征半导体中掺入微S 的三价元素（多子是空穴，少子是电子）.在本征半导体中掺入微S 的五价元素（多子是电子，少子是空穴人6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度■一多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
♦体电阻——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
♦转型-一通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7. PN 结* PN 结的接触电位差■一硅材料约为“，错材料约为= * PN 结的单向导电性-一正偏导通，反偏截止。
& PN 结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性 ------- 正向导通，反向截止. ♦二极管伏安特性——同P N 结.水正向导通压降 ------ 硅管”，猪管”. *死区电压 ------- 硅管，猪管。
3. ------------------- 分析方 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V « >V«（ iE 偏），二极管导通（短路）； 若V« <V«（反偏），二极管截止（开路）。
1）图解分析法4. 两种载流子-5. 杂质半导体一粳型半导体：*N 型半导体：该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q5 7 YD（a）二极管电路2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段一一将二极管断开，分析二极管两端电位的髙低: 若V阳刃阴（正偏）,二极管导通（短路）；若V阳＜9阴（反偏），二极管截止（开路）。
模拟电子技术总结复习资料
模拟电子技术复习资料一、前言模拟电子技术是电子工程师必备的技术之一，本文将模拟电子技术的相关知识点，以供复习之用。
二、基础知识1. 模拟电子技术的定义模拟电子技术是指以连续的时间和数值作为处理信号的基本方法，将原始信号转换为模拟电压或电流信号，经过放大、滤波、调制等技术处理后再转换为输出信号的一种电子技术。
2. 信号处理的分类信号处理可以分为模拟信号处理和数字信号处理两种方式。
其中，模拟信号处理是连续的，输出结果也是连续的；数字信号处理是离散的，输出结果也是离散的。
3. 电路元件常见的电路元件有电阻、电容、电感和二极管等。
在实际电路中，这些元件通常是串接或并联连接。
4. 电路分析电路分析主要包括基础电路分析、状态变量法和矩阵方法三种。
其中，基础电路分析可以用于简单电路的分析，状态变量法可用于复杂电路的分析，矩阵方法则适用于大型电路分析。
三、基本电路1. 电压分压器电压分压器是一种简单的电路，在电路中由两个电阻相连，起到将输入电压分压的作用。
分压器的输出电压等于输入电压乘以电路中两个电阻的比值，即：V_out = V_in * R2 / (R1 + R2)2. 电路共模抑制电路共模抑制是一种在电路中削弱两个信号（通常是两个交流信号）之间共同模式分量的方法。
在电路中添加一对差模信号，可以使一部分共模干扰信号被消除。
3. 交流放大器交流放大器是一种电路，用于放大输入信号的交流部分。
通常会使用共射极放大器来放大信号。
4. 滤波器滤波器是一种电路，主要功能是去除输入信号中不需要的频率或波形分量。
滤波器通常被划分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等不同类型。
四、放大器1. 放大器的分类放大器通常被分为共射极放大器、共集极放大器和共基极放大器等三种。
其中，共射极放大器最常用。
2. 放大器的增益与带宽放大器的增益和带宽是两个相互制约的指标。
在设计放大器时，需要综合考虑这两个指标来确定放大器的工作范围。
模电重点三部曲(基础知识+重点知识+自测题)
《模电》复习三部曲Ⅰ、各章复习重点第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，e0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
大一模电期末知识点总结
大一模电期末知识点总结模拟电子技术是现代电子技术的重要组成部分，它研究的是利用电子器件和电路进行电子系统的设计与实现。
在大一模拟电子技术课程中，我们学习了许多重要的知识点，下面对这些知识进行总结和归纳。
一、电路基础知识1. 电流与电压：电流是电荷在单位时间内通过一个截面的数量，用安培（A）表示；电压是两点之间的电势差，用伏特（V）表示。
2. 电阻与电导：电阻是电流通过导体时产生的阻碍，用欧姆（Ω）表示；电导是导体导电性良好的程度，是电阻的倒数。
3. 欧姆定律：描述了在恒定温度下，电流通过导体的大小与电压成正比的关系，数学表达式为I = U/R。
4. 串联与并联：电路中的电阻、电容、电感等元件可以通过串联和并联的方式连接。
在串联中，元件依次连接在一起；而在并联中，元件是同时连接在一起。
二、半导体器件1. PN结：由p型半导体和n型半导体形成的结构，具有整流和发光的特性。
正向偏置使电流通过，反向偏置则阻止电流通过。
2. 二极管：由PN结构组成，具有单向导电性，可以将交流信号转换为直流信号。
3. 晶体管：由三层半导体构成（P-N-P或N-P-N），可以放大信号、开关电路和稳压等。
4. 场效应管：由栅极、漏极和源极组成，根据栅极电压的不同，控制漏极和源极之间的电流。
三、放大电路1. 放大器的基本概念：放大器将输入的弱信号放大为较大的输出信号，可以分为A类、B类、AB类等。
2. 放大器的参数：增益、带宽、输入阻抗和输出阻抗是评估放大器性能的重要指标。
3. 电压放大器：将输入信号的电压放大为较大的输出信号。
4. 电流放大器：将输入信号的电流放大为较大的输出信号。
5. 三极管放大器：使用三极管作为放大器的核心元件，具有高增益和广泛的应用。
四、振荡电路1. 振荡器的基本概念：振荡器是产生周期性信号的电路，可以分为正反馈振荡器和负反馈振荡器。
2. RC振荡器：使用电容和电阻构成的振荡器，具有简单结构和稳定的输出频率。
模电期末复习重点
模电期末复习重点1、掌握内容2-8章为重点内容；9-10章作为了解内容；以讲授内容为考核范围。
2、需要掌握的电路分析与计算方法（1）放大电路分析，包括直流工作点分析，画出交流等效电路，分析交流参数（六种基本组态放大电路及其两级级联电路）；（2）多级放大电路、差动放大电路与负反馈放大电路的组合分析，包括开环放大电路分析，反馈类型判断，闭环放大倍数与输入输出电阻求解；（3）基本运算电路（比例、加法、减法、积分、微分）的分析，作图，利用虚短、虚断条件进行求解；（4）运算电路和比较器的组合电路分析，包括电路类型识别，表达式分析，波形绘图；（5）弛张振荡器分析，互补跟随乙类功率放大器分析3、需要掌握的概念与分析内容第四章：半导体器件（1）掺杂半导体，漂移扩散电流，PN结单向导电性，PN结击穿特性，PN结电容；（2）二极管特性方程，二极管直流与交流电阻求解，工作状态，电路模型，二极管电路分析，稳压二极管特性，电路分析；（3）双极型晶体管结构、放大状态工作原理，工作区，直流模型，直流工作点分析（4）场效应晶体管结构，工作原理，工作区，类型与符号第五章基本放大电路（1）放大器组成规则（小信号放大器），直流偏置电路与直流工作点求解，晶体管偏置状态与类型判断，直流通路与交流通路绘制（2）放大电路图解法分析：直流与交流负载线，饱和、截止失真，最大不失真输出电压（3）双极型晶体管和场效应晶体管的交流小信号等效模型（H参数模型），模型参数确定（rbe，rce，gm，rds），放大器交流等效电路绘制与交流参数分析（A，Ri，Ro）（4）六种基本组态放大器电路结构、交流特性，对比（5）放大器级联方式，多级放大器交流参数求解第六章集成运放（1）运放组成结构与各部分功能，电流源电路（2）零点漂移，差动放大电路结构、直流工作点（3）差动放大电路的差模和共模特性分析，任意输入信号处理方法（4）交越失真，互补射极跟随器（5）运放电路定性分析，各部分结构与功能，同相与反相输入端第七章：频率响应（1）频率失真，线性失真，非线性失真，上限频率、下限频率、通频带，混合∏等效模型，β与α的上限频率，特征频率，密勒定理（2）三种基本组态放大电路的高频效应的对比，波特图表示法，附加相移与增益下降斜率（3）影响高频、低频响应的电抗元件（4）多级放大器的频率响应第八章：反馈（1）负反馈概念、分类，负反馈优点，反馈类型判断，求反馈系数；（2）深度负反馈放大电路分析，稳定性判断（3）振荡器、正反馈，文氏电桥振荡器第二章：运算电路（1）比例、加法、减法、积分、微分、电流-电压转换等运算电路结构、分析方法，表达式（2）仪表用放大器（3）滤波器种类与用途，有源滤波的优点第三章：电压比较器、弛张振荡器（1）简单比较器、迟滞比较器结构与分析,U OH,U OL,U TH,U TL（2）两种弛张振荡器结构与分析第九章：功率放大器（1）功率放大器的工作状态（A、B、C、AB）与各自特点（2）双电源和单电源互补跟随B类功率放大器结构与分析（3）复合管，桥式功率放大电路第十章：电源电路（1）电源电路结构，整流电路，滤波电路与Uo估算（2）稳压管稳压电路、串联型稳压电路的结构与原理。
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PN结的单向导电性
3. 二极管各参数的物理意义
4. 特殊二极管——稳压管
5. 三极管实现放大必须具备的内部结构条件和外部 条件： （1）对其内部结构要求： ①发射区进行高掺杂，因而其中的多数载 流子浓度很高。
②基区很薄，且掺杂比较少，则基区中多
子的浓度很低。 ③集电区 掺杂浓度要比发射区低；
结面积比发射区要大。
V Ro o I o
RL 0 V s
（求R o时不能算R L！）
VT mV 记住公式： rbe rbb 1 I CQ mA （或rb） 常温时 VT 26mV rbb取100～300
注意
共集电极放大电路的动态分析较复杂。
1 射极输出器，电压跟随器 （A ，但 1 ） V
所有电容都短路；
直流电源相当于交流接地。
双极型三极管的H参数（或称微变）等效电路： ib ic b c
vbe
βib
vce e
，R ，R ③对H参数等效电路进行动态分析——求 A V i o
不要死背结果，要会分析电路。
V V o o A 或 A V VS Vi V s V Ri i I i
3. 各类电流源电路的原理分析 4. 差分放大电路 （1）“零点漂移”概念（或称温漂）及产生原因 （2）差分放大电路的作用：放大差模信号，抑制共
模信号。
要求能够分析由BJT构成的双入双出型差分 放大电路的静态电路及动态电路，由FET管 构成的不作重点要求。
•
理想集成运放的特性
（1）vP=vN→ AV=∞ （2）Ri=∞→iP=iN=0 （3）Ro=0
常 数
i B f v BE v
iB /μA vCE =0V
CE
iC f v CE i
B 常 数
vCE =1V
vCE >1V
知 判断三极管的类型(NPN 识 vBE /V点 型orPNP型)及对应电极
截止区：Je、Jc都反偏，即vBE<0，vBC<0。 放大区：Je正偏、Jc反偏，即vBE>0，vBC<0。 饱和区：Je、Jc都正偏，即vBE>0，vBC>0。
（4）扩展频带
使fHf较无反馈时升高 使fLf较无反馈时降低
BW ↑
（5）对Rif和Rof的影响 对Rif 串联负反馈使Ri↑ 并联负反馈使Ri↓
所有的影响 系数均为反 馈深度：
F 1 A
对Rof
电压负反馈使Ro↓ 电流负反馈使Ro↑
4. 负反馈放大电路的分析方法
——利用深负反馈中存在的“虚短”、“虚
0 V S RL
（3）增益
V o （无量纲） A V V i V o （Ω） A R I i I o （无量纲） A I I i I o （ S） A G V i
5. 上限截止频率fH和下限截止频率fL
1 A VM ） fL：当电压放大倍数下降到 0.707 AVM（即 2
直流通路
IC I B
VCC VBE
VCE VCC IC RC
共集电路
Rb
IB
VBE U BE V CE U
CE
+ VC C
仍然先求IB→IC→VCE，但
VCC I B Rb VBE I E Re
I B Rb VBE (1 β ) I B Re
④求振荡频率。
1 RC电路： f 2 RC
L L1 L2 2 M f 1 2
L1 L2 2 M C
1 LC电路： f 2 LC
电容三点式：C C1C 2 C1 C 2 1 f C1C2 2 L C1 C2
第9章 直流稳压电源
1. 直流稳压电路的四个组成部分 2. 整流环节——单向桥式整流电路 （1）电路结构： （2）负载RL上的直流电压VL和直流电流IL：
VL 2 2V2
0.9V2
0.9V2 IL RL
3. 滤波电路——电容滤波电路
（1）当RL开路时，即RLC=∞时 VL AV 2V2 （2）当接入RL，即RL≠∞时，电容的容量应满足 T RLC 3 ~ 5 2 （3）电容的耐压值应该大于 2V2 （4）当电容值满足要求时，取VL(AV)=(1.1～ 1.2)V2，通常取1.2V2
断”条件求反馈增益
1 方法： （ 1） A F F
X （2）X i f
5. 负反馈产生自激振荡的条件及产生原因
第7章 信号运算及处理电路
详见本章主要内容！
第8章 正弦波信号产生电路
1. 正弦波振荡电路的振荡条件：
1 起振条件： AF
1 稳幅条件： AF
2. RC正弦波振荡电路 LC正弦波振荡电路 常见题型：
电信号
为一般化起见，常把传感器作为信号源处理。
3. “模拟信号”和“数字信号”的概念。
模拟信号：在时间上和数值上都是连续的信号。 数字信号：在时间上和数值上都是离散的信号。
4. 放大电路的主要性能指标 V （1）输入电阻Ri： Ri i Ii
V （2）输出电阻Ro： Ro o Io
1 fL 2 RC
第4章 场效应三极管及其放比较。
2. 由FET管构成的电压放大电路分析，
具体电路：
（1）分压式偏置共源极放大电路
——适用于所有FET
（2）自偏压FET共源极放大电路
——只适用于耗尽型FET
第5章 集成运放及功率放大电路
1. 集成电路的特点： （1）电路参数一致性好，适用于构成差分放大电 路 （2）用有源器件代替无源器件 （3）采用复合管结构的电路
，R 与负载电阻R 有关，R 与R 、r 及R 有关。 其A V i L o s be b
④分析电路处于低频区或高频区时的频率响应
重点：求fL或fH
求fH： 用混合π 型等值电路等效。
求fL： 仍用H参数等效模型等效BJT，但电容的影 响不能忽略。
看清问题：
要求某一电容C起决定作用时，把电路中其 它电容全部视为短路，用把该电容断开向 里看进去的等效电路来求R，则
Re
IE
I BQ
VCC VBE IB Rb (1 ) Re
ICQ βIBQ
VCEQ VCC IEQ Re VCC ICQ Re
共基电路和静态工作点稳定电路
二者直流通路相同。
先求VB，再求IC→VCE和IB
Rb2 VB VCC Rb1 Rb2
Rb1
（4）级间采用直接耦合方式 （5）用三极管的发射结代替二极管
2. 典型集成运放的四个组成 部分及各部分功能和
常用电路形式 （1）输入级——差分放大电路 （2）中间级——共射（或共源）放大电路（∵这 类电路的AV大） （3）输出级——互补对称输出电路，保证输出功 率放大 （4）偏置电路——电流源电路，提供各级合适的 静态工作电流
时所对应的低频频率，称为放大电路的fL。
1 A VM ） fH：当电压放大倍数下降到 0.707 AVM（即 2
时所对应的高频频率，称为放大电路的fH。
通频带BW：BW=fH-fL
用分贝表示时：
1 20lg 3dB 2
第1章 半导体及双极型半导体器件
1. 概念 本征半导体 P型半导体 杂质半导体 N型半导体 2. 关于PN结 PN结的形成
到输入回路，用来影响其输入量的措施（或过
程）——称为反馈。 （2）分类：
2. 交流负反馈组态的判断 难点：分立元件构成的负反馈放大电路反馈组态
的判断。
3. 负反馈对放大电路性能的改变
1的情况 讨论 1＋AF
（1）负反馈使闭环增益减小； （2）负反馈使增益变化量减小； （3）减小非线性失真；
第6章
章
章
负 载 第7章
偏置电路（第5章）
-VCC
直流稳压电源（第9章）
第0章 绪论
本章内容以基本概念为主。
1. “电子系统”的概念。
通常是指由若干相互联接、相互作用的基本电
路组成的具有特定功能的电路整体。
2. “信号”的概念。
信号是信息的载体。
对于非电信号的处理过程： 电子系统
非电信号
相应传感器
5. 功率放大电路 看课程结束后的“本节总结”。 （1）掌握本节各电路引出时的原因，即为了克服
什么缺点而引入该电路。 （2）甲类、乙类、甲乙类电路工作状态。
（3）所学双电源互补对称电路工作原理分析【即： 乙类的、甲乙类的】
第6章 放大电路中的负反馈
1. 反馈的定义及分类 （1）定义： 在电子电路中，将输出量（输出电压或输出电 流）的一部分或全部通过一定的电路形式作用
（1）共射放大电路
（2）共集放大电路 （3）共基放大电路 （4）静态工作点稳定电路
分析方法：
①找出电路的直流通路——求Q点：IB，IC，VCE
注意
各电路求Q点的方法不一样！
所有电容断开！
共射电路： 先求IB→IC→VCE
VCC I B Rb VBE
IB
VCC VBE IB Rb
VCC Rb
问题：模电学了什么？
放大和反馈！！！
学完电子技术应具备的基本能力：
一看 二算 三选 四干
本门课程总线
+VCC 输 入 级 第
3.3
以运放电 路为例：
直流稳压电源（第9章） 中 间 级 第
2,4
信号源 （第8章） 组成各电路 的元器件均 由半导体材 料构成 （第1章）
输 出 级
第 3.4 5.5 章
判断能否产生正弦波振荡
①直接要求判断能否振荡。