晶体管_工作原理_输出
晶体管的工作原理和应用
晶体管的工作原理和应用晶体管是一种电子器件，广泛应用于电子技术领域。
它以其小巧、高效等特点而备受关注。
本文将介绍晶体管的工作原理以及其在电子设备中的应用。
一、晶体管工作原理一般而言，晶体管由三个不同类型的半导体材料构成，分别是N型半导体、P型半导体以及P-N结。
晶体管通过控制电流的流动来实现电子信号的放大和开关的控制。
晶体管的工作原理主要基于PN结的正向偏置和反向偏置。
当PN 结处于正常工作区域，也就是PN结正向偏置时，电流可以在PN结中自由流动。
而当PN结反向偏置时，电流流动受到一定限制。
在晶体管中，有三个电极：发射极（Emitter）、基极（Base）以及集电极（Collector）。
当开放输入信号时，电流从发射极流向基极，这一过程导致发射区域局部增加电子浓度。
而由于基区较薄，电流便进一步到达集电区，形成电流放大。
二、晶体管的应用晶体管的应用范围非常广泛，下面将介绍其中几个主要领域。
1. 放大器晶体管在放大器中起到放大电子信号的作用。
通过合适的电路连接，晶体管能够放大输入信号，使其达到更高的输出功率。
在音频放大器、射频放大器等设备中，晶体管被广泛使用。
2. 开关晶体管的另一个重要应用是作为开关。
通过控制基极输入电流的大小，晶体管可以实现电流的开关控制。
在计算机、通信设备等各种电子产品中，晶体管被广泛用于数字信号的开关控制。
3. 时钟电路在电子产品中，如计算机、手机等，晶体管也被用于时钟电路。
时钟电路可以提供一个稳定的时钟信号，用于同步各个电子元件的工作。
4. 逻辑电路晶体管的可控性使其非常适合用于逻辑电路。
逻辑电路是数字电子电路的基础，通过晶体管的开关能力，逻辑电路可以实现各种逻辑运算和控制。
总结：晶体管作为一种重要的电子器件，在现代科技中起到了举足轻重的作用。
通过了解晶体管的工作原理和应用，我们可以更好地理解它在电子设备中的重要性。
随着科技的不断发展，晶体管的应用将会更加广泛，为我们的生活带来更多便利。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理单结晶体管（Single Crystal Transistor，SCT）是一种基于单晶材料制造的晶体管，其工作原理与普通晶体管相似，但由于采用了单晶材料，具有更好的电子迁移率和更低的漏电流，因此在高频和高速应用中具有更好的性能。
单结晶体管的工作原理主要包括三个方面：电子注入、电子传输和电子输出。
1. 电子注入当单结晶体管处于关闭状态时，基极（Base）与发射极（Emitter）之间的电压较低，导致发射极与基极之间的空间区域形成一个带电荷的屏蔽区。
当向基极施加正向电压时，电子从发射极注入到基极，通过热激发或光激发的方式，使得基极区域的电子浓度增加。
2. 电子传输注入到基极的电子会受到基极与集电极（Collector）之间的电压作用力，向集电极方向移动。
在单结晶体管中，由于单晶材料的特性，电子的迁移率较高，因此电子能够快速地通过基极区域，达到集电极。
3. 电子输出当电子通过基极区域到达集电极时，集电极与发射极之间的电压较高，形成一个电子输出电路。
在这个电路中，电子会从集电极流出，进入外部电路，完成电流的输出。
单结晶体管的工作原理可以通过以下步骤来总结：1. 当单结晶体管处于关闭状态时，发射极与基极之间形成一个带电荷的屏蔽区。
2. 当向基极施加正向电压时，电子从发射极注入到基极，增加基极区域的电子浓度。
3. 注入到基极的电子受到电压作用力，向集电极方向移动。
4. 电子快速地通过基极区域，到达集电极。
5. 集电极与发射极之间形成一个电子输出电路。
6. 电子从集电极流出，进入外部电路，完成电流的输出。
单结晶体管的工作原理使得其在高频和高速应用中具有较好的性能，例如在通信领域中的射频放大器、混频器和频率合成器等电路中广泛应用。
此外，由于单结晶体管具有较低的漏电流，还可以用于低功耗的电子器件和集成电路中。
总之，单结晶体管是一种基于单晶材料制造的晶体管，其工作原理主要包括电子注入、电子传输和电子输出。
晶体管工作原理
晶体管工作原理
晶体管工作原理
1、电子效应：晶体管是利用电子的能量来控制信号的输出和输入的。
当信号输入到晶体管的电极之一时，会出现电子效应。
这个电子效应
相当于在另一个电极上将信号出现反向电压，使得另一端电极上产生
电压。
而晶体管电压决定了晶体管是导通还是不导通。
2、增益：晶体管工作时会有一定的增益，这个增益主要决定了输入信
号到输出信号的放大程度。
3、晶体管特性：晶体管具有一些特殊的特性，如低介电常数，高介电
常数，低绝缘电阻，高绝缘电阻等。
4、晶体管元器件：晶体管是由一些元器件组合而成的，如晶体管结，
中央晶体穴，电容，变压器等，它们都起到了很重要的作用。
5、控制功能：晶体管有控制功能，可以将外部输入的信号放大，转换，并有选择地输出电压或电流，从而实现信号的控制。
6、存储功能：晶体管还具有一定的存储功能，可以将输入的信号存储，在特定的条件下释放出来，从而形成控制环节。
7、稳定性：晶体管还具有很高的稳定性，可以有效的抑制外界的干扰，保证信号的准确传达。
8、应用：晶体管的应用非常广泛，可以用于电脑，电视，手机，数字
时钟等电子设备中。
总结：晶体管是一种功能强大的电子元件，利用电子效应，具有增益、特性、控制、存储等功能，并具有良好的稳定性，广泛用于各种电子
设备。
晶体管的工作原理和讲解
晶体管的工作原理和讲解
晶体管是一种半导体器件，用于控制电流流动，实现信号放大、开关和逻辑运算等功能。
它是现代电子设备的基础组成部分之一。
晶体管的工作原理基于三个区域的P-N结构，这三个区域分别被称为发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
晶体管通常有两种类型：NPN型和PNP型。
在NPN型晶体管中，发射区是N型材料，基区是P型材料，集电区是N型材料。
而在PNP型晶体管中，发射区是P型材料，基区是N型材料，集电区是P 型材料。
晶体管的工作原理可以简单地解释为：
1. 漏极电流（Collector Current）：当在基极（Base）和发射极（Emitter）之间施加一个正向电压时，发射区会注入大量的电子进入基区。
这些电子由于基区的薄弱性，会进一步扩散到集电区，形成漏极电流。
2. 基极电流（Base Current）：当在基极和发射极之间施加一个正向电压时，通过基极电流，控制发射极电流的大小。
基极电流的变化会导致发射区电流的变化，进而影响整个晶体管的工作状态。
3. 放大作用：晶体管的基本功能之一是放大电流。
当基极电流增加时，发射区电流也会相应增加，进而影响漏极电流。
这样，晶体管可以将一个较小的输入电流信号放大为一个较大的输出电流信号。
4. 开关作用：当基极电流非常小或为零时，晶体管处于关断状态，漏极电流接近于零。
当基极电流达到一定阈值时，晶体管处于导通状态，漏极电流可流动。
总之，晶体管的工作原理是基于控制发射区电流的大小来实现信号放大和开关功能。
这使得晶体管成为现代电子设备中广泛使用的元件之一。
单结晶体管工作原理
单结晶体管工作原理引言概述：单结晶体管是一种重要的电子器件，其工作原理对于理解现代电子技术的发展具有重要意义。
本文将详细介绍单结晶体管的工作原理，包括电荷输运、电流控制和场效应等方面。
一、电荷输运1.1 空穴和电子的运动单结晶体管中的电荷输运是通过空穴和电子的运动实现的。
空穴是正电荷的载流子，电子是负电荷的载流子。
当外加电压施加在单结晶体管的源极和漏极之间时，空穴和电子将在导体中形成电流。
1.2 空穴和电子的扩散在单结晶体管的PN结处，空穴和电子会发生扩散现象。
当PN结正偏时，空穴和电子会向PN结的中心区域扩散，形成电流。
这种扩散现象是单结晶体管中电荷输运的重要过程。
1.3 PN结的反向偏置当PN结反向偏置时，空穴和电子将被PN结的电场推向远离PN结的方向，从而阻挠电流的形成。
这种反向偏置是单结晶体管工作中的关键步骤，可以控制电流的流动。
二、电流控制2.1 基极电流的控制在单结晶体管中，基极电流是控制电流的关键。
当基极电流增大时，单结晶体管的电流也会增大；当基极电流减小时，单结晶体管的电流也会减小。
通过控制基极电流的大小，可以实现对单结晶体管的电流控制。
2.2 集电极电流的放大单结晶体管具有电流放大的特性。
当基极电流较小时，单结晶体管可以将其放大到较大的集电极电流。
这种电流放大效应使得单结晶体管在电子技术中得到广泛应用，例如放大器和开关等方面。
2.3 饱和区和截止区单结晶体管的电流控制是通过将其工作在饱和区或者截止区实现的。
当单结晶体管处于饱和区时，其电流将达到最大值；当单结晶体管处于截止区时，其电流将为零。
通过调整基极电流的大小，可以将单结晶体管控制在不同的工作区域。
三、场效应3.1 栅极电压的调节单结晶体管中的场效应是通过栅极电压的调节实现的。
当栅极电压增大时，单结晶体管中的电流也会增大；当栅极电压减小时，单结晶体管中的电流也会减小。
通过调节栅极电压的大小，可以实现对单结晶体管的电流控制。
3.2 导电沟道的形成在单结晶体管中，栅极电压的变化会导致导电沟道的形成。
《晶体管》 讲义
《晶体管》讲义一、什么是晶体管在现代电子世界中，晶体管是最为关键的元件之一。
简单来说，晶体管是一种用于控制电流流动的半导体器件。
它就像是电子电路中的一个“开关”，能够根据输入的信号来决定电流是否通过，以及通过的大小。
晶体管的出现彻底改变了电子技术的发展进程。
在晶体管诞生之前，电子设备主要依赖体积庞大、效率低下且容易发热的真空管。
而晶体管体积小、重量轻、功耗低，性能却更为出色，这使得电子设备能够变得更加小巧、高效和可靠。
二、晶体管的工作原理要理解晶体管的工作原理，首先需要了解一些半导体的知识。
半导体材料，如硅和锗，其导电性能介于导体（如铜、铝）和绝缘体（如橡胶、塑料）之间。
晶体管主要有两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
双极型晶体管是由两个 PN 结组成的。
PN 结是在一块半导体材料中，通过特殊的工艺使一部分成为 P 型半导体（富含空穴），另一部分成为 N 型半导体（富含电子），它们的交界处就形成了 PN 结。
当给双极型晶体管的基极施加一个小电流时，就能够控制从集电极到发射极的大电流流动。
这是因为基极电流的微小变化会引起集电极和发射极之间电流的较大变化，从而实现电流的放大作用。
场效应晶体管则是通过电场来控制电流的流动。
根据结构的不同，场效应晶体管又分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
以 MOSFET 为例，它有一个栅极、源极和漏极。
栅极上的电压能够改变沟道的导电能力，从而控制源极和漏极之间的电流。
三、晶体管的分类晶体管的分类方式多种多样。
按照导电类型，可分为 NPN 型和 PNP 型双极型晶体管，以及 N 沟道和 P 沟道场效应晶体管。
按照材料，可分为硅晶体管和锗晶体管。
按照封装形式，常见的有塑料封装、金属封装、陶瓷封装等。
按照功率大小，可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
不同类型的晶体管在性能、用途等方面都有所差异，需要根据具体的应用场景来选择合适的晶体管。
三极管npn的工作原理
三极管npn的工作原理
NPN三极管是一种常用的双极型晶体管，在电子器件中应用广泛。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料构成，分别是N 区（负电荷载流子区）、P区（正电荷载流子区）和N区（负电荷载流子区）。
NPN三极管的工作原理如下：
1. 开关状态：当无外加电压时，NPN三极管处于关闭状态，没有电流流过。
此时，基区没有电流通过，无法使集电极和发射极之间产生足够的电压来放大输入信号。
2. 放大状态：当在基极和发射极之间施加一个电压时，基区会形成电流，这个电流也称为基电流。
当基电流足够大时，它会将NPN三极管推至工作状态，这时集电极和发射极之间存在较大的电压差，从而形成放大效应。
通过调节基电流的大小，可以调整NPN三极管的放大倍数。
具体工作过程如下：
1. 输入：将输入信号（例如电压或电流）加到基极，通过控制基电流的大小来控制NPN三极管的放大倍数。
2. 放大：当正向偏置电压（例如外加电压）施加到集电极和发射极之间时，电子从发射极流向基极，同时由于浓度差异，少数载流子空穴从基极进入集电极，形成电流放大效应。
3. 输出：输出信号从集电极取出。
总之，NPN三极管的工作原理是基于控制基电流从而控制集电极和发射极之间的电压差，以实现信号放大的效果。
晶体管工作原理
晶体管工作原理
晶体管是一种半导体元件，用于控制和放大电流。
它由三个不同类型的半导体材料组成：P型半导体、N型半导体和掺杂的
中间层（一般用砷或氮等元素掺杂的硅材料）。
晶体管的工作原理基于PN结的特性，即P型和N型半导体之间形成的界面。
在晶体管中，有三个区域：发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
发射区和集电区都是N型半导体，而基极区是P型半导体。
当正向偏置电压施加在PN结上时，形
成一个正电荷在P型半导体和N型半导体之间的空间，这使
得发射区的电流开始流动。
当一个信号电流施加在基极区时，这会改变PN结上的空间电
荷层，从而影响发射区和集电区之间的电流。
这是因为基极区的信号电流能够控制PN结的电流通过，并进一步影响整个晶
体管的电流传输。
当信号电流增加时，发射区的电流也相应增加。
晶体管的放大效果是通过控制基极区的信号电流和集电区的电压来实现的。
基极区的电流负责控制晶体管的输出，并将输入信号放大。
当信号电流增加时，集电区之间的电流也会增加。
因此，晶体管可以实现信号的放大效果。
总的来说，晶体管的工作原理是利用PN结的性质来控制和放
大电流。
通过控制基极区的电流和集电区的电压，晶体管可以放大输入信号。
这使得晶体管广泛应用于各种电子设备中，如计算机、电视、电话等。
晶体管知识点总结
晶体管知识点总结晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子设备中，是现代电子技术的基础。
晶体管的发明和应用，极大地推动了电子技术的发展，使得现代电子设备变得更加小型化、高效、稳定和便携。
下面我们将对晶体管的基本原理、结构、工作原理和应用进行详细介绍。
一、晶体管的基本原理1. 电子运动的基本原理电子是原子的一个组成部分，带有负电荷。
在半导体晶体中，有大量的自由电子，在外加电压的作用下，这些自由电子会受到电场的驱动，从而在晶格中运动。
同时，半导体中还有空穴，即电子从原子轨道中跃迁出去后留下来的空位，空穴带有正电荷，也会在外加电压下发生移动。
2. PN结和二极管的基本原理PN结是由n型半导体和p型半导体组成的结构，它具有正向导通和反向截止的特性。
当PN结处于正向偏置时，n区的自由电子会向p区移动，p区的空穴会向n区移动，导致电子和空穴的复合，形成导电通道，电流得以通过。
而当PN结处于反向偏置时，n区和p区的电荷云层会被电场的作用扩散，形成空间电荷区，此时电流不能通过。
3. 晶体管的基本原理晶体管是由两个PN结构组成的器件，即P型区和N型区交替排列，整体上形成三个电极分别为集电极、发射极和基极。
当在基极和发射极之间加上正向偏置电压时，n区的自由电子会向p区移动，电子和空穴会在P区与N区的交界处结合而产生电流放大的效应。
这样，就实现了晶体管的放大功能，使得电子信号得以放大，并通过集电极输出。
二、晶体管的结构1. 晶体管的主要构成晶体管主要由P型半导体、N型半导体和金属电极组成。
P型半导体富含空穴，电子的迁移率较低；N型半导体富含自由电子，电子的迁移率较高；金属电极则起到了连接内部半导体材料的作用。
2. 晶体管的结构类型晶体管有多种不同的结构类型，包括双极型晶体管、场效应晶体管、异质结晶体管等。
不同结构的晶体管在性能和应用方面都有所不同，需根据具体的应用场景进行选择。
三、晶体管的工作原理1. 晶体管的工作状态晶体管主要有截止状态和放大状态两种工作状态。
什么是晶体管的工作原理
什么是晶体管的工作原理晶体管是一种用于放大和控制电流的电子器件。
它是现代电子技术中最重要的组成部分之一，广泛应用于计算机、通信设备、音频放大器等众多领域。
晶体管的工作原理基于半导体材料的特性，通过控制电场或电压来改变电流的流动情况，从而实现信号放大和电路控制的功能。
晶体管的工作原理可以简单概括为三种基本模式：截止区、放大区和饱和区。
下面将详细介绍晶体管的工作原理及其具体过程。
一、截止区在晶体管中，当输入信号的电压较低时，晶体管处于截止区，不会有电流流过。
这是因为当晶体管的基极（B）与发射极（E）之间的电压低于截止电压时，晶体管的集电极（C）与发射极之间的接触会被截断，电流无法通过晶体管。
二、放大区当输入信号的电压逐渐增大，超过截止电压之后，晶体管进入放大区。
在放大区，晶体管的集电极与发射极之间的接触被建立起来，电流开始流过晶体管。
此时，输入信号的电压变化将导致晶体管中的电流放大。
在放大区工作时，晶体管的放大倍数由其特定的参数决定，如转移特性、放大倍数等。
晶体管的放大作用使得微弱的输入信号能够通过晶体管放大为较大的输出信号。
这是晶体管在电子设备中被广泛应用的重要原因之一。
三、饱和区当输入信号的电压继续增大，超过饱和电压时，晶体管进入饱和区。
在饱和区，晶体管的集电极与发射极之间的接触处于完全导通状态，电流达到最大。
此时，无论输入信号的电压如何变化，晶体管的输出电流都达到了最大值，不再发生变化。
饱和区的特性使得晶体管能够用于开关电路的控制。
通过控制输入信号的高低电平，可以在晶体管上实现开关的闭合和断开。
这种特性在数字电子电路、逻辑门电路等方面起到了至关重要的作用。
综上所述，晶体管的工作原理是基于半导体材料的特性，在不同的工作区域实现电流的放大和控制。
截止区、放大区和饱和区的划分取决于输入信号的电压大小。
晶体管广泛应用于各个领域，为现代电子技术的发展做出了巨大贡献。
通过深入理解晶体管的工作原理，我们能够更好地应用晶体管，进一步推动电子技术的发展。
晶体管的工作原理
晶体管的工作原理晶体管是一种半导体器件，是电子工业中最主要的元器件之一。
晶体管可以实现电子信号的放大、开关、放大和振荡等功能，在数码电路、计算机、通信和各种电子设备中广泛应用。
晶体管的工作原理非常复杂，涉及到电子物理学、固体物理学和电路分析等多个学科领域。
本文将就晶体管的工作原理进行简要介绍。
一、晶体管的结构晶体管的主要结构包括三个区域：发射区、基区和集电区。
发射区负责发射电子，基区控制电子流的流动，集电区收集电子。
晶体管的基区与另外两个区域有一个界面，这个界面就是PN结。
二、PN结的原理PN结是由n型半导体和p型半导体组成的。
n型半导体中含有额外的自由电子，而p型半导体缺少电子。
当n型半导体和p型半导体接触时，电子从n型半导体流动到p型半导体。
这时，p型半导体中的空穴会吸收电子，形成一个电荷区。
这个电荷区就是PN结。
三、晶体管的工作原理可以分为三个阶段：截止状态、放大状态和饱和状态。
1. 截止状态当晶体管处于截止状态时，基极是负偏置的，这时PN结将被反向偏置。
这样，在PN结中的电荷区被扩大，并在PN结处形成一个高阻态。
这也就意味着当电路中没有电流流过时，晶体管将是截止状态。
2. 放大状态当在PN结的碰撞区中添加小电流时，PN结正在被打通，这样电荷区域就会变小。
这就意味着电路中有一个电流流过。
这个小电流也被称为基极电流。
3. 饱和状态当电路中的基极电流越来越大时，PN结处的电荷区会变得更小，且最终缩小到没有电荷。
这使得电流可以进入集电区，并且晶体管将处于饱和状态。
在饱和状态下，晶体管的电流将达到其最大电流。
当再添加电流时，此时电流不会再向上流动，因为晶体管已经达到了它能够承受的峰值。
四、晶体管的应用晶体管广泛应用于电子设备的各个领域，包括通讯、广播、计算机、数码电视等。
更具体的应用包括：1. 放大器：晶体管可以增强较弱的信号并输出到更大的负载电阻上。
2. 固态开关：晶体管可以在电子电路中作为开关来控制电流的流动。
晶体管的工作原理
晶体管的工作原理晶体管是一种半导体电子器件，广泛应用于电子技术领域。
它是由三个掺杂不同种类的半导体材料构成的，主要包括N型半导体、P型半导体和P-N结。
晶体管的工作原理是基于控制电流的传递和放大作用，并可以通过控制输入信号的变化来实现电子开关和放大电路。
1. P-N 结晶体管内部的P-N结起到关键的作用。
P-N结是由P型半导体和N型半导体材料的结合而形成的。
N型半导体中掺杂有额外的电子，被称为自由电子；P型半导体中掺杂有额外的空穴，被称为正空穴。
在P-N结的界面，自由电子和空穴会发生复合，形成一个细小而薄弱的耗尽区。
2. 基本结构晶体管主要由三个层状的半导体材料组成，分别是发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。
发射区是N型半导体，集电区是N型半导体，而基区是P型半导体。
集电区与发射区之间的P-N结被称为发射结，发射结与基区之间的P-N结被称为集电结。
3. 工作原理晶体管的工作过程可以分为放大和开关两种模式。
（1）放大模式：当晶体管工作在放大模式时，可将输入信号的弱电流放大为输出信号的强电流。
当输入信号通过发射结进入基区时，如果发射区的电压高于基区，发射结就会被打开，大量的电子就会进入基区。
这些电子会被吸引到集电区，形成一个电子流，由发射区到集电区，从而实现电流的放大。
（2）开关模式：当晶体管工作在开关模式时，可根据输入电流的变化来控制电路的开关状态。
当输入信号通过发射结进入基区时，如果发射结的电压低于基区，发射结就会被关闭，此时基区没有电流通过，晶体管处于关闭状态。
如果发射结的电压高于基区，发射结就会被打开，电流可以通过晶体管的集电区和发射区，使其处于导通状态。
4. 工作参数晶体管的工作参数包括放大倍数、截止频率和饱和电流。
放大倍数指的是输入信号与输出信号的电流比值；截止频率指的是晶体管能够放大信号的最高频率；饱和电流是指晶体管在饱和状态下通过集电极和发射极的电流。
场效应晶体管的结构工作原理和输出特性
场效应晶体管的结构工作原理和输出特性场效应晶体管（Field Effect Transistor，缩写为FET）是一种用于放大和开关电路的电子元件。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和较高的增益，使其在电子设备和通信系统中得以广泛应用。
本文将详细介绍场效应晶体管的结构、工作原理和输出特性。
一、场效应晶体管的结构1. MOSFET：MOSFET是栅极金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的简称。
它由一个由绝缘层隔开的金属栅极、半导体材料（通常为硅）和源/漏极组成。
栅极与绝缘层之间的绝缘层可以是氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）。
MOSFET根据绝缘层材料和极性的不同，可分为N沟道（NMOS）和P沟道（PMOS）两种类型。
2. JFET：JFET是结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor）的简称。
它由一个P型或N型半导体形成的结和源/漏极组成。
P型JFET的源极和漏极为P型半导体，N型JFET的源极和漏极则为N型半导体。
JFET有两种常见的结构类型：沟道型和增强型，分别以n-沟道和p-沟道为特征。
二、场效应晶体管的工作原理1.MOSFET工作原理：(1) NMOS：当栅极电压为正，使NMOS栅极与源极之间的管道有效导通，称为“开通”（On）状态。
栅极电势改变PN结的反向电场，使电子进入N沟道并导致漏极电流增加。
当栅极电压为零或负值时，NMOS处于截止（Off）状态，电子无法流动，漏极电流接近于零。
(2)PMOS：当栅极电压为负值，使PMOS栅极与源极之间的管道导通，称为“开通”状态。
栅极电势改变PN结的反向电场，使空穴进入P沟道并导致漏极电流增加。
当栅极电压为零或正值时，PMOS处于截止状态，空穴无法流动，漏极电流接近于零。
2.JFET工作原理：(1)沟道型JFET：沟道型JFET的栅极电势改变了PN结的反向电场，调节了P沟道中的电子浓度。
npn晶体管工作原理
npn晶体管工作原理npn晶体管是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，它具有多种用途，包括放大、开关和稳压等功能。
npn晶体管的工作原理是基于P型半导体、N型半导体和P型半导体三层结构的组合，通过控制输入端的电流来控制输出端的电流。
下面将详细介绍npn晶体管的工作原理。
npn晶体管由三个不同类型的半导体材料层组成，分别是P型半导体、N型半导体和P型半导体。
其中，中间的N型半导体层被称为基区，两侧的P型半导体层分别被称为发射极和集电极。
当在基区注入一个正向电流时，会在基区产生大量的自由电子和空穴，这些载流子会向发射极和集电极扩散。
在正常工作状态下，发射极和集电极之间的电压较小，使得大部分载流子向集电极方向扩散，从而形成从集电极到发射极的电流。
npn晶体管的工作原理可以简单描述为在输入端（发射极）加上一个电流信号，通过控制这个电流信号的大小，可以控制输出端（集电极）的电流。
具体来说，当输入端的电流信号较小时，只有少量的载流子被注入到基区，因此输出端的电流也较小；当输入端的电流信号增大时，基区的载流子增多，输出端的电流也随之增大。
这样就实现了对输出端电流的放大功能。
在npn晶体管中，发射极和集电极之间的电流由基区的电流来控制，这种控制方式被称为电流控制。
与之相对的是另一种常见的控制方式——电压控制，即通过控制输入端的电压来控制输出端的电流。
电流控制的优势在于对输入端的电流信号有很好的放大效果，可以实现高功率的放大；而电压控制在某些应用场合下也具有独特的优势。
npn晶体管是一种重要的半导体器件，它通过控制输入端的电流信号来实现对输出端电流的放大。
通过合理设计电路结构和控制电流信号的大小，npn晶体管可以被广泛应用于各种电子设备中，发挥着重要作用。
希望通过本文对npn晶体管的工作原理进行简要介绍，能让读者对这一器件有更深入的了解。
晶体管的工作原理及应用
晶体管的工作原理及应用工作原理晶体管是一种用来放大和开关电信号的电子器件。
它由半导体材料制成，通常包含三个区域：发射区（Emitter）、基极区（Base）和集电区（Collector）。
晶体管的工作原理基于PN结的特性，其中N型半导体和P型半导体的结合形成了PN结。
以下是晶体管的工作原理的简要介绍：1.放大作用：晶体管的工作原理中最重要的部分是基极电流的调控。
当在基极电路中应用一个小的输入电流时，晶体管会根据基极电流的大小来放大输出电流。
这种放大作用可以用于放大弱信号，提高信号的质量和强度。
2.导通和截止：晶体管可以作为一个开关，控制电流的导通和截止。
当在基极电路中应用一个足够大的电压时，晶体管会导通，允许电流流过。
反之，当在基极电路中应用一个低于导通电压的电压时，晶体管会截止，阻止电流流过。
这种开关功能广泛应用于数字电路和逻辑门电路。
3.增益：晶体管的增益（Gain）是指输出信号和输入信号之间的比例关系。
增益决定了晶体管的放大效果。
晶体管的增益通常用β值来表示，β值等于集电区电流与基极区电流的比率。
更高的β值意味着更强的放大效果。
应用晶体管以其小巧、高效的特性，在各种电子器件中广泛应用。
以下是一些晶体管的应用场景：1.放大器：晶体管的其中一个主要应用场景是作为放大器。
晶体管可以增加信号的强度，使得弱信号变得可靠。
这种放大器广泛应用于无线电、音频放大器和电视机等设备中。
2.开关电路：由于晶体管可以作为开关来控制电流的导通和截止，因此它在数字逻辑电路中得到了广泛应用。
晶体管开关可以用于构建各种逻辑门电路，例如与门、或门和非门等。
3.计算机芯片：晶体管在计算机芯片中起着至关重要的作用。
现代计算机芯片上集成了数十亿个晶体管，用于进行逻辑运算、存储数据和控制电流等操作。
4.调制解调器：晶体管在通信领域中被广泛应用，特别是在调制解调器中。
调制解调器用于将数字信号转换成模拟信号和将模拟信号转换成数字信号。
4.1_MOS场效应晶体管的结构工作原理和输出特性
B
N沟道增强型MOSFET的符号如
左图所示。左面的一个衬底在内部与
S
源极相连，右面的一个没有连接，使
用时需要在外部连接。 动画2-3
4.1.2 N沟道增强型MOSFET的工作原理
对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理，分两个方面进行
讨论，一是栅源电压UGS对沟道会产生影响，二是漏源电压UDS也会对 沟道产生影响，从而对输出电流，即漏极电流ID产生影响。
3. N沟道增强型MOSFET的特性曲线
N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线有两条，转移特性曲线和漏
极输出特性曲线。
1．转移特性曲线 ID/ m A
N沟道增强型MOSFET的转移特 性曲线如左图所示，它是说明栅源电
U DS 10V
压UGS对漏极电流ID的控制关系，可
4
用这个关系式来表达，这条特性曲线
S iO 2
取一块P型半导体作为衬底，用 B表示。
用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜 绝缘层。
然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。
扩散两个高掺杂的N型区。从而 形成两个PN结。（绿色部分）
B
从N型区引出电极，一个是漏极
D，一个是源极S。
D
B
G
G
精选可编辑ppt
S
7
D
在源极和漏极之间的绝缘层上镀
一层金属铝作为栅极G。
⑥ 最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。
精选可编辑ppt
25
(2)场效应三极管的型号
场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与 双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代 表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反 型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如, 3DJ6D是结型N沟 道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三管。
npn工作原理
npn工作原理npn是一种基本的晶体管类型，它是由三个掺杂不同材料的半导体层叠组成的。
npn晶体管是一种双极性晶体管，它具有两个控制电极，即基极和集电极，以及一个输出电极，即发射极。
npn晶体管的工作原理是通过控制基极电压来控制电流流动的。
npn晶体管的结构npn晶体管的结构主要由三个半导体层叠组成。
中间的层是n型半导体，两侧是p型半导体，形成了一个pnp结构。
在n型半导体层中，有一个夹在中间的p型半导体区域，称为基区。
在p型半导体层中，有两个夹在中间的n型半导体区域，称为发射区和集电区。
这样，就形成了一个npn结构。
npn晶体管的符号npn晶体管的符号如下图所示。
其中，箭头指向发射极，基极位于左侧，集电极位于右侧。
npn晶体管的工作原理npn晶体管的工作原理是基于pn结的特性。
当npn晶体管的发射极接通电源时，发射区的p型半导体中会产生大量的少数载流子（空穴），这些少数载流子会向基区扩散。
当基区接通电源时，基区中的n型半导体中会产生大量的少数载流子（电子），这些少数载流子会向集电区扩散。
这样，就形成了一个电流流动的通路，电流从发射极流入，经过基区的控制，最终流入集电极。
npn晶体管的放大作用npn晶体管的放大作用是通过控制基极电压来控制电流流动。
当基极电压增加时，基区中的少数载流子数量也会增加，从而使得基区中的电导率增加。
这样，就可以使得电流从发射极流入基区的数量增加，从而使得电流从集电极流出的数量也增加。
这就实现了电流的放大作用。
npn晶体管的应用npn晶体管广泛应用于电子电路中，主要用于放大、开关和稳压等方面。
在放大电路中，npn晶体管可以将微弱的信号放大成较大的信号，以便于后续电路的处理。
在开关电路中，npn晶体管可以控制电路的开关状态，用于控制信号的传输和处理。
在稳压电路中，npn 晶体管可以通过控制电路的电流和电压，实现稳定的电源输出。
总结npn晶体管是一种基本的晶体管类型，它具有两个控制电极和一个输出电极。
晶体管原理
晶体管原理晶体管是一种半导体器件，它是现代电子技术的基础元件之一，广泛应用于各种电子设备中。
晶体管的原理是基于半导体材料的特性和PN结的电子输运原理。
它通过控制输入信号的电压来控制输出信号的电流，实现放大、开关和稳定等功能。
下面我们就来详细了解一下晶体管的工作原理。
首先，我们来看一下晶体管的结构。
晶体管由三个掺杂不同的半导体层组成，分别是基区、发射区和集电区。
其中，发射区和集电区之间存在PN结，通过控制基区的电压来控制PN结的导通状态，从而控制输出电流。
当在基区加上一个正向偏置电压时，PN结处形成导通通道，电流可以从发射区流向集电区，晶体管处于导通状态；当在基区加上一个反向偏置电压时，PN结处截断导通通道，电流无法通过，晶体管处于截止状态。
其次，我们来了解晶体管的工作原理。
晶体管的工作原理主要是基于PN结的电子输运原理。
当在基区加上一个正向偏置电压时，PN结处会形成电子空穴对，电子从发射区注入基区，同时空穴从基区注入发射区，形成电流；当在基区加上一个反向偏置电压时，PN结处不会形成电子空穴对，电子和空穴无法注入对方区域，电流无法通过。
这样，通过控制基区的电压，就可以控制PN结的导通状态，从而控制晶体管的输出电流。
最后，我们来看一下晶体管的应用。
晶体管作为一种电子器件，广泛应用于放大、开关和稳定等功能。
在放大电路中，晶体管可以放大输入信号，实现信号的放大功能；在开关电路中，晶体管可以控制电路的通断，实现开关功能；在稳定电路中，晶体管可以稳定电压和电流，保证电路的稳定性。
因此，晶体管在各种电子设备中都有着重要的应用价值。
总结一下，晶体管是一种基于半导体材料和PN结的电子器件，它通过控制输入信号的电压来控制输出信号的电流，实现放大、开关和稳定等功能。
它的工作原理是基于PN结的电子输运原理，通过控制基区的电压来控制PN结的导通状态，从而控制输出电流。
晶体管在各种电子设备中有着广泛的应用，对于现代电子技术的发展起着重要的作用。
晶体管输出
晶体管输出2篇晶体管输出（一）晶体管输出是指晶体管通过其特殊的工作原理实现信号放大和驱动负载的功能。
作为现代电子设备中不可或缺的关键元件之一，晶体管输出在各个领域都具有重要的应用价值。
晶体管输出最早应用于无线电领域，用于放大弱信号以提高接收效果。
通过控制晶体管的输入信号，可以实现对信号的放大和放大倍数的调节，从而达到信号增强的目的。
由于晶体管具有小尺寸、低功耗和高可靠性的特点，因此它逐渐取代了真空管成为无线电设备中的主要放大器。
随着科技的进步，晶体管输出的应用范围也逐渐扩大。
在音频领域，晶体管输出可以用于音频放大器的设计。
通过晶体管对输入信号进行放大，可以将小信号转化为足够大的信号以驱动扬声器。
这不仅提高了音频系统的音质，还使得音乐能够在更大的空间范围内传播。
此外，晶体管输出还被广泛应用于数字电子设备中。
例如，计算机的中央处理器（CPU）中就包含大量的晶体管输出。
通过晶体管输出驱动不同的逻辑门，CPU可以实现逻辑运算、数值计算和数据处理等功能。
晶体管输出的高速驱动能力和稳定性保证了CPU的正常工作，并且在计算机的发展中发挥了重要的作用。
晶体管输出的应用不仅仅局限于上述领域，它还可以用于通信设备、汽车电子、医疗器械等众多领域。
比如在通信设备中，晶体管输出可以用于信号放大和驱动天线，以提高通信质量和范围。
在汽车电子中，晶体管输出可以用于控制电动窗、电动座椅和车辆照明等功能。
在医疗器械中，晶体管输出可用于控制医疗仪器的工作和显示。
总之，晶体管输出作为一种重要的电子器件，具有广泛的应用前景。
它通过信号放大和驱动负载的功能，为无线电、音频、计算机等领域提供了强有力的支持。
随着科技的不断进步，晶体管输出的性能将会得到进一步的提高，为各个领域的发展带来更多的机遇和挑战。
晶体管输出（二）晶体管输出是电子设备中常见的一种输出方式，其通过晶体管的放大作用，实现对输入信号的处理和驱动负载的功能。
不同于传统的输出方式，晶体管输出具有体积小、功耗低和可靠性高等优势，在众多领域中得到了广泛应用。
晶体管输出接口电路工作原理
晶体管输出接口电路工作原理晶体管输出接口电路是电子设备中常见的一种电路。
它的作用是将电子信号从输入端传输到输出端，经过放大和处理后，输出一个与输入信号相关的电压或电流。
晶体管输出接口电路主要由晶体管、电阻、电容等元件组成，通过这些元件的协同工作，实现信号的放大和转换。
晶体管是一种半导体器件，具有放大和开关控制功能。
在晶体管输出接口电路中，晶体管起到放大信号的作用。
通过调整晶体管的工作状态，可以实现对输入信号的放大。
晶体管输出接口电路通常采用放大型晶体管，如NPN型或PNP型晶体管。
在工作时，输入信号通过耦合电容传输到晶体管的基极，通过控制电流或电压的变化，调节晶体管的工作状态，从而实现信号的放大。
除了晶体管，电阻也是晶体管输出接口电路中常见的元件之一。
电阻的作用是限制电流的流动，调整电路的工作状态。
在晶体管输出接口电路中，电阻通常用来调节放大倍数和输出阻抗。
通过选择合适的电阻值，可以实现对信号的精确控制。
电容也是晶体管输出接口电路中不可或缺的元件。
电容的作用是对信号进行滤波和储存。
在晶体管输出接口电路中，电容常用于耦合和去直流操作。
通过选择合适的电容值，可以实现对输入信号的分离和滤波，保证输出信号的准确性和稳定性。
晶体管输出接口电路的工作原理可以简单总结为：输入信号经过耦合电容传输到晶体管的基极，晶体管根据输入信号的大小和极性，调节电流或电压的变化，从而放大输入信号。
放大后的信号经过电容的滤波和去直流操作，最终输出到负载上。
晶体管输出接口电路具有以下特点：1. 高增益：晶体管具有较高的放大倍数，可以将微弱的输入信号放大到较大的幅度。
2. 低失真：晶体管输出接口电路具有低失真的特点，可以保证输出信号的准确性和稳定性。
3. 低噪声：晶体管输出接口电路具有低噪声的特点，可以提高信号的质量和可靠性。
4. 调节灵活：通过调整晶体管的工作状态和电容、电阻的数值，可以灵活地调节输出信号的幅度和频率。
晶体管输出接口电路是一种重要的电子电路，在电子设备中起到了至关重要的作用。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、晶体管晶体管和场效应管的主要参数。
2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。
3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。
二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。
其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。
其它晶体管参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。
因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。
下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。
1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）晶体管大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。
可用电流表测得。
（5）高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。
稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。
此值必须测定后才能使用稳压二极管。
可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。
（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到晶体管稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
万联芯城作为国内优秀的电子元器件采购网，一直秉承着以良心做好良芯的服务理念，万联芯城为全国终端生产研发企业提供原装现货电子元器件产品，拥有3000平方米现代化管理仓库，所售电子元器件有IC 集成电路，二晶体管，电阻电容等多种类别主动及被动类元器件，可申请样片，长久合作可申请账期，万联芯城为客户提供方便快捷的一站式电子元器件配套服务，提交物料清单表，当天即可获得各种元件的优势报价，整单付款当天发货，物料供应全国，欢迎广大客户咨询合作，点击进入万联芯城（3）动态电阻r Z ：稳压管两端的电压V Z 和流过稳压管的电流I 的变化量之比，可用电压表、电流表共同测得，或用晶体管特性图示仪测得，用下式计算：IV r ZZ ∆∆=（4）额定功耗P Z ：由生产厂规定，可由特性手册中查到。
3．晶体管主要参数：（1）直流电流放大系数-β：可用电流表或晶体管特性图示仪测得集电极电流I C 和基极电流I B 后算出，也可用数字万用表的H FE 档测得。
计算公式：BCE C I I I -=β-式中I CE0是晶体管的穿透电流。
当此值很小时，可以使用下式：BCI I ≈β-数字万用表的H FE 档是专用来测量晶体管-β值的。
其提供的测试条件为：基极电流I B约10μA 、VCC 约2.8V 。
其测得值不太精确，只能作为参考。
（2）穿透电流I CE0 ：基极开路时的I C 值，此值反映了晶体管的热稳定性，越小越好。
用电流表测得。
（3）交流电流放大系数β ：I C 与I B 的变化量之比。
可由电流表或晶体管特性图示仪测得ΔI C 和ΔI B 后根据下式计算：BCI I ∆∆=β 该参数也可表为h fe 。
两者略有区别：β是指对应实际工作条件时的ΔI C 与ΔI B 之比，而h fe 是指在给定条件下（一般由生产厂给定）的ΔI C 与ΔI B 之比。
β与h fe 的值基本相等，所以在使用时常常不予区别。
（4）反向击穿电压BV CE0 ：基极开路时，C 、E 之间的击穿电压。
也可表示为 U （BR ）CE0 。
在使用中是一项重要的参数，可由电流表、电压表配合测得。
使用晶体管特性图示仪测量十分方便。
测量时应注意集电极功耗电阻应取10K 以上，避免击穿时集电极电流过大，使被测晶体管因功耗过大烧毁。
（5）其它参数或在一般条件下不易测得，或在使用中意义不大，不再介绍。
如果在使用中用到，可由晶体管参数手册查阅。
4．场效应管的主要参数（1）饱和漏电流（I DSS ）：这是结型（JFET ）或耗尽型场效应管（MOSFET ）的一项重要参数，是指场效应管栅源电压（V GS ）为零时的漏极电流（I D ）。
可用电流表或晶体管图示仪测得。
（2）夹断电压（V P 或U GS(off)）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（V GS ），可用万用表或晶体管图示仪测得。
实测时，为便于测量，规定V P 对应的小漏极电流值。
（3）开启电压（V on 或U GS(th)）：这是增强型MOS 场效应管的一项重要参数，是指漏源电压（V DS ）为固定数值条件下，能建立导电沟道，产生漏极电流（I D ）所需的小GS V 值。
（4）低频跨导（g m ）：这是反映场效应管放大能力的一项参数，可用万用表或晶体管图示仪测得。
定义：在V DS 为固定值的条件下，GSDm V I g ∆∆=（S 或mA ∕V ）其它参数的定义和测试方法与晶体管差不多。
（二）使用万用电表电阻档测量晶体管：指针式万用电表（500型）的“电阻档”，可测量元件的电阻值。
其原理为：万用表内部电池作为测量电源，流过被测元件的电流使指针偏转，根据欧姆定律制作表盘的“电阻档”刻度，因此可以根据表盘刻度直接读出被测器件的电阻值。
当被测电阻的阻值为零时，指针偏转大（满度）。
万用表Ω×1～Ω×1K 档使用内部的1.5V 电池，Ω×10K 档使用内部的9V 电池。
由图2.1可以看出，万用表的黑表笔连接内部电池的正极，红表笔连接内部电池的负极，使用时应该注意。
使用指针式万用电表测量半导体器件，是借用万用电表内部的电池作为测量电源，根据指针偏转的情况判断晶体管的某些参数。
由于“电阻档”不是专门为测量晶体管而设计的，所以其电阻档的读数没有实际意义，只能作定性的判别。
数字式万用表（890型）具有专门测量晶体二极管和晶体管的功能，它的。
))) 档可用于测量二极管PN 结的单向导电性。
该档的显示值大约等于二极管正向导通压降（mV ）。
测试条件为：正向电流约1mA ，开路电压约2.8V 。
数字万用表的表笔颜色与内部电池的极性一致，即：红表笔接内部电池的正极，黑表笔接内部电池的负极。
数字万用表的H FE 档用于测量晶体管的-β值，测试条件为：I B ≈10μA ，VCC ≈2.8V 。
1．二极管的测量：一个质量好的二极管，应该是反向电阻趋于无穷大，正向电阻越小越好。
（1）使用指针式万用表：使用指针式万用表测量二极管，通过测量二极管PN 结的单向导电性来判断二极管的引脚极性和质量好坏。
使用Ω×1K 档，测量二极管的正、反向电阻，测得的电阻值越小，说明电路中的电流越大，导电性能越好；电阻值大，说明电路中的电流小，导电性能差。
当电阻值小时，二极管处于正向导通状态，这时黑表笔连接的引脚是二极管的正极。
见示意图2.2 。
好的硅二极管应该是反向电阻无穷大，正向电阻小于10K Ω。
（2）使用数字万用表：使用数字万用表的。
)))档，可以测量二极管的正向导通电压。
当电表指示数字高位为“1”，其它位空白时，表示被测电路的电阻无穷大，晶体管处于反向截止状态；当指示为3位数时，为正向导通状态，其显示的数值约等于二极管的正向导通电压毫伏（mV ）值。
在正向导通状态，红表笔连接的是二极图2.1 万用表....图 2.2 测量二管正极。
2．稳压管的测量：在外加反向电压小于“反向击穿电压”时，稳压管的特性如普通二极管，可用上述方法检测其正、反向电阻，来判断是否损坏，以及判断引脚极性。
由于500型指针万用表的Ω×10K 档使用9V 电池，因此对于稳压值小于9V 的稳压管，如果使用Ω×10K 档来测量，则正、反向都会导通。
3．发光二极管（LED ）的测量：同普通二极管。
但由于发光二极管的正向导通电压约2V ，因此使用指针式万用表测量时，必须使用Ω×10K 档。
如果使用Ω×1K 档测量，正、反向都不导通。
4．晶体管的测量：晶体管是由两个PN 结（发射结、集电结）组成的器件，一般具有3个引脚（某些型号晶体管（例如3DG56型）具有四只引脚，其中一个脚接管壳，供接地屏蔽用）。
使用万用表可以判别晶体管的极性（NPN 或PNP 型）、管脚（e 、b 、c ）和估计晶体管的性能好坏。
图2.3所示为NPN 和PNP 型晶体管的PN 结结构。
根据图示结构，可以使用万用电表区分出晶体管的极性和接脚。
以下的测量方法适用于数字表和指针表。
（1）区分晶体管的基极b ：由图2.4可以看出，如果在c 、e 之间加测量电压，无论电源方向如何，总有一个PN 结处于反向偏置状态，电路不会导通。
测量方法：用万用表的红、黑表笔分别接触晶体管的任意两个管脚，测量一次后，如果电阻值无穷大（指针表的表针不动；数字表只显示“1”），则将红、黑表笔交换，再测这两个管脚一次。
如果两次测得的电阻值都是无穷大，说明被测的两个管脚是集电极c 和发射极e ，剩下的一个则是基极b 。
如果在两次测量中，有一次的阻值不是无穷大，则换一个管脚再测，直到找出正、反向电阻都大的两个管脚为止。
（如果在三个管脚中找不出正、反向电阻都大的两个管脚，说明晶体管已经损坏，至少有一个PN 结已经击穿短路。
）图2.3 晶体三极管内部PN 结结构NP Nebc（a）NPN 型三极管.PN Pebc（b）PNP 型三极管.图2.4测量三极管PN 结（a）NPN 型三极管.（b）PNP 型三极管.红表笔黑表笔红表笔黑表笔要想区别e 和c ，需要测出晶体管的极性后再进一步测量。
（2）区分晶体管的极性（NPN 、PNP ）： 测出晶体管的基极b 后，通过再次测量来区分晶体管是NPN 型还是PNP 型。
由图2.5可知：当在基极加测量电压的正极时，NPN 管的基极对另外两个极都是正向偏置，而PNP管的基极对另外两个极都是反向偏置。
所以测量方法如下：将万用表的正表笔（指针表的黑表笔；数字表的红表笔）接触已知的基极，用另一支表笔分别接触另外两个管脚，如果另外两个管脚都导通，说明被测管是NPN 型，否则是PNP 型。