电力电子复习题
电力电子技术复习题
《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）。
A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流（B）。
A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种（D）。
A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中，不可以实现有源逆变的是（C）。
A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的正反向峰值电压（D）。
A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（B）。
A、P组阻断，N组逆变B、N组阻断，P组逆变C、P组阻断，N组整流D、N组阻断，P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为（A）。
A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调节输出电压的有效值，这种电路称为（B）。
A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。
通常采用（A）作为载波。
A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用（B）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术，它的重要理论基础是（面积等效原理）。
电力电子技术复习资料_普通用卷
电力电子技术课程一单选题 (共37题，总分值37分 )1. 单相半控桥，带大电感负载，直流侧并联续流管的主要作用是（1 分）A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大（1 分）A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是（）。
（1 分）A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. （1 分）A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（1 分）A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为（1 分）A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用（）。
（1 分）A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. （1 分）A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（1 分）A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路，输出SPWM波半周期包含25个脉冲波，设逆变器输出电压基波频率为400Hz，则电路开关管的工作频率为（1 分）A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）（1 分）A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（1 分）A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. （1 分）A.B.C.D.14.（1 分）A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（1 分）A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
电力电子技术期末考试复习资料
《电力电子技术》课程综合复习资料一、判断题1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
答案：√2、逆变角太大会造成逆变失败。
答案：×3、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
答案：×4、触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。
答案：×5、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
答案：×6、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
答案：×7、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
答案：√8、变频调速装置是属于无源逆变的范畴。
答案：√9、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
答案：×10、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
答案：√11、晶闸管可控整流电路是一种变流电路。
答案：√12、电源总是向外输出功率的。
答案：×13、在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
答案：×14、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。
答案：√15、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。
答案：×16、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。
答案：√17、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。
答案：×18、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。
答案：√19、把交流电变成直流电的过程称为逆变。
答案：×20、电力电子系统中“环流”是一种有害的不经过负载的电流，必须想办法减少或将它去掉。
答案：√二、单选题1、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）。
A．0°～90°B．0°～180°C．90°～180°D．180°～360°答案：A2、α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
电力电子复习题(包括答案)
一、填空题绪论1、电力变换的四大类整流、直流斩波、交流电力控制变频变相和逆变。
第二章1、电力电子器件一般都工作在开关状态。
2、电力电子器件一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组。
3、电力电子器件的损耗主要为通态损耗和断态损耗，当器件的开关频率较高时，开关损耗会增大。
4、按电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件。
5、晶闸管有阳极A、阴极K和门极G。
6、电力二极管的特性是正向导通和反向截止。
7、要使晶闸管导通必须在阳极可正向电压，在门极加正向电压。
8、在晶闸管的阳极加反向电压时，不论门极加何种电压，晶闸管都截止。
9、多个晶闸管并联要考虑均流问题，多个晶闸管串联要考虑均压问题。
第二章1、单向半波可控整流电路带电阻负载时α角的移相范围0~π，阻感负载α角的移相范围是0~π/2。
2、单向桥式全控整流电路带纯电阻负载时α角的移相范围是0~π，单个晶闸管承受的最大反压是0~π/2，单个晶闸管承受的最大反压是3、三相半波可控整电路中，三个晶闸管的触发脉冲相序互差120°，单个晶闸管承受最大反压带阻感性负载时α角的移相范围是0~π/2。
4、逆变电路中，当交流侧和电网联结时称有源逆变，若要实现逆变必须要用可控整流电路，当0〈α〈π/2时，电路工作在整流状态，π/2〉α〉π时，电路工作在逆变状态。
5、使变流器工作于有源逆变状态的条件有二：①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角α>π/2，使U d为负值。
第三章1、直流斩波电路是把直流变为直流的电路。
2、斩波电路2种最基本的电路是降压斩波和升压斩波。
3、斩波的三种控制方法是脉冲宽度调制（脉冲调宽型）、频率调制（调频型）和混合型。
4、升降压斩波电路升压的条件是1/2〈α〈1。
第四章1、改变频率的电路叫变频电路。
电力电子复习题
8绪论填空题：1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在________状态，这样才能降低________。
7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
电力电子器件填空题：1.电力电子器件一般工作在__开关______状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由_控制电路_______、__驱动电路______、_以电力电子器件为核心的主电路_______三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_______。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_______、__双极型器件______、_复合型器件_______三类。
5.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半可控器件和全可控器件。
6.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_______和__电流驱动型______两类。
7. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
11.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极有触发电流情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近零的某一直之下。
12.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L=（2——4）________I H。
14.逆导晶闸管是将_二极管_______与晶闸管_并联_______（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
电力电子技术总复习
a) 转移特性 b) 输出特性
1-20
MOSFET的开关速度 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。
开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上， 是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中 需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
电流检测
过电流 继电器
短路器
动作电流 整定值
开关电路
触发电路
电子保护电路
图1-37 过电流保护措施及配置位置
同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后 实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
1-34
断态电压临界上升率du/dt
——电压上升率过大，使结电容充电电流足够大，造成晶闸管误导通 。
通态电流临界上升率di/dt
——电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。
4)、晶闸管的型号
Ｐ—普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可
KP[电流]─[电压/100][通]态平均电压组别
正反向重复峰值电压 通态平均电流
缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，
抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，
减小器件的开关损耗。
关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过 电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的 电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。
双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成 在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家 专门开发的集成驱动电路。
电力电子技术复习题(整理版)
电力电子技术复习题(整理版)电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流IH _______擎住电流IL（数值大小关系）。
4、在GTR和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
15、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
16、正弦脉宽调制(SPWM)的载波信号波形一般是_________波，基准信号波形为_________波。
电力电子复习题_珠院
一、填空题1．电力电子器件一般工作在 开关 状态。
3．在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 开关损耗 。
4．对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL 大于 IH 。
5．直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路 。
6．升降压斩波电路呈现升压状态的条件为 )(15.0为导通比αα<< 。
7．与普通晶体管相比，功率晶体管GTR 多了一个N －漂移区，其作用是用来承受高电压的，同时GTR 导通时会发生 电导调制效应 来减小通态压降。
2．电力二极管的工作特性可概括为 正向导通、反向 截止 。
3．晶闸管的导通条件为 要有适当的正向阳极电压、要有适当的正向门极电压。
5．晶闸管断态不重复电压UDRM 与转折电压Ubo 数值大小上应为UDRM 大于 Ubo 。
6．GTO 的 阴极和门极在器件内并联 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
有如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ），请回答以下8、9、10题。
8．属于不可控器件的是 电力二极管_ ，属于半控型器件的是 晶闸管 。
9．属于复合型电力电子器件的是 IGBT 。
10．属于电压驱动的有 电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的有 晶闸管、GTO 、GTR 。
12．在逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为 有源逆变 ，而当控制角 0<α< π /2 时，电路工作在 整流 状态。
13．斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制（PWM ）、_频率调制和（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型 。
14．适用于全控型器件的换流方式是 器件换流 ，由换流电路内电容直接提供换流电压的换流方式称为 直接耦合式强迫换流 。
电力电子复习(有答案)
第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
（SCR晶闸管）9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。
（I L=2~4I H）10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
（GTO门极可关断晶闸管）13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。
晶体管）17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
电力电子复习题
一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
（√）6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
电力电子复习题
电力电子复习题 Last updated on the afternoon of January 3, 2021电力电子复习题一、选择题1、晶闸管稳定导通的条件A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流2、晶闸管通态平均电流I T(AV)与其对应有效值I的比值为A、、1/1.57 C、D、1/3、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的4、有源逆变发生的条件为A、要有直流电动势B、要求晶闸管的控制角大于900C、直流电动势极性须和晶闸管导通方向一致D、以上说法均是错误的5、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A、输出负载电压与输出负载电流同相B、α的移项范围为00<α<1800C、输出负载电压U O的最大值为U1D、以上说法均是错误的6、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流7、三相半波可控整流电路的自然换相点是A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后608、有源逆变电路晶闸管的换流方式为A.器件换流B.电网换流C.负载换流D.脉冲换流9、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关A.α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB.α以及负载电流IdC.α和U2D.α、U2以及变压器漏抗XC10、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路11、三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发方式下一个周期内所需要的触发脉冲共有六个，它们在相位上依次相差°°°°12、可在第一和第四象限工作的变流电路是A.三相半波可控变流电路B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路13、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为A.157AB.100AC.80AD.246.5A14、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为===E/=–E15、升压斩波电路中，已知电源电压Ud=12V，导通比Kt=1/3，则负载电压U0=16、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是A.有源逆变器D变换器A 变换器 D.无源逆变器17、串联谐振式逆变电路晶闸管的换流方式为 A.器件换流 B.电网换流 C.负载换流D.脉冲换流18、单相全控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为 A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 619、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的 A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压D.额定电压20、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定21、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是 °°°°22、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为22222、三相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为2222224、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是A.电容B.电感C.蓄电池D.电动机25、在型号为KP10-12G中，数字10表示A.额定电压10VB.额定电流10AC.额定电压1000VD.额定电流1000A26、下列电路中，不可以实现有源逆变的有A.三相半波可控整流电路B.三相桥式半控整流电路C.单相桥式可控整流电路D.单相全波可控整流电路外接续流二极管27、下列电路中，输入整流变压器不存在直流磁化的有A.单相桥式可控整流电路B.单相半波可控整流电路C.单相全波可控整流电路D.三相半波可控整流电路28、电压型逆变电路特点没有A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动29、对于升降压直流斩波器，当其输出电压大于其电源电压时，有A、α无法确定B、<α<1C、0<α<、以上说法均是错误的30、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在36、电压型逆变电路特点没有 A.直流侧接大电感B.交流侧电流为正弦波C.直流侧电压无脉动D.直流侧电流有脉动37、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为40、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是A 、输出负载电压与输出负载电流同相B 、α的移项范围为00<α<18022222、三相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为（）。
(完整版)电力电子技术总复习
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。
2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。
3、GTO 的全称是 。
4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路； 斩波电路； --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。
6、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。
7、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。
10、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。
11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。
12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 ， 和 。
13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。
15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括： 和 。
二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ，额定电流500A 的普通型晶闸管。
2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
6、普通晶闸管内部有两个PN 结。
7、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相,或是逆变角太小造成的。
8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U 。
10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
电力电子复习题含答案
电⼒电⼦复习题含答案考试试卷( 1 )卷⼀、填空题（本题共8⼩题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电⼒电⼦器件控制端和公共端之间的性质，可将电⼒电⼦器件分为____电压型____和_____电流型___两类。
2、电⼦技术包括__信息电⼦技术___和电⼒电⼦技术两⼤分⽀，通常所说的模拟电⼦技术和数字电⼦技术就属于前者。
2、为减少⾃⾝损耗，提⾼效率，电⼒电⼦器件⼀般都⼯作在____开关_____状态。
当器件的⼯作频率较⾼时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之⽐称为______载波⽐_______，当它为常数时的调制⽅式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若⼲频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之⽐为桓定的调制⽅式称为_____分段同步_______调制。
4、⾯积等效原理指的是，_____冲量____相等⽽__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最⼤的是____GTO_________，应⽤最为⼴泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最⼤反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最⼤正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路⼯作过程中各时间段电流流经的通路(⽤V1,VD1,V2,VD2表⽰)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；⼆、选择题（本题共10⼩题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制⼯作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下⾯说法错误的是（）A、晶闸管的触发⾓⼤于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓⼩于180度B、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常⼯作C、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓正常⼯作并达到稳态时，晶闸管的导通⾓为180度D、晶闸管的触发⾓等于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所⽰，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子-复习题
电力电子技术一、判断题(将判断结果填入括号中。
正确的填“√〞，错误的填“×〞)1．整流二极管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
(×)2．用于工频整流的功率二极管也称为整流管。
(√)3．当阳极和阴极之间加上正向电压而控制极不加任何信号时，晶闸管处于关断状态。
(√)4．晶闸管的导通条件是阳极和控制极上都加上电压。
(×)5．晶闸管的关断条件是阳极电流小于管子的擎住电流。
(×)6．假设晶闸管正向重复峰值电压为500 V，反向重复峰值电压为700 V，那么该晶闸管的额定电压是700 V。
(×)7．在晶闸管的电流上升到其维持电流后，去掉门极触发信号，晶闸管仍能维持导通。
(×)8．假设流过晶闸管的电流的波形为全波时，那么其电流波形系数为1.57。
(×)9．将万用表置于R×1 kΩ,或R×10 kΩ,挡，测量晶闸管阳极和阴极之间的正反向阻值时，原那么上其值越大越好。
(√)10．GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。
(√)11．IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。
(√)12．GTO的门极驱动电路包括开通电路、关断电路和反偏电路。
(√)13．三相半波可控整流电路带电阻负载时，其输出直流电压的波形在α<60°的范围内是连续的。
(×)14．三相半波可控整流电路带阻性负载时，假设触发脉冲(单窄脉冲)加于自然换相点之前，那么输出电压波形将出现缺相现象。
(√)15．在三相半波可控整流电路中，每个晶闸管的最大导通角为120°。
(√)16．三相半波可控整流电路带电阻性负载时，其触发脉冲控制角α的移相范围为0°～180°。
(×) 17．三相半波可控整流电路，变压器次级相电压为200 V，带大电感负载，无续流二极管，当α = 60°时的输出电压为117 V。
电力电子复习题
第一章电力电子器件一、填空题1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、________ 、________三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为________。
6.电力二极管的主要类型有________、________、________。
7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。
9.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM________Ubo。
10.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
11.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。
12.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
13.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
14.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
15.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。
电力电子复习资料(网上试卷无答案)
自测试题（一）一、填空题1.晶闸管是一种由层半导体材料构成的三端器件。
2.在规定条件下，晶闸管取正、反向重复峰值电压中的作为其额定电压。
3.晶闸管的维持电流I H是指晶闸管维持导通所需的电流。
4.门极可关断晶闸管（GTO）的额定电流是指电流。
5.电力晶体管（GTR）在实际使用中，其允许功耗不仅由最大集电极耗散功率决定，还要受到功率的限制。
6.门极可关断晶闸管（GTO）和电力晶体管（GTR）均属于控制型器件。
7.绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为复合型器件是综合了的优点。
8.产生有源逆变的条件之一是变流电路输出直流平均电压的极性必须与整流工作状态时输出平均电压的极性。
9.当考虑换流重叠角后，有源逆变输出电压平均值的绝对值比不考虑换流重叠角时有所。
10.三相全控桥式整流电路带大电感负载当α= 75°时，整流输出电压波形将会出现的部分。
11.为确保三相桥式全控整流电路合闸启动时或电流断续后可以正常工作，应采用脉冲宽度大于60°的宽脉冲或前沿相差60°的脉冲触发。
12.在电压波形正弦而电流波形非正弦的电路中，其功率因数与和位移因数有关。
13.电流总谐波畸变率（THD i）被定义为用与基波电流有效值的百分比表示。
14.一般而言整流电路输出电压的脉波数越多，输出电压纹波因数。
15.整流电路采用多重化技术的目的除了可以提高装置容量之外还有利于。
16.斩波电路是利用储能元件以及开关器件的通断控制实现电能的变换。
采用晶闸管移相控制的单相交流调压电路带阻感负载时，其移相触发角应负载阻抗角，电压才能可调。
17.TCR是指。
18.TSC是指。
19.功率器件的换流方式包括器件换流、电网换流、负载换流及强迫换流，其中后三种换流方式主要是针对而言的。
20.为使由晶闸管作为开关器件的单相桥式电流型并联谐振逆变电路工作在容性小失谐状态，其工作频率应负载电路固有的谐振频率。
21.在正弦脉冲宽度调制时，载波信号一般为波。
电力电子复习
6、单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为 。
7、三相交流调压电路具有多种形式，TCR属于支路控制三角形联结方式，TCR的控制a的相移范围为90°~180°，线电流中所含谐波次数为 。
8、通常所用的电力有交流和直流两种。
9、晶闸管的导通条件为晶闸管承受正向阳极电压并且门极有触发电流。
47、在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。
48、半控整流电路是由可控元件和二极管混合而成，在这种电路中，直流电压极性不能改变，但平均值可以调节。
49、单相整流电路中晶闸管承受的交流电压峰值为 ，三相整流电路晶闸管承受的交流电压峰值为 。
50、逆变电路可分为有源逆变和无源逆变，产生逆变的条件之一：要求触发延迟角a>90°，且 < 0。
2）说明E与Ud的大小关系。
3）当α与β的最小值均为30度时，控制角α的移向范围为多少？
整流电动机状态：电流方向从上到下，电压方向上正下负，反电势E方向上正下负， 大于E，控制角的移相范围0°~90°。
逆变发电机状态：电流方向从上到下，电压 方向上负下正，发电机电势E方向上负下正， 小于E，控制角的移相范围90°~150°。
17、下面BOOST升压电路中，电感L与电容C的作用是什么？
答：电感L与电容C为储能元件，当V处于 时，VD截止，电源E经V向电感L供电使其储能，电流为 。同时电容C向负载R供电并维持输出电压恒定。当V关断时，VD导通，电感中储存的能量经VD向负载释放，电流为 。
18、晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻R的作用是什么？
4、什么是逆变失败，逆变失败有什么后果，形成的原因是什么？
电力电子专业技术复习题整理版
电力电子技术复习题(整理版)————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流I H _______擎住电流I L （数值大小关系）。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff =___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是 过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为 。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
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电力电子复习题1. 已知 ，选择 。
2. What’s the conditions of triggering thyristors into on - state?Answer : The thyristor can be triggered into the on state by applying a pulse of positive gate current for a short duration provided that the device is in its forward-blocking state.3. What’s the conditions of keeping thyristors on? And how to turn off the thyristors? Answer : Only when the anode current tries to go negative, under the influence of the circuit in which the thyristor is connected ,does the thyristor turn off and current go to zero, ususlly applying a negative voltage for a short duration.a4. What are the conditions for the inverter mode operation of controlled rectifiers?1）There must be DC EMF in the load and the direction of the DC EMF must be enabling current flow in thyristors.2）3） α>π/2 so that the output voltage Ud is also negative.5. In Single-Phase bridge fully-controlled rectifier and three-phase fully-controlled rectifier with R load or RL load, what’s the range of triggering delay angle respectively?6. 什么是逆变失败？如何防止逆变失败？逆变运行时，一旦发生换流失败，外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联，由于逆变电路内阻很小，形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。
防止逆变失败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管，保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角β等。
7. Description: Classifications and features of power semiconductor devices according to their degree of controllability.8. Definitions: pulse width modulation (PWM) and switch duty ratio D.9. Requirements of thyristor gate trigger control circuit ?10. Description: PWM with bipolar switching and PWM with unipolar switching.11. Which elements are included in the total power loss on power electronic devices?12. Description ：two types of soft-switching.13. Comparing the hard switching with soft switching techniques?14. Definitions ：voltage source inverters and current source inverters.15.三相全控桥式整流电路，当—只晶闸管短路时，电路会发生什么情况？• 1．In a single-phase diode bridge rectifier with zero Ls, R load, if vs is a sinusoidal voltage with Vs=50V at 50Hz, calculate the average output voltage ( )a ．100Vb ．45Vc ．90Vd ．50V• 2. During the commutation interval of three-phase half-wave rectifier with Ls, thyristor 1 (phase a) and 2 (phase b) conduct simultaneously, and the dc output voltage vd equal to( ).a. 0b. uac. ubd.e.A I d 100=)(av T I H A i i >• 3. When an ideal controllable switch is on, it ( )a blocks current with a small forward voltage dropb blocks current with a large forward or reverse voltagec conducts large current with a large forward voltage dropd conducts large current with zero voltage drop• 4. Step-down (Buck) converter can convert ( )a DC to higher voltage DCb DC to lower voltage DCc DC to higher or lower DCd DC to higher or lower AC5. In the following controllable switches, ( b ) has the fastest switching speed, and ( c ) has the highest power properties.a. BJTb. MOSFETc. GTOd. IGBT• 6. Which does not satisfy the conditions for the inverter mode operation of controlled rectifiers? （）a．with a feedback diode to conduct current b．a >π/2c．|EM|>|Ud| d．with a filter inductance•7. In PWM Switching Scheme, carrier（载波）frequency means ( )a. the inverter switching frequencyb. output frequencyc. modulating frequencyd. sinusoidal frequency•8. Effects of transformer leakage inductance on three-phase half-wave rectifier include: current commutation between thyristors can not happen instantly, but take a corresponding ( ); and the average output voltage is ( ).• a. commutation interval (or commutation angle) b. triggering delay angle• c. reduced d. increased• 1.实际整流电路中，变压器绕组总存在一定的漏电感LB，那么LB越小，则换相重叠角γ 。
• 2. 若晶闸管电流有效值是157A，则不考虑安全裕量，其额定电流为。
• 3.双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给______________一号晶闸管补发一个脉冲。
• 4.电力电子器件的损耗包括三方面，一是；•二是，三是。
• 5.在晶闸管的电流上升到其维持电流后，去掉门极触发信号，晶闸管是否仍能维持导通(能/不能)。
• 1. 单相交流调压电路，画出原理图，在阻性负载条件下，分析电路工作过程，绘制出相应的波形。
• 2.单相交流调压电路，画出原理图，在阻感负载条件下，分析电路工作过程，绘制出相应的波形。
• 3. 画出单相半桥逆变电路原理图，采用PWM调制方式，分析其工作过程，绘制出相应的输出波形。
• 4. 画出单相全桥逆变电路原理图，采用PWM调制方式，分析其工作过程，绘制出相应的输出波形。
•画出降压式斩波电路的原理图，采用脉宽调制控制方式，稳态时在电感电流连续情况下，通过分析工作原理推导输入输出之间的关系。
•三相全控桥变流器，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，U2=220V，L B=1mH，当E M=-400V，β=60°时求U d、I d与γ的值，此•时送回电网的有功功率是多少？••某阻感负载R=2Ω、ωL》R，电源变压器为D，y接线，初级线电压•U1=380V。
要求输出电流I d=120A，若采用三相桥式全控整流电路，如图所示，•1、确定触发角α的大小；考虑安全裕量，计算晶闸管的有关定额。
•2、在图中绘出输出电压u d，并绘出流过晶闸管VT1的电流i VT1以及流过•变压器次级绕组a相电流i2a的波形图。
•3、若晶闸管元件VT2触发脉冲丢失，在图中绘制输出电压u d及晶闸管元件•端电压u VT1的波形图。
•T••如图三相桥式电压型逆变器主电路（180º度导电型），元件导通顺序为V1→V2→V3→V4→V5→V6，输出三相电压的相序为uA、uB、uC。
•1）绘出三相相电压波形图。
•2）若要求输出相序改为uC→uB→uA，则元件的导通顺序应该如何改变。
•••••••••••使变流器工作在有源逆变状态的条件是什么？•(What are the conditions for the inverter mode operation of controlledrectifiers? )•单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路，当负载分别是电阻负载或电感负载时，晶闸管的触发角移相范围分别是多少？•(In Single-Phase bridge fully-controlled rectifier and three-phase fully-controlledrectifier with R load or RL load, what’s the range of triggering delay anglerespectively? )•Description: Classifications and features of power semiconductor devices according totheir degree of controllability.•Definitions: pulse width modulation (PWM) and switch duty ratio D.•Requirements of thyristor gate trigger control circuit ?简述对相控触发电路的基本要求。