反向特性和击穿特性。

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T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: ni = pi =1.4×1010/cm3 • 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: ni=5×1016/cm3 • 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 Back Next Home
小 结 本讲主要介绍了下列半导体的基本概念： 本征半导体 本征激发、空穴、载流子 杂质半导体 P型半导体和N型半导体 受主杂质、施主杂质、多子、少子
2. PN结的正向特性
死区电压Vth 硅材料为0.5V 左右；锗材料 为0.1V左右。
导通电压Von 硅材料为 0.6~0.7V左右； 锗材料为 0.2~0.3V左右。 图1.1.9 PN结的正向特性
Is=10-8A VT=26ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱV n =2
死区电压
导通电压
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3. PN结的反向特性
受主杂质：因为三价元素的杂质在半导体中能 够接受电子，故称之为受主杂质或P型杂质。 多子与少子：P型半导体在产生空穴的同时，并 不产生新的自由电子，所以控制参杂的浓度，便可 控制空穴的数量。在P型半导体中，空穴的浓度远大 于自由电子的浓度，称之为多数载流子，简称多子； 而自由电子为少数载流子，简称少子。 思考题 ：既然P型半导体的多数载流子是空 穴，少数载流子是自由电子，所以，P型半导体 带正电。此说法正确吗？
图1.1.10 PN结 的反向特性
反向电流： 在一定温度下， 少子的浓度一定， 当反向电压达到 一定值后，反向 电流IR 即为反向 饱和电流IS，基 本保持不变。 反向电流受温 度的影响大。
半导体的导电性能是由其原子结构决定的，就元素半 导体硅和锗而言，其原子序数分别为14和32，但它们有一 个共同的特点：即原子最外层的电子（价电子）数均为4， 其原子结构和晶体结构如图1.1.1所示。
3.本征半导体
本征半导体：化学成分纯净、结构完整的半导体。它 在物理结构上呈单晶体形态。 本征激发(热激发）:受温度、光照等环境因素的影响， 半导体共价键中的价电子获得足够的能量而挣脱共价键的 束缚，成为自由电子的现象，称之为本征激发（热激发） （见图1.1.2）。
三.PN结的特性曲线
1. PN结的V-I 特性表达式
iD IS (e
vD / nVT
1)
(1.1.2)
式中，IS —反向饱和电流； n —发射系数，与PN 结的的尺寸、材料等有关，其值为1~2；VT —温
度的电压当量，且在常温下（T=300K）:
VT = kT/q = 0.026V =26mV
内容简介
习题解答
内容简介
1. 半导体材料
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝 缘体和半导体。 导 体：ρ<10－4Ω·cm 绝缘体：ρ>109Ω·cm 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。
2. 半导体的晶体结构
典型的元素半导体有硅Si和锗Ge ，此外，还有化合物 半导体砷化镓GaAs等。
（1）两种载流子的产生与复合，在一定温度下达到动 态平衡，则ni=pi的值一定； （2）ni与pi 的值与温度有关，对于硅材料，大约温度每 升高8oC，ni 或pi 增加一倍；对于锗材料，大约温度每升高 12 oC，ni 或pi 增加一倍。 载流子：能够参与导电的带电粒子。 空白半导体中载流子的移动 ：如图1.1.3所示。从图中可以 看出，空穴可以看成是一个带正电的粒子，和自由电子一样， 可以在晶体中自由移动，在外加电场下，形成定向运动，从 而产生电流。所以，在半导体中具有两种载流子：自由电子 和空穴。
5. PN结
一.PN结的形成
在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质, 分别形成P型半导体和N型半导体。此时将在P型 半导体和N型半导体的结合面上形成的物理过程示 意图如图1.1.6所示。
二.PN结的单向导电性
正偏与反偏：当外加电压使PN结中P区的电位 高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反 之称为加反向电压，简称反偏。
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空穴：共价键中的空位。 电子空穴对：由本征激发（热激发）而产生 的自由电子和空穴总是成对出现的，称为电子空 穴对。所以，在本征半导体中： ni=pi （ni－自由 电子的浓度；pi－空穴的浓度）。 K1—常数，硅为3.8710-6K-3/2/cm3，锗为 1.7610-6 K-3/2/cm3 ；T—热力学温度；EGO—禁带 宽度，硅为1.21eV，锗为0.785eV ；k—波耳兹曼 常数，8.63 10-5 eV/K。（e—单位电荷，eV=J）
4.杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中参入微量的杂质 形成的半导体。根据参杂元素的性质，杂质半导 体分为P型（空穴型）半导体和N型（电子型）半 导体。由于参杂的影响，会使半导体的导电性能 发生显著的改变。 P型半导体 ：在本征半导体中参入微量三价元 素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.1.4 所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。
1.PN结加正向电压 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正 向扩散电流， PN结导通。其示意图如 图1.1.7所示。 2. PN结加反向电压 PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反 向漂移电流，PN结截止。其示意图如 图1.1.8所示。 3. PN结的单向导电性 PN结加正向电压（正偏）时导通；加反向电压 （反偏）时截止的特性，称为PN结的单向导电性。 Home
N型半导体 ：在本征半导体中参入微量五价元 素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.1.5 所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 施主杂质：因为五价元素的杂质在半导体中能 够产生多余的电子，故称之为施主杂质或N型杂质。 在N型半导体中，自由电子为多数载流子，而 空穴为少数载流子。
综上所述，在杂质半导体中，因为参杂，载流子的 数量比本征半导体有相当程度的增加，尽管参杂的含量 很小，但对半导体的导电能力影响却很大，使之成为提 高半导体导电性能最有效的方法。 掺杂 对本征半导体的 导电性的影响，其典型数据如下: