ML 制造流程介绍说课讲解

D.黑氧化處理(Black/Brown Oxide Treatment)
D-1.氧化反應:( 產生Cu O )
目的:a.增加與樹脂接觸的表面積及附著力( Bonding Adhesion)
b.增加銅面對樹脂流動之潤濕性(各死角流入及硬百度文库後抓地力)
c.在裸銅表面產生一層緻密的純化層( Passivation)以阻絕高溫下液態
二、多層印刷電路板的製造工程(MASS-LAM)
3-1.基板與黏合片(P/P)原材料
3-1-1.構成要素:銅箔、玻璃纖維布、樹脂..等
3-1-2.製造方法:CCL 、P/P之製造方法
3-2.多層印刷電路板製造流程:見附圖 P5
製前準備:
製
a.客戶使用者 工
前
CAD
作
審
迴路設計
CAM
底
查
CAT
片
準
備 原始底片
絕緣基板(thin core) LAMINATION 壓膜or其印刷方式
乾膜阻劑
Exposure 照光,曝光經由工作底片 工作底片 銅箔絕緣基板
乾膜阻劑
b-1-5.顯影,蝕刻,剝膜(D.E.S) 顯影 :定義:將曝光完成之基板其光阻劑未有UV光硬化之部位以顯影液沖
洗出並徹底洗淨基板表面謂之。 控制:藥液濃度%比率,膜含量控制,S/P ,T °C, 顯影點(break point)
CuCl2蝕刻反應式
Cu ° +Cu2+
2Cu+
Cu ° +H2CuCl4+2HCl
2H2CuCl3
Cu ° +H2CuCl4
H2CuCl3+Cu Cl
Cu Cl+2HCBl
H2阻Cu劑Cl3
Etching
Facto控r: 制:蝕銅刻線速路度,T
°C, 比重(銅含量),HCl,H2O2濃度控制
蝕刻因A子 ( e/f值)
D
D/C示意圖
C
基板
剝膜：俗稱“去膜”亦就是將抗蝕刻之光阻劑在此將其去除掉並同洗淨烘 乾
銅箔表面待下一工程站。 剝膜在PCB製程中有2個 Step會使用: 一是內層或外層酸性蝕刻後之D/F或油墨去除; 另一是外層線路蝕刻前D/F除去(鹼性蝕刻液使用場合)。 使用剝膜液通常為 Na OH或 KOH,以Na OH為最普遍且成本較低。 外層蝕刻剝膜液選擇宜謹慎(酸性蝕刻液)文獻指出K(鉀)會攻擊錫!
resin中胺類Amine對銅面的影響。
D-2.還原反應: (Post dip ping process),TUC目前為黑化反應並加後予浸方式。
目的:增加氧化層的抗酸性,並剪經絨毛高度到適當水準;以減少絨毛過長
在壓合後及後製程被藥液之攻擊可能性。
D-3.氧化處理之反應式:
Cu ° +Cu O2
Cu2O+ClO3+ Cl-
ML 制造流程介绍
一、 PWB的歷史
a.1940年代之前,PWB製造技術開始普遍,通信機器或收音機的配線－銅線黏貼於 石蠟上;成了現今PCB的機構雛型。
b.1927年,用印刷方式在玻璃或陶瓷基板上造成電路的構想,之後以絕緣樹脂基板 開發成功後才具體化。
c.1936年,英國的艾斯拉首倡現在這種全面覆蓋著金屬箔的絕緣基板,塗上耐蝕刻 油墨後再將不需要的金屬箔蝕刻去掉減除法,PWB基本製造技術。
Gerber file
a-1.行銷員向客戶取得 工單or製作仕樣書
Gerber file
必要時會同工程、品保人員
Check 片
洽談工程製作規範及品質檢驗允收規範。
a-2.工程部製前製作內容資料審查CAM編輯、廠內製作工單、工作底片繪制
轉至生產部門。
CAD/CAM
下料尺寸 Art work NC Drilling Program NC Routing Program
Cu2O +2CuO2
Cu O+ClO3 + Cl-
Cu2O +H2O
Cu(OH)2+Cu2+
金屬銅與亞氯酸75~納80反°C以應上C先u 生(O成H)中2 間體氧化亞C銅u COu+2HO2,O再進一步反應為
外層阻劑為錫鉛共金屬化合物。
C .AOI檢查工程: C-1.檢測前之準備工作: C-1-1.AOI掃描機參數設定 C-1-2.基板掃描固定孔 CCD破靶
C-2.AOI檢查台掃描、VRS人工目視
C-3.直接人工目視
C-4.不良品補修正確認處置
C-5.AOI機台檢測有其極限:細斷路及漏電Leakage很難完全找出。
b-1-2.內層銅面處理:機械研磨粗糙度(厚度28mil以上)不織布校正整平。 化學研磨粗糙度(厚度28mil以下)當槽度,微蝕速度..等 乾燥溫度表面孔內乾燥必要。
b-1-3.內層壓膜:定義:將曝光阻劑貼付在待產基板銅面上並使其加熱產生 熱 反應,附著在銅面上 。
控制:壓膜S/P ,T °C ,Pressure ,滾輪清潔度…等。
b-1-4.曝光作業:定義:將壓膜完成之基板經由UV光照射使其產生光化學反 應
達到影像轉移到阻劑上(乾膜)謂之曝光 。 控制:曝光能量(m j/cm2) 真空度,對位精準度( film與基板,層
與 層間),同心圓設計,Multi line蝕後沖孔…對位系統考
量。
參照 P8 曝光機構示意圖
UV照光機構示意圖
d.1953年,日本在PWB實用化。收音機…等民生用品
e.1960年之後,日本開始採用貫孔鍍銅雙面板製造技術電子計算機,週邊佟端機
f.1964年,日本電信電話公社引進美國1960已實用化的ML-PWB製造技術,用於電 子計算機及電子交換機…等。
g.1964年以後至今,除了絕緣材料特性改變外,尺寸穩定性、 耐電蝕性、 銲錫耐熱 性、 防燃性等綜合檢討,最後到目前使用的Glass fiber Copper Clad Laminated boards 。
a-3.製前設計流程: 客戶資料提供
資料審查
著手設計
Process Flow Design 操作參數條件指示
規格定義 製作流程定義 材料使用定義
Too Ling
AOI 檢查 電測設計 生產工程圖
(模治具)
b.內層板線路轉移AOI檢查:
b-1.製作流程注意事項要點:
b-1-1.裁板投料: 發料尺寸確認 基板銅厚確認
維
持 50~70%…等重點。
蝕刻:乾膜光阻劑經顯像後無阻劑部位即被所謂蝕刻液咬蝕去銅,即形成
所需要之回路謂之。
蝕刻液常見可分為兩種:一是酸性氧化銅( CuCl2)蝕刻液 一是鹼性氨水( NH4Cl)蝕刻液
乾膜(P/F)或油墨作為蝕刻阻劑且具抗酸,一般大部份選擇酸性蝕刻
液。
在外層蝕刻製程,可選擇酸性或鹼性氨水蝕刻液。