2章常用半导体器件与应用题解

第二章常用半导体器件及应用

一、习题

2.1填空

1. 半导材料有三个特性，它们是 ________ 、______ 、______ 。

2. 在本征半导体中加入_____ 元素可形成N型半导体，加入_________ 元素可形成P型半导体。

3. 二极管的主要特性是______________ 。

4. _____________________________________ 在常温下，硅二极管的门限电压约为V,导通后的正向压降约为_V;锗二极

管的门限电压约为_______ V,导通后的正向压降约为_V。

5. ____________________________________________ 在常温下，发光二极管的正向导通电压约为_______________________________________________ V,考虑发光二极管的发光亮度

和寿命，其工作电流一般控制在__________ mA。

6. 晶体管（BJT）是一种 ___ 控制器件；场效应管是一种_______ 控制器件。

7. 晶体管按结构分有_______ 和_______ 两种类型。

8. 晶体管按材料分有_______ 和____ 两种类型。

9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的_________ 不同。

10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结_、集电结_。

11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是_______ 、 ____ 、_____ 。

12. 晶体管放大电路有三种组态__________ 、______ 、_______ 。

13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有

内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻______________ 。

14 .三极管的交流等效输入电阻随________ 变化。

15 .共集电极放大电路的输入电阻很______ ,输出电阻很_____ 。

16 .射极跟随器的三个主要特点是_______ 、____ 、______ 。

17 .放大器的静态工作点由它的__________ 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电

阻等由它的________ 决定。

18 .图解法适合于____________ ,而等效电路法则适合于 ______________ 。

19 .在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察u o和U i的波形的相

位关系为____ ；当为共集电极电路时，则U o和U i的相位关系为_________ 。

20. ______________________________________________________________ 在NPN共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为 ______________________________ 失真，原因是Q点 ______ （太高或太低）,若输出电压的波形顶部被削掉，称为________ 失真，原因是Q 点(太高或太低)。如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是

21. _________________ 某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于_型，由半导体材料制成。

22.在题图P2.1电路中，某一元件参数变化时，将U CEQ的变化情况(增加；减小；不变)填入相应的空格内。

⑴R增加时，U CEQ将

(2) R c减小时，U CEQ将_________

⑶Rc增加时, U CEQ将_________

⑷R s增加时，U CEQ将_________

(5)卩增加时(换管子),U CEQ将____________

题图P2.1

23 .为了使结型场效应管正常工作，栅源间PN结必须加______ 电压来改变导电沟道的

宽度，它的输入电阻比双极性晶体管的输入电阻 _______ 。

24 .由于晶体三极管______________________________________ ,所以将它称为双极型器

件，由于场效应管_________________________________ ,所以将其称为单极型器件。

25 .对于耗尽型MOS管，U GS可以为______________ 。对于增强型N沟道MOS管，U GS

只能为____ ,并且只有当U GS______ 时，才能形有i d。

26 .场效应管与三极管相比较，其输入电阻_________ 、噪声____ 、温度稳定性_______ 、放大能力_。

27. 场效应管放大器常用偏置电路一般有 ________ 和_______ 两种类型。

28. _____________________________ 低频跨导g m反映了场效应管__________ 对控制能

力，其单位为____________________________ 。解：(1 )热敏、光敏、掺杂特性。

(2 )五价、三价。

(3 )单向导电性。

(4) 0.5、0.7、0.1、0.2 。

(5) 1-2.5。

(6 )电流型、电压型。

(7)NPN、PNP。

(8)锗、硅。

(9 )极性和方向。

(10 )正偏、反偏。

(11 )截止区、放大区、饱和区。

(12 )共射极、共基极、共集电极。

(13 )小。

(14 )静态工作点。

(15 )高(大)、低(小)。

(16 )输入与输出同相、电压放大倍数约等于1、输入电阻大且输出电阻小。

(17 )直流通路、交流通路。

(18 )分析各点的电流、电压波形和非线性失真情况，一般用于大信号放大电路；适宜于求解动态参数，一般用于小信号放大器分析。

(19 ) 反相、相同。

(20 ) 饱和、太高；截止、太低；输入信号过大

(21) NPN、硅。

(22) 增加、增加、减小、不变、减小。

(23) 反偏、高。

(24 )通过空穴和自由电子两种载流子参与导电，只靠一种载流子(多子)参与导电。

(25)为正为负或者为零；为正；＞U Gs(th)。

(26)高、低、好、弱。

(27)自给式、分压式。

(28)U GS、I D、西门子(ms)。

2.2选择题

1 .二极管加正向电压时，其正向电流是由()。

(A)多数载流子扩散形成(B)多数载流子漂移形成

(C)少数载流子漂移形成(D)少数载流子扩散形成

2 . PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压时，()。

(A)其反向电流增大(B)其反向电流减小

(C)其反向电流基本不变(D)其正向电流增大