pn结正向特性的研究实验报告

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实验四PN结正向电压温度特性研究(精)

实验四PN结正向电压温度特性研究(精)

VF (T ) VF (Tr ) k (T Tr )
• 使PN结温度变化,测量电压每改变10mV V2 V1 • 例如 的温度
K T2 T1
– 改变-10mV 温度12 – 改变-20mV 温度14 20 (10) K 5.0mV / T 16 14
具体步骤
仪器介绍:
TH-J型PN结压降温度特性测试仪
加热指示 电流(uA) 电压(mV) 温度(oC)
000
控温电流 ΔV调节 测量选择 ΔV VF IF
1 8.2
IF调节 ΔV 输出 IF
具体步骤
1、打开PN结温度测试仪器,预热10分钟; 2、调节IF=50 A; 3、记下起始温Tr(仪器显示值)和此时的电压VF; 4、调节V=0; 5、开启加热电源,要求控温电流最大不超过0.7A。 6、 V从0开始每变化10 mV(即记录V=0 、-10、-20、 -30…-120),记录相应的(t, V )。 7、第一组同学做升温,第2组同学做降温(先升温到 100 oC 再降)。
1、打开PN结温度测试仪器,预热10分钟; 2、调节IF=50 A; 3、记下起始温Tr(仪器显示值)和此时的电压VF; 4、调节V=0; 5、开启加热电源,要求控温电流最大不超过0.7A。 6、 V从0开始每变化10 mV(即记录V=0 、-10、-20、 -30…-120),记录相应的(t, V )。 7、第一组同学做升温,第2组同学做降温(先升温到 100 oC 再降)。
仪器介绍:
TH-J型PN结压降温度特性测试仪
加热指示 电流(uA) 电压(mV) 温度(oC)
000
控温电流 ΔV调节 测量选择 ΔV VF IF
1 8.2
IF调节 ΔV 输出 IF

pn结正向特性实验报告

pn结正向特性实验报告

pn结正向特性实验报告PN结正向特性实验报告引言:PN结是半导体器件中最基本的结构之一,具有广泛的应用。

本实验旨在通过实验验证PN结的正向特性,并探讨其相关理论。

一、实验目的:1. 验证PN结的正向电流-电压特性。

2. 探究PN结正向特性与温度的关系。

二、实验原理:PN结是由P型半导体和N型半导体材料组成的结构,其中P型半导体为电子亏损型材料,N型半导体为电子富余型材料。

在PN结中,P区域被称为阳极,N区域被称为阴极。

当PN结正向偏置时,即阳极接正电压,阴极接负电压,电子从N区域向P区域扩散,空穴从P区域向N区域扩散。

这种扩散过程导致PN结两侧电荷分布不均,形成电场。

电子和空穴在电场的作用下向相反方向运动,形成电流。

三、实验步骤:1. 准备实验所需材料:PN结二极管、电源、万用表等。

2. 搭建实验电路:将PN结二极管连接到电源的正极,将万用表连接到二极管的阳极和阴极。

3. 调节电源电压,记录不同电压下的电流值。

4. 将实验温度逐渐升高,重复步骤3。

四、实验结果与分析:实验数据如下表所示:电压(V)电流(mA)0.2 0.010.4 0.030.6 0.050.8 0.071.0 0.10从实验数据可以看出,当电压增大时,电流也随之增大。

这符合PN结正向特性的基本规律。

根据理论知识,当PN结正向偏置时,电流与电压之间存在指数关系。

即电流随电压呈指数增长。

这是因为随着电压的增大,电子和空穴的扩散速度增加,导致电流增大。

此外,实验还发现PN结的正向特性与温度密切相关。

随着温度的升高,PN结的电流-电压特性曲线整体上会右移。

这是因为温度升高会增加载流子的热运动,使得电子和空穴更容易穿过PN结,从而导致电流增大。

五、实验结论:通过本实验,我们验证了PN结的正向电流-电压特性,并探究了其与温度的关系。

实验结果表明,PN结的电流随电压呈指数增长,且随着温度的升高,整体上会右移。

六、实验总结:本实验通过实际测量验证了PN结的正向特性,并深入探讨了其与温度的关系。

大学物理实验报告实验55PN结正向电压温度特性的测定

大学物理实验报告实验55PN结正向电压温度特性的测定

大学物理实验教案实验名称:PN 结正向电压温度特性的测定1 实验目的1)了解PN 结正向电压随温度变化的基本规律。

2)掌握用计算机测绘恒流条件下PN 结正向电压随温度变化的关系曲线。

3)确定PN 结的测温灵敏度。

2 实验仪器科学工作室接口、放大器、恒流源、计算机3 实验原理3.1实验原理PN 结是半导体器件的核心。

在P (或N )型半导体中,用杂质补偿的方法将其中一部分材料转变成N (或P )型,这样,在两种材料交界处就形成了PN 结,它保持了两种材料之间晶格的连续性。

P 区多子空穴比N 区少子空穴浓度大,空穴由P 区向N 区扩散,并与N 区的多子自由电子复合,在N 区产生正离子的电荷区;N 区多子自由电子比P 区少子自由电子浓度大,自由电子由N 区向P 区扩散,并与P 区的多子空穴复合,在P 区产生负离子的电荷区。

P 区和N 区的电荷区之间形成电场,在此电场作用下产生与扩散运动相反的情况,它阻止扩散运动的进一步加强。

最终形成两种运动的动态平衡。

我们把这个空间电荷区叫PN 结,有时也叫作耗尽层。

根据半导体理论,通过PN 结的正向电流e I IkT qV s f =(1) 式中:I f ——正向电流(mA );V f ——正向压降(V );I s ——反向饱和电流(mA );q电子电量(e );k ——波尔兹曼常数;T ——热力学温度(K )。

而:e T I kT V goq B A s -=(2)式(2)中:V go ——能带间隙电压(V );A 、B ——由PN 结工艺结构所决定的常数。

由(1)、(2)式经整理后,PN 结正向压降的温度灵敏度S 为:)(q kB T f go dT f d S V V V +--== (3)根据这一特性,PN 结可作为温度传感器来使用。

3.2实验方法本实验通过电加热的方法提供给PN 结一个温度可以变化的热源,利用精确的温度传感器测量温度。

把待测的PN 结放置热源中,并利用恒流源给定待测PN 结一个恒定电流,PN 结两端则接入一高稳定放大器进行电压放大后,连接到自定义电压传感器来测量电压。

实验报告一

实验报告一

21.测量同一温度下,正向电压随正向电流的变化关系,绘制伏安特性曲线;2.在同一恒定正向电流条件下,测绘 PN 结正向压降随温度的变化曲线,确定其灵敏度,估算被测 PN 结材 料的禁带宽度;3.计算玻耳兹曼常数。

DH -PN -2型PN 结正向特性综合实验仪, DH -SJ 温度传感器实验装置, 加热炉, PN 结传感器, Pt100传感器,四芯连接线等。

一、 PN 结的正向特性理想情况下, PN 结的正向电流随正向压降按指数规律变化。

其正向电流I 和正向压降 V 存在如下近关F F系式:I = I exp(| qV F )| (1)其中 q 为电子电荷; k 为玻耳兹曼常数; T 为绝对温度; I 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁 带宽度以及温度有关的系数,可以证明:( qV )其中 C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数, r 也是常数(r 的数值取决于少数载流子迁移率对温度的关 系,通常取 r=3.4);V g(0)为绝对零度时 PN 结材料的带底和价带顶的电势差,对应的qV g(0) 即为禁带宽度。

将(2)式代入(1)式,两边取对数可得:( k C )1 n1 ( k C ) 其中方程(3)就是 PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式,它是 PN 结温度传感器的基本方程。

令 I = F常数,则正向压降只随温度而变化,但是在方程(3)中还包含非线性顶 V 。

下面来分析一下 V 项所引起的n1 n1非线性误差。

设温度由 T 1 变为 T 时,正向电压由 V F1 变为 V F ,由(3)式可得T kT ( T )r V = V - (V - V ) - ln | |F g (0) g (0) F1T q (T )1 1V 应取如下形式 F= V + F1 (T - T ) q V ?V TF 1 等于 T 1温度时的? T F值。

由(3)式求导,并变换可得到按理想的线性温度响应, V 理想 V = - ln T rn1 q kT ln T r = V +V V(4)(5)(3)kT FSF1 T 1V = V - | ln |T ,1 g(0) (q I )FV = V - | ln |T - F g (0) (q I ) I = CT r exp | - g (0) | (2) S( kT )F S ( kT )k kT ( T )r所以V V - V k T T q1V 理想 = V F1 + (|(- V g (0)T - V F1 - q kr ))| (T - 1T ) 1(6)= V - (V - V ) -(T - T )r g (0) g (0) F1 T q 11(7)由理想线性温度响应(7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论偏差为:A V = V 理想 - V = - (T - T )r + ln | | 1(8)设 T 1=300K ,T=310K ,取 r=3.4,由(8)式可得△V=0.048mV ,而相应的 V F 的改变量约为 20mV 以上,相 比之下误差△V 很小。

(完整版)PN结的特性

(完整版)PN结的特性

(完整版)PN结的特性PN结的特性实验目的与实验仪器【实验目的】1)研究PN结正向压降随温度变化的基本规律2)学习PN结测温的原理和方法3)学习一种测量玻尔兹曼常数的方法【实验仪器】DH-PN-2型PN结正向特性综合实验仪、DH-SJ温度传感实验装置实验原理(限400字以内)1)理想的PN结正向电流I F和压降U F之间满足关系式:I F=I S[e qU FkT?1]。

考虑到常温下,Ktq=0.016V,则理想的PN结正向电流I F和压降U F之间满足近似关系式:I F=I S e qU FkT。

其中,q为电子电荷,k为玻尔兹曼常量,T为热力学温度,I S为反向饱和电流,它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,I S=CT r e?qU g(0)kT,其中,C是与结面积、掺杂浓度有关的常数,r是常数,其数值取决于少数载流子迁移率对温度的关系(通常取3.4),U g(0)为0K时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。

2)将I S带入I F式中,两边取对数,得到:U F=U g(0)?(kq lnCI F)T?kTqlnT r=U l+U nl,其中U l=U g(0)?(kq lnCI F)T,U nl=?kTqlnT r。

这就是PN结正向压降作为电流和温度的函数表达式,是PN结温度传感器的基本方程。

3)对于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间,根据对U nl项所引起的线性误差的分析可知,在恒流供电条件下,PN结的U F 对T的依赖关系主要取决于线性项U l,即正向压降几乎随温度升高而线性下降,这就是PN结测温的依据。

U F?T的线性度在高温端优于低温端,这是PN结温度传感器的普遍规律。

实验步骤1.实验系统的检查与连接“加热电流”、“风扇电流”都置“关”,插好Pt100温度传感器和PN结温度传感器,PN结引出线分别插入测试仪上的+V、-V、+I、-I。

2.玻尔兹曼常数k的测定a)PN结I-U关系的测量I F=I S e qU FkT式表明,PN结正向电流随正向电压按指数规律变化。

实验41 pn结正向压降温度特性研究(luo)

实验41 pn结正向压降温度特性研究(luo)
实验步骤与第一组同学相同。(重复第一到第七步骤)
不同之处:1. 初始温度 tr 不再是室温,而是当前显示
的温度,而VF (tr ) 也就是该温度对应的读数;2. ΔV 值
每增加10mV时,记录一次对应温度值。
初始值 tr , VF (tr )
图1
图8
17
第二组同学操作注意:
一、测量初始的 tr , VF (tr ) 值,以及ΔV调零时,将“控
ΔV 0 -10 -20 -30 -40 -50 -60 ......
t tr
≈100℃
tr ≈ 室温ຫໍສະໝຸດ 第二组同学做降温实验(从100℃左右开始)
先将ΔV 值调为0,降温后达到表中第一行各值时记录下对应的温度填入第二行。
ΔV 0 10 20 30 40 50 60 ......
t tr
tr ≈ 100° C
1
一、实验目的
1. 了解PN结正向电压随温度变化的基本规律; 2. 测量恒流条件下PN结正向电压随温度变化的曲
线; 3. 确定PN结的测温灵敏度和被测PN结材料的禁
带宽度。
2
二、实验原理
1.PN结温度传感器的基本方程 在温度为T 时,PN结的正向电压公式可写为
VF = V 1 + Vnγ
其中
V1
温电流”开关保持在0.1档;
图9
18
第二组同学操作注意: 二、 ΔV调零后开始测量时,关闭“控温电流”开关使 其自然降温。
灯灭
图10
实验时关闭控温电流.
zΔV 值每增加10mV时,记录一次对应温度值,直至
温度降至40℃左右时即可结束实验。
19
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20
测量 S值的算式说明: 若 tR = 0° C, 则 ΔV = −St

【大学物理实验(含 数据+思考题)】PN结正向电压温度特性研究实验报告

【大学物理实验(含 数据+思考题)】PN结正向电压温度特性研究实验报告

PN 结正向电压温度特性研究一、实验目的(1)了解PN 结正向电压随温度变化的基本规律。

(2)在恒流供电条件下,测绘PN 结正向电压随温度变化的关系图线,并由此确定PN 结的测温灵敏度和被测PN 结材料的禁带宽度。

二、实验仪器PN 结正向特性综合实验仪、DH-SJ5温度传感器实验装置。

三、实验原理1、测量PN 结温度传感器的灵敏度 由半导体理论可知,PN 结的正向电流I F 与正向电压V F 满足以下关系:I F =I n (ⅇqV FkT−1)(1)式(1)中I n 是反向饱和电流,T 是热力学温度,q 是电子的电量。

由于在常温(例如300K )时,kT/q 约为0.026V ,而PN 结正向电压约为十分之几伏,所以ⅇ^((qV_F)/kT)≫1,故式(1)中括号内的−1项完全可以忽略,于是有: I F =I n ⅇqV F kT(2)其中,I n 是与PN 结材料禁带宽度及温度等有关的系数,满足以下关系:I n =CTγⅇqV g0kT(3)式(3)中C 为与PN 结的结面积、掺杂浓度等有关的常数,k 为玻尔兹曼常数,γ在一定温度范围内也是常数,V g0为热力学温度0K 时PN 结材料的导带底与价带顶的电势差,对于给定的PN 结,V g0是一个定值。

将式(3)代入式(2),两边取对数,整理后可得:V F =V g0−(k q ln C I F )T −kTqln T γ=V 1+V nr (4)其中V 1=V g0−(k q ln CI F)T (5) V n r =−kTqln T γ (6)根据式(4),对于给定的PN 结材料,令PN 结的正向电流I F 恒定不变,则正向电压V F 只随温度变化而变化,由于在温度变化范围不大时,V n r 远小于V 1,故对于给定的PN 结材料,在允许的温度变化范围内,在恒流供电条件下,PN 结的正向电压V F 几乎随温度升高而线性下降,即 V F =V g0−(k q ln CI F)T(7)为了便于实际使用对式(7)进行温标转换,确定正向电压增量∆V [与温度为0℃时的正向电压比较]与用摄氏温度表示的温度之间的关系。

大学物理实验PN结正向压降温度特性的研究实验报告

大学物理实验PN结正向压降温度特性的研究实验报告
T 那么显然有 Eg(TS)=Vgve=1.209eV,与公认值 1.21比较有
∆ = | Eg (TS ) − E(TS ) | = |1.209 −1.21| = 0.0008 = 0.08%
E(TS )
E(TS )
1.21
在升温过程中 S=-2.19805mV/℃,那么根据公式计算得 Vgv = VF (TS ) + VF (0) ∆T = VF (273.2 + TS ) + S ⋅ ∆T = [598 /1000 + (−2.19805) × (−273.2) /1000]V = 1.199V
T T1
r
V F理想
= VF1
+
∂VF1 ∂T
(T
− T1 )
[ ] V理想 = VF1 + − Vg − VF1 − k r(T − T1 ) = Vg (0) − Vg (0) − VF1 T − k (T − T1 )r
T1
q
T1 q
两个表达式相比较,有:
∆ = V理想 − VF = − k r(T − T1 ) + kT Ln( T )r
c IF
T
( ) Vn1 = − KT InT r q
在上面 PN 结正向压降的函数中,令 IF=常数,那么 VF 就是 T 的函数。 考虑 Vn1 引起的线性误差,当温度从 T1 变为 T,电压由 VF1 变为 VF:
[ ] VF
= Vg (0) −
Vg (0) − VF1
T T1

kT q
1 n
0
-20
A
-40
Linear Fit of Data1_A
-60

PN结正向伏安特性与温度的研究

PN结正向伏安特性与温度的研究

温度对pn结正向伏安特性的实验研究
实验设备
需要使用恒温箱、电流表、 电压表等设备,以及pn 结二极管样品。
实验步骤
在恒温箱中设定不同的温度, 测量不同温度下的正向电压和 电流值,记录数据并进行分析 。
实验结果
通过实验数据可以观察到随 着温度升高,正向电流增大 ,正向电压略有减小。
温度对pn结正向伏安特性的应用前景
Part
02
pn结正向伏安特性
pn结正向伏安特性的定义与原理
定义
pn结正向伏安特性是指在正向偏置 条件下,pn结的电压-电流关系特性 。
原理
当外加正向电压时,pn结内部的电场 被削弱,电子和空穴的扩散运动增强 ,形成正向电流。随着正向电压的增 加,正向电流也相应增加。
影响pn结正向伏安特性的因素
研究不足与展望
01 02 03
实验条件限制
虽然实验结果与理论模型基本一致,但由于实验条件的限 制,部分高温度下的数据点存在一定的误差。未来可以通 过改进实验设备和方法,提高实验数据的准确性和可靠性 。
理论模型简化
为了简化分析,本研究采用了简化的理论模型。然而,实 际pn结的物理过程可能更加复杂,涉及到更多的物理效应 。未来可以进一步完善理论模型,以更准确地描述pn结的 物理特性。
感谢您的观看
STEP 03
能源转换
STEP 02
利用pn结正向伏安特性随温 度变化的特性,可以开发新型 能源转换器件,如热电转换器 等。
STEP 01
电子器件优化
了解温度对pn结正向伏安特 性的影响,有助于优化电子器 件的性能,提高其稳定性。
温度传感器
利用pn结正向伏安特性随温 度变化的特性,可以制作温 度传感器,用于测量温度。

PN结正向压降温度特性的研究实验报告

PN结正向压降温度特性的研究实验报告

实验题目:PN 结正向压降温度特性的研究 实验目的:1) 了解PN 结正向压降随温度变化的基本关系式。

2) 在恒流供电条件下,测绘PN 结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN 结材料的禁带宽度。

3) 学习用PN 结测温的方法。

实验原理:理想PN 结的正向电流I F 和压降V F 存在如下近似关系 )exp(kTqV Is I FF = (1) 其中q 为电子电荷;k 为波尔兹曼常数;T 为绝对温度;Is 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,可以证明 ])0(ex p[kTqV CT Is g r-= (2)其中C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数:r 也是常数;V g (0)为绝对零度时PN 结材料的导带底和价带顶的电势差。

将(2)式代入(1)式,两边取对数可得 11)0(n r Fg F V V InT q kT T I c In qkV V +=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-= (3) 其中这就是PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式。

令I F =常数,则正向压降只随温度而变化,但是在方程(3)中,除线性项V 1外还包含非线性项V n1项所引起的线性误差。

设温度由T 1变为T 时,正向电压由V F1变为V F ,由(3)式可得[]rn F g g F T T q kT T T V V V V ⎪⎪⎭⎫⎝⎛---=1111)0()0( (4) 按理想的线性温度影响,VF 应取如下形式: )(111T T TV V V F F F -∂∂+=理想 (5)T V F ∂∂1等于T 1温度时的TVF ∂∂值。

由(3)式可得r qk T V V T V F g F ---=∂∂111)0((6)所以()[]()r T T q kT T V V V T T r q k T V V V V F g g F g F 1111111)0()0(----=-⎥⎦⎤⎢⎣⎡---+=理想 (7)由理想线性温度响应(7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论偏差为()r F T TLn q kT T T r q k V V )(11+--=-=∆理想 (8)设T 1=300°k ,T=310°k ,取r=*,由(8)式可得=,而相应的V F 的改变量约20mV ,相比之下误差甚小。

pn结正向压降温度特性研究

pn结正向压降温度特性研究

实验 pn 结正向压降温度特性研究【实验目的】1、了解pn 结正向压降随温度变化的基本关系式.2、在恒定正向电流下,测绘pn 结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度.3、学习用pn 结测温的方法.【实验仪器】1、DH-PN-1型pn 结正向压降温度特性实验仪【实验原理】1、pn 结在一块完整的硅或锗上用不同的工艺掺入杂质,使得其一半成为P 型半导体,而另一半成为N 型半导体,那么,在这两种半导体的交界处就会形成pn 结.在P 型与N 型半导体结合后,由于P 型半导体具有较高浓度的空穴,而N 型半导体具有较高浓度的自由电子,在他们交界处的两边就出现了电子与空穴的浓度差别.从而,电子与空穴都要朝着较低浓度的方向扩散.这种扩散作用,使得在P 、N 交界处之间形成了具有一定大小的扩散电流.另一方面,由于P 型半导体中空穴的流失,使得P 型半导体中留下了一定量带负电的离子;而N 型半导体中由于电子的流失,使得其中留下了一定量的正离子.由于正负电荷之间的相互作用,使得在交界薄膜中形成了从N 型半导体指向P 型半导体的空间电场.而空间电场的形成使得一部分的空穴与电子沿与扩散相反的方向运动,形成漂移电流.空穴与自由电子的扩散使得空间电场增强,而空间电场的增强却又抑制空穴与电子的扩散,从而,在一段时间之后,扩散电流将与漂移电流达到动态平衡.而在P 型与N 型半导体的两侧则会留下不能自由移动的离子薄层,而这个离子薄层在P 、N 半导体交界面附近所构成的过渡区(空间电荷区), 图1 PN 结 即称为pn 结.2、pn 结的正向压降温度特性根据pn 结理论, pn 结的伏安特性可表达如下:01F qU kT F I I e ⎛⎫=- ⎪⎝⎭(1-1)式中F I 为通过pn 结的正向电流, F U 为其正向电压, 0I 为反向饱和电流; q 为电子的电荷量, T 为绝对温度231.3810/k J K -=⨯是玻尔兹曼常量当正向电压0.1F U V >时, 3.9501FqU kTee ≈≈,故上式可近似为0FqU kTF I I e= (1-2)由式(1-2)得0ln ln FqU kTF I I e=⇒ 0ln ln F F qUI I kT =+又 0gqU kTI BT eγ-=⇒ ()ln ln F F g q I BT U U kT γ=+-ln F g F kT BT U U q I γ⎛⎫=- ⎪⎝⎭(1-3) 式(1-3)即为pn 结两端正向电压与其温度、通过电流之间的关系.其中, g U 为0K 时材料的导带底与价带顶间的电势差, B 是与温度无关的实验常数, T γ是与温度有关的函数项, γ为与热激发所引起的电子迁移率有关的系数.取F I 为一常数,则(1-3)式转化为通过pn 结的电压F U 与pn 结温度T 之间的关系. 对F U 取一阶导数,得ln FF dU k BT q I dTγγ⎛⎫=-+ ⎪⎝⎭ (1-4) FdU dT即代表了F U T -图线的斜率,由(1-4)可以看出, 斜率为负,F U 随温度T 的上升而下降. 对F U 取二阶导数,得22F d U k qT dTγ=- (1-5) 其中,231.3810k -=⨯、191.6010q -=⨯,取 3.4γ=,293.15T =得,262 1.0100F d U k qT dTγ-=-≈⨯→ 即, F U T -图线的斜率可近似认为一常数, F U T -可近似认为是一条直线. 根据(1-3)式ln ln ln F g g F F kT kT kT BT B U U U T q I q I q γγ⎛⎫=-=-- ⎪⎝⎭(1-6) 设,温度为1T 时,电势差为1U1111ln ln g FkT kT BU U T qI qγ=--又 ln ln g F F kTkT BU U T qI qγ-=+得 ()1111ln g g F T kT T U U U U Tq T γ⎛⎫=--- ⎪⎝⎭(1-7) 由上推导可知, F U 应与T 呈线性关系,故设()()11FF U U T U T T T ∂=+-∂()1()gFF U U k U T T T qγ-=---()()11gF F UU T k U T T Tq γ-=--- (1-8)令 ()()11111ln kT T k U U T U T T q q T γγ⎛⎫=-=--+⎪⎝⎭(1-9) 设300T K =、1310T K =,取 3.4γ=可得0.048U mV =,而相应的正向压降则改变了20mV ,差值约为417倍,相比之下,误差甚小.不过当温度变化过大之后F U T -图线的线性误差将有所递增.由于F U 与T 呈很好的线性相关性,故可利用F U 的细微变化来测量当前环境的温度.这也是温敏二极管测温的基本原理.【实验步骤】1、打开pn 结正向压降温度特性实验仪并调节加热电流值为零,记录起始温度.2、将“测量选择”开关调节到F I 档,调节F I 旋钮,使得面板上F I 的值为零.3、将“测量选择”开关调节到F U 档,记下初始时的F U 值.4、将“测量选择”开关调节到U ,调节调零旋钮,使得0U =.5、调节加热电流为0.500A ,并记录所对应的U 和T 值.当U 每改变10mV 时记录一次T 值.直到pn 结温度达到大约100℃为止.6、画出U T -图像,并求被测pn 结正向压降随温度变化的灵敏度()/S mV ℃. 8、估算被测pn 结材料的禁带宽度g g E qU =.9、实验结束,收拾仪器.注意事项1、加热装置的温升不应超过120℃,长期的过热使用,将造成接线老化,甚至脱焊.2、加热电流不应大于0.500A ,若长期使加热电流过大,会使得仪器未来的加热效率变低.3、使用完毕后即应切断电源,以避免长时间加热引起的安全事故.【实验数据整理】表一:-U T 测量数据/U mV0 -10 -20 其中,初始正向电压0667U mV =.【数据处理过程及结论】数据处理1、根据数据,画出U T -图像如下d e t UT通过线性拟合,得到 2.0337.75U T =-+,20.99995R =2、由 2.0337.75U T =-+得到被测pn 结正向压降随温度变化的灵敏度为: 2.03/S mV =-℃.3、被测pn 结材料的禁带宽度()0g g E qU q U S T ==-[667 2.03(18.2273.15)]q =+⨯+ 1.26eV ≈实验结论 1、通过本次实验,测得pn 结两端正向电压与其上的温度变化呈很好地线性关系.判断是因为温度升高导致P 、N 型半导体更容易激发出空穴与自由电子.加正向电压时,由于载流子浓度的上升,使得漂移作用更加明显,pn 结的导电能力增强.宏观上表现为pn 结的电阻降低,故在相同的正向电流F I 下,温度上升将导致pn 结的正向电压F U 下降.故以此推测:由于在温度过高的情况下, pn 结内载流子浓度的迅速增加(温度上升,使得空穴与自由电子的运动速度上升,在一定程度后,它们将有足够的能量撞击半导体分子,使得共价键被破坏,逸出更多的电子),这将导致pn 结的正电压迅速下降,故原理中的线性推导在温度过高时将不在适用,则温敏二极管不能准确测量较高的温度.2、通过本次实验,测得待测pn 结正向压降随温度的变化关系具体可表示为2.0337.75U T =-+其正向电压随温度变化的灵敏度 2.03/S mV =-℃.3、通过本次实验测得被测pn 结材料的禁带宽度 1.26g E eV ≈.。

pn结正向特性的研究实验报告

pn结正向特性的研究实验报告
AD590)均置于铜座B上,
P
连接。
H装在中心管的支座下,其发热部位埋在铜座B的中心柱
加热电源的进线由中心管上方的插孔P
引入,P2和引线(高温导线)与容器绝缘,
P
的专用线与测试仪机壳相连接地,并将被测PN结的温度
测试仪由恒流源、基准电源和显示等单元组成。恒流源有两组,
I
,电流输出范围为0-1000μA连续可调,另一组用于加热,其控温电流
VF1等于T1温度时的TVF值。
3)式可得
r
kTVVTVFgF
11)0( (6)
TT
kTTVVVTTrqkTVVVVFggFgF1
11111)0()0(理想 (7)
7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论
外还包含非线性项Vn1项所引起的线性误差。
T
变为T时,正向电压由VF1变为VF,由(3)式可得
r
FggF
TqkTTTVVVV
111)0()0( (4)
VF应取如下形式:
)(
11TT
VVVFFF理想 (5)
q为电子电荷;k为波尔兹曼常数;T为绝对温度;Is为反向饱和电流,它是一个
PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,可以证明
])0(exp[
qVCTIsgr (2)
C是与结面积、掺质浓度等有关的常数:r也是常数;V
ΔV-T曲线:
V-T曲线
TV曲线的斜率为-2.36628,其误差为0.0025,而相关系数为0.99998
TV曲线的斜率为-2.36247,其误差为0.00443,而相关系数为0.99994
1,说明数据较好。
PN结正向压降随温度变化的灵敏度S=-2.36628±0.0025 mV/℃

大学物理实验PN结正向压降与温度特性的研究实验报告(完整)

大学物理实验PN结正向压降与温度特性的研究实验报告(完整)

PN 结正向压降与温度特性的研究一、实验目的1. 了解PN 结正向压降随温度变化的基本关系式。

2. 在恒流供电条件下,测绘PN 结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN 结材料的禁带宽度。

3. 学习用PN 结测温的方法。

二、实验原理理想PN 结的正向电流I F 和压降V F 存在如下近似关系)exp(kTqV Is I FF = (1) 其中q 为电子电荷;k 为波尔兹曼常数;T 为绝对温度;Is 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,可以证明])0(ex p[kTqV CT Is g r -= (2)(注:(1),(2)式推导参考 刘恩科 半导体物理学第六章第二节)其中C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数:r 也是常数;V g (0)为绝对零度时PN 结材料的导带底和价带顶的电势差。

将(2)式代入(1)式,两边取对数可得11)0(n r F g F V V InT q kT T IcIn q k V V +=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-= (3) 其中()rn F g InT qKTV T Ic In q k V V -=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=11)0(这就是PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式,它是PN 结温度传感器的基本方程。

令I F =常数,则正向压降只随温度而变化,但是在方程(3)中,除线性项V 1外还包含非线性项V n1项所引起的线性误差。

设温度由T 1变为T 时,正向电压由V F1变为V F ,由(3)式可得[]rn F g g F T T q kT T T V V V V ⎪⎪⎭⎫⎝⎛---=1111)0()0( (4) 按理想的线性温度影响,VF 应取如下形式:)(111T T TV V V F F F -∂∂+=理想 (5) TV F ∂∂1等于T 1温度时的T V F ∂∂值。

由(3)式可得r qk T V V T V F g F ---=∂∂111)0( (6) 所以()[]()r T T q kT T V V V T T r q k T V V V V F g g F g F 1111111)0()0(----=-⎥⎦⎤⎢⎣⎡---+=理想(7)由理想线性温度响应(7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论偏差为()r F T T Ln q kT T T r q k V V )(11+--=-=∆理想 (8)设T 1=300°k ,T=310°k ,取r=3.4*,由(8)式可得∆=0.048mV ,而相应的V F 的改变量约20mV ,相比之下误差甚小。

PN结正向压降及温度关系的研究报告实验报告

PN结正向压降及温度关系的研究报告实验报告

PN 结正向压降与温度关系的研究实验报告一、实验目的〔1〕了解PN 结正向压降随温度变化的根本关系,测定PN 结F F V I -特性曲线及玻尔兹曼常数;〔2〕测绘PN 结正向压降随温度变化的关系曲线,确定其灵敏度及PN 结材料的禁带宽度;〔3〕学会用PN 结测量温度的一般方法。

二、实验仪器SQ-J 型PN 结特性测试仪,三极管〔3DG6〕,测温元件,样品支架等。

三、实验原理1.PN 结F F V I -特性及玻尔兹曼常数k 的测量:由半导体物理学中有关PN 结的研究可以得出PN 结的正向电流F I 与正向电压F V 满足以下关系F I =s I 〔e*p kTeV F -1〕⑴ 式中e 为电子电荷量、k 为玻尔兹曼常数,T 为热力学温度,s I 为反向饱和电流,它是一个与PN 结材料禁带宽度及温度等因素有关的系数,是不随电压变化的常数。

由于在常温〔300K 〕下,kT/q=0.026,而PN 结的正向压降一般为零点几伏,所以e*p kTeV F ",1上式括号的第二项可以忽略不计,于是有 kT eV Is I F F exp=⑵ 这就是PN 结正向电流与正向电压按指数规律变化的关系,假设测得半导体PN 结的F F V I -关系值,则可利用上式以求出e/kT.在测得温度T 后,就可得到e/k 常数,将电子电量代入即可求得玻尔兹曼常数k 。

在实际测量中,二极管的正向F F V I -关系虽能较好满足指数关系,但求得的k 值往往偏小,这是因为二极管正向电流F I 中不仅含有扩散电流,还含有其它电流成份。

如耗尽层复合电流.、外表电流等。

在实验中,采用硅三极管来代替硅二极管,复合电流主要在基极出现,三极管接成共基极线路〔集电极与基极短接〕,集电极电流中不包含复合电流。

假设选取性能良好的硅三极管,使它处于较低的正向偏置状态,则外表电流的影响可忽略。

此时集电极电流与发射极—基极电压满足⑵式,可验证该式,求出准确的e/k 常数。

pn结正向特性实验报告

pn结正向特性实验报告

pn结正向特性实验报告一、实验目的1、深入理解 pn 结的正向导电特性。

2、掌握测量 pn 结正向电流与电压关系的方法。

3、通过实验数据,计算 pn 结的正向导通电阻,并分析其变化规律。

二、实验原理pn 结是由 p 型半导体和 n 型半导体接触形成的。

在无外加电压时,pn 结处于平衡状态,扩散电流与漂移电流相等。

当在 pn 结上施加正向电压时,势垒降低,扩散电流大于漂移电流,形成正向电流。

根据半导体理论,pn 结的正向电流$I$ 与正向电压$V$ 之间的关系满足以下方程:\I = I_0 (e^{\frac{qV}{kT}} 1)\其中,$I_0$ 为反向饱和电流,$q$ 为电子电荷量,$k$ 为玻尔兹曼常数,$T$ 为绝对温度。

在常温下($T = 300K$),$kT/q \approx 0026V$,当正向电压$V$ 较大时($V > 01V$),上式可近似为:\I = I_0 e^{\frac{qV}{kT}}\此时,pn 结的正向电流随正向电压呈指数增长。

三、实验仪器与材料1、实验仪器直流电源电流表(微安表或毫安表)电压表可变电阻数字示波器2、实验材料pn 结二极管四、实验步骤1、按实验电路图连接好电路,注意正负极的连接,确保电路连接无误。

2、调节可变电阻,使施加在 pn 结上的正向电压从 0 开始逐渐增加,每次增加一定的电压值(如 01V),记录对应的电流值。

3、当正向电压增加到一定值时(如 1V),停止增加电压,反向调节可变电阻,使电压逐渐减小,记录对应的电流值。

4、重复上述步骤多次,以获取多组数据,提高实验的准确性。

5、实验过程中,使用数字示波器观察 pn 结两端的电压和电流的变化情况。

五、实验数据记录与处理1、实验数据记录|正向电压(V)|正向电流(μA)||::|::|| 000 | 000 || 010 | 050 || 020 | 120 || 030 | 280 || 040 | 650 || 050 | 1200 || 060 | 2100 || 070 | 3500 || 080 | 5800 || 090 | 9500 || 100 | 15800 |2、数据处理(1)根据实验数据,以正向电压为横坐标,正向电流为纵坐标,绘制 pn 结的正向特性曲线。

大学物理实验PN结正向压降温度特性的研究实验报告

大学物理实验PN结正向压降温度特性的研究实验报告

实验题目: PN 结正向压降温度特性的研究实验目的:1.了解PN 结正向压降随温度变化的基本关系式。

2.在恒流供电条件下,测绘PN 结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN 结材料的禁带宽度。

3.学习用PN 结测温的方法。

实验原理:理想PN 结的正向电流S I 和压降F V 存在如下近似关系)exp(kTqV I I FS F = (1) 其中q 为电子电荷;k 为波尔兹曼常数;T 为绝对温度;S I 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,可以证明])0(ex p[kTqV CT I g r S -= (2)其中C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数;r 也是常数;)0(g V 为绝对零度时PN 结材料的导带底和价带顶的电势差。

将(2)式代入(1)式,两边取对数可得11)0(n r F g F V V InT q kT T IcIn q k V V +=-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-= (3) 其中()rn F g InT qKT V T IcIn q k V V -=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=11)0(这就是PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式,它是PN 结温度传感器的基本方程。

令=F I 常数,则正向压降只随温度而变化,但是在方程(3)中,除线性项1V 外还包含非线性项1n V 项所引起的线性误差。

设温度由1T 变为T 时,正向电压由1F V 变为F V ,由(3)式可得[]rF g g F T T Ln q kT T T V V V V ⎪⎪⎭⎫⎝⎛---=111)0()0( (4) 按理想的线性温度影响,F V 应取如下形式:)(111T T TV V V F F F -∂∂+=理想 (5)TV F ∂∂1等于1T 温度时的T V F ∂∂值。

由(3)式可得r qk T V V T V F g F ---=∂∂111)0( (6) 所以()[]()rT T q kT T V V V T T r q k T V V V V F g g F g F 1111111)0()0(----=-⎥⎦⎤⎢⎣⎡---+=理想(7) 由理想线性温度响应(7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论偏差为()r F T TLn q kT T T r q k V V )(11+--=-=∆理想 (8)设K T 3001=,K T 310=,取4.3=r ,由(8)式可得mV 048.0=∆,而相应的F V 的改变量约mV 20,相比之下误差甚小。

实验4.1 PN结正向压降温度特性研究new

实验4.1 PN结正向压降温度特性研究new

先做的同学
先测室温时,正向电压随正向电流的变化关系
VF/V IF/μA VF/V IF/μA VF/V IF/μA 0.350 0.430 0.510 0.360 0.440 0.520 0.370 0.450 0.530 0.380 0.460 0.540 0.390 0.470 0.550 0.400 0.480 0.560 0.410 0.490 0.570 0.420 0.500 0.580
再测55度时,正向电压随正向电流的变化关系
VF/V 0.240 0.250 0.260 0.270 0.280 0.290 0.300 0.310 0.320 0.330 0.340 IF/μA VF/V 0.350 0.360 0.370 0.380 0.390 0.400 0.410 0.420 0.430 0.440 0.450 IF/μA 按上表调整PN结实验仪的正向电流调节旋钮,设置VF值,再记录电流值。 正向电流表显示值超过“1000”,要改用大一档量程,IF=显示值*量程。


只要测出正向电压的大小,就可得知此时的温度, 这就是PN结测温的依据。
若温度保持不变,则可以测量出PN结的正向电压与 正向电流间的变化关系。

实验原理

3.PN结温度传感器灵敏度和禁带宽度
k C S ln q IF 为PN结温度传感器灵敏度
k C VF Vg(0) ( ln ) T Vg(0) ST q IF
按上表调整PN结实验仪的正向电流调节旋钮,设置VF值,再记录电流值。 正向电流表显示值超过“1000”,要改用大一档量程,IF=显示值*量程。
再测正向电流恒定时,正向电压随温度的变化关系
t/oC VF/V 调整正向电流IF =80µ A,设置温度约为103 oC, 打开温控仪加热电流,并调整到合适值,使温度缓慢上升,记录VF。 切记测量结束,不要关闭加热电流,留待后面的同学使用。 30.0 35.0 40.0 45.0 50.0 55.0 60.0 65.0 70.0 75.0

大学物理实验报告 PN结的温度特性的研究及应用

大学物理实验报告 PN结的温度特性的研究及应用

大学物理实验报告 PN结的温度特性的研究及应用得分教师签名批改日期深圳大学实验报告课程名称: 大学物理实验(三)实验名称: pn结的温度特性的研究及应用学院:组号指导教师:报告人: 学号: 班级:实验地点实验时间:实验报告提交时间:1一、实验设计方案1、实验目的了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。

在工作电流恒定的情况下,测绘PN结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。

设计用PN结测温的方法。

2、实验原理2.1 、PN结正向压降和工作电流、及所处的温度的关系:PN 结正向压降和工作电流、及所处的温度的基本函数关系如下:,,KcKT, ----------(1) 0lnlnVVTTVV,,,,,,,,,,,FgLNLqIqF,,其中: 导带,19q,,1.610C,为电子的电荷。

禁带EeV,gF-23-1,K=1.38×10JK,为玻尔兹曼常数,价带T――绝对温度。

图1 半导体的能带结I――PN结中正向电流。

f构γ 是热学中的比热容比,是常数。

V(0)是绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。

(半导体材料的能带理论中,把未g排满电子的能量区域称作价带,空着的能量区域叫导带,不能排列电子的能量区域叫禁带,如图1所示。

E叫禁带宽度.) g,,KTKc,,lnVT 其中,是线性项。

是非线性相。

0lnVVT,,,,,,NL,,LgqqIF,,非线性项较小,(常温下)可忽略其影响,在恒流供电条件下PN结的V对T的依赖关系F取决线性项,即正向压降几乎随温度升高而线性下降。

2.2、PN结测温的方法如果PN结正向压降在某一温度区域和温度变化恒定电流I F成线性关系,就可以利用这一特性将它作为温度传感器的转换探头,原理如图2所示。

将PN结做成的温度探头放在待温度显示结电压V F测环境中,通以恒定电流,温度变化可以引起结电压变化,图2 PN结测温原理测量结电压,将它转换成温度显示,从而达到测量温度的目的。

pn结正向特性的研究实验报告

pn结正向特性的研究实验报告

pn结正向特性的研究实验报告pn 结正向特性的研究实验报告实验目的:1) 了解PN 结正向压降随温度变化的基本关系式。

2) 在恒流供电条件下,测绘PN 结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测PN 结材料的禁带宽度。

3) 学习用PN 结测温的方法。

实验原理:理想PN 结的正向电流I F 和压降V F 存在如下近似关系 )exp(kTqV Is I FF = (1)其中q 为电子电荷;k 为波尔兹曼常数;T 为绝对温度;Is 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,可以证明 ])0(ex p[kTqV CT Is g r-= (2)其中C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数:r 也是常数;V g (0)为绝对零度时PN 结材料的导带底和价带顶的电势差。

将(2)式代入(1)式,两边取对数可得 11)0(n r F g F V V InT q kT T I cIn q k V V +=--= (3)其中()rn F g InT qKTV T IcIn q k V V -=???? ??-=11)0(这就是PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式。

令I F =常数,则正向压降只随温度而变化,但是在方程(3)中,除线性项V 1外还包含非线性项V n1项所引起的线性误差。

设温度由T 1变为T 时,正向电压由V F1变为V F ,由(3)式可得 []rn F g g F T T q kT T T V V V V---=1111)0()0( (4)按理想的线性温度影响,VF 应取如下形式:)(111T T TV V V F F F -??+=理想(5) TV F ??1等于T 1温度时的T V F ??值。

由(3)式可得 r qk T V V T V F g F ---=??111)0( (6)所以()[]()r T T q kT T V V V T T r q k T V V V V F g g F g F 1111111)0()0(----=----+=理想(7)由理想线性温度响应(7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论偏差为()r F T TLn q kT T T r q k V V )(11+--=-=?理想(8)设T 1=300°k ,T=310°k ,取r=3.4*,由(8)式可得?=0.048mV ,而相应的V F 的改变量约20mV ,相比之下误差甚小。

pn结正向特性实验报告

pn结正向特性实验报告

pn结正向特性实验报告一、实验目的pn 结是半导体器件的核心结构之一,了解其正向特性对于深入理解半导体物理和电子学具有重要意义。

本实验的目的在于:1、测量 pn 结在不同正向电压下的电流,绘制电流电压(IV)特性曲线。

2、确定 pn 结的导通电压和正向电阻。

3、探讨温度对 pn 结正向特性的影响。

二、实验原理pn 结是由 p 型半导体和 n 型半导体接触形成的。

在无外加电压时,由于扩散和漂移运动达到平衡,形成了一个内建电场。

当施加正向电压(p 区接正,n 区接负)时,内建电场被削弱,扩散运动加强,电流随电压增大而迅速增加。

根据理想 pn 结模型,电流与电压满足以下关系:\I = I_{S}(e^{\frac{qV}{kT}} 1)\其中,\(I\)是通过 pn 结的电流,\(I_{S}\)是反向饱和电流,\(q\)是电子电荷量,\(V\)是外加电压,\(k\)是玻尔兹曼常数,\(T\)是绝对温度。

在实际情况中,由于存在串联电阻等因素,pn 结的正向特性会有所偏离理想情况。

三、实验仪器与材料1、半导体特性测试仪2、恒温箱3、硅 pn 结样品四、实验步骤1、连接实验仪器,将 pn 结样品正确接入测试电路。

2、设定测试温度为室温,逐步增加正向电压,测量对应的电流值,记录数据。

3、改变温度,分别在不同温度下(如 50℃、100℃等)重复上述测量步骤。

五、实验数据与分析1、室温下的 IV 特性曲线绘制室温下测量得到的 pn 结正向电流与电压的关系曲线。

从曲线中可以看出,在电压较低时,电流增长缓慢;当电压超过一定值(导通电压)后,电流迅速增大。

通过曲线拟合,可以确定导通电压约为07V。

2、不同温度下的 IV 特性曲线在不同温度下进行测量,得到的 IV 特性曲线有所不同。

随着温度升高,导通电压降低,电流增大。

这是因为温度升高会导致载流子浓度增加,扩散运动加剧。

3、正向电阻的计算根据 IV 曲线,在不同电压下计算 pn 结的正向电阻。

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pn 结正向特性的研究实验报告
实验目的:
1) 了解PN 结正向压降随温度变化的基本关系式。

2) 在恒流供电条件下,测绘PN 结正向压降随温度变化曲线,并由此确定其灵敏度和被测
PN 结材料的禁带宽度。

3) 学习用PN 结测温的方法。

实验原理:
理想PN 结的正向电流I F 和压降V F 存在如下近似关系 )exp(
kT
qV Is I F
F = (1) 其中q 为电子电荷;k 为波尔兹曼常数;T 为绝对温度;Is 为反向饱和电流,它是一个和PN 结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,可以证明 ])0(ex p[kT
qV CT Is g r
-
= (2)
其中C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数:r 也是常数;V g (0)为绝对零度时PN 结材料的导带底和价带顶的电势差。

将(2)式代入(1)式,两边取对数可得 11)0(n r F g F V V InT q kT T I c
In q k V V +=-⎪⎪⎭
⎫ ⎝⎛-= (3) 其中
()
r
n F g InT q
KT
V T I
c
In q k V V -=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=11)0(
这就是PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式。

令I F =常数,则正向压降只随温度而变化,但是在方程(3)中,除线性项V 1外还包含非线性项V n1项所引起的线性误差。

设温度由T 1变为T 时,正向电压由V F1变为V F ,由(3)式可得 []
r
n F g g F T T q kT T T V V V V ⎪⎪⎭

⎝⎛---=111
1)0()0( (4) 按理想的线性温度影响,VF 应取如下形式:
)(11
1T T T
V V V F F F -∂∂+
=理想 (5) T
V F ∂∂1
等于T 1温度时的T V F ∂∂值。

由(3)式可得 r q
k T V V T V F g F ---=∂∂111
)0( (6) 所以
()[]
()r T T q k
T T V V V T T r q k T V V V V F g g F g F 1111111)0()0(----=-⎥⎦⎤⎢⎣
⎡---+=理想 (7)
由理想线性温度响应(7)式和实际响应(4)式相比较,可得实际响应对线性的理论
偏差为()r F T T
Ln q kT T T r q k V V )(1
1+--
=-=∆理想 (8) 设T 1=300°k ,T=310°k ,取r=3.4*,由(8)式可得∆=0.048mV ,而相应的V F 的改变量约20mV ,相比之下误差甚小。

不过当温度变化范围增大时,V F 温度响应的非线性误差将有所递增,这主要由于r 因子所致。

综上所述,在恒流供电条件下,正向压降几乎随温度升高而线性下降,可以改善线性度的方法大致有两种:
1、对管的两个be 结分别在不同电流I F1,I F2下工作,由此获得两者电压之差(V F1- V F2)与温度成线性函数关系,即2
121F F F F I I In q kT V V =
- 由于晶体管的参数有一定的离散性,实际与理论仍存在差距,但与单个PN 结相比其线性度与精度均有所提高。

2、利用函数发生器,使I F 比例于绝对温度的r 次方,则V F —T 的线性理论误差为∆=0。

四、实验装置
实验系统由样品架和测试仪两部分组成。

样品架的结构如图所示,
其中A为样品室,是一个可卸的筒状金属容器,筒盖内设橡皮0
圈盖与筒套具相应的螺纹可使用两者旋紧保持密封,待测PN结样
管(采用3DG6晶体管的基极与集电极短接作为正级,发射极作为
负极,构成一只二极管)和测温元件(AD590)均置于铜座B上,
其管脚通过高温导线分别穿过两旁空芯细管与顶部插座P1连接。

加热器H装在中心管的支座下,其发热部位埋在铜座B的中心柱体内,加热电源的进线由中心管上方的插孔P2引入,P2和引线(高温导线)与容器绝缘,容器为电源负端,通过插件P1的专用线与测试仪机壳相连接地,并将被测PN结的温度和电压信号输入测试仪。

测试仪由恒流源、基准电源和显示等单元组成。

恒流源有两组,其中一组提供I F,电流输出范围为0-1000μA连续可调,另一组用于加热,其控温电流为0.1-1A,分为十档,逐档递增或减0.1A,基准电源亦分两组,一组用于补偿被测PN 结在0℃或室温T R时的正向压降V F(0)或V F(T R),可通过设置在面板上的“∆V调零”
电位器实现∆V=0,并满足此时若升温,∆V<0;若降温,则∆V>0,以表明正向压降随温度升高而下降。

另一组基准电源用于温标转换和校准,因本实验采用AD590温度传感器测温,其输出电压以1mV/°k正比于绝对温度,它的工作温度范围为218.2—423.2°k (即-55—150℃),相输出电压为218.2—423.2mV。

要求配置412位的LED显示器,为了简化电路而又保持测量精度,设置了一组273.2mV(相当于AD590在0℃时的输出电压)的基准电压,其目的是将上述的绝对温标转换成摄氏温标。

则对应于-55—150℃的工作温区内,输给显示单元的电压为-55—150mV。

便可采用量程为±200.0mV的31/2位LED显示器进行温度测量。

另一组量程为±1000mV的31/2位LED显示器用于测量I F,V F和∆V,可通过“测量选择”开关来实现。

实验步骤:
1)打开测试仪电源,将开关K拨到I F,由“I F调节”使I F=50μA。

2)将K拨到V F,记下初始温度T和对应V F(0)的值。

将K置于∆V,由“∆V调零”使
∆V=0。

3)开启加热电源,逐步提高加热电流,当∆V每改变10 mV读取一组∆V、T,记录18组
实验数据。

4)关闭加热电流,在降温条件下重复上述操作,记录数据。

5)整理实验仪器。

数据处理与误差分析:
实验测量数据如下:
实验起始温度T S=26.0℃
工作电流 I F=50μA
起始温度为T S时的正向压降V F(T S)=609mV
表一:实验数据表利用ORINGIN,将升温和降温过程分别作图:
升温过程ΔV-T曲线:
ΔV-T曲线
图像数据
降温过程ΔV-T曲线:
ΔV-T曲线
图像数据
由上图数据可知:
升温时T V -∆曲线的斜率为-2.36628,其误差为0.0025,而相关系数为0.99998 降温时T V -∆曲线的斜率为-2.36247,其误差为0.00443,而相关系数为0.99994 两次所作图像的相关系数都非常接近1,说明数据较好。

在升温过程中PN 结正向压降随温度变化的灵敏度S=-2.36628±0.0025 mV/℃ 禁带宽度 E g (T S
)=
[V V T S T V V S F gv 255.1]1000/)2.273()36628.2(609.0)(=-⨯-+=∆⋅+=
与公认值1.21比较有
%7.321
.1|21.1255.1|)(|)()(|)(=-=-=∆
S S S g S T E T E T E T E
在降温过程中PN 结正向压降随温度变化的灵敏度S=-2.36247±0.00443 mV/℃ 禁带宽度 E g (T S )
=
V V T S T V V S F gv 254..1]1000/)2.273()36247.2(609.0[)(=-⨯-+=∆⋅+=
与公认值1.21比较有
%6.321
.1|21.1254.1|)(|)()(|)(=-=-=∆
S S S g S T E T E T E T E
误差分析:
升温和降温过程得到的灵敏度、禁带宽度很接近,但由于实验过程中温度变化比较快,不能准确记录温度,
使得禁带宽度与公认值差距较大,同时温度的测量精度比较低也增大了误差。

思考题:
1. 测V F (0)或V F (T R )的目的何在?为什么实验要求测∆V —T 曲线而不是V F —T 曲线。

答:测量V F (0)或V F (T R )是为了能根据公式计算出在相应温度下的禁带宽度。

V F —T 曲线不利于读数而,实验中测量∆V —T 曲线使∆V 每改变-10mv 记录一组数据相对方便。

.
2. 测∆V —T 曲线为何按∆V 的变化读取T ,而不是按自变量T 取∆V 。

答:实验过程中T 的变化相对比较快,并且变化不稳定,容易造成较大的误差。

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