西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题

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大学《模拟电子技术基础》期末考试测试卷

大学《模拟电子技术基础》期末考试测试卷一、填空题（10分）（每空1分）1.稳压管具有稳定电压的作用，工作于反向击穿状态。

2.当温度升高时，二极管的正向压降UBE会减小，反向电流Is会增加。

3.三极管在放大区的特征是当IB固定时，I C基本不变，体现了管子的恒流性特性。

4.场效应管属于压控控制器件，漏极电流的大小受栅源电压控制。

5.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真。

6.在放大电路中引入反馈后．使净输入减小的反馈叫负反馈，若使净输入增大的反馈叫正反馈。

二、选择题（5分）（每题1分）1.晶体管工作在放大区时，b-e极间电压应。

(A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置)2.具有发射极电阻R e的典型差动放大电路中，适当增大R e的电阻值，则。

抑制零点漂移的效果将会更好，B.抑制零点漂移的效果将会更差，C.对抑制零点漂移无影响)3.对于放大电路，所谓开环是指。

(A．无信号源，B．无反馈通路，C．无负载)4.直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是。

(A.温度的变化，B.电源电压的波动，C.电路元件参数的变化)5.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

(A.共射放大电路,B.共集放大电路,C．共基放大电路)三、简答题（15分）1.在放大电路中，引入负反馈后能改善电路的哪些交流性能?（4分）提高放大倍数的稳定性；减小非线性失真和抑制内部干扰；展宽通频带；对输入、输出电阻有影响2.差动放大电路主要分为两大类，分别是哪两大类？（2分）恒流源式；长尾式3.在多级放大电路中，对输入电阻、输出电阻的要求是什么？（2分）输入电阻高；输出电阻低4.判断图中所示电路中是否引入了交流负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈。

（3分）是电压/并联负反馈5.直流稳压电源由哪几部分组成？（4分）变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四、计算题1.（10分）在所示电路中，已知V C C＝16V，R L＝4Ω，T1和T2管的饱和管压降│U C E S│＝2V，输入电压足够大。

电子技术基础(含答案)

《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。

一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.6.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说确的是（）。

模拟电子技术基础__经典例题

《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。

图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。

试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。

图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

模拟电子技术模拟考题二及参考答案.doc

模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空（每题2，共2分）1．硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于（）。

(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是（）。

(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈（）。

(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用的滤波电路是（）。

(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零的运算电路是（）。

(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。

(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。

(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。

（）(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。

(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空（共10题，每题2分，共20分）1、在室温（27℃）时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V，硅二极管的死区电压约 V；导通后在较大电流下的正向压降约 V。

《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

《电力电子技术》西南科技大学期末考试模拟试卷（A）

《电⼒电⼦技术》西南科技⼤学期末考试模拟试卷（A）《电⼒电⼦技术》期末考试模拟试卷（A ）（2011年 11⽉）⼀、填空题(每⼩空1分，共13分)1．正弦脉宽调制（SPWM ）技术运⽤于电压型逆变电路中，当改变_ _ 调制⽐可改变逆变器输出电压幅值；改变_ 调制波频率可改变逆变器输出电压频率；改变_ 载波频率可改变开关管的⼯作频率。

2.将直流电能转换为交流电能⼜馈送回交流电⽹的逆变电路称为有源逆变器。

3. 晶闸管变流器主电路要求⾓发电路的触发脉冲应具有⼀定的宽度，且前沿尽可能陡。

4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。

5. 在PWM 斩波器中，电压⽐较器两个输⼊端信号分别是三⾓波信号和直流信号6 . 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120° 。

7.在实际应⽤中，双向晶闸管常采⽤__Ⅰ+ 和Ⅲ-_两种触发⽅式。

8.控制⾓α与逆变⾓β之间的关系为β=л-α。

⼆、单项选择题(每⼩题2分，共30分。

从每⼩题的四个备选院（系）班级姓名学号 ………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………选答案，选出⼀个正确答案，并将正确答案的号码填在题⼲后⾯的括号内。

)1．在型号为KP10-12G 中，数字10表⽰（B ）。

A.额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A 2．下列电路中，不可以实现有源逆变的有（ B ）。

A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流⼆极管3.整流变压器漏抗对电路的影响有（A ）。

A.整流装置的功率因数降低B.输出电压脉动减⼩C.电流变化缓和D.引起相间短路4．功率晶体管GTR 从⾼电压⼩电流向低电压⼤电流跃变的现象称为（ B ）①⼀次击穿②⼆次击穿③临界饱和④反向截⽌ 5．逆导晶闸管是将⼤功率⼆极管与何种器件集成在⼀个管芯上⽽成( B )①⼤功率三极管②逆阻型晶闸管③双向晶闸管④可关断晶闸管6.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A ）①减⼩⾄维持电流I H 以下②减⼩⾄擎住电流I L 以下③减⼩⾄门极触发电流I G 以下④减⼩⾄5A 以下7. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（ B ）①U 2 ②22U ③222U ④26U 8. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联⼀个续流⼆极管的⽬的是（ D ）①增加晶闸管的导电能⼒②抑制温漂③增加输出电压稳定性④防⽌失控现象的产⽣9. 三相全控桥式变流电路⼯作于有源逆变状态，输出电压平均值U d 的表达式是（A）①U d=- 2.34U2cosβ②U d=1.17U2cosβ③U d= 2.34U2cosβ④U d=-0.9U2cosβ10. 若减⼩SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采⽤的控制⽅法是（C）①减⼩三⾓波频率②减⼩三⾓波幅度③减⼩输⼊正弦控制电压幅值④减⼩输⼊正弦控制电压频率11. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管⼦都将⼯作在( B )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定12. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制⾓α的最⼤移相范围是( D )A.90°B.120°C.150°D.180°13. 单相全控桥式整流⼤电感负载电路中，控制⾓α的移相范围是( A )A.0°～90°B.0°～180°C.90°～180°D.180°～36014.在⼤电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是( B )A.U2B.0C.1.414U2D.1.732U215．单结晶体管同步振荡触发电路中，改变R e能实现（A）。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中，哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平？A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案：C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件？A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案：D. 电池3. 在模拟电子技术中，下面哪个元器件常用于放大电压信号？A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案：C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号？A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案：D. 调制器5. 在模拟电子技术中，以下哪个元器件常用于对电流进行控制？A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案：D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。

答案：欧姆（Ω）7. 二极管有两个基本电极，分别是阳极（A）和________。

答案：阴极（K）8. 在放大器中，输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平，这个功能叫做________。

答案：放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。

答案：线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号？答案：整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。

答案：电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。

电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理，通过在电子管中加入电场和磁场，可以控制电子流的流动和放大信号。

在模拟电子技术中，电子管经常用于放大电压信号。

它具有高放大系数和低噪声的特点，因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。

同时，电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。

12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。

答案：两种常见的放大器类型分别是：a. 甲类放大器：甲类放大器是一种线性放大器，输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大，即电流在整个传输特性曲线上运行。

《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案

河北科技大学学年第学期《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案学院班级姓名学号题号一二三四五六七八九十总分得分一、选择填空题（每空1分，共10分）（ A ）1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。

A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路（ C ）2.选用差分放大电路的原因是。

A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂（ A ）3.若要实现电流—电压转换电路，应引入。

A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈（ A ）4.二极管外加正向电压时处于_______状态。

A.导通B.放大C.截止（ A ）5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成：放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。

A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节（ C ）6.直流稳压电源中滤波电路的目的。

A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动，使输出电压平滑（ B ）7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V，则该晶体管工作在状态。

A.饱和B.放大C.截止（ C ）8.直流负反馈是指：。

A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈（ D ）9.对于放大电路，所谓开环是指。

A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路（ D ）10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。

A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷，共（ 6 ）页，第（ 1 ）页模拟电子技术A 卷，共（ 6 ）页，第（ 2 ）页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题（共10分）1．（请在括号中标明“√”或“×”;每空1分，共5分）（ √ ）1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立，它只能放大交流信号。

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是单向导电性。

2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。

3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O0 ；若u I1=100μV ，u I 2=80μV则差模输入电压u Id =20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。

5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。

7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。

二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。

《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案(A)

1《模拟电子技术基础》期末考试试题参考答案（A ）一、填空（18分，每空1分）1、实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证发射结正偏；而集电结反偏。

针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为微变等效法和图解法。

3、基本放大电路有三种组态，即共发射极、共基极和共集电极。

多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。

4、电压负反馈使输出电压稳定，因而降低了放大电路的输出电阻；串联负反馈增大放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。

在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、电流并联负反馈。

二、选择正确答案填空（20分每空2分）ADCDA DBDCC三. （15分）解：（1）静态分析：V 7.5)(A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQEQ BQ ef BEQ BQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV 26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥ （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，ef 'L R R R A u+-≈ ≈－1.92。

四. （4分）解：（a ）可能（b ）不能五. （20分）7V ；-333；0；6 k Ω；20 k Ω六.（15分）8o 213i 2be 82be2764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-⋅-=∥∥∥∥β2。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

模拟电子技术基础期末试题

填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。

3、二极管的最主要特性是单向导电性。

ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。

PN具有具有单向导电特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。

8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。

10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。

12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。

13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。

15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。

17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。

18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。

电子技术基础考试模拟题与参考答案

电子技术基础考试模拟题与参考答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（）A、最低位B、第二位。

C、最高位。

正确答案：C2、单相半波整流电路，负载电阻RL=750W，变压器次级电压有效值，U2=20V，则整流二极管承受的最大反向电压URM为。

A、20VB、25.8VC、28.2V正确答案：C3、编码器属于（）逻辑电路A、组合B、时序C、触发器正确答案：A4、将二进制数1111011写成十进制数应是（）A、132B、123C、173正确答案：B5、与门的逻辑功能是（）A、有0出1。

有1出0。

B、有1出1。

全0出0。

C、有0出0。

全1出1。

正确答案：C6、对运算放大器进行调零是由于（）A、存在输入失调电流。

B、存在输入失调电压。

C、存在输入偏置电压。

正确答案：B7、理想运算放大器的输出电阻为（）B、不定正确答案：B8、由两个并联开关控制一只电灯，电灯的亮灭同两个开关的闭合，断开之间的对应关系是与逻辑关系。

A、✔B、×正确答案：B9、在JK啊？出发器中，当J=0 k=1时触发器（）A、状态不变B、置0C、置1正确答案：B10、测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是，-0.7，-1，-6责-0.7对应的是（）A、集电极。

B、基极C、发射极。

正确答案：C11、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

A、×B、✔正确答案：B12、用真值表表示逻辑函数缺乏直观性。

A、×B、✔正确答案：A13、与二进制数100110等值的十进制数为26。

A、✔B、×正确答案：B14、半波整流电容滤波电路输出电压的平均值UO=（）A、0.9U2B、U2正确答案：B15、时序逻辑电路分析的关键是求出状态方程和状态转换真值表才可画出时序图。

A、×B、✔正确答案：B16、风压骗子电路调静态工作点时，主要应调节（）偏置电阻。

A、上B、下C、中正确答案：A17、共集电极放大电路的负反馈组态是（）A、电压串联负反馈。

模拟电子技术应用(微课版)期末考试试卷(A卷).doc[3页]

《模拟电子技术》期末考试试卷（A 卷）使用班级：命题教师：考核方式：闭卷考试考试时间：100分钟1. N 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，P 型半导体中多数载流子是﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍，PN 结具有﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍特性。

2. 发射结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，集电结﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍偏置，则三极管处于饱和状态。

3. 当Ucs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍型场效应管。

4. 两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB ，第二级电压增益为26dB ，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB 。

5. 差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V ，Ui2=1.98V ，则该电路的差模输入电压Uid 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V ，共模输入电压Uic 为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍V 。

6. 集成运算放大器在比例运算电路中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区，在比较器中工作在﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍区。

7. 在放大电路中为了提高输入电阻应引入﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍负反馈，为了降2分，共40分）1、一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（）。

A 、有微弱电流B 、无电流C 、有瞬间微弱电流 2、晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（）。

A 、增加 B 、下降 C 、不变 3、三极管的反向电流I CBO 是由（）组成的。

A 、多数载流子B 、少数载流子C 、多数载流子和少数载流子 4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。

Ａ、强Ｂ、弱Ｃ、一般５、射极跟随器具有（）特点。

Ａ、电流放大倍数高Ｂ、电压放大倍数高Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低６、引入并联负反馈，可使放大器的（）。

Ａ、输出电压稳定Ｂ、反馈环内输入电阻增加Ｃ、反馈环内输入电阻减小７、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（）。

模拟电子技术期末试卷8套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 姓名___ ___ 分数___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是，掺杂越多，则其数量一定越，相反，少数载流子应是，掺杂越多，则其数量一定越。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为，锗二极管的导通电压约为。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的区和区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成、、三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指随信号频率而变，称为特性，而输出信号与输入信号的随信号频率而变，称为特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为un u u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数u A ＝（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足和两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是、、和。

二．选择题（每题2分，共分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A ）β （B ） β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuBuE 。

西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。

每一小题２分，共２０分)（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ）A.掺杂浓度B.工艺C.温度D.晶体缺陷(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B )A.正向导通状态B.反向电击穿状态C.反向截止状态D.反向热击穿状态(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( )A.PNP 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型锗管D.PNP 型硅管(4 )温度上升时，半导体三极管的( A )A.β和I CEO 增大，u BE 下降B.β和u BE 增大,I CEO 减小C.β减小，I CEO 和u BE 增大D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( )A.共集电极放大电路B.共基极放大电路C.共漏极放大电路D.共射极放大电路(6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( )A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈(7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( )A.A u 等于各级电压放大倍数之积B.R i 等于输入级的输入电阻C.R o 等于输出级的输出电阻D.A u 等于各级电压放大倍数之和(8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( )A.|A ud |B.|A uc |C.R idD.K CMR(9 )电路如图2所示，其中U 2=20V ,C=100μf 。

变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ≈( )。

A.24VB.28VC.-28VD.-18V(10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是( )。

A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器D.窗口比较器2.填充题(每格1分，共20分)(11 )当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路U （图2）－－8V－2.2V ① ③ 图1对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真为＿＿＿＿失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为＿＿＿失真，这两种失真统称为＿＿＿＿＿失真或＿＿＿＿＿＿失真。

完整word版,《模拟电子技术基础》期末考试试题A

《模拟电子技术基础》期末考试试题（A）
姓名班级学号成绩
一、写出图示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

（12分）
r=100Ω。

（15分）
二．电路如图所示，晶体管的β＝100，'
bb
（1）求电路的Q点、
A&、R i和R o；
u
（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
.
三．设图所示电路的静态工作点合适，画出交流等效电路，并写出
A 、R i和R o的表达
u
式。

（15分）
r=100Ω，U B E Q≈0.7。

试计算R W 四．图示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'
bb
滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I E Q，以及动态参数A d和R i。

（15分）
五．电路如图T5.2所示。

已知：V C C＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，f T = 50MHz，'
r＝100
bb
Ω, β0＝80。

试求解：（15分）
（1）中频电压放大倍数
A&；
u
sm
（2）'
C；
π
（3）f H和f L；
六．图示电路是什么组态的反馈类型，估算各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。

（10分）
七．电路如图所示，试求：（1）输入电阻；（2）比例系数。

（10分）
八．分别判断图P8.12所示各电路是否满足正弦波振荡的相位条件。

（8分）。