量子点发光材料简介

量子点发光材料综述
1.1 量子点的概述
量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。

纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料，而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。

更进一步的规定指出，量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径，其尺寸通常在1-10nm 左右[2]。

由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径，量子点能表现出明显的量子点限域效应，此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束，这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。

量子点中的电子和空穴被限域，使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。

这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。

1.2 量子点的特性
由于量子点中载流子运动受限，使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构，表现出与对应体材料完全不同的光电特性。

1.2.1 量子尺寸效应
纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制，能量发生量子化，连续能带变为分立的能级结构，带隙展宽，从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。

这种现象就是典型的量子尺寸效应。

研究表明，随着量子点尺寸的缩小，其荧光将会发生蓝移，且尺寸越小效果越显著[4]。

1.2.2 表面效应
纳米颗粒的比表面积为，也就是说量子点比表面积随着颗粒半径的减小而增大。

量子点尺寸很小，拥有极大的比表面积，其性质很大程度上由其表面原子决定。

当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时，会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。

1.2.3 量子隧道效应
量子隧道效应是基本的量子现象之一。

简单来说，即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时，该微观粒子仍然能越过势垒。

当多个量子点形成有序阵列，载流子共同越过多个势垒时，在宏观上表现为导通状态。

因此这种现象又称为宏观量子隧道效应[6][7]。

1.2.4 介电限域效应
上世纪七十年代Keldysh等人首先发现了介电限域效应[8]。

该现象可以表示为在不同介质中，因两种不同材料接触界面引起的介电作用变强的现象。

与未被介质包裹的量子点相比，被介质包裹的量子点屏蔽效应变弱，带电粒子间库伦作用变大，增加了激子的振子强度和结合能，体现到吸收光谱上就表现为光谱红移。

1.2.5 Stark效应
在量子点上加上外电场时，激子会得到额外的能量，第一吸收峰会发生改变，这种现象称为Stark效应。

对量子点而言，所有外加电场均会导致吸收光谱的红移，且红移程度随电场强度的增加而增加[9]。

1.3 半导体量子点的光学性质
量子点的发光原理与常规半导体发光原理相近，均是材料中载流子在接受外来能量后，达到激发态，在载流子回复至基态的过程中，会释放能量，这种能量通常以光的形式发射出去。

与常规发光材料不同的是，量子点发光材料还具有一下的一些特点。

1.3.1 发射光谱可调节
半导体量子点主要由ⅡB-ⅥA、ⅢA-ⅤA或者ⅣA-ⅥA族元素构成。

尺寸、材料不同的量子点发光光谱处于不同的波段区域[10]。

如不同尺寸的ZnS量子点发光光谱基本涵盖紫外区，CdSe 量子点发光光谱基本涵盖可见光区域，而PbSe量子点发光光谱基本涵盖红外区，如图1.1所示[11]。

即使是同一种量子点材料，其尺寸的不同，其发光光谱也不一样。

以CdSe为例，如图1.2所示，当CdSe颗粒半径从1.35nm增加至2.40nm时，其发射光波长从510nm增加至610nm。

1.3.2宽的激发光谱和窄的发射光谱
能使量子点达到激发态的光谱范围较宽，只要激发光能量高于阈值，即可使量子点激发。

且不论激发光的波长为多少，固定材料和尺寸的量子点的发射光谱是固定的，且发射光谱范围较窄且对称。

1.3.3 较大的斯托克斯位移
量子点材料发射光谱峰值相对吸收光谱峰值通常会产生红移，发射与吸收光谱峰值的差值被称为斯托克斯位移。

相反，则被称为反斯托克斯位移。

斯托克斯位移在荧光光谱信号的检测中有广泛应用。

量子点的斯托克斯位移较常规材料而言要大。