中国高校微电子排名
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各个版本的排名其实没有什么意义,最重要的是自身的提高!!!
1 中国高校微电子排名
电子科学技术一级学科下设四个二级学科,分别是物理电子学,电磁场与微波技术,电路与系统,微电子与固体电子学
国家重点学科分布如下:
电子科大:物理电子学,电磁场与微波技术,电路与系统,微电子与固体电子学
西电:电磁场与微波技术,电路与系统,微电子与固体电子学
清华:电路与系统,微电子与固体电子学,物理电子学
北大:物理电子学,微电子与固体电子学
复旦:电路与系统,微电子学与固体电子学
北邮:电磁场与微波技术,电路与系统
东南:电磁场与微波技术
上海交大:电磁场与微波技术
西安交大:微电子与固体电子学
华中科大:物理电子学
北京理工大学:物理电子学
南京大学:微电子与固体电子学
吉林大学:微电子与固体电子学
哈工大:物理电子学
西北工大:电路与系统
通信工程 一级学科下设两个二级学科,分别是 通信与信息系统,信息与信号处理
清华大学 通信与信息系统,信息与信号处理
北京邮电大学 通信与信息系统,信息与信号处理
电子科技大学 通信与信息系统,信息与信号处理
西安电子科技大学 通信与信息系统,信息与信号处理
东南大学 通信与信息系统,信息与信号处理
北京交通大学 通信与信息系统,信息与信号处理
北京大学 通信与信息系统
浙江大学 通信与信息系统
中科大 通信与信息系统
华南理工 通信与信息系统
哈工大 通信与信息系统
北京理工大学 通信与信息系统
上海交通大学 通信与信息系统
电子与通信重点学科分布:
电子科大 6
清华 5
西电 5
北邮 4
北大 3
东南 3
北理工 3
上交 2
哈工大 2
复旦 2
北京交大 2
华南理工,华中科大,西安交大,中科大,浙大,西北工大,南京大学,吉林大学各一个
国家重点实验室(电子与通信,不包括光学及光电)分布如下:
电子科技大学 2 电子薄膜与集成器件实验室 宽带光纤传输与通信系统技术实验室
清华大学 1 微波与数字通信技术实验室
北京邮电大学 1 程控交换技术与通信网实验室
东南大学 1 移动与多点无线电通信系统实验室
复旦大学 1 专用集成电路与系统实验室
西电 1 综合业务网理论及关健技术实验室
北大&上交 1 区域光纤通信与相干光纤通信实验室
电子科学与技术一级学科中科院院士的高校分布:
(不包括光学与光电子学,控制,计算机,材料物理,信息遥感等学科方向,不包括双聘兼职及名誉院士)
北京大学:王阳元 微电子与固体电子学
清华大学:
李志坚 微电子与固体电子学
电子科技大学 林为干 电磁场与微波技术
电子科技大学 陈星弼 微电子与固体电子学
电子科技大学 刘盛纲 物理电子学
与电子相关的通信电子系统方面的中科院士:
西安电子科技大学 保铮 雷达,通信与电子系统
哈尔滨工业大学 刘永坦 雷达,通信与电子系统
北京理工大学 王越 雷达,通信电子系统
上海交通大学 张熙 通信系统
北京邮电大学 叶培大 微波通信
北京邮电大学 陈俊亮 通信电子
以上中科院士名单见中科院信息技术与科学部院士名单
电子通信两个一级学科中工程院士分布:
(不包括光学与光电子学,控制,计算机,材料物理,遥感信息等学科方向,不包括双聘,兼职及名誉院士)
北京理工大学 毛二可 雷达电子
东南大学 韦钰 电子
东南大学 孙忠良 电磁场与微波技术
清华大学 吴佑寿 数字通信
电子科技大学 李乐民 通信系统
哈工大 张乃通 通信系统
北京邮电大学 周炯磐 通信系统
国防科技大学 郭桂蓉 通信电子
以上见工程院网页
电子与通信两院院士分布如下:
电子科大 4
北邮 3
东南 2
北理工 2
哈工大 2
清华 2
北大 1
上交 1
国防科大 1
西电 1
1.微电子专业的全国高校排名情况(前十五名)
微电子专业在全国的大学中不是很多,但稍微出点名的包括:
北大、清华的微电子所,他们有钱,有名气!
成电、西电的微电子相当不错,器件知识很猛的(对模拟电路很必要的)只是名气稍差;
复旦、东南大学的微电子也很好!
除此之外,就没有更牛的啦!
2.中国研究生教育分专业排行榜:080903微电子学与固体电子学
关键词:研究生教育分专业排行
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排名 学校名称 等级 排名 学校名称 等级 排名 学校名称 等级
1 北京大学 A+ 6 东南大学 A 11 浙江大学 A
2 西安电子科技大学 A+ 7 西安交通大学 A 12 吉林大学 A
3 清华大学 A+ 8 电子科技大学 A 13 天津大学 A
4 复旦大学 A 9 南京大学 A
5 哈尔滨工业大学 A 10 华中科技大学 A
B+ 等 (21 个 ) : 上海交通大学、合肥工业大学、北京工业大学、华南理工大学、华南师范大学、河北工业大学、山东大学、南开大学、北京理工大学、大连理工大学、西北工业大学、中山大学、北京邮电大学、上海大学、西安理工大学、华东师范大学、兰州大学、贵州大学、武汉大学、厦门大学、北京航空航天大学
B 等 (21 个 ) : 湖南大学、南京理工大学、黑龙江大学、北京交通大学、西北大学、同济大学、杭州电子科技大学、四川
大学、中国科学技术大学、山东师范大学、扬州大学、湘潭大学、重庆邮电大学、河北大学、重庆大学、江南大学、福州大学、广东工业大学、苏州大学、长春理工大学、哈尔滨理工大学
C 等 (14个 ) : 名单略
/kaoyan_news_3989/20070917/t20070917_255245.shtml
1,就微电子这个产业来说,国内是比较落后的,上学期上中芯国际与安捷伦的培训课,讲课的基本上都是台湾人,听他们说这一行的高管都是foreigner或台湾人。虽然落后,我们大陆还得不停的追赶。
2,关于各高校微电子的情况:由于各大高校或研究所研究的方向不同,各自擅长的不同,所以确切的排名是很难的。以下大体分为三类:(1)设计,器件与工艺:
a,北京大学:北大有自己的工艺线,特别是王阳元院士凭借对多晶硅掺杂的研究而成名,北大器件的理论研究也比较不错,而设计要欠缺一些;
b,中国科学院微电子所:微电子所有自己的生产线,所以他的设备比较先进。微电子所在新一代光刻技术的研究是领先的,他对微纳器件的研究也相对超前。他的设计主要在通信方面;
c,电子科技大学:这所学校85%的专业都是电子通信类的。电子科大在功率器件与薄膜集成方面比较突出,特别是陈星弼院士在功率器件上的成就相当高。电子科大的设计主要是mos模拟集成电路方面,最近刚建成微细加工中心,所以也有工艺线。
(2)单方面突出或整体实力还不错:
a.复旦大学:复旦在ic设计方面可谓全国第一,他的导师基本全是搞设计的。但他在工艺与器件上却不敢恭维;
b,清华大学:清华在微电子方面也比较强。他是各方面不突出,但总体还不错的学校。
c,东南大学:东南在微机电系统上处于领先地位,其他的不好说。
d,北京师范大学与浙江大学:他们主要是拉单晶方面比较强;
(3)其他:
上海交通大学 西安电子科技大学,南开大学,四川大学......
以上仅是对中国大陆的各微电子高校作的评价,若要对全中国而言,
那么以绝对实力 排第一的是:台湾交通大学。
一。微电子排名:
1 清华(整体最强)
2 北大(工艺全国最强)
3 复旦(设计最强)
4 东南(MEMS最强)
5 西电(可靠性最强)
后面的就是 上交 华中科技 成电 浙大
这是国家教育部去年评审九大基地的排名
二。国内微电子企业排名
(欢迎光临中国IEEE,希望本文能对您有所帮助)
排名
企 业 名 称
销售额(亿元)
一、10大集成电路设计企业
1
炬力集成电路设
计有限公司
13.46
2
中国华大集成电路设计集团有限公司*(包含北京中电华大电子设计公司等)
12.00
3
北京中星微电子有限公司
10.13
4
大唐微电子技术有限公司
9.19
5
深圳海思半导体有限公司
9.04
6
无锡华润矽科微电子有限公司
8.43(E)
7
杭州士兰微电子股份有限公司
8.20(E)
8
上海华虹集成电路有限公司
6.57
9
北京清华同方微电子有限公司
5.06
10
展讯通信(上海)有限公司
3.32
二、10大集成电路与分立器件制造企业
1
中芯国际集成电路制造有限公司
113.50
2
上海华虹(集团)有限公司
39.62
3
华润微电子(控股)有限公司
38.46
4
无锡海力士意法半导体有限公司
23.86(E)
5
和舰科技(苏州)有限公司
23.50
6
首钢日电电子有限公司
18.54
7
上海先进半导体制造有限公司
13.52(E)
8
台积电(上海)有限公司
12.87
9
上海宏力半导体制造有限公司
12.22
10
吉林华微电子股份有限公司
6.92
三、10大封装测试企业
1
飞思卡尔半导体(中国)有限公司
108.46
2
奇梦达科技(苏州)有限公司
68.95
3
威讯联合半导体(北京)有限公司
43.83
4
深圳赛意法半导体有限公司
35.00
5
江苏新潮科技集团有限公司
31.54
6
上海松下半导体有限公司
31.35
7
英特尔产品(上海)有限公司
26.07(E)
8
南通富士通微电子有限公司
21.79
9
星科金朋(上海)有限公司
17.18
10
乐山无线电股份有限公司
16.10
微电子专业简单的说,就是学习怎么制造CPU,芯片,磁卡...
微电子专业,
业务培养目标:本专业培养掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和基本实验技能,能在微电子学及相关领域从事科研、教学、科技开发、工程技术、生产管理与行政管理等工作的高级专门人才。
业务培养要求:本专业学生主要学习微电子学的基本理论和基本知识,受到科学实验与科学思维的基本训练,具有良好科学素养,掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所必需的基本理论和方法,具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等的基本能力。
毕业生应获得以下几方面的知识和能力:
1.掌握数学、物理等方面的基本理论和基本知识;
2.掌握固体物理学、电子学和VLSI设计与制造等方面的基本理论和基本知识,掌握集成电路和其它半导体器件的分析与设计方法
,具有独立进行版图设计、器件性能分析和指导VLSI工艺流程的基本能力;
3.了解相近专业的一般原理和知识;
4.熟悉国家电子产业政策、国内外有关的知识产权及其它法律法规;
5.了解VLSI和其它新型半导体器件的理论前沿、应用前景和最新发展动态,以及电子产业发展状况;
6.掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法;具有一定的实验设计,创造实验条件,归纳、整理、分析实验结果,撰写论文,参与学术交流的能力。
主干学科:电子科学与技术
主要课程:半导体物理及实验、半导体器件物理、集成电路设计原理、集成电路工艺原理、集成电路CAD、微电子学专业实验和集成电路工艺实习等。
微电子这个专业大家要注意,虽然很缺人,但国内基本上不会培养.因为这个专业的门槛比较高.你如果在一所差的学校学微电子,基本跟没学差不多.而且这个专业如果没有好的氛围,光凭自学没什么用.所以一定要练顶尖学校.
微电子主要有两个大方向:设计和工艺,尤其设计很缺人.
工艺应该是清华第一,北大第二.
在设计方向的排名如下:
1.复旦大学微电子系:复旦是个传统的偏文的学校,工科大多数很烂,但却出了复旦大学微电子这个怪胎.全国五大集成电路公司的老总,三个是复旦的.拥有全国最好的实验设备,最优秀的师资.其实,就学术上看,复旦微电子未必是最有成就的,但就经济成就、学以至用,复旦确是最成功的.系主任闵昊同时兼任华虹的总经理,个人资产约6亿人民币。复旦微电子历史上出过7个个人资产在1亿人民币以上的教师。你看看微电子考研的专业课科目:模拟电路、数字逻辑、模拟CMOS集成电路设计、数字集成电路、专用集成电路,很多都是别的学校研究生才上的课程.据我所知,在集成电路设计企业,刚毕业硕士的起薪,一般复旦就要比华中科技大学、浙江大学、东南大学、成电、西电高百分之五十,当然是平均水平,个体的特殊情况例外。
2.清华微电子.
3.北大微电子.
4.上海交通大学微电子.
5.华中科技大学
6.浙江大学
7.东南大学(指的是东南无线电系的射光所,而东南电子工程系的微电子很烂)
8.成电
9.西电
在这九所学校中,复旦、清华应该属于第一档次;北大属于第二档次;上海交通大学属于第三档次;华中科技大学、浙江大学、东南大学属于第四档次;、成电、西电属于第五档次。
但上述排名也有点问题:
1\上海交通大学微电子出了陈进事件后,可能会下滑,具体程度无法估计.
2\东南大学无线电系的射光所实力很强,有两大导师:王志功\黄凤仪,但其他导师实力不济
;其中王志功号称国内射频集成电路第一人.
一般而言,刚毕业的硕士工资标准:复旦\清华的8千到1万1,东南的6到7千(月薪,平均水平)
还有,大家要注意,有些学校的微电子是国家重点学科,但毕业生不好找工作.比如江苏的南京大学,学术排名高,但讲得过于强调理论,所以毕业生不好找工作.
据我所知这个专业是南开新开设的专业,这个专业在目前我国还是比较新兴的专业,比较有前景,当初我就想报这个专业,那时侯全国就几所学校有这个专业,现在到多了些。现在南开这个专业不能说不好,学校牌子比较好,将来也肯定会不错的!祝你好运!
微电子5教育 2008-09-25 20:56:56 阅读86 评论0 字号:大中小
业务培养目标:业务培养目标:本专业培养具备物理电子、光电子与微电子学领域内宽广理论基础、实验能力和专业知识,能在该领域内从事各种电子材料、元器件、集成电路、乃至集成电子系统和光电子系统的设计、制造和相应的新产品、新技术、新工艺的研究、开发等方面工作的高级工程技术人才。业务培养要求:本专业学生主要学习数学、物理、物理电子、光电子、微电子学领域的基本理论和基本知识,受到相关的信息电子实验技术、计算机技术等方面的基本训练,掌握各种电子材料、工艺、零件及系统的设计、研究与开发的基本能力。毕业生应获得以下几方面的知识和能力: 1.具有坚实的自然科学基础,较好的人文社会科学基础,并熟练掌握一门外语; 2.系统地掌握本专业领域必需的较宽的技术基础理论; 3.具有较强的本专业领域的实验能力,计算机辅助设计与测试能力和工程实践能力; 4.了解本专业领域的理论前沿和发展动态; 5.掌握文献检索、资料查询的基本方法,具有一定的科学研究和实际工作能力。
主干课程: 主干学科:电子科学与技术\\r 主要课程:电子线路、计算机语言、微型计算机原理、电动力学、量子力学、理论物理、固体物理、半导体物理、物理电子与电子学以及微电子学等方面的专业课程。主要实践性教学环节:包括电子工艺实习、电子线路实验、计算机语言和算法实践、课程设计、生产实习、毕业设计等。一般安排20周。
微电子专业——未来10年最有前景的IT专业之一
2007年05月23日 星期三 下午 08:03
微电子专业——未来10年最有前景的IT专业之一
[ 2006-9-17 21:53:25 Hits:701 Remark:2 ]
微电子也就是集成电路,它是电子信息科学与技术的一门前沿学科。
中国科学院王阳元院士曾经这样评价:微电子是最能体现知识经济特征的典型产品之一。在世界上,美国把微
电子视为他们的战略性产业,日本则把它摆到了“电子立国”的高度。可以毫不夸张地说,微电子技术是当今信息社会和时代的核心竞争力。
其实,微电子技术的发展历史并不长,相反,它起步较晚。因为直到1958年,美国微电子专家基尔比发明了世界上第一块集成电路“锗振荡器”后,才标志着人类社会开始步入了微电子时代。
虽然微电子技术起步较晚,但作为电子信息科学与技术的前沿学科,它在社会生活中却起着举足轻重的作用:它同经济发展密不可分,同人民生活息息相关,在国防安全方面也扮演着不可替代的重要角色。
举一个生活中的例子来说,我们坐公交车时使用的公交IC卡,去医院、药店买药时使用的医疗保险IC卡,到公共电话亭打电话时使用的电话IC卡,都是应用了微电子技术的产品之一。如今,IC卡已被广泛应用于金融、电信、交通、保险、医疗、餐饮、娱乐、身份识别等各个领域,并将我们带入了“刷卡时代”。再比如我们平常使用的数码家电产品,如MP3、数码相机、手机、电视机等等,它们最核心的信息处理部分,也就是被我们称为“芯片”的东西,也是应用了微电子技术的产品之一。
在国防现代化进程中,微电子技术的应用更是非常广泛。众所周知,“小米加步枪”的时代已经一去不复返了,信息战、电子对抗战的出现标志着现代战争中依靠更多的是先进的技术和武器装备。美国国家半导体咨询委员会曾在海湾战争后的一份研究报告中指出:“美国和北大西洋公约组织的武装优势,最终都可追溯到微电子技术优势上,微电子技术是一种力量倍增器!”
不过,虽然微电子技术的地位如此重要,但由于历史的原因,我国微电子技术的发展却一直落后于国际水平。所幸的是,微电子现在已经被国家列入信息产业发展的重中之重,其发展势头锐不可当。而且,国家已经开始投入大量财力和人力致力于微电子技术的发展和微电子人才的培养。
从2003年开始,科技部、教育部先后在北大、清华、浙大、复旦、西电、上交、东南、成电、华中科技、西交、华南理工、哈工大、西工大、同济和北航等国内著名高等学府,设立了15个集成电路设计人才培养基地,大量培养微电子专业高级技术人员,并在上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳、苏州等多个城市建立了国家级芯片设计产业基地,促进微电子技术的产业化。
然而,微电子到底是什么?其实,把微电子说得更通俗一点,它不过就是电子的一种实现方式,即用半导体的方法让电子设备“微小”。不过,微电子不
微,微电子技术涉及的面非常广泛,从半导体材料,半导体工艺,到半导体器件,单元电路,乃至于各种类型集成电路的设计和制造,都是微电子学科覆盖的范围。
人类在20世纪的发展之所以这么快,主要依靠的就是微电子技术的进步,投身于微电子行业是每一个立志科技报国的人的明智选择。上海半导体和集成电路研讨会曾发布消息说:到2008年,中国微电子产业对集成电路设计人才的需求量将达到25万人,而目前还不到1万人。可见,中国微电子产业的人才是多么奇缺,其数量和质量远远不能满足微电子产业快速发展的需求。
从学科基础来说,对于那些立志报考微电子专业的同学来说,具备扎实的物理和数学基础十分重要。我国著名微电子专家、西安电子科技大学副校长郝跃教授曾经说:微电子的根本是物理与数学的结合。郝跃教授本科与硕士阶段攻读的是工科,但在博士阶段却转学了计算数学,他的发展经历,也给我们证明了物理和数学对于学习微电子的重要性。
因为物理和数学是微电子的基础,因此,微电子专业并不是一个孤立的专业,与它相近的专业还有很多,比如电子信息科学与技术、物理学、集成电路设计及制造等。
微电子专业都开设了那些课程呢?从目前的情况来看,我国高校微电子专业主要开设的课程有:半导体物理及实验、半导体器件物理、集成电路设计原理、集成电路工艺原理、集成电路CAD、微电子学专业实验和集成电路工艺实习等。
微电子作为信息产业的核心,是当今世界竞争最激烈、发展最迅速的全球化产业,在综合国力较量中具有关键性的战略地位,它的就业前景十分看好。
根据上海交通大学微电子专业2004、2005、2006三届毕业生就业去向统计结果表明,微电子专业的优秀毕业生主要集中就业于Intel、IBM、ST、VIA、NI、Trident等国际知名公司。同时,《电子工程专辑》2004年曾经举办了一个“中国电子工程师薪酬调查”活动,调查结果显示:微电子行业薪资高居电子行业榜首,并领先于通信系统和设备行业,以及航空、航海和军工电子行业等。
在薪资方面,微电子行业还有一个显著的特点,那就是高学位与高薪成正比。根据调查显示,持有12-25万年薪的集成电路工程师中,博士占45%,比硕士多15%,本科则不到1%。大约28%的硕士拿到8-12万的年薪,比博士大约多10%,比本科大约多15%。整体上看,微电子专业博士的平均底薪是8.87万元,硕士的平均底薪是8.18万元,学士的平均底薪是5.9万元。
微电子专业——未来10年最有前景的IT专业之一
2007年05月23日 星
期三 下午 08:03
微电子专业——未来10年最有前景的IT专业之一
[ 2006-9-17 21:53:25 Hits:701 Remark:2 ]
微电子也就是集成电路,它是电子信息科学与技术的一门前沿学科。
中国科学院王阳元院士曾经这样评价:微电子是最能体现知识经济特征的典型产品之一。在世界上,美国把微电子视为他们的战略性产业,日本则把它摆到了“电子立国”的高度。可以毫不夸张地说,微电子技术是当今信息社会和时代的核心竞争力。
其实,微电子技术的发展历史并不长,相反,它起步较晚。因为直到1958年,美国微电子专家基尔比发明了世界上第一块集成电路“锗振荡器”后,才标志着人类社会开始步入了微电子时代。
虽然微电子技术起步较晚,但作为电子信息科学与技术的前沿学科,它在社会生活中却起着举足轻重的作用:它同经济发展密不可分,同人民生活息息相关,在国防安全方面也扮演着不可替代的重要角色。
举一个生活中的例子来说,我们坐公交车时使用的公交IC卡,去医院、药店买药时使用的医疗保险IC卡,到公共电话亭打电话时使用的电话IC卡,都是应用了微电子技术的产品之一。如今,IC卡已被广泛应用于金融、电信、交通、保险、医疗、餐饮、娱乐、身份识别等各个领域,并将我们带入了“刷卡时代”。再比如我们平常使用的数码家电产品,如MP3、数码相机、手机、电视机等等,它们最核心的信息处理部分,也就是被我们称为“芯片”的东西,也是应用了微电子技术的产品之一。
在国防现代化进程中,微电子技术的应用更是非常广泛。众所周知,“小米加步枪”的时代已经一去不复返了,信息战、电子对抗战的出现标志着现代战争中依靠更多的是先进的技术和武器装备。美国国家半导体咨询委员会曾在海湾战争后的一份研究报告中指出:“美国和北大西洋公约组织的武装优势,最终都可追溯到微电子技术优势上,微电子技术是一种力量倍增器!”
不过,虽然微电子技术的地位如此重要,但由于历史的原因,我国微电子技术的发展却一直落后于国际水平。所幸的是,微电子现在已经被国家列入信息产业发展的重中之重,其发展势头锐不可当。而且,国家已经开始投入大量财力和人力致力于微电子技术的发展和微电子人才的培养。
从2003年开始,科技部、教育部先后在北大、清华、浙大、复旦、西电、上交、东南、成电、华中科技、西交、华南理工、哈工大、西工大、同济和北航等国内著名高等学府,设立了15个集成电路设计人才培养基地,大量培养微电子专业
高级技术人员,并在上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳、苏州等多个城市建立了国家级芯片设计产业基地,促进微电子技术的产业化。
然而,微电子到底是什么?其实,把微电子说得更通俗一点,它不过就是电子的一种实现方式,即用半导体的方法让电子设备“微小”。不过,微电子不微,微电子技术涉及的面非常广泛,从半导体材料,半导体工艺,到半导体器件,单元电路,乃至于各种类型集成电路的设计和制造,都是微电子学科覆盖的范围。
人类在20世纪的发展之所以这么快,主要依靠的就是微电子技术的进步,投身于微电子行业是每一个立志科技报国的人的明智选择。上海半导体和集成电路研讨会曾发布消息说:到2008年,中国微电子产业对集成电路设计人才的需求量将达到25万人,而目前还不到1万人。可见,中国微电子产业的人才是多么奇缺,其数量和质量远远不能满足微电子产业快速发展的需求。
从学科基础来说,对于那些立志报考微电子专业的同学来说,具备扎实的物理和数学基础十分重要。我国著名微电子专家、西安电子科技大学副校长郝跃教授曾经说:微电子的根本是物理与数学的结合。郝跃教授本科与硕士阶段攻读的是工科,但在博士阶段却转学了计算数学,他的发展经历,也给我们证明了物理和数学对于学习微电子的重要性。
因为物理和数学是微电子的基础,因此,微电子专业并不是一个孤立的专业,与它相近的专业还有很多,比如电子信息科学与技术、物理学、集成电路设计及制造等。
微电子专业都开设了那些课程呢?从目前的情况来看,我国高校微电子专业主要开设的课程有:半导体物理及实验、半导体器件物理、集成电路设计原理、集成电路工艺原理、集成电路CAD、微电子学专业实验和集成电路工艺实习等。
微电子作为信息产业的核心,是当今世界竞争最激烈、发展最迅速的全球化产业,在综合国力较量中具有关键性的战略地位,它的就业前景十分看好。
根据上海交通大学微电子专业2004、2005、2006三届毕业生就业去向统计结果表明,微电子专业的优秀毕业生主要集中就业于Intel、IBM、ST、VIA、NI、Trident等国际知名公司。同时,《电子工程专辑》2004年曾经举办了一个“中国电子工程师薪酬调查”活动,调查结果显示:微电子行业薪资高居电子行业榜首,并领先于通信系统和设备行业,以及航空、航海和军工电子行业等。
在薪资方面,微电子行业还有一个显著的特点,那就是高学位与高薪成正比。根据调查显示,持有12-25万年薪的
集成电路工程师中,博士占45%,比硕士多15%,本科则不到1%。大约28%的硕士拿到8-12万的年薪,比博士大约多10%,比本科大约多15%。整体上看,微电子专业博士的平均底薪是8.87万元,硕士的平均底薪是8.18万元,学士的平均底薪是5.9万元。
CMOS工艺及其工艺流程(微电子方面)
2008年09月17日 星期三 上午 10:56
硅双极工艺面世后约3年时间,于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术,并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比,MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高,但工作速度较慢。由于它们各具优劣势,且各自有适合的应用场合,双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。 从MOS工艺集成技术发展历史上看,也经历了从简单到复杂的发展过程,如陆续推出了p沟硅栅MOS工艺、p沟铝栅MOS工艺、n沟硅栅MOS工艺、n沟硅栅E/D MOS工艺、高性能短沟MOS(HMOS)工艺等,它们都各具优劣势,在不同时期、不同领域得到了应用。 随着集成电路的集成度提高,功耗问题日益突出,普通MOS工艺已不能满足大规模和超大规模集成系统制造的需要,于是早在1963年开发出的硅CMOS集成工艺终于有了广泛应用的机会。虽然CMOS工艺比NMOS工艺复杂,早期的CMOS器件性能也较差,但CMOS器件的功耗极低,集成度也高,用以制造数字LSI和VLSI集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题,因而在数字LSI和VLSI集成电路的制造中首先得到广泛应用,并得到快速发展,特别是自20世纪80年代以来,更成为CPU、RAM、ROM等VLSI的主导制造工艺,并替代了NMOS工艺。 CMOS器件,是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构,电流小,功耗低,早期的CMOS电路速度较慢,后来不断得到改进,现已大大提高了速度。 CMOS器件也有不同的结构,如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别,是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS,则是在n型硅衬底上制造p沟管,在p阱中制造n沟管,其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早,也是应用得最广的工艺,适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS,是在p型硅衬底上制造n沟晶体管,在n阱中制造p沟晶体管,其阱一般采用离子注入方法形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化,适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D-NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS,是在低阻n+衬底上再外延一层中高阻n――硅层,然后在外延层中制造n阱和p阱,并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管,从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成,有利于降低寄生电容,增加跨导,增强p沟和n沟晶体管的平衡性,适用于高性能电
路的制造。 随着整机系统继续向高速度、低功耗、低电压和多媒体、网络化、移动化的发展,对集成电路的要求越来越高,不断推动着集成电路工艺技术的迅速发展,目前先进的硅CMOS集成工艺已进入90纳米和65纳米领域。随着亚微米、深亚微米、纳米CMOS工艺技术的发展,为数字电路提供了更快、更大密度的电路集成,也为模拟电路提供了更高性能的模拟开关和模拟电路应用的多晶硅-氧化物-多晶硅电容,加上CMOS工艺简单、功耗低、集成度高、芯片尺寸小、成本低等特点,CMOS工艺不仅是数字电路的主导工艺技术,而且已不断在模拟和混合信号电路集成中得到应用,如含有模拟和数字电路的微控制器从20世纪90年代中期以来已全部采用CMOS工艺制造,自2003年以来CMOS工艺也成为一些通用低功耗A/D转换器的主流制造工艺。 无线通讯系统由高频和中频模拟电路及数字信号处理电路构成。过去,一般高频模拟电路部分采用GaAs或硅双极工艺技术制造,中频模拟电路部分采用硅BiCMOS工艺技术制造,其它(如DSP)采用硅CMOS工艺技术制造。但是,由于现代通讯系统涉及到声音、数据、图像等多媒体信息,如果继续采用这种制造模式来实现高频、低功耗、低噪声、低失真、小型化、低价格等性能特点的通讯系统电路,已远远不能满足应用需要。因此,推动了工艺集成技术的继续发展和竞争。随着CMOS工艺技术的快速进步,在新的技术竞争中,硅CMOS集成工艺已成为最具综合技术优势的竞争对手之一。以铝栅CMOS为例说明其工艺流程如下:(1) 准备n型硅片,用以制造NMOS和PMOS晶体管。(2) 使用湿氧化方法,在硅片上生长设定厚度(如约0.6微米)的二氧化硅层,作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。(3) 光刻出NMOS晶体管的p阱区和PMOS晶体管的源、漏区后,使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。(4) 在淀积硼以后,进行杂质推进扩散,形成NMOS晶体管的p阱,在推进扩散的同时,也进行干氧化,接着进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。(5) 光刻出n型掺杂区,然后进行磷掺杂扩散,形成NMOS晶体管的源、漏区;(6) 在磷扩散以后,进行湿氧化预定时间(如20分钟),该二氧化硅层用以制造NMOS和PMOS栅氧化区的的掩蔽层;(7) 光刻出NMOS和PMOS晶体管的栅区,然后使用干氧化方法,生成设定厚度的栅二氧化硅层(如约45纳米)。在金属化之前,采用腐蚀方法去除一些二氧化硅层,保留适当厚度(如15~30纳米)的二氧化硅层;(8) 光刻出金属电极接触区。(9) 在蒸发金属铝之前,需以预定腐蚀速率(如每分100纳米)腐蚀
预定时间(如10~12妙),去除接触区自然生成的二氧化硅层,同时栅二氧化硅层也被去除了预定厚度(如约20纳米),然后蒸发或溅射铝金属;(10) 光刻出金属电极接触区,用以使器件与引线焊接点连接;(11) 在低温(如400 0C)下,退火预定时间(如10分钟);(12) 钝化、引线键合、封装、可靠性实验筛选、测试等步骤后即得到集成电路产品。