非晶硅薄膜太阳能电池产品技术规格书

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非晶硅薄膜太阳能模组参数

非晶硅薄膜太阳能模组参数

非晶硅薄膜太阳能模组参数(10W和12W组件)圣睿太阳能提供非晶硅薄膜太阳能电池。

下表显示是在标准条件下测试的稳定值:辐射度为1000W/㎡,光谱为AM1.5 ;温度为25°C(开路电压或短路电流可定制)。

TFSM-12W-17V TFSM-10W-17V产品概述:此太阳能模组可将太阳光转换为直流电。

可用于给12V蓄电池充电,通常是太阳能产品或太阳能电力供应系统的重要组成部分。

非晶硅产品可在弱光或多云的天气情况下正常使用。

在光伏组件工作的起初几个月里,电参数特性:高于额定功率20%,工作电压9%,工作电流12%。

其他的因素,如高温环境工作、光谱的改变和其他相关因素,都会引起组件性能相对额定参数产生10%的变化。

Specifications of amorphous silicon thin film PV module(5W and 10W Module)The Polar-PV module is a thin film photovoltaic module with amorphous silicon (a-Si) devices monolithically integrated. The electrical specifications shown below are stabilized values measured at Standard Report Conditions: 1000W/m2 irradiance,AM1.5 spectrum at 25℃while Voc or Isc can be customized.Produce Overview:Solar panel is a device that transform sunlight into DC electricity. It can be used to charge a 12V battery, usually used as key component to any solar product or solar power supply system.Amorphous technology, work even under low light or cloudy conditions.Output of electricity in the first few months of operation will exceed the specified ratings around 20% for power output, 9% for operation voltage, and 12% for operating current. Other factors, such as operation at higher temperature, change of spectrum and other relevant factors, may cause actual performance to vary up to 10% from rated parameters.。

非晶硅太阳能电池

非晶硅太阳能电池

双结非晶硅太阳电池能组件系列:双结非晶硅太阳电池组件在标准测试条件(STC)下,系列额定功率稳定值为:32W,34W, 36W,38W,和40W。

不同规格的产品有不同的电性能。

并且可根据需求制作特殊规格的要求,做成不同规格、不同性能、不同要求、不同尺寸的双结非晶硅太阳电池组件。

双结非晶硅太阳能电池组件的参数:在标准测量条件(STC)下,双结非晶硅太阳电池典型组件参数如下:型号Pm (W) Voc (V) Isc (A) Vmpp(V) 尺寸(mm) 重量32(42)H/G643×1253 32±1 57 1.0 42 643×1253×37 14.7kg 34(43)H/G643×1253 34±1 58 1.0 43 643×1253×37 14.7kg 36(44)H/G643×1253 36±1 59 1.0 44 643×1253×37 14.7kg 38(45)H/G643×1253 38±1 60 1.0 45 643×1253×37 14.7kg 40(46)H/G643×1253 40±1 61 1.0 46 643×1253×37 14.7kg双结非晶硅太阳能电池组件其他特性:组件系统电压600V组件测试条件AM1.5,100mW/cm2,25oC组件使用温度-40℃至+55℃组件温度系数功率-0.19%/℃开路电压-0.28%/℃短路电流+0.09%/℃双结非晶硅太阳能电池组件电参数设定:值得注意:电池出厂时,产品初始实际功率比标称功率高出 15%-20% 。

同时工作电压和工作电流都比额定值高。

系统设计和配置计算时应考虑这些较高值及太阳辐射较大时出现的峰值。

双结非晶硅太阳能电池组件的基本结构:组件封装包括便绝缘等8道工序,确保了电池活性薄膜与外界隔离。

不透光双玻型太阳能电池组件技术规格书

不透光双玻型太阳能电池组件技术规格书

技术研发部
不透光双玻型组
件技术规格书
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1 产品说明
1.1 组件规格
1.2 产品结
图1 产品结构效果图
1.3 产品外观图
产品的正面、背面、侧面视图如图2所示。

图 2 产品的正面、背面、侧面效果图1.4 电性规格
2 产品性能特性
2.1 温度系数曲线
产品的温度系数曲线如图3所示
图3 产品的温度曲线示意图
2.2 不同光照指数下的I-V曲线
产品在不同光照指数下的I-V曲线如图4所示
图 4 产品的不同光照指数下IV曲线示意图
3 产品质保
3.1 产品有5年质保期(出货日期为质保起始日期);
3.2 产品最大输出功率保证:10年不低于最大输出功率的90%,25年不低于最大输出功率的80%。

4 产品操作规范
4.1 组件安装位置应常年没有背阴或遮挡,且有充足的阳光照射。

4.2 组件应避免海水浸泡和积雪覆盖(积雪厚度不得大于1米)。

4.3 组件工作的环境温度范围为-40℃~85℃。

4.4 组件可以直立或水平安装,但组件必须安装牢固,防止脱落。

4.5 组件的接线盒符合IEC 60529的IP65标准,但接线盒仍需注意防水,避免接线盒积累过多水分或浸入水中。

4.6 组件运行系统必须负极接地,否则组件在质保期内不予保修。

接地装置的安装细节应符合当地的电气系统法规,如有其他接地问题,请联系销售代理商。

技术研发部
技术研发部V。

非晶硅太阳电池

非晶硅太阳电池

非晶硅太阳电池一、简介非晶硅太阳电池是一种新型的太阳能电池,它是利用非晶硅薄膜制成的。

与传统的多晶硅太阳电池相比,非晶硅太阳电池具有更高的光电转换效率和更低的制造成本。

二、原理非晶硅太阳电池采用了一种称为“堆垛结构”的设计,这种设计可以使得光线在薄膜中反复折射,从而增强了光吸收效果。

在吸收到光线后,光子会激发出电子-空穴对,在外加电场作用下,这些电子-空穴对会分别向两端移动,并产生一个电压差。

通过将多个这样的单元串联在一起,就可以得到一个具有较高输出功率的太阳能电池。

三、制造工艺1. 清洗基板:首先需要清洗基板表面以去除表面杂质。

2. 沉积非晶硅层:在基板上沉积一层非晶硅薄膜。

3. 氧化处理:经过氧化处理后形成氧化硅层。

4. 刻蚀:利用刻蚀技术去除氧化硅层的一部分,形成电极。

5. 沉积金属层:在电极上沉积一层金属,形成另一个电极。

6. 制成单元:将多个这样的单元串联在一起,就可以得到一个具有较高输出功率的太阳能电池。

四、优缺点1. 优点:(1)光电转换效率高:非晶硅太阳电池可以将光线转换为电能的效率达到了10%-13%左右,比传统的多晶硅太阳电池要高。

(2)制造成本低:非晶硅太阳电池制造工艺简单,生产成本低。

(3)适用范围广:非晶硅太阳电池可以适用于各种不同环境下的太阳能利用场合。

2. 缺点:(1)稳定性差:由于非晶硅薄膜中存在大量的缺陷和杂质,因此其稳定性较差。

(2)寿命短:由于材料缺陷和杂质等原因,非晶硅太阳电池寿命较短。

五、应用领域非晶硅太阳电池可以广泛应用于各种不同的领域,包括:1. 太阳能电池板:非晶硅太阳电池可以制成太阳能电池板,用于发电、供电等。

2. 光伏发电系统:非晶硅太阳电池可以作为光伏发电系统中的核心部件,用于将光能转换为电能。

3. 便携式充电器:非晶硅太阳电池可以制成便携式充电器,用于为手机、平板等设备充电。

六、结语随着可再生能源的需求不断增加,非晶硅太阳电池将会有更广阔的应用前景。

非晶硅薄膜a-Sithinfilm太阳能导电银胶

非晶硅薄膜a-Sithinfilm太阳能导电银胶

非晶硅薄膜a-Sithinfilm太阳能导电银胶film太阳能导电银胶thinfilm非晶硅薄膜/a-Si thinUninwell International作为世界高端电子胶粘剂的领导品牌,公司以“您身边的高端电子粘结防护专家”为服务宗旨。

Uninwell International开发的导电银胶、导电银浆、钯银浆料、导电金胶、铂金导电胶、钯铂银浆、导电铜浆、导电铝浆、导电镍浆、导电碳浆、太阳能导电浆料、溅射靶材、无铅锡膏、异方性导电胶、Tuffy胶、UV胶、光刻胶、导电导热相变材料、底部填充胶、贴片红胶等系列电子胶粘剂具有很高的性价比,公司在全球拥有145家世界五百强客户。

Uninwell International导电浆料性能优异,剪切力强,流变性也很好,并且吸潮性低。

适用于LED、大功率LED、LED数码管、LCD、TR、IC、COB、PCBA、EL冷光片、显示屏、晶振、谐振器、太阳能电池、光伏电池、蜂鸣器、陶瓷电容、半导体分立器件等各种电子元件和组件的封装以及粘结等。

电子元器件、集成电路、电子组件、电路板组装、液晶模组、触摸屏、显示器件、照明、通讯、汽车电子、智能卡、射频识别、电子标签、太阳能电池等领域。

Uninwell International是集研发、生产和销售为一体的跨国集团,是全球导电浆料产品线最齐全的企业。

最近Uninwell International挟全球最新太阳能导电浆料技术,推出太阳能光伏(PV)电池导电银浆、银铝浆料、导电铝浆。

Uninwell International太阳能电池专用导电浆料可以用作太阳能电池正面和背面的电极,也可以用于电池的引出电极和太阳能电池硅片上的修补;既有常温固化型,也有高温烧结型。

其中用于非晶硅薄膜/a-Si thin film太阳能常用的导电银胶有:SC-666-25系列双组分,A:B=1:1;特别适合非晶硅薄膜太阳能电池用,适合涂布工艺;SC-666-50系列,可以在50度的温度下30分钟固化,用于不能耐高温的场合;SC-666-70系列,低温快速固化,能粘结多种难粘基材;SC-666-80R系列,低温快速固化,对各种材质的薄膜太阳能电池基材都很很好的粘结性能,具有很好的导通粘结效果,极好的丝印效果,薄膜太阳能电池专用;SC-666-80系列,可以在80度的温度下30分钟固化,极大提供生产效率;SC-666-120系列,中温固化,特别适合染料敏化二氧化钛太阳能电池用。

非晶硅薄膜太阳电池制备工艺

非晶硅薄膜太阳电池制备工艺

电池的光电转换效率计算
补充
测试环境
标准条件(STC) • 光强:光功率密度为1000W/m2 • 光谱特征:AM1.5 • 环境温度:25℃
组件效率Eff 计算
Eff =Pm/(1000W/m2×组件面积) 例如公司电池片输出功率为480W,面积为5.7m2 , 则效率η=480/(1000*5.7)=8.42% Stable Eff & Initial Eff Initial Eff 初始最大输出功率 稳定最大输出功率 Stable Eff LID (初始功率-稳定功率)/初始功率
掩膜镀铝
a-Si切割
总结
2、光致衰退的概念?
非晶硅电池在强光下照射数小时,电性能下降并逐渐趋于稳定; 若样品在160℃下退火,电学性能可恢复原值(S-W效应)V测试:
通过上述各道工序,非晶硅电池芯板已形成,需进行IV测试, 以获得电池板的各个性能参数,通过对各参数的分析,来判断莫 道工序是否出现问题,便于提高电池的质量。
⑿ 热老化:
将经IV测试合格的电池芯板置于热老化炉内,进行110℃/12h
热老化,热老化的目的是使铝膜与非晶硅层结合得更加紧密,减小
电池内部串联而成。 激光刻划时a-Si膜朝下
刻划要求: 线宽(光斑直经)<100um 与SnO2刻划线的线距<100um 直线度 线速>500mm/S
⑼ 镀铝
镀铝的目的是形成电池的背电极,它既是各单体电池的负极,又是 各子电池串联的导电通道,它还能反射透过a-Si膜层的部分光线,以增 加太阳能电池对光的吸收。 • 镀铝有2种方法: 一是蒸发镀铝:工艺简单,设备投入小,运行成本低,但膜层均匀性 差,牢固度不好,掩膜效果难保证,操作多耗人工,仅适用小面积镀铝。 二是磁控溅射镀铝:膜层均匀性好,牢固,质量保证,适应小面积镀 铝,更适应大面积镀铝,但设备投资大,运行成本稍高。 • 每节电池铝膜分隔有2种方法: 一是掩膜法:仅适用于小面积蒸发镀铝 二是绿激光刻划法:既适用于磁控溅射镀铝,也适用于蒸发镀铝。

柔性非晶硅薄膜太阳能电池技1

柔性非晶硅薄膜太阳能电池技1

柔性非晶硅薄膜太阳能电池技术2021-5-4 12:01:32关键词::在过去的几十年中,人类经济活动的持续高速进展使得电力需求迅速增加。

太阳电池是一种利用光生伏特效应将太阳能能直接转换为电能的半导体器件,很容易实现并网发电或作为独立能源。

众所周知,太阳电池发电具有许多优势,如平安靠得住,无噪声,无污染,能量到处可得,不受无需消耗燃料、无机械转动部件、故障率低、保护方便、能够无人值守、规模大小随意、能够方便地与建筑物相结合等,这些优势都是常规发电所不及的。

目前,太阳电池发电在航天、通信及微电子领域已占据了不可替代的位置,但在社会整体能源结构中所占比例很小,要紧缘故是太阳电池本钱较高,要使其真正成为能源体系的组成部份,必需大幅度降低本钱。

薄膜太阳电池在降低本钱方面比晶体硅(单晶或多晶)太阳电池具有更大的优势,一是实现薄膜化后,可极大地节省昂贵的半导体材料;二是的材料制备和电池同时形成,因此节省了许多工序;三是薄膜太阳电池采纳低温工艺技术,不仅有利于节能降耗,而且便于采纳廉价衬底(玻璃、不锈钢等)。

为此,自上世纪70年代以来,世界各国纷纷投入巨资,制定计划,组织队伍,掀起对薄膜太阳电池的研究热潮,三十几年来在研究和开发应用方面均取得了长足的进步。

薄膜太阳电池要紧涉及非晶硅(a-Si:H)、铜铟镓硒(Cu(In、Ga)Se2,CIGS)和碲化镉(CdTe)光伏电池和集成组件,在本文中要紧讨论的是目前商业化最成熟的非晶硅太阳电池。

薄膜太阳电池按衬底分为硬衬底和柔性衬底两大类。

所谓柔性衬底太阳电池是指在柔性材料(如不锈钢、聚酯膜)上制作的电池,与平板式晶体硅、玻璃衬底的非晶硅等硬衬底电池相较,其最大的特点是重量轻、可折叠和不易破碎。

以美国Uni-Solar公司采纳不锈钢作衬底为例,不锈钢的厚度仅为127um,且具有极好的柔软性,能够任意卷曲、裁剪、粘贴,既使弯成很小的半径,作数百次卷曲,电池性能也可不能发生转变。

ST-16020-6--产品规格书--PT--中性 2(1) 2

ST-16020-6--产品规格书--PT--中性 2(1) 2

产品规格书产品名非晶硅太阳能电池品牌名称制造商产地产品规格160*20*1.1 mm 产品型号16020-6产品规格书------参数表Specification ------Paranmeter Specification 1、Name &Model 名称、型号1.1:Name名称SOLAR CELLS1.2:Model型号16020-62、性能参数3、工作电压(V op)和工作电流(Iop)测试原理图:项目参数2.1 尺寸160*20*1.1 mm 公差:±0.2mm2.2 开路电压最小值 2.5 V 典型值3.0 V2.3 短路电流最小值55 uA 典型值60 uA2.4 负载特性最小值 2.0 V 典型值 2.2 V2.5 工作温度-5~45℃2.6 保存温度、温度-20~60℃湿度<75%2.7 使用照度范围0~100000Lux2.8 测试条件FL 200Lux、25℃注:1、产品出厂时以:“工作电压为检测标准”4、产品图附加说明--- Additional instructions5、Outgoing inspection (成品检验)5.1Inspection method (检验规定)Outgoing inspections shall be based on random sampling, Normal inspxtion by single sampling based onMIL-STD-105D shall be applied.(成品检验采取随机抽样方案,抽样方安按MIL-STD-105D执行……)5.2Outgoing inspection results shall be usually tested by the inspection result table. (成品检验结果将以测试报告表/合格证形式提供)6、Regulation for product solder: (成品可焊性检验规则)6.1 Purpose(目的)Let the product including the condition for lead-free soldering be standard and ensure the sodering quality ofproduct in the factory (out of the factory)。

非晶硅薄膜太阳电池材料特性及PN结

非晶硅薄膜太阳电池材料特性及PN结

05
性能优化与改进
提高光电转换效率
优化材料结构
通过调整非晶硅薄膜的化学成分 和结构,提高光吸收能力和载流 子收集效率,从而提高光电转换 效率。
表面绒面结构
采用特殊的表面处理技术,形成 绒面结构,增加光在表面的散射 和反射,延长光程,提高光吸收。
叠层结构
将多个非晶硅薄膜层叠在一起, 形成多结太阳能电池,利用不同 波段的光谱吸收,提高整体的光 电转换效率。
激光诱导化学气相沉积
激光诱导化学气相沉积是一种制备非 晶硅薄膜的方法,其基本原理是通过 激光诱导反应气体在衬底上形成非晶 硅薄膜。该技术具有较高的沉积质量 和较广的工艺窗口,适用于大规模生 产。
VS
激光诱导化学气相沉积可分为脉冲激 光和连续激光诱导化学气相沉积等几 种方式。其中,脉冲激光诱导化学气 相沉积具有较高的沉积速率和较低的 成本,是制备非晶硅薄膜的常用方法 之一。
物理气相沉积
物理气相沉积是一种制备非晶硅薄膜的方法,其基本原理 是将硅烷等反应气体在低温条件下进行物理蒸发,然后在 衬底上沉积形成非晶硅薄膜。该技术具有较高的沉积质量 和较广的工艺窗口,适用于大规模生产。
物理气相沉积可分为真空蒸发、溅射和离子镀等几种方式 。其中,真空蒸发具有较高的沉积速率和较低的成本,是 制备非晶硅薄膜的常用方法之一。
特点
非晶硅薄膜太阳电池具有较高的 光电转换效率、稳定性、可靠性 和长寿命等优点,同时其制造成 本相对较低,适合大规模生产。
工作原理
光吸收
非晶硅薄膜太阳电池利用光生伏 特效应,当太阳光照射到非晶硅 材料上时,光子被吸收并转化为
电能。
电极收集电流
顶层透明导电膜和底面电极分别作 为电池的正负极,收集由非晶硅基 底产生的电流。

非晶硅薄膜太阳能电池组件安装技术说明书

非晶硅薄膜太阳能电池组件安装技术说明书

质量管理部非晶硅薄膜太阳能电池组件安装使用说明书编制:审核:批准:发布日期:实施日期:目录非晶硅薄膜太阳能电池组件安装技术说明书 (2)1说明书目的 (2)2安装适用领域 (2)3职责 (2)4安全与注意事项 (2)4.1搬运和拆箱 (2)4.2工作人员 (2)4.3安全细则 (3)5规范 (4)5.1光伏组件规格 (4)5.2光伏组件外观图 (5)5.3光伏组件电性参数 (5)6机械安装 (6)6.1材料和工具 (6)6.2安装位置选择 (6)6.3支架选择 (6)6.4陆地安装 (6)6.5安装指南 (6)6.6安装方式一 (7)本指南提供的夹具安装方式一为:两长边四点夹具。

(7)6.7安装方式二 (11)7电气安装 (14)7.1电气连接 (14)7.2光伏组件连接 (14)7.3接地 (16)非晶硅薄膜太阳能电池组件安装技术说明书1说明书目的本说明书提供了太阳能电池组件(1300mm×1100mm,以下简称光伏组件)的安装指南和安全操作说明。

安装前,用户和安装者必须认真阅读和理解本说明书,并且遵守本说明书的所有安全防范措施和当地法规。

如果不遵守说明书相关规定而导致的损失,我公司不负任何责任。

随着光伏技术的更新,我公司会对现有说明书相关信息进行改进,恕不另行通知。

2安装适用领域本说明书适用于光伏组件以下几种应用领域的安装指南:电站系统、光伏屋顶、光伏农场及光伏建筑等。

3职责我公司对光伏组件的设计和完整性负责,对光伏组件的安装支架及夹具提供可行性建议。

光伏组件的安装及系统设计归系统商或用户自身负责。

4安全与注意事项4.1搬运和拆箱光伏组件安装场地必须备有充足的合适搬运工具,拆箱人员须具备正确的光伏组件拆箱、搬运和安装知识。

4.2工作人员光伏组件的安装和维修操作人员,必须具备合格的专业技能。

4.3安全细则4.3.1安装前请务必认真阅读安装手册,掌握安装相关信息,预测安装风险。

4.3.2安装时请勿将组件直接曝光,做好防护措施,避免与人直接接触。

第1章-非晶硅薄膜及非晶硅薄膜太阳电池

第1章-非晶硅薄膜及非晶硅薄膜太阳电池
新材料及新概念太阳电池
艾斌 博士 副教授
中山大学太阳能系统研究所
Institute for Solar Energy System
第一章 非晶硅薄膜以及非晶硅薄膜太阳电池 §1-1 非晶态半导体物理基础 §1-2 非晶硅薄膜太阳电池基础知识 §1-3 非晶硅薄膜太阳电池生产线及制造工艺
Institute for Solar Energy System
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理论上: 1957年,Anderson 定域化理论。 60年代,Mott-CFO 能带模型(Cohen, Fritzsche, Ovshinsky)。 1977年,Mott,Anderson 获诺贝尔奖。
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电导激活能的变化说明了材料的费米能级随着掺杂 浓度的变化而被调制,表明确实可以对非晶硅进行 掺杂以控制它的导电类型和导电能力。
3. 非晶硅薄膜的制备
非晶硅薄膜的制备技术有很多,包括辉光放电等离子 体增强化学气相沉积(PECVD),热丝化学气相沉 积(HWCVD)和电子回旋共振等离子体化学气相淀 积(ECRCVD)技术等。其中最常用的是PECVD方 法。典型的PECVD装置由高频电源,反应腔体系
5. 结构分析方法
5.1 a-Si:H 红外吸收谱
振动模式分两类: 成键原子之间有相对位移。 键长有变化——伸缩模 (stretch); 键角有变化——弯折模 (bend). 成键原子之间无相对位移。 摆动(wag); 滚动(rock); 扭动(twist).
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统,样品传输系统,真空抽气系统和反应气体流量控 制系统等几部分组成 。

非晶硅薄膜太阳能电池

非晶硅薄膜太阳能电池

一、引言太阳能光电转换电池主要分为两类,一类是晶体硅电池,包括单晶硅(sc—si)电池、多晶硅(mc—si)电池两种,它们占据约93%的市场份额;另一类是薄膜电池,主要包括非晶体硅(a—Si,使用的是硅,但以不同的形态表现)太阳能电池、铜铟镓硒(cICS)太阳能电池和碲化镉(cdTe)太阳能电池,这类电池占据7%的市场份额。

晶体硅太阳能电池一直是主流产品,其中多晶硅太阳能电池自l998年开始成为世界光伏市场的主角。

但是由于晶体硅太阳能电池所需的高纯多晶硅价格飙升,使得晶体硅电池价格上涨,为非晶硅太阳能电池带来了行业机会。

制造晶体硅类太阳能电池成本高、能耗大、有污染,要解决这些问题,使太阳能行业真正变成最环保的产业,只能大力发展非晶硅太阳能电池。

二、优点1.非晶硅具有较高的光吸收系数.特别是在0.3-0.75um的可见光波段,它的吸收系数比单晶硅要高出一个数量级.因而它比单晶硅对太阳能辐射的吸收率要高40倍左右,用很薄的非晶硅膜(约1um厚)就能吸收90%有用的太阳能.这是非晶硅材料最重要的特点,也是它能够成为低价格太阳能电池的最主要因素.2.非晶硅的禁带宽度比单晶硅大,随制备条件的不同约在1.5-2.0eV的范围内变化,这样制成的非晶硅太阳能电池的开路电压高.3.制备非晶硅的工艺和设备简单,淀积温度低,时间短,适于大批生产.制作单晶硅电池一般需要1000度以上的高温,而非晶硅电池的制作仅需200度左右.4.由于非晶硅没有晶体硅所需要的周期性原子排列,可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题.因而它几乎可以淀积在任何衬底上,包括廉价的玻璃衬底,并且易于实现大面积化.5.制备非晶硅太阳能电池能耗少,约100千瓦小时,能耗的回收年数比单晶硅电池短很多三、原理非晶硅电池的工作原理是基于半导体的光伏效应。

当太阳光照射到电池上时,电池吸收光能产生光生电子—空穴对,在电池内建电场Vb的作用下,光生电子和空穴被分离,空穴漂移到P边,电子漂移到N边,形成光生电动势VL,VL与内建电势Vb相反,当VL=Vb时,达到平衡;IL=0,VL达到最大值,称之为开路电压Voc;当外电路接通时,则形成最大光电流,称之为短路电流Isc,此时VL=0;当外电路加入负载时,则维持某一光电压VL 和光电流IL。

非晶硅薄膜太阳能电池介绍3讲解

非晶硅薄膜太阳能电池介绍3讲解

electronics for you • July 2010 • 157w w w. e f y m a g. c o ma lower-cosT soluTionWith the race on to have the most efficient, low-cost solar module on the market, GE is focusing its R&D efforts on thin-film photovoltaic (PV technology in conjunction with PrimeStar Solar, which is headquartered in Arvada, Colorado, USA.Mano Manoharan (Mano, general manager, GE Global Research, based out of GE’s largest multidisciplinary center in the world at GE John F. Welch Technology Center, Bengaluru, has immense technical expertise and experience in the areas of nanotechnology, fracture mechanics, surfaceengineering and mechanical properties of materials. He speaks to Uma Bansal, deputy editor at EFY, about the trends in solar cells and the reason for choosing cadmium-telluride (CdTe technology for their modulesQ Qof late, what have been the major advances in solar celltechnology?Current advancements are in the areas of overall ef-ficiency improvements of thin-film modules and bringing their costs down. Advancements are also being made in the direction of maintaining high reliability and expected lifetime of 20 years.what areas of thin-film solarcells are being researched worldwide and at Ge?We have a global team of allour four of GE Global Research centres working on thin-film solar. In addition, GE scientists are working closely with our partners at PrimeStar to develop our thin-film technology.We are looking at several key areas in order to achieve a best-in-class product, including device efficiency, reliability, production and installation costs, and manufacturability.Hundreds of technologists in Germany, China, India and the United States are working on GE solar technologies today, addressing these challenges.The team in Munich is utilising world-class indoor and outdoor solar module system test facilities where they study finished module performance to identify and address degradation mechanisms and packaging issues. In addition, this team also brings deep expertise at the system level. This allows them to define system-leveloptimised features and metrics for the module.In China, where most of the world’s CdTe raw materialsare found, researchers at GE’s China Technology Center in Shanghai are focused on CdTe materials and the impact they have on device performance. Improving materialquality and developing advanced materials characterisa-tion techniques are key topics being addressed by the Shanghai team.In India, GE is leveraging extensive modeling capabili-ties at its GE John F. Welch Technology Center in Bengaluru. Unlike the exclusively experimental approach favoured bymany in this field, GE believes that dramatic improvements mano manoharanGeneral manaGer, Ge Global research, benGaluruThe market-leading thin-film modules today are slightly over 11 per cent efficient with costs of around 84 cents/watt.158 • July 2010 • electronics for youw w w. e f y m a g. c o mQ Q Q QQQQQin thin films are impacted by the same price and supply volatility as has been seen with silicon. In addition, silicon-based solar modules generally have higher manufacturing costs than thin-film products.Do you think that thin-film solar cells will make solar power a truly viable alternative?The key to making solar power more viable is reducing the cost of producing electricity from the solar-based tech-nology. The closer the solar gets to grid parity, or on par with fossil fuels like coal, the more the viability.We believe thin-film solar represents one of the most promising ways to achieve these cost goals. These will cost less to produce and install versus silicon-based cells. And while their efficiency levels are not as high as that of silicon today, we think that the further improvements we make in efficiency, balanced against cost, will represent the most at-tractive option for customers.in comparison to other thin-film solar technologies, what impact does cdTe have on the device performance?Of all the thin-film materials, PrimeStar’s CdTe solar technology matched up best with GE’s R&D capabilities. We’re already seeing promising results in the labs. Enhanc-ing our materials understanding and the device design will be key to delivering a product that is truly best-in-class. Andwith CdTe, there is more headroom for device efficiency than with other thin-film PV modules.cd is a toxic material, so the solar panels based on cdTe will not be rohs-compliant. Going by that, how success-ful will these be?GE and others like the US Department of Energy (DoEhave studied this aspect. The US DoE has found that useof CdTe PV modules does not present any risk to health or environment, and recycling the modules at the end of theirlife addresses environmental concerns, if any.Cadmium used in the GE/PrimeStar module is a stable compound when bonded with telluride. In addition, the module is encapsulated between two layers of glass. Theamount of cadmium in a thin-film solar panel is less than ina typical battery.During their operation, CdTe modules do not produceany pollutant and, furthermore, by displacing fossil fuels, these offer great environmental benefits. GE has a compre-hensive recycling plan, and will work with customers to reclaim the product after the life-cycle is complete. what are your long-term goals in terms of cost and efficiency? When we go to the market in early 2011, we want to bethe industry leader. We see GE’s investment in thin film as an opportunity to offer the most cost-competitive solar solu-tions to our customers.in the device performance and reliability will be realised through a deeper understanding of the materials and basic physics of the device. The team in Bengaluru is tasked with building comprehensive models to help guide advanced device design.Finally, GE’s research team in Niskayuna, NY, is working on all facets of CdTe module development, in-cluding material growth, device development and robust process development. Their technical expertise cuts across diverse fields such as surface chemistry, laser process -ing and plasma physics. Equally diverse is their productdevelopment ex perience, which they have derived from GE’s other technology-focused businesses such as health-care, lighting and batteries.In the future, the key areas where you will see im -provements are efficiency and cost. These are the main factors influencing the future viability of the clean energy source.what exactly is the nature of Ge’s relationship with Primestar? have you licenced their cdTe thin-film tech-nology, or is there some other sort of a relationship?GE is a majority stakeholder of PrimeStar Solar, an emerging solar thin-film technology and manufacturing company. what factors determine the efficiency of a solar panel?The major factors include the amount of light that can pass through the window layers and reach the absorb -ing materials, the effectiveness of the absorber material to transform the incoming photons into carriers, and the ability to extract the carriers from the module with low losses. how efficient are they in producing energy and also in terms of cost? The market-leading thin-film modules today are slightly over 11 per cent efficient with costs of around 84 cents/watt.why is there so much push to thin-film solar cells? how different are these from conventional silicon solar cells?Thin-film solar cells generally offer a lower-cost solution than alternative technologies and have a long runway for additional growth going forward.We are developing a thin-film module using cadmium telluride (CdTe material and believe this will be very com-petitive relative to other PV alternatives. The materials used We are developing a thin-film module using cadmium telluride (CdTe material and believe this will be very competitive relative to other PV alternatives.。

非晶硅薄膜太阳能电池产品技术规格书

非晶硅薄膜太阳能电池产品技术规格书

非晶硅薄膜太阳能电池组件技术规格书编制:审核:批准:发布日期:实施日期:电池组件的正面、侧面和背面如图2-1所示:C E 1^.04 MOO图2-1电池的正面、侧面和背面示意图1.2 产品组成产品由TCO 导电玻璃、P-I-N 非晶硅薄膜、AZO 薄膜、Al 薄膜、NiV 薄膜、 引流脩、汇流条、绝缘膜、PVB 、背板玻璃、接线盒和导线等组成。

1.3 名词解释1.3.1 引流条:即Side Bus ,材料为铝带,采用超声波焊接在背电极膜层上, 其作用是将组件的正负极电流顺利引出。

1.3.2 汇流条:即Cross Bus ,材料为铜锡复合带,采用绝缘胶将其粘附在背 电极膜层上,其作用是将引流条上的电流汇到接线盒。

1.3.3 接线盒:即Junction Box ,其作用是引出组件的正负极,同时起到防潮、 防尘和密封功能。

1 1. 1.1. 22.2.适用范围 本技术标准适用于非晶硅单节薄膜太阳电池组件系列产品 型号:-80,-85,-90,-95,-100,-105。

结构:a-Si 单节 Thin Film PV Module产品结构1产品外形1.1 1.2 1.3 长度 宽度 厚度 1300mm ± 1 mm 1100mm ±1 mm 3. 9mm ± 0.8 mm 正面 侧面背面7.9±2-.^.5优。

麻渊1 痴阳画出51抬时包邮遇?.口。

—桐脚川3 5 I'、.. 蓑=尹+学吟19 R3产品规格3.1产品型号3.1.1-80,-85,-90,-95,-100,-105 系列3.1.2分类等级:80W、85W、90W、95W、100W和105W六个等级。

情况如下:80W: 77.5〜82.5W 85W: 82.6〜87.5W90W: 87.6〜92.5W 95W: 92.6〜97.5W100W: 97.6〜102.5W 105W: 102.6〜107.5W3.2产品属性表 3-1产品属性3.3电性规格:3.4温度系数规格表3.5产品工作范围3-44电池构造4.1子电池构造4.1.1子电池宽度:8.04mm (正极宽度:6.5mm;负极宽度:8.22mm) 4.1.2子电池数量:133个4.1.3清边宽度:12mm4.1.4汇流条宽度:4mm4.2引流条与汇流条的相对位置4.2.1背板玻璃孔洞中心位置距玻璃短边为175mm,距玻璃长边为550mm。

非晶硅薄膜电池

非晶硅薄膜电池

非晶硅薄膜电池
非晶硅薄膜电池,也称为非晶硅太阳能电池,是一种光伏
电池技术。

它使用非晶硅(a-Si)材料作为光电转换层,将太阳能转化为电能。

非晶硅材料是由非晶形态的硅原子组成,其晶格结构不规则,而不同于晶体硅的有序结构。

这使得非晶硅具有一些
特殊的电学和光学性质。

非晶硅薄膜电池的制作过程主要包括以下步骤:
1. 材料准备:将特定成分的硅化合物蒸发在基板上,形成
非晶硅薄膜。

2. 电极制备:在薄膜上加上透明导电氧化物电极和背电极。

3. 光学改性:可进行氢化、氟化等处理来改善非晶硅的光
学吸收性能。

4. 封装:将薄膜电池封装于透明保护层中。

非晶硅薄膜电池具有以下优点:
1. 高效率转化:非晶硅薄膜电池可以将太阳能转化为电能,其转换效率较高。

2. 薄膜结构:由于非晶硅材料的特性,非晶硅薄膜电池可
以制作成薄膜结构,更适合柔性电子设备的应用。

3. 成本低:非晶硅材料相对廉价且易于制备,在能源产业
中具有较大潜力。

尽管非晶硅薄膜电池具有一些优点,但也存在一些限制,
如稳定性较差、光电转换效率相对较低等。

在太阳能电池
技术的发展中,其他类型的电池如多晶硅电池、薄膜太阳
能电池等也在不断取得进展。

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质量管理部
非晶硅薄膜太阳能电池组件技术规格书
编制:
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发布日期:实施日期:
1 适用范围
1.1 本技术标准适用于非晶硅单节薄膜太阳电池组件系列产品
1.2 型号: -80,-85,-90,-95,-100,-105。

1.3 结构:a-Si 单节 Thin Film PV Module
2 产品结构
2.1 产品外形
2.1.1 长度:1300mm ± 1 mm
2.1.2 宽度:1100mm ± 1 mm
2.1.3 厚度:7.9mm ± 0.8 mm
电池组件的正面、侧面和背面如图 2-1 所示:
正面侧面背面
图2-1 电池的正面、侧面和背面示意图
2.2 产品组成
产品由TCO 导电玻璃、P-I-N 非晶硅薄膜、AZO 薄膜、Al 薄膜、NiV薄膜、引流條、汇流条、绝缘膜、PVB、背板玻璃、接线盒和导线等组成。

2.3 名词解释
2.3.1 引流条:即 Side Bus,材料为铝带,采用超声波焊接在背电极膜层上,其作用是将组件的正负极电流顺利引出。

2.3.2 汇流条:即 Cross Bus,材料为铜锡复合带,采用绝缘胶将其粘附在背电极膜层上,其作用是将引流条上的电流汇到接线盒。

2.3.3 接线盒:即 Junction Box,其作用是引出组件的正负极,同时起到防潮、防尘和密封功能。

3 产品规格
3.1 产品型号
3.1.1 -80,-85,-90,-95,-100,-105 系列
3.1.2 分类等级:80W、85W、90W、95W 、 100W和105W 六个等级。

情况如下:
80W:77.5~82.5W 85W:82.6~87.5W
90W:87.6~92.5W 95W:92.6~97.5W
100W:97.6~102.5W 105W:102.6~107.5W
3.2 产品属性
表 3-1产品属性
3.3 电性规格:
表3-2电池电性规格
3.4 温度系数规格表
3-3电池温度系数规格
3.5 产品工作范围
4 电池构造
4.1 子电池构造
4.1.1 子电池宽度:8.04mm(正极宽度:6.5mm;负极宽度:8.22mm)4.1.2 子电池数量:133 个
4.1.3 清边宽度:12mm
4.1.4 汇流条宽度:4mm
4.2 引流条与汇流条的相对位置
4.2.1 背板玻璃孔洞中心位置
距玻璃短边为175mm,距玻璃长边为550mm。

注:距背玻孔洞较近端作为玻璃顶端。

4.2.2 绝缘胶带相对位置
以距玻璃顶端为175处的直线(以下称175线)和短边中心线(55线)两侧,且绝缘胶带沿175线方向(即长度)超出两边绝缘线各1mm。

4.2.3 汇流条相对位置
汇流条对称分布在175线与550线两侧,且汇流条沿175线方向(即长度)距离两长边绝缘线1mm(绝缘线内)。

4.2.4 引流条相对位置
正、负极两引流条分别以正极与负极Cell的中心线为中心,到对称分布在中心线两侧,两引流条距玻璃顶端绝缘线为10mm,距玻璃底端绝缘线为10mm。

4.3 热斑线划刻规格
4.3.1 热斑线条数:共5条热斑线。

4.3.2 热斑线组成:热斑线分别由第一道与第三道激光划刻工序P1/P3共同完成,且P3划刻线必须完全覆盖P1划刻线,起到划刻线完全绝缘效果。

4.3.3 热斑线方向:平行于短边方向。

4.3.4 热斑线间距:热斑线将有效区域等分为六个部分,同时两条热斑线之间
的距离为212.7mm。

5 制程规格
5.1 P1/P2/P3线宽:35µm
5.2 P1 to P3距离:200µm
5.3 P4清边宽度:12mm
5.4 ID Code大小:4 mm×4mm或者5mm ×5mm
5.5 ID code位置图
ID Code 位置如图 5-1 所示:
5.6 AZO膜厚:100nm
5.7 Al 膜厚:200nm
5.8 NiV 膜厚:50nm
5.9 P 层膜厚:10~30nm
5.10 I 层膜厚:150~400nm
5.11 N 层膜厚:10~50nm
图5-1 ID code 位置
6 产品标识与认证
6.1 产品标识
在电池组件背面粘贴条形码和标签。

标签内容包括:电池型号、功率、工作电压、工作电流、开路电压、短路电流、最大系统工作电压、正常工作温度、允许温度范围、尺寸、重量、高压电击标识、认证标识,二维条码,分类等级。

6.1.1 标签位置:依客户需求而定。

6.1.2 标签内容结构:如图 6-1 所示
6.2 产品认证
产品通过 TUV 及金太阳( IEC61646, IEC 61730,UL1703 )认证。

6.3 产品保证
10 年不低于最大功率的 90%,20 年不低于最大功率的 80%。

图6-1 标签示意图(参考)
7 产品命名规则
7.1 码数: XX-XXXX-XX 共 10-11 码。

7.2 各码定义
7.2.1 第 1,2 码:;XX:其它子公司
7.2.2 第 3 码:“-”分隔线
7.2.3 第 4 码:A:薄膜电池,;S:晶硅电池
7.2.4 第 5 码:S:非晶硅单节;D:非晶硅双节;T:非晶硅三节;G:CIGS 电池
7.2.5 第 6 码:X:非透光型;Y:透光型;Z:透光型(laser)
7.2.6 第 7 码:S:新产品分类
7.2.7 第 8 码:“-”分隔线
7.2.8 第9-11 码:电池瓦数(105、100、95、90、85、80)。

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