单晶炉参数
单晶炉参数范文
单晶炉参数范文单晶炉是用于单晶生长的设备，通过控制温度、压力和其他参数来实现晶体生长的过程。
在单晶生长过程中，必须精确控制各种参数，以确保最终生长出的晶体具有高度纯净性和良好的结晶质量。
以下是一些常见的单晶炉参数。
1.温度控制：单晶炉中的温度控制非常重要，因为温度直接影响晶体生长的速度和质量。
通常，单晶炉使用电阻加热器或辐射加热器来提供热源，并通过温度传感器和控制系统来实现温度的精确控制。
炉膛中可能有多个温区，以提供不同的温度梯度和温度分布。
2.压力控制：在一些单晶生长过程中，需要控制炉膛中的气压。
压力可以通过控制进气和排气速度来实现。
在一些特殊的单晶生长技术中，例如气相外延（CVD）和分子束外延（MBE），压力控制非常关键，可以影响晶体生长速度、取向和掺杂。
3.气氛控制：单晶炉中的气氛控制非常重要，因为气氛中的杂质和气体成分可以直接影响晶体的纯净性和晶格质量。
通过控制进气和排气速度以及气体流量，可以实现对气氛的精确控制。
在一些特殊的单晶生长技术中，例如液相外延（LPE）和溶液法，需要控制化学溶液的成分和浓度。
4.搅拌控制：在一些单晶生长过程中，需要通过机械搅拌或涡流搅拌来提高晶体生长速度和质量。
搅拌的参数包括搅拌速度、搅拌器形状和位置。
通过调节这些搅拌参数，可以改善晶体生长过程中的传质和传热条件，从而获得更高质量的晶体。
5.结晶体积控制：在单晶生长过程中，需要控制晶体生长的速率和角度，以获得所需的晶体形状和尺寸。
通过调节温度梯度、搅拌速度和其他参数，可以实现对晶体生长速率和角度的控制。
此外，晶体形状和尺寸的控制还可以通过模具和模板等技术来实现。
以上只是一些常见的单晶炉参数，实际上，不同的单晶炉在设计和使用上可能会有很大差异，因为不同的单晶生长技术对参数要求也不同。
因此，在选择和使用单晶炉时，需要根据具体的应用需求和单晶生长技术的特点来确定合适的参数。
乌克兰Omega-Crystals 蓝宝石单晶炉 - Omega M200.
Omega-M200The device is intended for cultivation of sapphire monocrystals weighing up to 38kg, with a diameter of up to 200mm and a length of up to 300mm, by the method GOI (Kyropoulos).蓝宝石单晶炉：蓝宝石单晶生长方法为GOI法（泡生法），单晶最大重量38kg，最大直径200mm，最大长度300mm。
CharacteristicsWeight of the load of raw material in the melting pot, kg: 38.Temperature of molten material, Celsius: 2100.Hypobaric pressure in the chamber, Pa: 6x10E-5Run of the rod, mm: 150.Working speed of the rod, mm/hour: 0,1-1,2Power consumption, kilowatt: 60, peak- kilowatt: 80.Cooling water debit, cubic meter/hour: 3.5Inert gas debit, cubic meter/cycle: 0,2.Weight, kg 2108.技术特征：熔炉填料量：38 kg熔体温度：2100摄氏度腔内气压：6x10E-5Pa晶棒长度：150mm拉速：0.1-1.2 mm/hr能耗：60 kW，峰值为80 kW冷却水流量：3.5 m3/hr惰性气体流量：0.2 m3/循环重量：2108kgAdditional ParametersMethod of heating: resistive.Working environment: vacuum, Pa: 6х10-5The speed of the rod (the speed varies in 0,1mm/hour increments), mm/hour:- the lowest speed: 0.1- the highest speed: 1.2Speed of the accelerated movement of the rod, mm/hour: 20;Accuracy of maintenance of the speed of the rod, %: ±2;Rotation frequency of the rod , rotations/min:- the lowest speed:3;- the highest speed: 8.Accuracy of stabilization of voltage on the heater:- in the range from 2,5V to 5V: ±2%;- in the range from 5V to 7V: ±1%;- in the range from 7V to 10V: ±0,1%.附加参数：加热方式：电阻加热工作环境：真空，6x10E-5Pa拉速：（速度变化最小单位是0.1mm/hour），最小值：0.1 mm/hour最大值：1.2 mm/hour拉杆快升速度：6.9x10E-6m/s(25mm/hour)拉速精度维护：±2%拉杆转速：最低转速：0.05转/秒3转/分最高速度：0.133转/秒8转/分加热装置电压稳定性：在范围2.5-5V，±2%在范围5-7V, ±1%在范围7-10V，±0.1%Installation requirementsA shop with the following parameters of microclimate:- temperature 20±5°С;- relative humidity below 90%;Also:- a premise of 9m2;- a sewer discharge at the floor level or lower with a conditional pass of at least 70mm; - a contour of grounding, with resistance value between the grounding bolt and any of accessible parts of the device should be 0.1ohm or lower.安装要求车间环境气候参数要求：温度20±5℃；相对湿度：低于90%；面积至少9平方米；地板平面上铺设排水道或更低的位置不小于70mm的排水道；外壳接地，任何可以触及到的零部件同接地螺钉之间的电阻要小于0.1ohmOperational supplies:Demineralized water under a pressure of 4х105±0.5х105Pa(Pascal).Water temperature must not be higher than 20±5°С; debit of water should be 3.5 m3/hour;Nitrogen gas, purified to the level required by GOST 9293-74 and supplied under 0,5х105Pa of pressure (0,5kg/cm2).The power supply of the device is realized by three-phase four-wire (with a zero wire) networks of alternating electrical current with a voltage of 380V, a frequency of 50(60)Hz.Quality standards of electrical current should meet the requirements of GOST 1.3109-87运行供给：水压为4x10E5 ± 0.5x10E5Pa (4±0.5kg/cm2) 的去离子水/超纯水；水温不得高于20±5℃，水流为3.5 m3/hour；氮气压力为0.5x10E5Pa (0.5kg/cm2)，纯度符合GOST 9293-74标准；380V，50（60）HZ三相四线交流电供电，电流标准符合GOST 1.3109-87标准。
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种重要的材料热处理设备，在材料科学和工程领域有广泛应用。
下面将介绍单晶炉的数据和要求。
首先是单晶炉的基本数据。
单晶炉的工作温度范围通常在几百度到数千度之间，具体取决于所需的材料生长温度。
单晶炉通常由高温炉体、炉内加热元件、温度控制系统和真空装置构成。
炉体材料一般采用耐高温的材质，如石英或陶瓷。
而炉内加热元件则通常采用电阻丝或电阻片，以提供所需的加热功率。
温度控制系统则是保持单晶生长过程中恒定的温度，通常通过PID控制算法进行控制。
真空装置则用于提供高真空环境，以避免杂质的污染。
其次是单晶炉的要求。
在单晶生长过程中，高纯度的材料是非常关键的。
因此，单晶炉需要具备良好的真空密封性能，以确保炉内杂质的最小化。
此外，炉内温度的均匀性和稳定性也是非常重要的。
温度不仅需要在整个单晶生长过程中保持稳定，还需要在炉内各个位置上保持均匀。
这样才能确保所生长的单晶具有良好的结晶性能。
另外，单晶炉还需要能够提供所需的加热功率，以满足材料生长的需求。
加热功率的调节应该精确可靠，以确保单晶的生长速度和质量。
最后，单晶炉还需要具备安全性能，以防止操作人员因为高温或真空等因素而受伤。
总结起来，单晶炉是一种用于材料热处理的设备，工作温度范围广，通常由高温炉体、炉内加热元件、温度控制系统和真空装置构成。
在单晶炉的设计中，需要考虑材料的纯度、温度的均匀性和稳定性、加热功率的调节以及安全性能等要求。
单晶炉的设计与构造需要兼顾这些因素，并保证其能够为材料生长提供良好的条件。
希望这些信息能够对您对单晶炉有所了解。
FT-CZ2208AE型单晶炉技术参数20101015
单晶炉设备参数表（FT-CZ2208AE）1.概述:FT-CZ2208AE型单晶炉是根据Czochralski(CZ Method)原理，在惰性气体腔体中通过石墨电阻加热器以高温将石英坩埚内半导体材料（多晶硅）熔化、稳定，再通过籽晶与熔硅的接触，籍籽晶提升及旋转机构、坩埚提升及旋转机构、直径测定控制系统、温度测定控制系统等关键部件的精密配合，用于制备太阳能级,亦可以用于电路级单晶的设备系统。
本设备以以下规格为基准进行设计。
1）日本工业规格(JIS)2）日本电气工业规格(JEM)3）电气规格调查会标准规格(JEC)2．特点：2.1机械部分：整机结构美观，机械部件采用高精度数控加工，材质采用不锈钢和耐高温不锈钢。
1．炉子腔体内外层采用304L不锈钢。
双层水冷式结构。
2．真空旋转轴全部采用稳定的大型磁流体密封。
3．炉腔法兰为整体锻造件。
4．密封圈全部采用高质进口件。
5．氩气管路及其配套的电磁阀采用高质量进口件。
6．高品质的真空管路系统。
采用多种安全保障措施和安全装置。
例如：1．具有电源安全保护装置。
2．炉体水温报警系统。
3．冷却水流量过小报警（OP）。
4．炉压异常报警系统。
5．安装有安全减压阀。
6．炉盖采用浮动设计，在炉内压力过高时，自动泄压。
炉内压力配有高低真空检测系统，同时测量上、下炉体，测量精度高。
具有配套的节能热场和大装料量热场供客户选择(OP)。
2.2电器部分：1.针对太阳能级单晶硅的特点和运行数据专门设计，亦可以用于半导体级单晶硅制备。
2.融合多种当代新技术，实现全程自动控制和数据交换。
3.采用电脑控制系统和触摸式屏幕显示。
拉晶工艺全过程直观显示，互动性强。
4.PLC系统控制，抗干扰性好，可靠性高，维修方便。
5.多台FT-CZ2208AE型单晶炉的软件可相互之间复制。
因此，如果一台单晶炉的软件有故障，可以从另一台单晶炉复制过来。
这不仅解决了软件包一旦损坏和丢失的问题 ，而且也解决了一台单晶炉调试好了，其他单晶炉均可以用同一个软件包数据进行使用，免去了重复调试的工作。
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种用于制造单晶材料的设备，通过控制温度和压力等参数，将液体材料逐渐凝固成为单晶体。
单晶材料具有高度的晶体结构完整性和均匀性，因此在许多领域有着广泛的应用，如电子器件、光学器件、能源材料等。
本文将介绍单晶炉的基本数据和要求，以帮助读者了解该设备的特点和应用。
一、单晶炉的基本数据1.外观和结构：单晶炉通常由炉体、加热元件、晶体生长室、真空系统、温度控制系统等组成。
其外观一般呈圆筒状或立方体状，尺寸大小根据不同的生长要求而有所差异。
2.温度范围：单晶炉的温度范围通常在1000℃至3000℃之间，不同的材料需要不同的生长温度。
常用的加热元件有电阻加热、感应加热等，可根据实际需求选择。
3.生长室：用于放置生长石英坩埚和控制生长过程的环境。
生长室内需要具备一定的密封性和真空度，以防止杂质进入，影响晶体的质量。
4.控制系统：包括温度控制、压力控制、气体流量控制等功能，用于调节生长环境的参数，保证单晶的质量和生长的速度。
5.真空系统：用于排除生长环境中的气体，保持生长过程中的高真空状态，以减少杂质对晶体的影响。
真空系统包括真空泵、阀门等设备。
二、单晶炉的要求1.温度稳定性：单晶材料的生长过程需要精确控制温度，在不同的生长阶段需要提供不同的温度梯度。
单晶炉的温度控制系统需要具备高精度和稳定性，以确保生长过程的一致性和均匀性。
2.真空度要求：单晶材料生长需要在高真空环境下进行，以排除气体对晶体生长质量的影响。
单晶炉的真空系统需要具备高真空度和良好的密封性，以保证晶体生长的纯净性。
3.晶体生长速率控制：不同的晶体材料需要在特定的生长速率下进行生长，以获得所需的晶体质量和尺寸。
单晶炉的控制系统需要能够精确地控制生长环境中的参数，以调节晶体生长速率。
4.安全性和可靠性：单晶炉属于高温设备，使用过程中需要注意安全防护。
同时，设备的可靠性也是使用者关注的重点，确保设备稳定运行和长时间的使用寿命。
三、单晶炉的应用1.半导体材料生长：单晶炉在半导体行业中广泛应用，用于生长硅单晶和其他半导体材料的单晶。
单晶炉参数范文
单晶炉参数范文
一、基本参数
1.工作电压：AC220V50/60Hz
2.工作功率：15kW
3.冷却水压力：0.2MPa
4.气体压力：0.2MPa
5.温度范围：室温～1300℃
6.温度精度：±2℃
7.加热状态：可调PID恒温加热
二、炉腔结构
1.炉腔尺寸：Φ400×800；
2.炉腔材质：聚硅烷泡沫保温材料；
3.支架：不锈钢；
4.炉腔形式：单晶炉；
三、安全保护
1.热电偶断路保护：安装2套K系列热电偶，当热电偶断路时，炉腔自动断电，保护炉腔安全；
2.过温保护：当热电偶信号不稳定或干烧现象出现时，上位机误判给定温度较高，炉腔温度过高时，自动断电，保护炉腔安全；
3.热电偶故障保护：热电偶故障时，将自动断电，保护炉腔安全；
四、控制系统
1.控制器：5.7寸彩色触摸屏，内置高精度温度控制算法，支持PID 恒温控制；
2.时间控制：支持按照设定时间延迟启动炉腔，支持多段温度控制；
3.远程控制：支持RS485通讯协议，支持本地或远程控制；
五、其他功能
1.报警功能：超温、断电、过载、温度偏差报警；
2.保存功能：支持10组温度设定；。
单晶炉 SOP系统作业参数说明书
参数 步骤 时间 坩埚位置 坩埚旋转速率 功率组
说明 表示表中的单独步骤 每一个步骤要求的总时间（min）。 坩埚离加热器顶部的垂直距离（mm）。 坩埚旋转的速度，转/分（rpm）. 加热器功率（kw）。 氩气进入炉子的速率，标准升/分钟（splm）。 压力控制回路的压力设定点（Torr）
抽真空/检漏
自动进行抽气和用氩气进行清洗。生长过程中的
检漏步骤在抽真空之后关闭主真空阀，测量炉内
压力上升的速率来检测炉子的真空密封性能。
Pressurization/Meltdown 自动压力化步骤用来使炉子得到一个适合单晶
压力化/熔料
生长的特定压力。自动熔料过程使硅原料缓慢熔
化直到全熔。
Stablization I
在序列表中，参数数据在右侧从头到尾用实际数值表示。
图 2 序列表中的参数显示
2
1.2.3 命令条 命令条被列在几乎所有屏幕的左部，如下图，这些键通常被用来在 SOP 分菜
单和目录窗口之间切换，并随着程序中位置的不同而不同。（命令条必须在程序 被激活时才可用，即打开或新建文件时才可用，否则点击没有反应。）。
7
2.5 熔料步骤 这张表中设定的参数是为了熔化坩埚中的硅料的。
参数 步骤 时间 坩埚位置 功率
图 7 熔料步骤的 SOP 组
说明 表示表中的单独步骤。 每一个步骤的总时间（min）。 坩埚离加热器顶部的垂直距离（mm）。 加热器功率（kw）。
8
2.6 稳定化 I 在硅完全熔化之后，在晶体生长开始之前，熔液温度必须被稳定。这一步 通常在颈部生长前用来稳定炉内的熔液温度。
10
2.8 引晶 这一自动过程开始晶体的颈部生长，按 SOP 设置通过提高速度来减小籽晶直
单晶炉资料
CL系列单晶炉，属软轴提拉型，用直拉法生长无位错电路级、太阳能级单晶的设备。
此设备结构设计稳定，运行平稳，且有多项安全防护设施，质量流量及温度控制精确，整个晶体生长过程由高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，并可实现全自动（CCD）控制，包括抽真空、熔化、引晶缩颈、放肩、等经生长和尾锥生长。
CL-90型设备提供一对电极，满足用户采用两温区加热的工艺要求。
设备使用18寸或20寸的热系统，投料量60-90Kg，生长6″或8″的单晶体。
设备特点：1、稳定的机架结构设计，增强了设备在晶体生长过程中的抗振动能力。
2、优化的液压提升机构确保副炉室提升和复位时的运动平稳性。
3、与主机分离的分水器设计，在减少冷却水振动对晶体生长的影响的同时优化了水路布局。
4、晶体和坩埚的提升采用双电机结构，保证稳定的低生长速度以及坩埚和籽晶的快速定位。
5、采用无振动的高性能马达和低噪声的减速器驱动晶体和坩埚上升，可提供稳定的低生长速度。
6、设备的真空条件和在真空下的可控惰性气体气流使得热区清洗最佳化。
氧化硅可以在不污染晶体和晶体驱动装置的条件下排除。
7、带隔离阀的副室可以在热区保持工作温度的情况下，取出长成的晶体或者更换籽晶。
8、对惰性气体流量和炉室压力高精度的控制能力，为生长高品质单晶创造了条件。
9、炉盖和炉腔通过两个提升装置提升，很方便的转向一边快捷地清洗。
10、熔化温度通过对加热器温度的电控来维持和调节，加热电源采用直流供电提高了控制精度。
高品质的加热器温度测量传感器实现了精确的温度控制。
12、整个晶体生长过程由一个高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，包括抽真空、熔化、引晶缩颈、放肩、等经生长和尾锥生长，晶体生长全过程可实现全自动（CCD）控制：。
13、带有数据和报警过程控制的可视化软件，存储在计算机的硬盘中。
可以显示过程变量随时间变化的趋势图。
直流电源5柱变压器，空载电流小，效率比3柱高10%--15%。
双反芯6脉波比桥式整流功耗小。
单晶炉介绍
技术参数
管径￠ 管径￠100 极限真空度0.06Pa 辅真空泵 极限真空度0.06Pa 排气能力10L/S 排气能力10L/S 功率1KW 功率1KW 管径￠ 管径￠40 惰性气体：氩气 惰性气体： 单晶生长过程中的通常流率 ： 60slpm 通过质量流量控制器控制的最大值： 通过质量流量控制器控制的最大值： 150m 最小手动流量（手动截止阀） 最小手动流量（手动截止阀） ： 75slpm 氩气纯度最小纯度要求： >99.999％ 氩气纯度最小纯度要求： >99.999％
主要材料与控制器
主炉腔体全部用进口304L不锈钢制作。 主炉腔体全部用进口304L不锈钢制作。 304L不锈钢制作 炉体框架用GB标准型材焊接后，高精度数控机床加工。 GB标准型材焊接后 炉体框架用GB标准型材焊接后，高精度数控机床加工。 日本KENECE单晶棒测量专用高精度双CCD KENECE单晶棒测量专用高精度双CCD相机控制系统 日本KENECE单晶棒测量专用高精度双CCD相机控制系统 (200万相素 万相素) (200万相素)。 进口高精度三洋驱动直流马达。 进口高精度三洋驱动直流马达。 台湾著名厂家生产的伺服驱动电机。 台湾著名厂家生产的伺服驱动电机。 韩国AUTONICS公司检测传感器。 AUTONICS公司检测传感器 韩国AUTONICS公司检测传感器。 日本SMC与德国INFICOM高真空传感器。 SMC与德国INFICOM高真空传感器 日本SMC与德国INFICOM高真空传感器。 德国施耐德与日本富士等电气部件。 德国施耐德与日本富士等电气部件。 名牌控制电脑，台湾产触摸屏。 名牌控制电脑，台湾产触摸屏。 日本三菱高速PLC控制器。 PLC控制器 日本三菱高速PLC控制器。 采用美国航天航空用高分辨率红外测温仪， 采用美国航天航空用高分辨率红外测温仪，三色液面高分 辨率测温仪。 辨率测温仪。
上虞晶盛单晶炉操作说明书
第一章单晶生长条件设备要求运行条件（以下以TDR-85A-ZJS 炉为例，其余炉型要求参照说明书）（1）冷却水要求水压：炉子进出水压差要求介于2~3 公斤之间，真空泵进出水压差要求公斤以上；炉子进水压力不可超过公斤，炉子上冷却水安全阀设置压力6 公斤；水流率：炉子和电源要求供水量不低于250 升每分钟，单独电源要求供水量不低于20 升每分钟；水温：推荐进水温度18~24oC，最大不超过25oC；水质：弱碱性水，PH 值6~9；氯离子含量≤10ppm，碳酸钙含量≤50ppm；以纯净软水为好。
连接方式：进出水管与炉子之间采用软连接，防止震动传递到炉子。
（2）压缩空气要求气压：≥7 公斤；推荐在压缩空气入口处使用压力调节器。
流率：≥升每秒；汽缸容积：主真空球阀：2 升；辅助真空球阀：升。
（3）电力要求相制：3 相AC380V(±10%)/50Hz；功率：≥192KVA。
配电柜应装有500V、400V 的空气开关，和380V/400A的隔离开关。
（4）炉子真空要求空炉真空度：≤15mTorr；空炉泄漏率：≤30mTorr/hr；带热场泄漏率：≤50mTo r r/hr。
（热场已经煅烧完全）日常维护（1）坩埚轴驱动部件的维护保养a、经常检查坩埚轴的冷却水是否通畅，避免冷却不充分而损坏坩埚轴；b、每个月对下轴丝杠至少清理一次，每次应先清理干净丝杠和导轨上的油污，加上适当（不可太多）润滑油，然后上下快升降两次。
（2）提拉头的维护保养a、每次开炉后，检查钢丝绳是否损坏（包括变硬、缠松、有严重毛刺等），如有损坏，立即更换；b、钢丝绳在保管、使用、维修、安装过程中不能造成任何死弯角，否则在运行过程中会引起抖动。
（3）水冷系统的维护保养a、每次加热前检查水流量是否充足，确保所有水路没有堵塞，水温传感器运行正常；b、出现水温或水量报警要查找原因及时处理。
（4）翻板阀的维护保养每次装炉前检查阀口密封圈是否完好，翻板阀操作是否轻松、无卡滞，底部挥发物是否打扫干净，如发现问题应及时排除。
单晶硅提拉炉
EKZ 2700/3500单晶提拉炉• E KZ 2700/3500单晶提拉炉• VGF 632/732 Si 多晶硅铸锭炉• SR -110 硅芯炉• FZ -14M 型测试炉• FZ 区熔炉• VGF Kronos 化合物晶体生长炉EKZ 2700 / 3500 单晶炉技术参数坩锅直径： 最大 508 mm （20寸）/ 660 mm （26寸） 晶体直径： 最大 220 mm / 300 mm 晶体长度： 最长 1.8 m / 2.5 m 装 料 量： 最大 120 kg / 200 kg 炉室直径： 约 790 mm / 940 mm 炉室高度： 约 1190 mm / 1680 mm 闸板阀直径：300 mm / 360 mm 副 室：开门式 / 开门式，管式 重量（单晶炉）：8000 kg / 9000 kg 重量（电源柜）：1600 kg / 1400 kg 重量（控制柜）：360 kg / 360 kg 坩锅传动单元上升速度：0.02－200 mm/min / 0.02－200 mm/min 行 程：约 350 mm / 650 mm 旋转速度：0.5－35 rpm / 0.5－35 rpm晶体传动单元提拉速度：0.1－1000 mm/min / 0.1－1000 mm/min 旋转速度：0.5－35 rpm / 0.5－35 rpm 水，电，气功 率：最大 220 KVA / 最大 300 KVA 工艺气体：最大 120 l/min / 最大 120 l/min 压缩空气：4－6 bar / 4－6 bar 水 压：最高 4 bar / 最高 4 bar水 消 耗：最大 180 l/min / 最大 200 l/min 控制系统 自动化工艺PLC/PC 控制，标准配置 选项颗粒料加料系统 热场升级到20寸真空泵组氧化硅过滤系统生产管理系统。
全自动单晶炉参数简介
表
长度
P
D
I
100
0.5
2
0.1
1800
0.5
2
0.1
…
…
…
…
全自动的实现
SOP—等径直径控制表，直径控制
2.直径控制——引晶和转肩过程中的PID参数表
颈部直径增益（P）
6
颈部直径微分（D）
6
颈部直径积分（I）
4
转肩直径增益（P）
0.3
转肩直径微分（I）
0.6
转肩直径积分（D）
0.5
全自动的实现
1.点击“系统维护” 2.点击“工艺设置” 3.在需要的步骤前
打勾
结束语
了解了全自动的软硬件基本知识，掌握了 操作要领，我们就可以开始自动拉晶了（至Байду номын сангаас 也能自动“引-放-转-等”）。
全自动目前还不够成熟，希望大家在工作 中多总结，多尝试，争取能提高全自动炉的应 用水平。
谢谢大家！
全自动大部分步骤都能自动完成， 无法完成则会发出警报
适；
比如抽真空：半自动需要人时刻关注真空度是不是合
而全自动会自动进行判断，真空度合适则进入下一步，不合适则 发出警报。这个过程就可以把人解放出来，等待警报即可。
全自动的实现
我们的单晶炉是如何实现自 动的呢？
硬件上加强了测量功能
软件上加强了判断的功能
全自动的实现
硬件设施
1.液面测温仪 测量液面温度，是自动调温,熔接的基础
2.热电堆 热电堆测量的是加热器的温度，是控制热
场温度的基础（必须保证取光孔对准，测量孔 洁净，清晰）。
全自动的实现
硬件设施
3.籽晶位置传感器
单晶炉参数范文
单晶炉参数范文单晶炉的参数涉及到炉体温度、外部环境温度、气体流量、压力、电流、电压等多个方面。
下面将详细介绍单晶炉的各个参数及其作用。
1.炉体温度：炉体温度是指单晶炉内部的温度，它对单晶硅的熔化和结晶过程起着重要的作用。
炉体温度的设定值通常需要根据具体的生产工艺和要求进行调整，一般在1400℃-1500℃之间。
2.外部环境温度：外部环境温度是指单晶炉周围的温度，它与单晶炉的散热性能和稳定性有关。
外部环境温度的设定值需要根据实际情况进行选择，一般在20℃-30℃之间。
3.气体流量：气体流量是指在单晶炉中通过气体供应系统进入炉体的气体流量。
气体流量的设定值决定了炉体中气体的浓度，对单晶硅的质量和纯度有着重要的影响。
气体流量的设定需要根据具体的工艺要求进行控制。
4.气体压力：气体压力是指在单晶炉中通过气体供应系统进入炉体的气体压力。
气体压力的设定值决定了气体在炉体中的流动速度和浓度分布，对单晶硅的质量和纯度也有一定的影响。
气体压力的设定需要根据具体的工艺要求进行调整。
5.电流：电流是指在单晶炉中通过电加热元件流过的电流。
电流的设定值决定了加热功率的大小，对单晶硅的熔化和结晶过程起着重要的作用。
电流的设定需要根据具体的工艺要求进行选择。
6.电压：电压是指在单晶炉中通过电加热元件的电压。
电压的设定值决定了加热功率的大小和稳定性，对单晶硅的熔化和结晶过程也有一定的影响。
电压的设定需要根据具体的工艺要求进行控制。
以上是单晶炉的一些基本参数和设定值，它们对于单晶硅的生产过程至关重要。
在实际工作中，操作人员需要根据工艺要求和经验，合理地选择和调整这些参数，以确保单晶硅的质量和纯度。
同时，为了保证生产的稳定性和安全性，单晶炉的参数还需要进行监测和记录，以便及时发现和解决问题。
单晶炉参数的正确设置和控制，对于提高单晶硅的质量和产量，以及降低生产成本和能源消耗，具有重要的意义。
单晶炉的数据和要求
单晶炉的数据和要求单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备，主要应用于半导体、光电子、陶瓷等行业。
单晶材料的制备对于提高材料的性能和可靠性有着重要的影响。
下面将详细介绍单晶炉的数据和要求。
一、单晶炉的基本数据1.炉内温度：单晶炉需要能够达到并稳定控制的高温环境，一般要求在1600°C以上，以适应单晶材料的生长需求。
2.炉子形式：单晶炉通常采用直立式结构，由炉体、加热器、保温层和炉门等组成。
3.单晶炉室容量：炉室容量的大小直接影响到生产的单晶材料的尺寸，一般要求能够容纳不同尺寸的单晶材料，如晶格直径达到2英寸、3英寸或6英寸等。
4.单晶法：单晶炉可根据不同的单晶法设计，如布里奇曼单晶法、凝固熔体法或溶液法等。
根据所选用的单晶法，单晶炉需要具备相应的特殊要求和功能。
5.控温系统：高温环境下需要精确的温度控制，单晶炉需要配备稳定可靠的温度控制系统，如PID控制器等，以确保在单晶材料的生长过程中能够实现所需的温度变化和控制。
二、单晶炉的要求1.温度均匀性：在单晶材料生长过程中，要求炉内的温度均匀分布，以确保单晶材料具备良好的结晶品质。
因此，单晶炉需要具备良好的温度均匀性。
2.真空状态：在一些单晶法中，高温环境下需要维持一定的真空状态，以避免单晶材料与氧气等物质的反应，影响单晶材料的质量。
因此，单晶炉需要能够提供良好的封闭性能和客户所需的真空范围。
3.气氛控制：在有些单晶法中，需要在炉内控制特定的气氛，如氮气、氢气等，以保证单晶材料生长的良好环境。
因此，单晶炉需要具备可控的气氛控制系统。
4.安全性：由于高温环境的特殊性，单晶炉需要具备良好的安全性能，如防爆、防火等措施，确保操作人员的安全。
5.自动化程度：随着技术的不断发展，自动化程度的提高可以提高单晶材料生长的效率和质量。
因此，单晶炉需要具备较高的自动化程度，如温度、压力、气氛等参数的自动控制和监测。
综上所述，单晶炉是一种用于生产单晶材料的设备，具备高温、温度均匀性、真空状态、气氛控制、安全性和自动化程度等要求。
松瓷单晶炉使用说明书
松瓷单晶炉使用说明书松瓷单晶炉使用说明书一、产品介绍松瓷单晶炉是一种专业的材料制备设备，主要用于生产单晶材料。
该设备采用高温加热技术，能够精确控制温度和时间，以满足不同材料的生产需求。
二、安装与调试1. 安装前请先检查设备是否完好无损。
2. 将设备放置在平稳的地面上，并连接好电源线。
3. 打开电源开关，进行电气测试，确保所有电气元件正常工作。
4. 进行机械部分的调试，如传动系统、加热系统等。
5. 进行温度控制系统的调试，确保能够精确控制温度。
三、操作流程1. 开机前，请先检查所有操作部件是否正常工作。
2. 打开电源开关，并将温度控制器设置为所需温度。
3. 将待处理的材料放入样品架中，并将样品架放入炉腔内。
4. 关闭炉门，并开始加热过程。
5. 确保在加热过程中始终保持目标温度稳定，避免出现过高或过低的情况。
6. 加热结束后，关闭电源开关，等待设备冷却至室温后方可取出样品。
四、注意事项1. 在操作设备时，请戴好防护手套和眼镜，以避免受到高温伤害。
2. 在加热过程中，请勿将手伸入炉腔内，以避免受到高温灼伤。
3. 请勿在设备上使用任何化学试剂或液体，以免对设备造成损坏。
4. 在使用过程中，如发现任何异常情况，请立即关闭电源开关，并联系专业技术人员进行维修处理。
五、维护保养1. 每次使用完毕后，请进行设备清洁，并检查所有部件是否正常工作。
2. 定期对设备进行检查和维护，并更换损坏的零部件。
3. 请勿在潮湿或易受腐蚀的环境中存放设备，以避免对设备造成损坏。
4. 如长时间未使用该设备，请将其存放在干燥通风的环境中。
六、故障排除1. 如发现温度控制不准确，请检查温度传感器和温度控制器是否正常工作。
2. 如发现加热不均匀，请检查加热元件是否正常工作，并进行调整。
3. 如发现设备无法启动，请检查电源开关和电气元件是否正常工作。
七、技术参数1. 最高温度：1800℃2. 控温精度：±1℃3. 加热方式：电阻加热4. 加热功率：5KW八、结语松瓷单晶炉是一种高端的材料制备设备，具有精准的温度控制和高效的加热能力。
6直拉单晶炉及热系统6
5、电气系统
电气系统主要包括电源控制系统以及单晶炉控制 系统。 直拉单晶炉主电源采用三相交流供电，电压 380V，频率50Hz。经变压器整流后，形成低电 压，高电流的直流电源作为主加热电源。（功率 柜）
单晶炉控制系统主要包括速度控制单元、加热控制 单元、等径生长控制单元、水温和设备运行巡检及状态 报警、继电控制单元等部分。 1）速度控制单元对晶升、埚升、晶转、埚转的速度进 行控制。 2）温度传感器从加热器上取得的信号与等径控制器的 温度控制信号叠加后进入欧陆控制器，经分析调整控制 加热器电压，达到控制加热温度与直径的目的。 3）水温运行巡检及状态报警单元可以对单晶炉各路冷 却水温进行实时检测，当某路水温超过设定值时，相应 水路发出报警提示工作人员排除。同时本单元可以实时 检测单晶炉运行中的异常现象，给出相应报警。 4）继电控制单元包括液压系统继电控制，真空机组继 电控制及无水、欠水继电控制等部分。
2、氩气系统
氩气系统包括液氩储罐，汽化器、气阀、氩 气流量计等部件。氩气纯度为5N，在单晶生长 过程中起保护作用，一方面及时携带熔体中的挥 发物经真空泵排出；另一方面又及时带走晶体表 面的热量，增大晶体的纵向温度梯度，有利于单 晶生长。
3、真空系统
真空系统主要分两部分：主炉室真空系统和副炉室 真空系统。 主炉室真空系统主要包括主真空泵、电磁截至阀、除尘 罐、安全阀、真空计、真空管道及控制系统等。其中除 尘罐对排气中的粉尘起到过滤作用，以便保护真空泵， 除尘罐内的过滤网要定期清理，使排气畅通，否则影响 成晶，另外要定期更换泵油。 副炉室真空系统除了无除尘罐外，与主炉室真空系统相 似。主要是在拉晶过程中需要关闭主、副炉室之间的翻 板阀取晶体或提渣时，必须用副炉室真空系统来对副炉 室进行抽真空。 拉晶过程中必要时应进行真空检漏。冷炉极限真空应达 到5Pa以下，单晶炉泄露率应该低于3Pa/10min。
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一：拉棒设备技术支持以及设备技术参数与规范
1. 设备参数：
设备名称
（设计参
数）
规格数量备注
单晶炉
1、结晶直径： 8”，6”
2、结晶全长： 2000mm以下
3、投料量： 120kg
4、热场规格： 16’18’ 20’
5、炉内最高温度： 1600℃
6、坩埚规格：φ20”³H15
7、保护气氛：氩气，负压
8、软轴：无螺旋编织（不锈钢304材质以上）
9、主副室连接法兰一次成型，无焊接
10、真空度
结晶的拉制环境： 2.7kPa
冷炉极限真空度： 3Pa以下
11、允许漏泄量： 0.6mTorr/min以下
12、坩埚中轴的承重量： 250kg
13、籽晶夹头：圆柱型（钼材质）
14、水路系统回水点最高温差：<12℃
15、设备进、出水法兰：配备标准法兰
16、真空泵、球阀、除尘器罐：真空胶管
连接配备法兰接口
17、减速器、电机：采用东方电机
18、控制方式：全自动且各阶段均可转入手动
控制（全自动描述：抽空、检漏、化料、稳定、
引晶、放肩、转肩、等径、收尾全过程自动）
提供与全自动运行相关的技术资料。
19、控制电脑配置不少于30min的UPS电源。
20、配套流量计实现氩气流量自动控制。
21、单晶炉体内壁材质需采用进口不锈钢316
材料（内壁厚度8mm）。
4台
周围温度：
15-25℃
周围湿度：
40-70%（需
要保证没
有结露的
情况发生）
洁净度：一
般环境
2、技术要求
2.1真空炉体
炉体总体结构是双层带水套不锈钢筒体，材质内层要求为316L不锈钢、外层为普通不锈钢；炉体分主炉室、副炉室，主副炉室之间由隔离阀隔开,且主副室各“O”型圈使用倒梯形，角度为36°；冷炉极限真空度应小于3Pa，压升率小于等于1Pa/10min；副炉室打开时主炉室真空度应小于等于2Pa，压升率小于
等于1Pa/10min。
2.2加热系统
a．加热器
加热器要求采用石墨加热器，加热器材质必须采用指定品牌材料（德国西格里）并提供单件加热器电阻及电阻均匀性；加热系统对外部电源谐波污染应符合国家标准，功率因数≥0.9这样保证了贵公司使用设备的平稳用电；
b.保温、导流装置
保温、导流装置采用指定品牌（德国西格里）高纯度等静压石墨材料和优质的隔热材料，设计合理，以便给熔硅稳定的液面温度及合适的温度梯度从而提高生产效率和保证较高的成晶率。
c．柔性碳毡：使用标准厚度，且上下均匀，捆绑使用φ3mm钼丝来保证热系统的长时间实用性。
2.3埚升、埚转装置
采用精密丝杠传动，使坩埚轴平稳运动，无爬行抖动从而体现了设备的先进性和高精密性。
2.4水冷系统
能有效地将单晶硅晶体凝固过程中散发的热量带走，并保证炉体安全有效运行；带流量、压力、温度显示或检测报警装置，能实时反应水冷系统是否正常运行。
2.5动力及控制系统
动力配电提供相应的主配电盘柜，主配电盘柜内应包括变压器、滤波器等。
控制系统采用PLC控制，器件采用西门子品牌，图形界面、界面友好，操作简单，操作系统必须汉化或直接使用中文操作系统。
能有效地反应炉体运行状态，并具备故障自诊断，对一些安全隐患能及时提醒操作者注意；控制系统应包括不同工艺参数储存功能和故障信息的储存功能，并预留远传监控的通讯接口，能够实现中央集成控制，传输协议应公开，实现远程监控维护。
2.6真空系统
a.主室抽压使用水冷滑阀真空泵（使用上海神工真空泵），副室抽压使用旋片真空泵（QXZ-15）。
b.能快速有效地将真空炉体进行抽空，并满足炉体不同状态下的真空度要求，冷炉极限抽空时间可控制在90分钟以内；关键零部件如真空泵、真空计、
主体管道阀门（选用进口电动）、真空过滤器等采用进口元器件或国内知名品牌来保证设备长时间使用性，并提供真空泵与单晶炉之间的管道及安装工程指导。
2.7进气、出气控制系统
能维持炉内压力稳定，对整个控制系统起关键作用的伺服阀、质量流量计等必须采用进口；
2.8 钢结构平台
满足炉体安装使用，并方便设备维护保养等操作。
2.9环境条件:
（1）环境温度：20±5℃；
（2）相对湿度：≤65%(须保证没有结露情况的发生)，杜绝腐蚀性气体；
（3）洁净度：一般环境；
（4）外界振源当大于10 Hz时，振幅值应小于0.003 mm；
电压：三相五线制380V
频率:50Hz
所有电器设备须适合以下操作条件，并以不影响其性能为原则：
电压波动:±10％
频率波动:±2％
接地电阻:<1.0Ω
以上说明相关的技术参数等选用配件，证明了我公司所生产的NCZ系列单晶的先进性、产品质量高端性。
二²售后以及人员培训等工作要求如下：
1²售后的准备主要体现在设备的备品备件
A 随机备品备件清单
序号
名称
单
位
数量备注
1 石英玻璃块 1
2 石英玻璃块 1
3 石英玻璃块 1
4 石英玻璃块 1
5 石英玻璃块 1
6 石英玻璃块 1
7 电极石英护套支 2
8 电极套支 2
9 钼销支 1
10 籽晶引线条 1
11 埚传动皮带条 1
12 籽晶旋转皮带条 1
13 籽晶升降皮带条 1
14 O型圈条 1 隔离阀
15 O型圈条 1 主炉室
16 O型圈条 1 副室
17 O型圈条 2 电极
18 接近开关条 2
B 确认我们安装调试完成后，我公司根据设备运行状况开始抽离工作人员，在未来一年给予1-2名技术员不定期巡访贵公司进行维护和指导相关的机修人员工作。
如贵公司设备有出现问题，我们将在2小时进行响应相关的指导工作。
C 在人员培训过程中我公司早已准备了相关技术文件和单晶操作工规程，并提供一名有经验的工艺工程师进行指导和培训，如客户有需要的条件下可安排相关人员来我公司试验车间进行长时间的培训工作。