氧化锌电压敏陶瓷理论及应用
氧化锌压敏陶瓷应用及制备
氧化锌压敏陶瓷是由具有纤锌矿结构的晶粒组成，其他氧化物添加剂 除少量与ZnO固熔外，主要在ZnO晶粒间形成晶界相，ZnO晶粒．晶界ZnO晶粒形成一个随机的网状结构
由于陶瓷导电时是电子通过晶界，所以ZnO压敏陶瓷的电学性能主要由 晶界决定，晶界对ZnO压敏陶瓷性能影响最大
元素掺杂对ZnO压敏陶瓷的影响
7. 排胶
1）原理：PVC在空气中， 加热至500℃时会高温挥发 （2）操作：将压片依次排好，放入 电炉。六十片分两次放入。 （3）设置程序：从20度到500度，每 分钟升高2度，历时240min，当温度
达到500度后，保温120min。
8.烧结
（1）原理：高温使晶界上的物质向气孔扩散、填充，小孔隙消失和孔 隙数量减少，陶瓷胚体愈发致密化，晶粒长大。 （2）过程：烧结初期→烧结中期→烧结末期 （3）再结晶和晶粒长大：初次再结晶→晶粒长大→二次再结晶
反应式
2Bi203(I)+3Ti02(s)→Bi4(Ti04)3
由于ZnO在Bi4(Ti04)3液相中的溶解度大于在Bi203液相中的溶解度， 传质速率加快，导致晶粒生长速率加快。 同时在这一温度范围，有少量Ti02与ZnO发生反应生成Zn2Ti04尖晶 石相，Zn2Ti04尖晶石相钉扎在晶界阻碍晶粒长大。
实验所用原料均为分析纯。将 ZnO、Bi2O3、TiO2、 Co2O3、MnO2、SnO2、Sb2O3等原料按一定的 ZnO 压敏陶瓷配方比例称量。
只考虑Ti02添加量不同时对ZnO压敏陶瓷性能的影响。对此我们设 计了4个平行实验组。 第一组：不添加，其他组分不变。 第二组：低于资料获得数据掺加一定的Ti02。 第三组：资料获得准确数据掺加一定的Ti02。 第四组：高于资料获得数据掺加一定的Ti02。
ZnO压敏陶瓷的研究进展概要
ZnO压敏陶瓷的研究进展摘要：ZnO压敏陶瓷是众多压敏陶瓷中性能最优异的一种，它是以ZnO为主原料，通过掺杂Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3和Nb2O5等氧化物改性烧结而成。
本文通过介绍ZnO粉体的合成方法、掺杂改性等方面入手，对ZnO压敏陶瓷的发展趋势进行探讨，并针对某些共性问题提出自己的一些看法。
关键词：ZnO压敏陶瓷；掺杂；制备；发展趋势The development trends of ZnO varistor ceramic Abstract: The ZnO varistor ceramic is one of the varistor ceramics which with best properties. The main raw material is ZnO, then mixed with some oxides ,such as Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3、Nb2O5 and so on ,to change it’s properties and sinter it .This text briefly described the methods of producing ZnO powder and mixing something to change the properties of it .Present situation in development of varistor ceramic as well as its developing tendency was also analyzed .Some suggestions and opinions were proposed for problems on common characteristics. Key words: ZnO varistor ceramic; mixed; produce; developing tendency1.前言ZnO压敏陶瓷是一种多功能新型陶瓷材料，它是以ZnO主为体，添加若干其他改性金属氧化物的烧结体材料。
氧化锌电压敏陶瓷(理论、应用、简介、目录)
氧化锌电压敏陶瓷理论及应用（简介、目录）简介《氧化锌电压敏陶瓷理论及应用》内容主要包括氧化锌压敏陶瓷、避雷器元器件制造材料、配方、正艺及其工艺装备、产品设计和性能测试方法等，对我国氧化锌避雷器和压敏电阻器科研成果、生产技术进行了系统总结，特别在次晶界形成机理、烧成冷却速度和热处理工艺作用机理、压敏陶瓷几何效应等方面具有独特见解和创新。
《氧化锌电压敏陶瓷理论及应用》可供电子陶瓷元器件的研究人员，特别是从事压敏电阻器、避雷器专业设计和生产的工程技术人员参考；也可作为高等院校无机材料、电气工程、电子电器等相关专业师生教学和科研的参考书。
目录前言第一篇氧化锌压敏陶瓷基础理论和电气性能第1章氧化锌压敏陶瓷基础理论1．1 概论1．1．1 氧化锌压敏电阻的演变历史与发展1．1．2 氧化锌压敏陶瓷的制备方法1．1．3 应用领域的拓展1．2 氧化锌压敏陶瓷的物理化学和显微结构1．2．1 氧化锌压敏陶瓷产生压敏性的物理基础1．2．2 氧化锌压敏陶瓷产生压敏性的化学基础1．2．3 氧化锌压敏陶瓷产生压敏性的显微结构1．3 氧化锌压敏陶瓷显微结构中的物相1．3．1 主晶相——氧化锌晶粒1．3．2 晶界层1．3．3 晶界层含有的物相1．4 晶界势垒与导电机理1．4．1 导电机理需要解释的基本现象1．4．2 不同电压区域具有代表性的导电理论模型1．4．3 耗尽层1．4．4 块体模型1．4．5 压敏电阻的等价电路1．5 晶界势垒的形成1．5．1 晶界势垒的形成与烧成冷却过程的关系1．5．2 晶界势垒与添加剂的关系1．6 氧化锌压敏陶瓷的晶界势垒高度和宽度1．6．1 漏电流与温度的关系1．6．2 漏电流与归一化电压的关系及其对耗尽区宽度的估计参考文献第2章氧化锌压敏陶瓷的电气性能与测试方法2．1 电压一电流特性2．1．1 全电压一电流特性2．1．2 小电流区的交流和直流电压一电流特性2．1．3 温度特性2．2 介电特性及损耗机理的研究2．2．1 氧化锌压敏陶瓷材料的介电谱2．2．2 阻性电流与电容和压敏电压乘积的关系2．2．3 介电特性与显微结构的关系理论探讨2．2．4 阻性电流与荷电率的关系2．3 响应特性2．3．1 响应现象2．3．2 等值电路与响应特性的微观机理2．4 耐受能量冲击特性2．4．1 能量吸收能力2．4．2 压敏电阻的可靠性2．4．3 失效模式2．5 寿命及其预测2．6 氧化锌压敏陶瓷蜕变机理的实际研究2．6．1 氧化锌压敏陶瓷经受电流冲击后伏安特性蜕变规律的实际测试研究2．6．2 利用热刺激电流对氧化锌压敏陶瓷蜕变机理的研究2．6．3 氧化锌压敏陶瓷体内冲击时受热过程的研究2．6．4 晶界温升梯度对界面态的影响2．6．5 氧化锌压敏陶瓷遭受冲击时的蜕变机理参考文献第3章氧化锌压敏陶瓷的烧结原理及压敏功能结构的形成3．1 液相烧结与固相烧结3．1．1 氧化锌压敏陶瓷的烧结特点3．1．2 液相的形成3．1．3 液相传质3．1．4 晶界相的分布3．2 致密化过程3．2．1 坯体的致密化规律3．2．2 影响致密化的因素3．2．3 致密化理论分析3．3 ZnO-Bi2O3二元系统陶瓷的形成机理3．3．1 ZnO-Bi2O3二元系统相图3．3．2 ZnO-Bi2O3二元系统的烧成收缩和重量损失3．3．3 ZnO-Bi2O3二元系统的晶粒尺寸和气孔3．4 其他二元和三元系统的形成机理3．4．1 二元系统3．4．2 三元和多元系统3．5 典型多元氧化锌压敏陶瓷形成机理的基础研究3．5．1 晶相组成与相间反应3．5．2 晶相共生关系的分析3．5．3 添加剂的作用3．5．4 实际应用性研究3．6 晶粒中的次晶界．3．6．1 氧化锌晶粒中的次晶界现象3．6．2 影响次晶界的因素3．6．3 次晶界的形成机制3．6．4 次晶界和主晶界对电气性能的影响3．7 对氧化锌压敏陶瓷晶界相研究的最新进展参考文献第4章氧化锌压敏陶瓷的热处理效应和高温热释电现象4．1 氧化锌压敏陶瓷的热处理效应4．1．1 热处理工艺对氧化锌压敏陶瓷性能的影响4．1．2 热处理气氛对氧化锌压敏陶瓷性能的影响4．1．3 氧在氧化锌压敏陶瓷体中扩散重要性的实验证明4．1．4 热处理对氧化锌陶瓷压敏性能长期稳定性及对交流漏电流两种分量的影响4．1．5 氧化锌压敏电阻热处理机理的理论分析4．2 高温热释电现象4．2．1 Bi2O3系和Pr2O3系氧化锌压敏陶瓷材料的高温热释电现象4．2．2 升温对氧化锌压敏陶瓷材料的高温热释电电流的影响4．2．3 热历史对Bi2O3系和Pr2O3系氧化锌压敏陶瓷材料的高温热释电I-T曲线的影响4．2．4 氧化锌压敏陶瓷材料的高温热释电现象的分析讨论参考文献第二篇氧化锌压敏陶瓷电阻片制造工艺第5章氧化压敏陶瓷制造用原材料及其质量控制5．1 氧化锌5．1．1 氧化锌的一般性质5．1．2 氧化锌的半导体性质5．1．3 氧化锌的制造方法5．1．4 氧化锌在氧化锌压敏陶瓷的作用、选择与质量控制5．2 添加物原料5．2．1 常用添加物原料的一般理化性能5．2．2 添加物原料的热性能5．2．3 添加物原料的X衍射分析5．2．4 添加物原料的pH、粒度分布与颗粒形貌5．2．5 添加物原料的作用5．2．6 添加物原料的技术要求与质量控制5．3 有机原材料5．3．1 聚乙烯醇5．3．2 分散剂5．3．3 消泡剂5．3．4 润滑剂5．3．5 增塑剂5．3．6 乙基纤维素5．3．7 三氯乙烯5．4 其他材料参考文献第6章氧化锌避雷器陶瓷电阻片的制造工艺6．1 氧化锌陶瓷压敏电阻配方与工艺设计原则6．1．1 根据用途设计配方6．1．2 根据添加物的作用选择不同添加物成分及添加量6．1．3 配方与制造工艺的配合6．1．4 典型的避雷器用氧化锌压敏电阻片的生产工艺流程与工艺装备6．2 添加剂原料的细化处理与氧化锌混合粉料的制备6．2．1 添加剂配料与细化处理6．2．2 添加剂细磨粒度对压敏电阻器主要电气性能的影响6．2．3 制备氧化锌与添加剂混合浆料的胶体物理化学基础（文章摘自： ）。
氧化锌压敏陶瓷的制备应用性能
氧化锌压敏陶瓷1.功能陶瓷所谓功能陶瓷，就是指在微电子、光电子信息和自动化技术以及生物医学、能源和环保工程等基础产业领域中所用到的陶瓷材料。
功能陶瓷所具有的独特声、光、热、电磁等物理特性和生物、化学以及适当的的力学特性，在相应的工程和技术中起到了关键的作用。
这种陶瓷材料从其形态上可以分为块体、粉体、纤维和薄膜四种类型。
2.压敏陶瓷压敏陶瓷既是功能陶瓷的一种，它是指一定温度下，某一特定电压范围内，具有非线性伏安特性且其电阻随电压的增加而急剧减小的一种半导体陶瓷材料。
目前压敏陶瓷主要有4大类—— SiC、TiO2、SrtiO3和ZnO。
其中应用广、性能好的当属氧化锌压敏陶瓷。
由于ZnO压敏陶瓷呈现较好的压敏特性，压敏电阻α值（非线性指数）高( α>60，比SiC压敏电阻器10倍以上)，有可调整C值和较高的通流容量，因此得到广泛的应用。
在电力系统、电子线路、家用电器等各种装置中都有广泛的应用，尤其在高性能浪涌吸收、过压保护、超导性能和无间隙避雷器方面的应用最为突出。
3.氧化锌压敏陶瓷ZnO压敏陶瓷生产方法是在ZnO 中添加Bi2 O3、Co2 O3、MnO2、Cr2 O3、Al2 03、Sb2 03、Ti02、Si02、B2O3 和PbO 等的氧化物。
在配方中常含有Bi 元素，其主晶相为具有n型半导体特性的ZnO；此外，瓷相中除有少量添加物与ZnO形成的固溶体外，大部分添加物在ZnO晶粒之间形成连续晶相。
主晶相ZnO 是n型半导体，体积电阻率为10 ·m以上的高电阻层。
因此，外加电压几乎都集中在晶界层上，其晶界的性质和瓷体的显微结构对ZnO电阻的压敏特性起着决定性作用。
一般ZnO的粒径d为几微米到几十个微米，晶界层厚度为0．02～0．2 ；也有人认为晶界相主要集中于三到四个ZnO晶粒交角处，晶界相不连续，在ZnO 晶粒接触面间形成有一层厚度20U左右的富铋层，其性质对非线性特性起重要作用。
氧化锌压敏电阻的电性能参数及添加剂的作用
氧化锌压敏电阻的电性能参数及添加剂的作用压敏电阻是由在电子级ZnO 粉末基料中掺入少量的电子级Bi 2O 3、Co 2O 3、MnO 2、Sb 2O 3、TiO 2、Cr 2O 3、Ni 2O 3等多种添加剂，经混合、成型、烧结等工艺过程制成的精细电子陶瓷；它具有电阻值对外加电压敏感变化的特性，主要用于感知、限制电路中可能出现的各种瞬态过电压、吸收浪涌能量。
1 氧化锌压敏电阻电性能参数1.1 压敏电压U 1mA压敏电阻的电流为1mA 时所对应的电压作为I 随U 迅速上升的电压大小的标准，该电压用U 1mA 表示，称为压敏电压。
压敏电压是ZnO 压敏电阻器伏安曲线中预击穿区和击穿区转折点的一个参数，一般情况下是1mA （Φ5产品为0.1mA ）直流电流通过时，产品的两端的电压值，其偏差为±0.1%。
1.2 最大连续工作电压MCOV最大连续工作电压MCOV 指的是压敏电阻在应用时能长期承受的最大直流电压U DC 或最大交流电压有效值 U RMS 。
最大直流电压的值为80%~92%U 1mA ，或产品在85℃下，正常工作1000h ，施加的最大直流电压；最大交流电压的值为60%~65% U 1mA ，或产品在85℃下，正常工作1000h ，施加的最大交流电压。
1.3 漏电流 I L漏电流(mA)也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电压下，流过压敏电阻器电流。
IEC 对漏电流 I L 较为普遍的定义是：环境温度25℃时，在压敏电阻上施加其所属规格的最大连续直流工作电压 U DC 时，流过压敏电阻的直流电流。
一般而言，在材料配方和烧结工艺固定的情况下，漏电流适中的压敏电阻具有较好的安全性和较长的寿命。
1.4 非线性指数α非线性指数α指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。
它是一个元件的电阻值是否随电压或电流变化和变化是否敏感的标志。
ZnO 压敏电阻器是一种非线性导电电阻。
氧化锌压敏陶瓷个人总结
探究掺杂二氧化钛对氧化锌压敏陶瓷得影响个人项目总结学院材料与化学工程学院专业无机非金属材料与工程班级 13级无机非2班指导教师徐海燕提交日期2016、1、2在大三刚开学得时候，李燕老师对我们说我们大三得学生要做一个CDIO项目，刚听到这个消息得时候，我得心里就在想“完了，自己得实践能力不好，以前从来没有做过这种项目，怎么办呢”，当时不知道怎么办，就按照老师得说法去找指导老师，我与室友一起找得老师就是徐海燕老师，刚开始去见老师得时候，什么都没有准备，被老师教育了一顿，后来我们在去见老师得时候，都就是先准备好每个人要说得东西，然后这样就不会害怕了，就这样在老师得指导下，我们一点一点把实验给做完，得到了我们想要得东西，在这次试验中，我学到了“学中做，做中学”实验原则与团队合作得实验精神，刚开始做实验得时候，我们一窍不懂，对要做什么，怎么去做一点都不了解，从最开始得实验任务布置下来，到去图书馆网上查找文献资料，再到实验方案得设计，以及后来得实验具体操作过程，我从中间得过程学到了很多知识，从对实验得一无所知，到后来知识得一点一点总结，我感觉到从书本上学到得知识得到了充分得运用。
我们一大组有十个人，后来因为实验得需要，我们学要不同条件下得实验结果，所以我们这一大组分成了三个小组，我们这组有四个人，在我们这四个人之中，每个人都有自己得任务，在每一次老师布置任务下来之后，我们都会分工好每个人需要做得东西，这样每个人都有事情可做，避免了有人偷懒得情况。
经过了差不多一个学期得实验，CDIO就快要结束了，结题汇报很快就要进行了，在整个CDIO项目期间，我感觉最重要得不就是实验结果，而就是实验过程让我们学到了些什么，需要掌握得知识，实验态度，要培养我们得就是，对实验要很认真，不能抱着打酱油得态度，让自己得同伴来做整个实验，而自己却在其她地方做一些其她事情，整个项目得参与过程让我体验到了实验得艰辛，也让我懂得了项目学分获得得不易，真心希望以后可以有更多这样得实验项目可以让我们来做，对我们以后得操作能力，以及以后步入社会后，参与到其她重大型得实验项目都有很大得帮助。
压敏电阻器(VSR)结构原理、应用知识
压敏电阻器(VSR)结构原理、应用知识压敏电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，一般用于电路浪涌和瞬变防护电路。
可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合。
压敏电阻器可以对集成电路等重要元件以及其它电路和设备进行保护，防止因静电放电、浪涌及其它瞬态电流（如雷击等）而造成对它们的损坏。
使用时只需将压敏电阻器并接于被保护的电路上，当电压瞬间高于某一数值时，压敏电阻器阻值迅速下降，导通大电流，阻止瞬间过压而起到保护元器件或电路的作用；当电压低于压敏电阻器工作电压值时，压敏电阻器阻值极高，近乎开路，因而不会影响器件或电器设备的正常工作。
压敏电阻器(VSR)是电压灵敏电阻器的简称，它是一种新型过压保护元件。
压敏电阻器是以氧化锌为主要材料而制成的金属-氧化物-半导体陶瓷元件，构成压敏电阻的核心材料为氧化锌，氧化锌又包括氧化锌晶粒和晶粒周围的晶界层，氧化锌晶粒的电阻率很低，而晶界层电阻率很高，相接触的两个晶粒之间形成一个相当于齐纳二极管的势垒，成为一个压敏电阻单元，许多单元通过串联，并联组成压敏电阻器基体。
压敏电阻器在工作时，每个压敏电阻单元都承担浪涌能量，而这些压敏电阻单元是大体上均匀分布在整个电阻体内的，也就是整个电阻体都承担能量，而不像齐纳二极稳压管那样只是结区承担电功率，这就是陶瓷压敏电阻器具有比齐纳二极稳压管大得很多的通流和能量定额的原因。
其电阻值随端电压而变化。
压敏电阻器的主要特点是工作电压范围宽(6—3000伏，分若干档)，对过压脉冲响应快(几至几十纳秒)，耐冲击电流的能力强(可达100安培-20千安培)，漏电流小(低于几至几十微安)，电阻温度系数小，性优价廉，体积小，是一种理想的保护元件。
由它可构成过压保护电路，消噪电路，消火花电路，吸收回路。
压敏电阻的电路符号，外形和内部结构见图1。
压敏电阻的结构就象两个特性一致的背靠背联接的稳压管，其性质基本相同。
压敏电阻的主要特性是，当两端所加电压在标称额定值以内时，它的电阻值几乎为无穷大，处于高阻状态，其漏电流<50微安，当它两端的电压稍微超过额定电压时，其电阻值急剧下降，立即处于导通状态，工作电流增加几个数量级，反应时间仅在毫微秒级。
压敏元件的原理及应用
压敏元件的原理及应用1. 什么是压敏元件？压敏元件（Varistor）是一种电子元件，常用于电路中来保护其他电子器件免受过电压的损害。
压敏元件可以通过改变其阻抗来吸收过电压，并将其转化为热量来保护其他器件。
压敏元件的外形通常是圆柱形或片状，其内部主要由氧化物陶瓷粉末和导电颗粒组成。
当电压低于其工作电压时，压敏元件的电阻很高，可以阻断电流，起到保护作用。
但当电压超过其工作电压时，压敏元件的电阻会迅速减小，以吸收过电压，并将其转化为热量。
2. 压敏元件的工作原理压敏元件基于氧化锌（ZnO）陶瓷的非线性电阻特性而工作。
当电压低于其工作电压时，氧化锌晶粒之间的界面存在阻抗，阻断了电流的流动。
这是因为氧化锌晶粒的导电性相对较差。
但当电压超过其工作电压时，电场会在氧化锌晶粒之间形成碘化锌（ZnI2）的线性电阻层，从而降低了整体电阻。
这使得电流可以通过压敏元件流过，吸收过电压。
压敏元件的工作原理可以简化为两个阶段：高电阻和低电阻。
这种切换是快速的，使压敏元件能够快速响应过电压，并消除其影响。
3. 压敏元件的应用压敏元件在电子领域有广泛的应用。
以下是几个常见的应用场景：3.1 过电压保护压敏元件最常见的应用是作为过电压保护器件。
在电路中，压敏元件通常连接在需要保护的器件之前，一旦电路中出现过电压，压敏元件会迅速降低电阻，吸收过电压，保护其他器件不受损坏。
3.2 瞬态电压抑制器（TVS）压敏元件还广泛用于电源和通信领域的瞬态电压抑制器（Transients Voltage Suppressor，TVS）。
在这些应用中，压敏元件起到了吸收电源线或通信线中的瞬态过电压的作用，保护电路中其他器件的安全。
3.3 器件防护压敏元件还可以用于保护其他器件的使用寿命。
例如，在电路中的电感器或变压器前面放置一个压敏元件，当电路中发生过电压时，压敏元件可迅速吸收过电压，从而减少对电感器或变压器等器件的损害。
3.4 防雷击由于压敏元件具有快速响应和高能耗能力，它们也常用于防雷击设备中。
ZnO压敏陶瓷的研究进展
ZnO压敏陶瓷的研究进展摘要：ZnO压敏陶瓷是众多压敏陶瓷中性能最优异的一种，它是以ZnO为主原料，通过掺杂Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3和Nb2O5等氧化物改性烧结而成。
本文通过介绍ZnO粉体的合成方法、掺杂改性等方面入手，对ZnO压敏陶瓷的发展趋势进行探讨，并针对某些共性问题提出自己的一些看法。
关键词：ZnO压敏陶瓷；掺杂；制备；发展趋势The development trends of ZnO varistor ceramic Abstract: The ZnO varistor ceramic is one of the varistor ceramics which with best properties. The main raw material is ZnO, then mixed with some oxides ,such as Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、Cr2O3、Nb2O5 and so on ,to change it’s properties and sinter it .This text briefly described the methods of producing ZnO powder and mixing something to change the properties of it .Present situation in development of varistor ceramic as well as its developing tendency was also analyzed .Some suggestions and opinions were proposed for problems on common characteristics. Key words: ZnO varistor ceramic; mixed; produce; developing tendency1.前言ZnO压敏陶瓷是一种多功能新型陶瓷材料，它是以ZnO主为体，添加若干其他改性金属氧化物的烧结体材料。
氧化锌压敏电阻的电性能参数及添加剂的作用
氧化锌压敏电阻的电性能参数及添加剂的作用压敏电阻是由在电子级ZnO 粉末基料中掺入少量的电子级Bi 2O 3、Co 2O 3、MnO 2、Sb 2O 3、TiO 2、Cr 2O 3、Ni 2O 3等多种添加剂，经混合、成型、烧结等工艺过程制成的精细电子陶瓷；它具有电阻值对外加电压敏感变化的特性，主要用于感知、限制电路中可能出现的各种瞬态过电压、吸收浪涌能量。
1 氧化锌压敏电阻电性能参数1.1 压敏电压U 1mA压敏电阻的电流为1mA 时所对应的电压作为I 随U 迅速上升的电压大小的标准，该电压用U 1mA 表示，称为压敏电压。
压敏电压是ZnO 压敏电阻器伏安曲线中预击穿区和击穿区转折点的一个参数，一般情况下是1mA （Φ5产品为0.1mA ）直流电流通过时，产品的两端的电压值，其偏差为±0.1%。
1.2 最大连续工作电压MCOV最大连续工作电压MCOV 指的是压敏电阻在应用时能长期承受的最大直流电压U DC 或最大交流电压有效值 U RMS 。
最大直流电压的值为80%~92%U 1mA ，或产品在85℃下，正常工作1000h ，施加的最大直流电压；最大交流电压的值为60%~65% U 1mA ，或产品在85℃下，正常工作1000h ，施加的最大交流电压。
1.3 漏电流 I L漏电流(mA)也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电压下，流过压敏电阻器电流。
IEC 对漏电流 I L 较为普遍的定义是：环境温度25℃时，在压敏电阻上施加其所属规格的最大连续直流工作电压 U DC 时，流过压敏电阻的直流电流。
一般而言，在材料配方和烧结工艺固定的情况下，漏电流适中的压敏电阻具有较好的安全性和较长的寿命。
1.4 非线性指数α非线性指数α指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。
它是一个元件的电阻值是否随电压或电流变化和变化是否敏感的标志。
ZnO 压敏电阻器是一种非线性导电电阻。
(完整版)ZnO陶瓷及其应用
ZnO陶瓷及其应用压敏陶瓷介绍压敏陶瓷或称压敏变阻器，指对电压变化敏感的非线性电阻陶瓷（即电阻值与外加电压成显著的非线性关系），其伏安特性曲线如图。
当电压低于某一临界值时，压敏陶瓷的阻值非常高，几乎为一绝缘体，当电压超过这一临界值时，电阻值急剧减小，接近于导体。
从1931年日本将SiC用来吸收雷击突波以来，已经出现了多种压敏陶瓷电阻器的应用，如有线电话交换机用它消除电火花、硅整流器、彩色电视机用它吸收异常电压、微型电动机用它来吸收噪声及对电机进行过压保护和继电保护等制造压敏半导体陶瓷材料有SiC、ZnO、BaTiO3、Fe2O3、SnO2、SrTiO3等。
其中BaTiO3、Fe2O3利用的是电极与烧结体界面的非欧姆型，而SiC、ZnO、SrTiO3利用的是晶界非欧姆特性。
目前应用最广、性能最好的是ZnO压敏半导体陶瓷。
可见ZnO远优于其他材料ZnO简介历史起源结构性能制备应用：（压敏陶瓷、掺杂半导体）前景历史起源人类很早便学会了使用氧化锌作涂料或外用医药，但是人类发现氧化锌的历史难以追溯。
氧化锌在古代和近代的另一主要用途是涂料，称为锌白。
在20世纪后半叶，氧化锌多用在了橡胶工业。
在20世纪70年代，氧化锌的第二大用途是是复印纸添加剂。
现在，晶粒微小的氧化锌开始在纳米材料领域扩展应用范围结构ZnO的晶体结构纤锌矿晶体结构，其中氧离子以六方密堆积排列，锌离子占据了一半四面体间隙。
也有立方闪锌矿结构，以及比较罕见的氯化钠式八面体结构，纤锌矿结构在三者中稳定性最高，最常见ZnO的能带结构ZnO的能带由O2-满的2p能级和Zn2+空的4s能级所组成的。
当离子相互靠近而形成晶体时，这些能级就形成能带。
满的2p和空的4s之间的禁带宽度约为3.2~3.4 eV。
从禁带宽度看，室温下ZnO应是一绝缘体。
（禁带宽度是指一个带隙宽度(单位是电子伏特（eV))，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
ZnO压敏陶瓷的研究进展及发展前景
ZnO压敏陶瓷的研究进展及发展前景作者：王先龙来源：《佛山陶瓷》2016年第07期摘要：本文叙述了ZnO压敏陶瓷材料的最新研究进展，阐述了它的非线性伏安特性，并对该特性作用机理进行了微观解析，概述了ZnO压敏陶瓷材料的发展趋势，并对发展中遇到的问题提出了建议和解决措施。
关键词：ZnO；压敏陶瓷；压敏材料；非线性伏安特性1 引言压敏材料是指在某一特定电压范围内材料的电阻值随加于其上电压不同而发生显著变化的具有非线性欧姆特性的电阻材料，其中以ZnO压敏陶瓷材料的特性最佳。
ZnO是一种新型的功能陶瓷，具有优良的非线性伏安特性、极好的吸收浪涌电压、响应速度快、漏电流小等优点[1]，被广泛应用于电力系统、军工设备、通讯设备和家庭生活等许多方面。
它作为保护元件在过压保护上发挥着越来越重要的作用，因此加强对ZnO压敏陶瓷的深入开发研究具有重要的现实意义。
2 ZnO压敏陶瓷研究现状自1968年日本松下公司报道以来，ZnO压敏陶瓷因其优异的压敏特性引起了广泛关注，如今已然成为高新技术领域半导体陶瓷发展的重要一极。
经过众多科研工作者近50年坚持不懈的探索，在配方、制作工艺、形成机理及伏安特性的微观解析等方面都进行了系统的研究，从而全面提升了ZnO压敏陶瓷的综合性能。
同时还总结出了大量适用于工业生产的制作工艺，扩展了使用范围。
在世界范围内，日本生产的功能陶瓷产品占有绝对优势，欧美国家也占有相当的市场份额。
与这些发达国家相比，我国对功能陶瓷的研究、生产及应用开始得较晚，在配方、生产工艺、过程控制及产品性能等方面存在较大差距（例如：高纯超细粉料制备技术；先进装备及现代化检测手段；组分设计、晶界相与显微结构控制；新材料、新工艺与新应用的探索[2]），尤其是在产业化方面更甚。
近二十年，在现代科技的推动下功能陶瓷技术迅速发展，我国功能陶瓷的生产企业已具有一定的规模（如珠海粤科京华功能陶瓷有限公司，淄博安德浩工业陶瓷公司等企业），但还存在基础研究投入不足，关键性的研究基础仍较薄弱，创新能力不足，缺乏生产高端产品的关键技术等问题。
氧化锌
氧化锌压敏电阻粉体制备压敏半导体陶瓷是指电阻值与外加电压成显著的非线性关系的半导体陶瓷。
使用时加上电极后包封即成为压敏电阻器。
其工作原理是基于压敏陶瓷所具有的伏安(I—V)非线性特性．即当电压低于某一临界值时，压敏电阻的阻值非常高，相当于绝缘体，当电压超过这一临界值时，电阻急剧减小．接近于导体。
因为这种效应的存在，压敏电阻器被广泛应用于过压保护和稳压方面。
目前，制造压敏电阻器的半导体材料主要有两大类：SiC和ZnO。
这两类压敏电阻器的I—V非线性特性都来源于陶瓷体中的晶界势垒。
在ZnO压敏电阻出现以前，SiC一直是制备压敏电阻器的重要材料。
相对于SiC压敏电阻器而言，ZnO压敏电阻器具有非线性系数大、响应时间短、残压低、电压温度系数小、漏电流小等独特的优良性能，因而，在电子线路、家用电器和电力系统的稳压和过压保护领域，ZnO压敏电阻器的开发与应用起着举足轻重的作用。
ZnO压敏电阻的性能取决于它的微观结构和产品的尺寸，其微观结构往往是由加入掺杂剂的种类、加入量，粉体制备工艺所引起的粉体大小、尺寸分布、形状、均匀性等的不同，以及烧结工艺、煅烧温度、煅烧时间、升温及降温速度等因素决定的。
通过对这些因素的优化，可提高ZnO压敏电阻的性能。
氧化锌压敏电阻器根据其应用环境，可分为低压、高压两大类。
其中低压压敏电阻器主要应用于微电子设备、电话交换机中的集成电路模块以及晶体管的浪涌等领域；高压压敏电阻器主要应用于高压、超高压输电系统、大型设备的操作保护、大气过压保护等领域。
高压ZnO压敏电阻的优点是电压梯度高、大电流特性好，但能量容量小，容易损坏。
解决这一问题的有效方法是开发高压高能型压敏电阻．即提高压敏电阻的电压梯度、非线性系数和减小漏电流。
氧化锌压敏电阻的主要制备方法有：固相法、液相法包覆法、燃烧法、湿化学法等，其中湿化学法包括化学共沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法、热分解法等。
本次试验采用化学共沉淀法制备氧化锌粉体。
氧化锌陶瓷作为敏感陶瓷的研究
由此可见,随着ZnO压敏陶瓷性能的进一 步提高和应用技术的拓展,它的应用将更 加广阔。因此, 研究者要从技术创新、 工艺创新等方面制备和开发ZnO压敏陶瓷, 不断提高其性能指标。
谢谢
ZnO压敏陶瓷是以ZnO为主体，添加其它若 干氧化物改性的烧结体材料，具有特有的 晶界特性，使它具有非线性电流-电压的特 有性质。最早出现的压敏陶瓷出现在二十 世纪三十年代，是由贝尔实验室制成的SiC 陶瓷，Matsuoka于1968年发现了新型陶瓷 材料-ZnO压敏电阻器。
ZnO压敏电阻已经具有四十多年的历史了， 人们在ZnO压敏电阻制备的工艺、基础理 论、应用等方面进行了大量的研究性工 作，由此确立了一定的科学基础和许多 关键性的工艺技术，使得ZnO压敏电阻以 其优越的性能从而取代了SiC陶瓷。
对不同烧结温度样品进行x射线衍射分析。 结果表明相成分基本一致。这说明烧结 温度的变化引起电阻率的变化不是由相 成分的差异导致的。从缺陷状态来，不 论是本征缺陷还是杂质块陷都与温度和 氧分压密切相关。
随着烧结温度提高， 瓷体致密性提高，颜 色逐步由白变成深灰 色。因此内部氧分压 会急剧下降。这样极 有利于增加氧化锌晶 粒的导电电子。这样 随着温度的提高，氧 化锌陶瓷的电阻率会 急剧下降。
随过渡元素添加量的增加，压敏电压和非线性 系数也随之增大，漏电流随之减小。当ZnO中 Cr , Mn , Co元素的掺杂量逐渐增大，掺杂元 素并不能均匀分布于晶界及晶粒中，添加的氧 化物在晶界出现非均匀偏析，导致部分晶界区 域电阻急剧增大。
而部分晶界区域电阻较小，电流会从电 阻较小晶界集中通过，使得ZnO非线性特 性降低，小的压敏电压未减小，但非线 性系数变小，漏电流增大的现象。另外， 离子半径越大的，在晶界偏析量越大， 掺杂量对压敏性能的影响越明显。
氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析
氧化锌压敏陶瓷伏安特性的微观解析陈新岗1,李 凡2,桑建平3(1.重庆工学院电子信息与自动化学院,重庆400050;2.西安交通大学电气工程学院,西安710049;3.国家绝缘子避雷器质量监督检验中心,西安710077)摘 要:为从微观层面上解析ZnO 压敏陶瓷M O V 的宏观伏安特性,根据电镜和深能级瞬态谱(DL T S)的观测结果,结合试验实测几种规格M OV 小电流和大电流下的试验数据,建立ZnO 在小电流区和大电流区的微观集中参数等效电路模型,然后依据晶界势垒、电子陷阱等理论,微观解析了各区的导电特性。
结果表明:随着外施电压的增加,电子的穿透能力不断增强,使ZnO 在小电流区晶界层的非线性微观等效电阻不断增大,它与纯ZnO 晶粒层的线性电阻共同作用使ZnO 小电流区伏安特性呈现出3个不同的特性宏观区域即预击穿区、击穿区和回升区;随着外施瞬态冲击大电流幅值的加大,ZnO 在大电流区微观等效电感值增加,使ZnO 大电流区伏安特性宏观呈现缓慢上升区、快速上升区和迅速上翘区;晶界层厚度的不均匀性和晶界层中电子陷阱密度的差异性宏观表现为等效电阻的非线性变化,晶界层和纯ZnO 晶粒层在小电流区和大电流区具有不同的微观作用机理使得ZnO 压敏陶瓷在不同电流区呈现出不同的独特宏观伏安特性。
关键词:ZnO 压敏陶瓷;电镜;深能级瞬态电容谱;晶界势垒;电子陷阱;伏安特性;微观解析中图分类号:T M 862文献标志码:A 文章编号:1003 6520(2007)04 0033 05基金资助项目:重庆市科委基金项目资助(CST C2005BB6076)。
Project Sup ported b y Ch on gqing S cien ce &Technology Com m ission Research Pr oject (No.CSTC 2005BB6076).Microcosmic Analysis of U I Characteristic of ZnO Pressure sensitive CeramicsCH EN Xin g ang 1,LI Fan 2,SANG Jian ping 3(1.School of Electronic Inform ation and Autom ation,Chongqing Instituteof T echnolo gy,Chongqing 400050,China;2.School of Electrical Engineering ,Xi an Jiaotong U niv ersity,Xi an 710049,China;3.China National Center for Quality Supervision and T est of Insulatorsand Sur ge Arr esters,Xi an 710077,China)Abstract:T he U I character istic of ZnO pr essure sensitive ceramics is analyzed,Z nO pressur e sensitiv e cer amics co nsists o f gr ain cr ystal with differ ent size,w hich is polygo na l cry stal.T he U I character istic of ZnO pressure sen sit ive ceramics consists of t hr ee ar ea:the befo rehand breakdo wn ar ea,the breakdo wn ar ea and the r ise ar ea.T he befo rehand breakdow n area is linear near ly.T he br eakdow n ar ea is nonlinea r,ZnO pressure sensit ive ceramics is used in this a rea.T he nonlinear ity o f ZnO pressur e sensitiv e ceramics is w or se in the rise area.T he established o rig inal micro cosmic model in low curr ent and hig h curr ent ar ea is o bser ved w ith electro n micr oscopy and analy zed.U I char acter istic in the low cur rent area is presented throug h ex per iment of actual sev eral kind o f specification M OV in the D.C.v olt age according to micr oscopic mo del and gr ain boundar y bar rier and electr onic trap theo ries.In low cur r ent ar ea,the no nlinear r esist ance can not part icipat e in the procedur e of the electric conduction w hen the vo ltag e is very lo w,and t he U I character istic of ZnO pr essure sensitiv e ceramics is linear nearly.With increase o f t he vo ltag e ,the no nlinear resistance par ticipates in the pro cedure o f the electric conductio n little by little,and the ZnO pressur e sensitiv e cer amics presents no nlinear.In the high cur rent ar ea,the inductance and the var iety of the curr ent are deci siv e facto rs.T he electric conductio n char acteristic of var io us secto rs has analyzed by electro n micro sco py,equiv alent resistance o f gr ain bo unda ry layer is increased slow ly due to asymmetr y thickness o f g rain boundar y layer and elec tr on tr ap densit y in gr ain boundar y layer,different electric mechanism of g rain bo undary layer and pure gr ain o f Z nO br ings up unique U I char acter istic o f ZnO Pr essure sensitiv e Cer amics.Key words:ZnO pressur e sensitiv e ceramics;elect ron m icroscopy ;deep lev el transient spect roscopy;g rain boundary bar rier ;elect ronic tr ap;U I char acter istic;micro co smic analysis0 引 言氧化锌(ZnO)压敏陶瓷(M OV)技术起步于1968年。
氧化锌压敏陶瓷研究现状
氧化锌压敏陶瓷研究现状
沈 刚 董发勤 袁昌来
&!:":"C K 四川西南科技大学
绵阳
本文论述了氧化锌压敏陶瓷的用途和发展趋势 # 以及压敏陶瓷的原理 % 配方 和制备工艺 # 并着重讲述了纳米氧化锌压敏陶瓷粉末的制备 $ 氧化锌 # 压敏陶瓷 # 压敏原理 # 配方和工艺制备 # 纳米粉体制备
氧化锌压敏陶瓷是一类电阻随加于其上的电压而灵 敏变化的电阻器 # 其工作原理基于所用压敏电阻材料特 殊的非线性伏安特性 $ 具有这种特性的材料包括硅 % 锗等 单 晶 半 导 体 及 ’()%*(+!%,-*(+$%’.*(+$%/0+ 半 导 体 陶 瓷 等 # 其中以 /0+ 半导体陶瓷特性最佳 $ 由氧化锌半导体陶 瓷制成的压敏电阻器 !/12 #/(0341506(07-.4.78(895."# 由于其造价低廉 % 制造方便 % 非线性系数大 % 响应时间快 % 残压 低 % 电 压 温 度 系 数 小 % 泄 漏 电 流 小 等 独 特 性 能 # 能 起 到过 压 保 护 % 抗 雷 击 % 抑 制 瞬 间 脉 冲 的 作 用 # 而 广 泛 应 用 于电力 ! 交 % 直流输配电 "% 交通 % 通讯 % 工业保护 % 电子 % 军 事等领域 $ 随着电力的发展和电网的改造 # 电子信息 % 家电行业 的发展 # 对压敏电阻器的需求量越来越大 # 对性能的要求 将越 来 越 高 # 特 别 是 军 事 装 备 的 现 代 化 % 信 息 化 # 对 压 敏 电阻器的性能提出了更高的要求 $ 目前 # 我国高性能的 /12 还主要依靠进口 # 研究高性能 /0+ 压敏电阻器 !/12" 具有重大的经济和社会效益 $
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
氧化锌电压敏陶瓷理论及应用（简介、目录）
简介
《氧化锌电压敏陶瓷理论及应用》内容主要包括氧化锌压敏陶瓷、避雷器元器件制造材料、配方、正艺及其工艺装备、产品设计和性能测试方法等，对我国氧化锌避雷器和压敏电阻器科研成果、生产技术进行了系统总结，特别在次晶界形成机理、烧成冷却速度和热处理工艺作用机理、压敏陶瓷几何效应等方面具有独特见解和创新。
《氧化锌电压敏陶瓷理论及应用》可供电子陶瓷元器件的研究人员，特别是从事压敏电阻器、避雷器专业设计和生产的工程技术人员参考；也可作为高等院校无机材料、电气工程、电子电器等相关专业师生教学和科研的参考书。
目录
前言
第一篇氧化锌压敏陶瓷基础理论和电气性能
第1章氧化锌压敏陶瓷基础理论
1．1 概论
1．1．1 氧化锌压敏电阻的演变历史与发展
1．1．2 氧化锌压敏陶瓷的制备方法
1．1．3 应用领域的拓展
1．2 氧化锌压敏陶瓷的物理化学和显微结构
1．2．1 氧化锌压敏陶瓷产生压敏性的物理基础
1．2．2 氧化锌压敏陶瓷产生压敏性的化学基础
1．2．3 氧化锌压敏陶瓷产生压敏性的显微结构
1．3 氧化锌压敏陶瓷显微结构中的物相
1．3．1 主晶相——氧化锌晶粒
1．3．2 晶界层
1．3．3 晶界层含有的物相
1．4 晶界势垒与导电机理
1．4．1 导电机理需要解释的基本现象
1．4．2 不同电压区域具有代表性的导电理论模型
1．4．3 耗尽层
1．4．4 块体模型
1．4．5 压敏电阻的等价电路
1．5 晶界势垒的形成
1．5．1 晶界势垒的形成与烧成冷却过程的关系
1．5．2 晶界势垒与添加剂的关系
1．6 氧化锌压敏陶瓷的晶界势垒高度和宽度
1．6．1 漏电流与温度的关系
1．6．2 漏电流与归一化电压的关系及其对耗尽区宽度的估计
参考文献
第2章氧化锌压敏陶瓷的电气性能与测试方法
2．1 电压一电流特性
2．1．1 全电压一电流特性
2．1．2 小电流区的交流和直流电压一电流特性
2．1．3 温度特性
2．2 介电特性及损耗机理的研究
2．2．1 氧化锌压敏陶瓷材料的介电谱
2．2．2 阻性电流与电容和压敏电压乘积的关系
2．2．3 介电特性与显微结构的关系理论探讨
2．2．4 阻性电流与荷电率的关系
2．3 响应特性
2．3．1 响应现象
2．3．2 等值电路与响应特性的微观机理
2．4 耐受能量冲击特性
2．4．1 能量吸收能力
2．4．2 压敏电阻的可靠性
2．4．3 失效模式
2．5 寿命及其预测
2．6 氧化锌压敏陶瓷蜕变机理的实际研究
2．6．1 氧化锌压敏陶瓷经受电流冲击后伏安特性蜕变规律的实际测试研究2．6．2 利用热刺激电流对氧化锌压敏陶瓷蜕变机理的研究
2．6．3 氧化锌压敏陶瓷体内冲击时受热过程的研究
2．6．4 晶界温升梯度对界面态的影响
2．6．5 氧化锌压敏陶瓷遭受冲击时的蜕变机理
参考文献
第3章氧化锌压敏陶瓷的烧结原理及压敏功能结构的形成
3．1 液相烧结与固相烧结
3．1．1 氧化锌压敏陶瓷的烧结特点
3．1．2 液相的形成
3．1．3 液相传质
3．1．4 晶界相的分布
3．2 致密化过程
3．2．1 坯体的致密化规律
3．2．2 影响致密化的因素
3．2．3 致密化理论分析
3．3 ZnO-Bi2O3二元系统陶瓷的形成机理
3．3．1 ZnO-Bi2O3二元系统相图
3．3．2 ZnO-Bi2O3二元系统的烧成收缩和重量损失
3．3．3 ZnO-Bi2O3二元系统的晶粒尺寸和气孔
3．4 其他二元和三元系统的形成机理
3．4．1 二元系统
3．4．2 三元和多元系统
3．5 典型多元氧化锌压敏陶瓷形成机理的基础研究
3．5．1 晶相组成与相间反应
3．5．2 晶相共生关系的分析
3．5．3 添加剂的作用
3．5．4 实际应用性研究
3．6 晶粒中的次晶界．
3．6．1 氧化锌晶粒中的次晶界现象
3．6．2 影响次晶界的因素
3．6．3 次晶界的形成机制
3．6．4 次晶界和主晶界对电气性能的影响
3．7 对氧化锌压敏陶瓷晶界相研究的最新进展
参考文献
第4章氧化锌压敏陶瓷的热处理效应和高温热释电现象
4．1 氧化锌压敏陶瓷的热处理效应
4．1．1 热处理工艺对氧化锌压敏陶瓷性能的影响
4．1．2 热处理气氛对氧化锌压敏陶瓷性能的影响
4．1．3 氧在氧化锌压敏陶瓷体中扩散重要性的实验证明
4．1．4 热处理对氧化锌陶瓷压敏性能长期稳定性及对交流漏电流两种分量的影响4．1．5 氧化锌压敏电阻热处理机理的理论分析
4．2 高温热释电现象
4．2．1 Bi2O3系和Pr2O3系氧化锌压敏陶瓷材料的高温热释电现象
4．2．2 升温对氧化锌压敏陶瓷材料的高温热释电电流的影响
4．2．3 热历史对Bi2O3系和Pr2O3系氧化锌压敏陶瓷材料的高温
热释电I-T曲线的影响
4．2．4 氧化锌压敏陶瓷材料的高温热释电现象的分析讨论
参考文献
第二篇氧化锌压敏陶瓷电阻片制造工艺
第5章氧化压敏陶瓷制造用原材料及其质量控制
5．1 氧化锌
5．1．1 氧化锌的一般性质
5．1．2 氧化锌的半导体性质
5．1．3 氧化锌的制造方法
5．1．4 氧化锌在氧化锌压敏陶瓷的作用、选择与质量控制
5．2 添加物原料
5．2．1 常用添加物原料的一般理化性能
5．2．2 添加物原料的热性能
5．2．3 添加物原料的X衍射分析
5．2．4 添加物原料的pH、粒度分布与颗粒形貌
5．2．5 添加物原料的作用
5．2．6 添加物原料的技术要求与质量控制
5．3 有机原材料
5．3．1 聚乙烯醇
5．3．2 分散剂
5．3．3 消泡剂
5．3．4 润滑剂
5．3．5 增塑剂
5．3．6 乙基纤维素
5．3．7 三氯乙烯
5．4 其他材料
参考文献
第6章氧化锌避雷器陶瓷电阻片的制造工艺
6．1 氧化锌陶瓷压敏电阻配方与工艺设计原则
6．1．1 根据用途设计配方
6．1．2 根据添加物的作用选择不同添加物成分及添加量
6．1．3 配方与制造工艺的配合
6．1．4 典型的避雷器用氧化锌压敏电阻片的生产工艺流程与工艺装备
6．2 添加剂原料的细化处理与氧化锌混合粉料的制备
6．2．1 添加剂配料与细化处理
6．2．2 添加剂细磨粒度对压敏电阻器主要电气性能的影响
6．2．3 制备氧化锌与添加剂混合浆料的胶体物理化学基础
（文章摘自： ）。