三极管13001管脚排列图教学文案
13001 极性NPN 脚位排列ECB
13001 极性NPN 脚位排列ECB:1W;0.2A;800V13003 400V,1.25W 1.5A FT=5MHZ极性NPN 脚位排列ECB8050 把三极管有字的面正对着自己，从左到右依次e、b、c 。
耐压30V，最大电流要根据具体类型而定，最小的500mA，最大的1A，极限频率可以达到100M，β（即放大倍数）值在200左右。
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN EBC 高频放大50V 30mA 0.4W 150MHz9012 PNP 贴片低频放大50V 0.5A 0.625W9013 NPN EBC 低频放大50V 0.5A 0.625W9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
【精选】三极管的结构和工作原理剖析PPT课件
222
333
§2.2.4 三极管的模型
三极管的简化直流模型
BBB
CCC
BBB
CCC
BBB
IIBIBB
IICICC
CCC
00.07.7.V7VV
OOO.2..2V2VV
00.07.7.V7VV
ββIβII BBB
EEE ( (a()aa))
截止模型
EEE ( (b(b)b))
饱和模型
EEE ( (c()cc))
ic hfeib hoe vce
ic
ib rce vce
H参数的确定
• 一般用测试仪测出；
• rbe 与Q点有关，可用图 示仪测出。
一般也用公式估算 rbe
rbe= rb + (1+ ) re
其中对于低频小功率管 rb≈200
而
re
VT(mV) 26(mV) IEQ(mA) IEQ(mA)
三极管的小信号模型
将共射连接三
极管看成一双
端口网络
H
输入输出端口的 函数表达式
参
数
的
b
引
出
c
vBE f (iB,vCE)
iC f (iB,vCE)
e
对输入输出端口的两 函数表达式求微分
vBE f (iB,vCE) iC f (iB,vCE)
dvBE
vBE
iB
VCE
• diB
vBE vCE
型生产模式。
Cell一般以U字形或者C字形进行布局（见下图），这种形状使得流程的起讫点靠 近，减少了操作者从一个加工周期到下个加工周期之间需要走动的距离，便于取放 料。
Cell在英文中意思为 “细胞”“单元”
三极管(课件)PPT学习教案
会计学
1
第1页/共35页
第2页/共35页
第3页/共35页
塑封小功率 管
片状三极管
塑封大功率 管
金封大功率 第4管页/共35页
金封小功率 管
学习内容：晶体三极管
1、三极管的结构、分类和符号 2、三极管的工作电压和基本联接方
式 3、三极管内电流的分配和放大作用 4、三极管的输入和输出特性 5、三极管主要参数 6、三极管的简单测试
测 PNP型 管 时 ， 红 、黑表 笔对调 ，方法 同前。
ICEO
图2.1.13 I CEO的估测
第32页/共35页
四 、 NPN管 型 和 PNP管 型 的判断
将 万 用 表 设 置在
或
挡 ， 用 黑表 笔和任 一管脚 相接（ 假设它 是基极 b），红 表笔分 别和另 外两个 管脚相 接，如 果测得 两个阻 值都很 小，则 黑表笔 所连接 的就是 基极， 而且是 NPN型 的管子 。如图 2.1.14（ a） 所示。 如果按 上述方 法测得 的结果 均为高 阻值， 则黑表 笔所连 接的是 PNP管 的基极 。如图 2.1.14（ b）所 示。
。
在 放 大 状 态 ，当 IB一定 时，IC不 随VCE变 化 ，即放 大状态 的三极 管具有 恒流特 性。
IB 0, IC ICEO VCE VCES IC IB
第24页/共35页
晶 体 三 极 管 具有放 大作用 如 果 在 基 极 中加一 个较小 的电信 号时， 集电极 就得到 一个放 大了的 电信号
第7页/共35页
二 、 晶 体 三 极管的 符号 箭 头 ： 表 示 发射结 加正向 电压时 的电流 方向。 文字符号：V
图 2.1.3 三 极 管 符 号
三极管经典教程PPT课件
三极管符号
两种类型的三极管
2021
结构特点：
• 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且
掺杂浓度最低。
管芯结构剖面图
2021
三极管的电流分配与放大作用
正常放大时外加偏置电压的要求
be结正 偏
bc结反偏
发射结应加正向电压（正向偏置） 集电结应加反向电压（反向偏置） 问：若为PNP管，图中电源极性如何？
线IB=0那条曲线- 所 +
e
对应的Y坐标的数值。
IC EO -
c b
uA
+
Ve C C
ICEO也称为集电极 I e = 0
ICEO
V CC
发射极间穿透电流。
2021
集电极最大允许电流ICM
三极管正常工作时集电极所
极
允许的最大工作电流
限
参 数
集电极最大允许功率损耗PCM
PCM 值 与 环 境 温 度 有 关 ， 温 度 愈 高 ， 则 PCM 值 愈 小 。 当 超 过 此值时，管子性能将变坏或烧
安全工作区
由ICM、V(BR)CEO、及PCM三个极限参数 可画出三极管的安全工作区图。
2021
222
333
§2.2.4 三极管的模型
三极管的简化直流模型
BBB
CCC
BBB
CCC
BBB
IIBIBB
IICICC
CCC
00.07..77VVV
OOO.2..22VVV
00.07..77VVV
ββIβII BBB
2021
三极管三个电极间的分配关系
电子镇流器常用三极管的管脚和参数
MJE13001是小功率高压高速开关三极管，典型应用：荧光灯电子镇流器。
它采用TO-92封装，管脚排列如图：MJE13001主要参数：集电极-基极最高耐压VCBO=500V集电极-发射极最高耐压VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-50~150℃直流放大系数HFE=8~403DD13001是硅NPN型小功率开关三极管，主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。
3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。
采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图：１脚：基极；２脚：集电极；３脚：发射极3DD13001主要参数：集电极最大耗散功率PCM=1.2W (Tamb=25℃)集电极最大允许电流ICM=0.2A集电极-基极反向击穿电压BVCBO=600V集电极-发射极反向击穿电压BVCEO=400V发射极-基极反向击穿电压BVEBO=7V结温Tj=150℃贮藏温度TSTG=-55~150℃直流放大系数=8~40MJE13002是高压高速开关三极管，国产同类型号为3DD13002。
它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器，以及其它开关电路中。
MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图：MJE13002(3DD13002)主要参数VCBO=600VVCEO=400VVEBO=7VIC=1APC=1.2WTj=150℃TSTG=-55~150℃ICBO=100μAIEBO=100μAHFE=10~40VCE(sat) =0.5VVBE(sat) =1.0VfT=4MHzTf=0.6μsMJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，采用TO-126封装，它的外形和管脚排列如下：MJE13003主要参数集电极-基极电压VCBO 700 V集电极-发射极电压VCEO 400 V发射极-基极电压VEBO 9V集电极电流IC 2.0 A集电极耗散功率PC 40 W最高工作温度Tj 150 °C贮存温度Tstg -65-150 °C集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 μA集电极-发射极截止电流ICEO (VCE=400V,IB=0) 250 μA集电极-发射极电压VCEO (IC=10mA,IB=0) 400 V发射极-基极电压VEBO (IE=1mA,IC=0) 9 V直流电流放大倍数5~403DD13005是高反压大功率开关三极管，硅材料NPN型，平面扩散工艺制造，开关速度快，耐压高。
13001和13003可以替换吗 三极管13001管脚排列
13001和13003可以替换吗三极管13001管脚排列
本文主要是关于13001和13003的相关介绍，并着重对13001和13003的替换进行了详尽的阐述。
13001和13003可以替换吗13001不能用13003代替，如果非要换上的话，后果就是换上一通电就炸裂。
还有可能损坏后面的元器件。
但是13003的可以用13001的代替！以下是13001和13003的主要参数：
13001主要参数：
集电极-基极最高耐压VCBO=500V
集电极-发射极最高耐压VCEO=400V
发射极-基极最高耐压VEBO=9V
集电极电流IC=0.3A
耗散功率PC=7W
13003主要参数：
集电极-基极电压VCBO 700 V
集电极-发射极电压VCEO 400 V
发射极-基极电压VEBO 9V
集电极电流IC 2.0 A
集电极耗散功率PC 40 W
三极管13001管脚排列
三极管的代换原则怎样选用和替换三极管
当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢？当你在修理中需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢？本文可以替你当一个参谋。
一、三极管的类型及材料
初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。
常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。
2024版15三极管ppt课件(完整)pptx
输入信号相反。
放大倍数
共射放大电路的放大倍数主要由 三极管的β值决定，同时受输入 电阻、输出电阻和电源电压等因
素的影响。
2024/1/26
13
共基放大电路组成及工作原理
2024/1/26
2024/1/26
7
02
三极管主要参数及性能指标
2024/1/26
8
直流参数
2024/1/26
共射直流电流放大系数B
01
反映三极管对直流信号的放大能力，是三极管最重要的参数之
一。
共基直流电流放大系数α
02
反映三极管在共基极接法下对直流信号的放大能力。
极间反向电流ICBO和ICEO
03
反映三极管的漏电流大小，是三极管质量的重要指标。
考虑温度对偏置电阻的影响
温度变化会影响偏置电阻的阻值，因此在选取偏置电阻时应考虑其 温度系数。
18
偏置电路稳定性提高措施
2024/1/26
采用负反馈电路
通过引入负反馈电路，可以减小三极管静态工作点的漂移，提高 偏置电路的稳定性。
采用温度补偿电路
通过引入温度补偿电路，可以减小温度变化对三极管静态工作点的 影响，提高偏置电路的稳定性。
偏置电路
性能测试
设置合适的偏置电路，使三极管工作在放大 区，避免进入饱和或截止状态。
2024/1/26
对音频放大器进行性能测试，包括频率响应、 失真度、输出功率等指标，确保满足设计要 求。
31
THANKS
感谢观看
2024/1/26
32
三极管的脚位
三極管的腳位
三极管（也称为晶体管）是一种半导体器件，具有三个引脚，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
在电路中，三极管主要用于放大和开关功能。
1. 发射极（Emitter）：发射极是三极管中电流的主要输入端。
在NPN型三极管中，发射极通常接负电源；在PNP型三极管中，发射极通常接正电源。
2. 基极（Base）：基极是三极管的控制端，通过改变基极的电流可以控制发射极到集电极的电流。
基极电流相对较小，但可以控制较大的集电极电流。
3. 集电极（Collector）：集电极是三极管的输出端，电流从发射极流入，经过基极控制后，从集电极流出。
集电极通常接正电源（对于NPN型三极管）或负电源（对于PNP型三极管）。
在识别三极管的脚位时，可以通过观察其外观特征来判断。
一般来说，发射极面积较大，基极位于发射极和集电极之间。
此外，还可以使用万用表的二极管档来测量三极管的脚位，通过测量不同引脚之间的导通情况来确定发射极、基极和集电极。
详细叙述三极管各引脚判断流程与方法
详细叙述三极管各引脚判断流程与方法下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
文档下载后可定制修改，请根据实际需要进行调整和使用，谢谢!本店铺为大家提供各种类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by this editor. I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you! In addition, this shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!一、前言三极管是电子电路中常见的元器件之一，它可以扮演放大、开关等多种角色。
图说三极管，太容易懂了！（史上最详细版本）
图说三极管，太容易懂了！（史上最详细版本）'晶体三极管，是半导体基本元器件之⼀，具有电流放⼤作⽤，是电⼦电路的核⼼元件'在电⼦元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分⽴元件。
⼴义上，三极管有多种，常见如下图所⽰。
狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通⽤的三极管。
本⽂所述的是狭义三极管，它有很多别称:三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电⼦三极管在电⼦电路中以放⼤、开关功能控制电流。
真空电⼦管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。
⼆战时，军事上急切需要⼀种稳定可靠、快速灵敏的电信号放⼤元件，研究成果在⼆战结束后获得。
早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应⽤的是锗晶体三极管。
硅晶体出现后，由于硅管⽣产⼯艺很⾼效，锗管逐渐被淘汰。
经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。
⼩功率三极管⼀般为塑料包封；⼤功率三极管⼀般为⾦属铁壳包封。
三极管核⼼结构核⼼是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！NPN型三极管结构⽰意图硅NPN型三极管的制造流程管芯结构切⾯图⼯艺结构特点：发射区⾼掺杂：为了便于发射结发射电⼦，发射区半导体掺浓度⾼于基区的掺杂浓度，且发射结的⾯积较⼩;基区尺度很薄:3~30µm，掺杂浓度低;集电结⾯积⼤：集电区与发射区为同⼀性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，⾯积要⼤，便于收集电⼦。
三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个⼆极管是组成不了⼀个三极管的！⼯艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺⼨、排布、掺杂浓度和⼏何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
三极管电路符号三极管电流控制原理⽰意图三极管基本电路外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。
集/基/射电流关系：IE = IB + ICIC = β * IB如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0三极管特性曲线输⼊特性曲线集-射极电压U CE为某特定值时，基极电流I B与基-射电压U BE的关系曲线。