拉晶工艺及操作规程共37页
拉晶工艺流程
拉晶工艺流程
引晶放肩转肩等径收尾
（１）引晶前找准引晶温度。
引晶过程中温度偏高偏低需调节时可通过温校速率,尽量避免在SP上进行操作,以免影响加热功率的过大变化。
细晶长度要求在120-150mm之间。
细晶直径3-4mm引晶时间控制在1小时左右较适宜。
（２）放肩是一降温过程。
引晶完毕后拉速降至0.4.操作工需根据引晶时炉内温度和放肩生长情况酌情降温.降温时也需在温校速率上来执行,一般控制在-1度至-5度。
也可酌情增加,若放肩过程中＂肩＂变方．立刻温校速率清零．如仍继续变方可提升拉速．拉速不易超过０.８。
（３）转肩：当通过测镜仪测得＂肩＂直径达到１４９提校速０．８至１。
直径１５０至１５１提开校速１至１．５。
直径为１５１至１５３提升校速到１．５至３观察光圈．光圈开始收缩，即可降低拉速（缓慢）直至降到等晶启始拉速１．１。
对取光孔压光圈３分之１处，计长清零，投入各项自控。
转肩完毕。
（仅适用于平肩转肩）
（４）等径生长过程中，操作人员需时刻注意炉内情况，定期和不定期的测量晶体直径．做好详细的晶体生长记录．
等径过程中发现晶体有扭曲、变形情况时，若确定晶棒结构完整，晶线存在，可通过降低校速，提升温度来进行补救，
（５）收尾时由于坩埚内料少，易结晶所以开始收尾时就需提高温校速率．发现有结晶现象可降低埚转，同时提升温校速率。
初学者在收尾时要仔细观察光圈的变化情况。
适宜保持有１至２mm的可见光圈下进行收尾，尾长控制在１５０mm内。
拉晶工艺流程
直拉单晶操作规程拉晶工艺流程包括拆炉清炉清理石墨件装炉抽空熔硅料引晶放肩转肩投自动等径收尾停炉1.拆炉:准备好不锈钢推车，（车面保持干净）专用擦试布，无水乙醇及相应的工具。
先拧开副室门螺丝,打开副室氩气阀门充气,待真空表压力到零位置时,炉内外气压平衡,开启副室门,把晶棒升至副室内, 升起副室炉筒,转副室炉筒时必须把托盘移至副室以下,防止晶棒脱落.然后旋转副室移至取晶框上,稳定晶棒后,快降晶体至取晶框内.待晶棒与接晶框落稳后，然后带手套抓住细颈稍带点力向下攥,用钳子把细颈剪断,再慢慢松细颈，直至钢丝绳搞正完全消失（防止钢丝绳转圈导致钢丝绳开叉），查看一下钢丝绳是否完好，如开叉或断股要剪掉一段，必要时需更换新钢丝绳。
检查重锤表面是否有氧化层，如有，必须用细砂纸打磨干净，然后带好专用手套取出导流筒,保温盖,三瓣埚,石墨托盘,托杆,送至清石墨件房,待自然冷却后进行清理,特别注意托杆上有无硅点情况,(防止没有清理干净,与托杆护套摩擦在拉晶过程中液面抖动.)2.清炉与清石墨件:清理炉子的副室炉筒,小副室,炉盖,炉筒,用长纤维纸,酒精把以上部位全部擦拭干净,做到长纤维纸擦拭过后无污迹。
每炉必清排气口,以免造成排气口堵塞,挥发物过多;用吸尘器吸干净保温罩与加热器上下的挥发物,吸净碳毡上的毡毛。
需保证在晶体的生长过程中尽量避免不起毛，无挥发物等杂质进入料中。
清理石墨件的时候必须注意观察石墨埚的厚度，能不能达到要求，是否有裂纹等。
把石墨件上的挥发物与一些杂质清理干净。
若石墨件上溅有硅料，应用什锦挫或细沙布打磨除去，必要时用砂轮机打磨。
注意：清理石墨件的时候必须注意轻拿轻放，防止造成内裂！3.装炉：安装石墨件时各部位应相互吻合牢固，发现异常及时进行修正，打开埚转，观察石墨埚转动是否平稳，四周与加热器的间距是否匀称，检查取光孔是否对准，检查与钢丝绳软轴是否有异常。
装炉应按其程序规范操作：原料准备检查石英坩埚打开原料袋去掉外层塑料袋，然后准备装炉。
拉晶工艺流程
直拉单晶操作规程拉晶工艺流程包括拆炉清炉清理石墨件装炉抽空熔硅料引晶放肩转肩投自动等径收尾停炉1.拆炉:准备好不锈钢推车，（车面保持干净）专用擦试布，无水乙醇及相应的工具。
先拧开副室门螺丝,打开副室氩气阀门充气,待真空表压力到零位置时,炉内外气压平衡,开启副室门,把晶棒升至副室内, 升起副室炉筒,转副室炉筒时必须把托盘移至副室以下,防止晶棒脱落.然后旋转副室移至取晶框上,稳定晶棒后,快降晶体至取晶框内.待晶棒与接晶框落稳后，然后带手套抓住细颈稍带点力向下攥,用钳子把细颈剪断,再慢慢松细颈，直至钢丝绳搞正完全消失（防止钢丝绳转圈导致钢丝绳开叉），查看一下钢丝绳是否完好，如开叉或断股要剪掉一段，必要时需更换新钢丝绳。
检查重锤表面是否有氧化层，如有，必须用细砂纸打磨干净，然后带好专用手套取出导流筒,保温盖,三瓣埚,石墨托盘,托杆,送至清石墨件房,待自然冷却后进行清理,特别注意托杆上有无硅点情况,(防止没有清理干净,与托杆护套摩擦在拉晶过程中液面抖动.)2.清炉与清石墨件:清理炉子的副室炉筒,小副室,炉盖,炉筒,用长纤维纸,酒精把以上部位全部擦拭干净,做到长纤维纸擦拭过后无污迹。
每炉必清排气口,以免造成排气口堵塞,挥发物过多;用吸尘器吸干净保温罩与加热器上下的挥发物,吸净碳毡上的毡毛。
需保证在晶体的生长过程中尽量避免不起毛，无挥发物等杂质进入料中。
清理石墨件的时候必须注意观察石墨埚的厚度，能不能达到要求，是否有裂纹等。
把石墨件上的挥发物与一些杂质清理干净。
若石墨件上溅有硅料，应用什锦挫或细沙布打磨除去，必要时用砂轮机打磨。
注意：清理石墨件的时候必须注意轻拿轻放，防止造成内裂！3.装炉：安装石墨件时各部位应相互吻合牢固，发现异常及时进行修正，打开埚转，观察石墨埚转动是否平稳，四周与加热器的间距是否匀称，检查取光孔是否对准，检查与钢丝绳软轴是否有异常。
装炉应按其程序规范操作：原料准备检查石英坩埚打开原料袋去掉外层塑料袋，然后准备装炉。
拉晶工艺流程
直拉单晶操作规程拉晶工艺流程包括拆炉清炉清理石墨件装炉抽空冲氩气熔硅料引晶放肩转肩投自动等径收尾停炉1.拆炉:先拧开副室门螺丝,打开副室氩气阀门充气,待真空表压力到零位置时,炉内外气压平衡,开启副门,把晶棒升至副室内, 升起炉筒,转炉筒时必须把托盘移至副室以下,防止晶棒脱落.然后旋转副室移至取晶框上,稳定晶棒后,快降晶体至取晶框内.然后带手套抓住细径,用钳子把细径剪断,(防止钢丝绳转圈后松开.)然后取出导流筒,保温盖,三瓣埚,石墨托盘,托杆,送至清石墨件房,待自然冷却后进行清理,特别注意托杆上有无硅点情况,(防止没有清理干净,与托杆护套摩擦在拉晶过程中液面抖动.)2.清炉与清石墨件:清理炉子的副室炉筒,小副室,炉盖,炉筒,用长纤维纸,酒精把以上部位全部探擦拭干净,做到长纤维纸擦拭过后无污迹,清排气口,以免造成排气口堵塞,挥发物过多;用吸尘器吸干净保温罩与加热器上下的挥发物,吸净碳毡上的毡毛。
需保证在晶体的生长过程中尽量避免不起毛，无挥发物等杂质进入料中。
清理石墨件的时候必须注意观察石墨埚的厚度，能不能达到要求，是否有裂纹等。
把石墨件上的挥发物与一些杂质清理干净。
注意：清理石墨件的时候必须注意轻拿轻放，防止造成内裂！3.装炉：炉前人员必须检查核对所装炉的原料与母合金，是否准确无误。
检查石英埚，保证无大量气泡群，无损伤，内表面无黑点。
把石墨件按次序装入炉内，穿好防尘服，戴好防尘帽，戴上棉手套与一次性手套，把坩埚装入石墨埚内，给上埚转，观察坩埚是否水平，保证水平的情况下才能装炉。
装料时必须轻拿轻放，先在底部平铺一些小硅料，然后把一些大块的料轻放在中间，在把一些小料放在大块料的中间，填大料缝隙。
避免小料与坩埚接触面积过大，这样容易造成料粘埚边上导致石英埚变形。
把硅料装好后，在把导流筒用长纤维纸与酒精擦拭一边。
给上埚转后把埚降至化料埚位。
然后装入导流筒，避免与硅料的接触。
检查无误后，擦净主炉室，副炉室，小副室的密封圈面，然后合上炉盖与副室，稳定籽晶后关上副室门。
拉晶工艺及操作规程
拉晶工艺及操作规程一、拉晶工艺概述拉晶工艺是一种通过机械力和热力将晶体材料进行拉伸，使其形成具有特定形状和尺寸的晶体产品。
拉晶工艺广泛应用于半导体行业，用于制备各种电子元器件的晶体材料，如硅晶片、蓝宝石晶片等。
本文将介绍一般的拉晶工艺及操作规程。
二、拉晶工艺步骤1.材料准备：准备好待拉伸的晶体材料，并保证其表面平整、无杂质。
2.模具设计与制备：根据产品的形状和尺寸要求，设计并制备合适的模具。
3.熔炉预热：将晶体材料放入预热炉中，将温度逐渐升高到合适的拉晶温度。
4.拉晶操作：将预热好的晶体材料放入模具中，通过拉伸装置施加机械力，同时利用加热装置对晶体材料进行加热，使其变得可塑性，然后通过拉伸装置进行拉伸，直至达到要求的形状和尺寸。
5.冷却固化：将拉制好的晶体产品放入冷却装置中进行冷却，使其固化和稳定形状。
6.产品处理：对拉晶产品进行去毛刺、抛光和清洗等处理，使其表面光滑、无毛刺。
三、拉晶操作规程1.安全措施：在操作前，要确保操作人员熟悉和掌握操作规程，佩戴好必要的个人防护用品，如防护眼镜、手套等。
确保操作场所通风良好，避免发生意外。
2.设备检查：操作前要对拉晶设备进行检查，确保设备正常运行，并进行必要的维护和保养。
3.温度控制：在拉晶过程中，要根据晶体材料的特性和产品要求，严格控制加热和冷却装置的温度，以避免过热或过冷导致晶体材料的损坏。
4.机械力控制：拉晶过程中，要根据产品的形状和尺寸要求，合理设置拉伸装置的机械力，避免过高或过低的拉力导致晶体材料的破损或形状失控。
5.模具使用：使用合适的模具，并确保模具表面光滑和清洁，以避免模具对晶体材料造成划伤或损坏。
6.操作记录：进行拉晶操作时，要及时记录操作参数和过程，以备后续分析和参考。
四、安全注意事项1.拉晶过程中产生高温，请避免操作人员直接接触加热和冷却装置，以免烫伤。
2.拉晶设备涉及高压和高温，需要由专业人员操作和维护，禁止未经培训和授权的人员接近和操作设备。
直拉单晶操作规程
直拉单晶操作规程操作规程一、拆炉1: 准备确认停炉冷却时间达5h，准备好钳子及取晶筐，向炉内充Ar气，确认炉内为常压时，副室门打开，关闭Ar 流量计启动液压，升起副室筒，稳住晶体轻推左旋副室，晶体筐对准副室筒口，按下晶快降速按钮。
将晶体安全降入筐内，手扶籽晶夹头，用钳子将细颈处剪断，手扶夹头，待钢丝绳拧力全部消失后取籽晶，重锤升进副室内启动液压升起炉盖。
左旋至副室筒下。
2: 炉子清扫2—1戴好工作帽，口罩及专用手套，准备好酒精,吸尘器，无尘纸及放石墨件的不锈钢车。
2—2 依次取出导流筒及上保温盖，先取掉热偶升起主炉室向右旋出，取出上保温筒石英坩锅及埚底料，并放入到不锈钢桶内到指定的地方，锅底料应写清炉号及炉次。
注意：1：石墨件不能用手接触。
2：小心锋利的石英锅碎片和锅底料扎伤手指。
3：石英碎片和锅底料渣不要掉入轴波纹管及加热器缝隙内。
2—3 每炉必须在取下晶棒后及时清理过滤罐、过滤网， 3炉大清炉，每炉管道。
注意：清理过滤罐和管道，具有自燃的现象不能造成人生事故和将密封圈烧坏的现象，所以拆除的地方必须用酒精擦净密封圈并装好。
保证密封圈的完好。
2—4 戴好一次性手套，采取自上而下的原则，清扫副室筒及炉盖，用专用工具沾上酒精，一圈一圈的仔细擦拭副炉筒。
注意：长棍不要和钢丝绳绕在一起，用纸巾沾上酒精擦炉盖顶上密封圈及翻板阀，密封圈并保证密封较进槽无误。
2—5主炉清扫戴好一次性手套用吸尘器与毛刷先刷净附着在主炉室的挥发物，吸净加热器托盘，炉底。
注意：加热器电极螺丝是否松动，炉底排气孔是否畅通。
用沾有酒精的纸巾把主炉室及密封圈擦拭干净。
2—6石墨件的清扫吸净导流筒，保温罩，三瓣埚，用纸巾沾少量的酒精反复擦拭直至无污物。
2—7石墨件的装炉(1) 埚杆装好后要拧紧螺丝，埚杆要平稳无跳动。
(2) 三瓣埚装入后要平稳2—8检查真空泵油位是否在2/3处2—9检查真空泵油是否干净二、装炉1: 准备戴好口罩，帽子，打开石英埚包装，取出石英埚，对光。
单晶硅拉晶工艺流程
单晶硅拉晶工艺流程
单晶硅拉晶工艺流程包括以下步骤：
1. 制备硅源料：将高纯度硅块粉末通过气相淀积法制备成高纯度多晶硅棒。
2. 准备单晶硅生长炉：单晶硅生长炉是用来在高温高压下使多晶硅棒逐渐形成单晶硅。
3. 装棒：将多晶硅棒放入单晶硅生长炉的炉膛中。
4. 手动操作：在逐渐升高的温度下，慢慢拉长多晶硅棒，使其逐渐变成单晶硅。
5. 加入三氯硅烷：在适当的时间内加入三氯硅烷，将外界控制加热，从而让单晶硅棒变成单晶硅。
6. 冷却：单晶硅棒生长到设定长度后，停止加热并静置一段时间后，使单晶硅慢慢冷却形成。
7. 端部加工：将单晶硅棒的端部进行切割和抛光，以便进行后续的加工和应用。
以上就是单晶硅拉晶工艺流程的几个关键步骤，这个过程要精确控制各个环节，才能生产出高质量的单晶硅产品。
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取晶框（会导致上轴钢丝绳因跳槽而损坏），剪断细 颈后逐步释放重锤，控制好重锤的旋转和晃动，防止 钢丝绳跳槽或籽晶磕碰损伤，此过程中注意个人安全 防护。将取出的晶棒放置到规定地方冷却。
检查钢丝绳、籽晶、取出热系统部件
• 检查钢丝绳是否完好可用，若有变硬、毛刺或其 它损坏情况，则应请维修人员去除老化、损坏部 分，或更换新钢丝绳。
清炉过程
待取出的石墨件自然冷却后,进行彻底清理。石墨件的附着物 用砂纸打磨后，用刷子和吸尘器对石墨件作整个除尘，用棉 布或毛巾擦拭直至干净。 清理干净的标准是：导流筒、上下 保温盖、保温筒、三瓣埚、石墨埚托等，必须清理到全部露 出石墨的本色，特别是不能留有黄色的挥发物。
将炉子内壁、炉盖、主炉筒、小副室、副炉筒、两个抽气口 、观察窗、依尔根信号孔及其防护玻璃清理干净。先用吸尘 器把炉内的挥发物等吸净，再用沾有酒精的棉布或毛巾彻底 擦拭，不能留有任何挥发物。
• 戴好高温隔热手套，按顺序取出导流筒、保温盖 冷却；用手或钳子夹住石英埚的上端部分提起取 出，将石英埚整体提出并取出炉内废石英、埚底 料标记后放在指定位置，不要让残骸和碎料掉入 炉内，取出的埚底料不能接触到石墨。然后将三 瓣石墨埚、石墨埚托取出冷却。最后再将主室炉 筒升到最高位，旋转出来（垂直方向上要离开热 系统）固定稳定。必要时，取出保温筒，加热器 以及电极护套炉底部件等。
4. 新装加热器时,加热器与石墨电极之间垫碳箔。每次拆 炉都要抬起加热器，松动与石墨电极之间的连接,以防 粘连。使用一月之后，以上四项检查可以降低频率到每 次大清的时候检查一次。
2.装料
• 检查所备原料及母合金是否与随工单相符，观察包装有无破损现 象，区分原料的大小、破碎程度，如原料不符合要求（如：料未 清洗）应及时更换；按要求穿戴好劳保用品。
拉晶工艺指导书
拉晶工艺指导书一、有关说明（一）、晶体直径坩埚转动（连续可调）液压缸行程加热功率- 加热电压- 加热电流熔化温度主炉室真空泵抽速- 滑阀泵(主泵)- 旋片泵(副泵)冷态空炉子的极限真空度冷态炉子的泄漏率（压升法）允许工作正压不带泵和走道的空间要求总设备高度外围设施- 冷却水消耗量- 冷却水压力绝对压力最小最小最大最大最大最大大约大约最大1 - 30 rpm140 kW0 – 60 Volt2,300 Amp1,600 °C70 l/s15 l/s≤3 Pa0.3 Pa/min20 m /min21.5 kg/cm2.0 kg/c冷却水回水压力- 绝对压力- 冷却水进水温度最大最小最大1.5kg/cm20 °C25 °C23冷却水质量 - pH 值- 电阻> 10 -107 - 9Ohm cm- 硬度< 8 ° d 1 - Fe 离子- Cl 离子 < 0.1 ppm < 10 ppm备注：冷却水必须过滤，以便过滤脏物和有机悬浮颗粒，否则可能堵塞回路和产生局部沉淀。
详细 信息请参阅PW 800 943 NE 或 ND 。
氩气消耗最大100 Sl/min - 氩气压力，绝对值 - 氩气纯度 最大2.0 kg/cm ＞99.999％ 2电源- 频率 - 容量 - 保险 380 V + 10%,50 Hz 大约 190 kVA 3 x 500 Amp.备注：建议用户在厂房的电网配置中为每台设备提供单独的配电柜（盘），配电 柜内至少有两个空气开关（断路器），一个用于加热电源与电网的隔离，一个用 于控制柜与电网的隔离。
（二）、产品质量要求根据客户要求进行生产。
如：1、电阻率控制范围：0.5~6Ω·cm 。
2、无位错缺陷即小于等于 100/cm2。
3、氧、碳含量要求：O 含量≤1.0×1018cm-3、C 含量≤5.0×1016cm-3（三）、产品在生产周转中的标号：1、产品牌号标示参照国家有关标准：CZ —Si —P(B)—<100>为直拉法制造的 P 型单晶硅，掺杂剂为硼，晶向为 100（四）、工具46.+ -（五）化学试剂说明1、无水乙醇规格用量：用分析纯，广泛用于生产中的各个环节，用量相对较大，可以购置大瓶装。
拉晶工艺标准(精编文档).doc
图1《手动状态操作画面》 1.图片说明1.1.“手动菜单”所指的红色区域所显示的是对应于其右边的【籽晶】、【泄漏检查】、【氩气】、【压力】、【加热器】、【坩埚】按钮的其中一项，其显示的内容就是对于对应项目的具体操作的控制按钮。
1.2.“炉台状态参数显示”所指的红色区域所显示的是炉体所处的状态，包括了上下炉体的压力、加热器的温度以及功率、电流、电压、氩气流量等等。
1.3.“控制状态显示”所指的红色区域所显示的是炉台所启用的控制，红色的代表此项控制正在作用，灰色代表此项操作此刻不在作用。
1.4.“籽晶状态显示”所指的红色区域所显示的是籽晶运动的参数，包括了籽晶的高低拉速、籽晶的转速、籽晶位置等等。
1.5.“坩埚状态显示”所指的红色区域所显示的是坩埚的运动参数，包括了坩埚的高低升速、坩埚转速、坩埚位置等等。
1.6.“控制按钮”所指的红色区域所显示的是几个控制按钮。
七. 拉晶作业步聚 1.热场组立籽晶控制 漏气检查 氩气控制 加热器控制坩埚控制控制状态显示籽晶状态显示 坩埚状态显示 压力控制 控制按钮1.1.按照FT-CZ1806和FT-CZ2008各自的《热场装配图》，将热场部件逐一装配组合。
※注意外保温筒的测温孔与温度传感器对准，否则将无法用温度控制拉晶。
1.2.将钢皮尺置于石墨中轴上，如图1中点击【坩埚】,弹出坩埚控制菜单。
在“旋转速度”中输入想要的坩埚转速，按【OK】键确认，最后点击【开】按钮让坩埚旋转来确认加热器是否与中轴同心，可以调整加热器的两个固定螺丝使中轴与加热器尽量调至同心。
1.3.将石墨坩埚放入后再对中，确保坩埚四周与加热器的位置大于3mm，并尽量同心。
1.4.将导流筒装上，并用如上方法确保导流筒安装的与石墨坩埚同轴。
1.5.将碳毡导流筒放置在石墨导流筒之外，不要将石墨导流筒的位置变化。
1对中中轴与加热器同圆心2对中加热器与石墨坩埚3对中导流筒与石墨坩埚组图2：以FT-CZ1806型热场展示对中过程2.石英坩埚的安装2.1.将石英坩埚的合格证取出，贴附在拉晶记录上。
拉晶工艺流程
4.抽空：打开真空泵，缓慢的打开球阀，听抽气时的声音，等炉内压力下降到0.05Pa时再完全打开球阀。
5.冲氩气：在抽空过程中须导入几次氩气，这样使抽空的时间减短。可以带走炉内的湿度。
6.熔硅料：在加热之前必须先充氩气，然后再加热，一档功率为25KW左右，待过半个小时后把功率升至二档50KW左右，再过半个小时后把功率升至三档化硅功率80KW进行化硅（京仪的为85KW）。总共分三次加上。适当的时候给点埚转，让其均匀受热。化料的过程中要注意挂边现象,同时注意塌料时不要撞歪导流筒。化料时，如有杂质漂浮或近期原料不好时，必须将最后一块料提出，然后挥发半小时。整个化料过程中必须注意功率的变化与电流的变化。
3.装炉：安装石墨件时各部位应相互吻合牢固，发现异常及时进行修正，打开埚转，观察石墨埚转动是否平稳，四周与加热器的间距是否匀称，检查取光孔是否对准，检查与钢丝绳软轴是否有异常。装炉应按其程序规范操作：原料准备检查石英坩埚打开原料袋去掉外层塑料袋，然后准备装炉。炉前人员必须检查核对所装炉的原料与母合金，是否准确无误。检查石英埚，保证无大量气泡群，无损伤，内表面无黑点，如有异常，标识清楚，由大班长确认后方可更换。把石墨件按次序装入炉内，穿好防尘服，戴好防尘帽，戴上棉手套与两层一次性手套，用氩气吹一下石英坩埚内壁后装入石墨埚内，再用蘸有少量酒精的纤维纸擦拭干净，给上埚转，观察坩埚是否水平，保证水平的情况下才能装炉。装料时必须轻拿轻放，先在底部平铺一些小硅料，然后把一些大块的料轻放在中间，再把一些小料放在大块料的中间，填大料缝隙。避免小料与坩埚接触面积过大，这样容易造成料粘埚边上导致石英埚变形。把硅料装好后，再把导流筒用蘸有酒精的纤维纸擦拭一遍。给上埚转后把埚降至化料埚位。然后装入导流筒，避免与硅料直接接触。检查无误后安装籽晶，将位置摆正，插好销子，稍用力往下拽，以免籽晶与钼销因未接触而悬空，同时每炉检查钢丝绳是否老化。擦净主炉室，副炉室，小副室的密封圈面，然后合上炉盖与副室，稳定籽晶后关上副室门。
拉晶工艺及操作规程
在进行以上清理时，必要时可以使用细砂纸打磨（石墨器件 除外）。凡是用砂纸打磨过的地方，最后必须用酒精擦拭干 净，损坏严重的石墨件要及时更换。
安装热系统
将清理过的石墨热系统各部件按 “炉底碳毡”、“炉底护盘”、 “下保温筒”、“排气口护套”、“坩埚护套”、“电极护套”、 “石墨电极”、“石墨加热器”、“石墨螺丝”的顺序安装。注 意在“石墨电极与炉体电极、加热器与石墨电极以及加热器与石 墨螺丝接触面处加一层完整无损的碳箔；然后按顺序安装“中、 上保温筒”、“石墨托杆”、“石墨埚托”以及“三瓣埚”。
• 摆放好取晶框后，快速降下晶体，严禁使晶体接触到
取晶框（会导致上轴钢丝绳因跳槽而损坏），剪断细 颈后逐步释放重锤，控制好重锤的旋转和晃动，防止 钢丝绳跳槽或籽晶磕碰损伤，此过程中注意个人安全 防护。将取出的晶棒放置到规定地方冷却。
检查钢丝绳、籽晶、取出热系统部件
• 检查钢丝绳是否完好可用，若有变硬、毛刺或其 它损坏情况，则应请维修人员去除老化、损坏部 分，或更换新钢丝绳。
• 设定埚转5～9 r/min，晶转值10～12r/min，埚转晶转应分几 次调整到位，禁止调整幅度过大。将籽晶降至导流筒上沿；10 分钟后将籽晶降至距液面10㎜处，预热10分钟，降籽晶使之与 熔硅接触（试引晶）。
• 合适的的引晶温度是籽晶和熔硅接触后出现光圈并慢慢变圆， 并有变大的趋势。若下种后籽晶周围出现白色结晶，而且很长 时间没有出现光圈，说明温度偏低；若下种后马上出现光圈， 光圈抖动，并且越来越小，说明温度过高。然后根据情况调节 温度（SP值），当温度合适开始引晶。打开晶升电源，计长器 清“0”，手动引晶过程中，拉速可以在0～9mm/min之间调整， 最好是让拉速保持在2～6mm/min，直径控制在3～6mm之间。
拉晶流程及注意事项
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1. 单晶籽晶制备，从高纯度材料中制备单晶籽晶，作为晶体的生长基底。
硅料拉晶工艺流程
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