《电子技术基础(第五版)》电子第二章精品PPT课件
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电工电子技术基础第二章直流电路分析 ppt课件
结点数 N=4 支路数 B=6
（取其中三个方程）
PPT课件
6
b
列电压方程
I2
abda :
I1
I6
E4 I6R6 I4 R4 I1R1
a I3 I4
R6
c
I5 bcdb :
0 I2R2 I5R5 I6R6
+E3
d R3
adca : I4R4 I5R5 E3 E4 I3R3
对每个结点有
I 0
3. 列写B-（N-1)个KVL电压
方程 对每个回路有
E U
4. 解联立方程组
PPT课件
5
I1 a
b I2
I6
R6
I3 I4
d
+E3
R3
列电流方程
结点a： I3 I4 I1
c 结点b： I1 I6 I2
I5
结点c： I2 I5 I3
结点d： I4 I6 I5
基本思路
对于包含B条支路N个节点的电路，若假 设任一节点作为参考节点，则其余N－1个节点 对于参考节点的电压称为节点电压。节点电压 是一组独立完备的电压变量。以节点电压作为 未知变量并按一定规则列写电路方程的方法称 为节点电压法。一旦解得各节点电压，根据 KVL可解出电路中所有的支路电压，再由电路 各元件的VCR关系可进一步求得各支路电流。
3、会用叠加定理、戴维宁定理求解复杂电路中的电压、电流、功率等。
PPT课件
1
对于简单电路，通过串、并联关系即可 求解。如：
R
R
R
+ E 2R 2R 2R 2R
-
PPT课件
+
电子技术基础课后答案2_庄丽娟ppt课件
负反馈
电压串联负反馈
交流负反馈
电压并联负反馈 电流串联负反馈
电流并联负反馈
5
2-5 在图中所示电路中，哪些可以实现交流电压放大？哪些 不能实现交流电压放大？为什么？
RB
+
ui C1
RC UCC
+
C2 u0
RB
+
ui
C1
RC UCC
+
C2 u0
RB
+
ui C1
a)
U CC
+
C2 u0
c)
b)
RC
U CC
d） 不能；交流通路，输入电阻ri短路为0。
8
2-6 画出图中电路的直流通路和交流通路。设各电路工作 在小信号状态，画出它们的微变等效电路。
RB1
C1 + +
ui
RB 2
RC
+
C2
RE
+
C3
U CC
+
u0
+ C1R+B
ui
U CC
+ C2 +
RE
RL u0
a)
b)
9
a) 直流通路
交流通路
RB1 RB1
3
2-3 射极跟随器有哪些特点？应用在哪些场合？
特点：1）电压放大倍数Au≈1且输出电压与输入电压相 位相同。
2）输入电阻大 3）输出电阻小
应用：①作为多级放大器的第一级，以减少信号电压在信 号源内阻上的损耗，尽可能获得较大的净输入信号电压。 ② 作为多级放大器的输出级，以增强带负载能力。
4
2-4 放大电路的负反馈有哪些类型？ 直流负反馈
电子技术基础(数字部分)_数电_(第五版)康华光主编
由上得 (37)D=(100101)B
当十进制数较大时，有什么方法使转换过程简化?
例1.2.3 将(133)D转换为二进制数 解：由于27为128，而133－128=5=22＋20， 所以对应二进制数b7=1，b2=1，b0=1，其余各 系数均为0，所以得 (133)D=(10000101)B
b. 小数的转换: 对于二进制的小数部分可写成
3、模拟信号的数字表示
由于数字信号便于存储、分析和传输，通常都将模拟信号转换为数字信号.
模数转换的实现
3 V
模拟信号
模数转换器 00000011 数字输出
1.1.4 数字信号的描述方法
1、二值数字逻辑和逻辑电平 二值数字逻辑 0、1数码---表示数量时称二进制数
---表示事物状态时称二值逻辑 表示方式 a 、在电路中用低、高电平表示0、1两种逻辑状态
q 6ms 16ms 100% 37.5%
(3)实际脉冲波形及主要参数 非理想脉冲波形
几个主要参数:
周期 (T)
----
表示两个相邻脉冲之间的时间间隔
脉冲宽度 (tw )---- 脉冲幅值的50%的两个时间所跨越的时间
占空比 Q ----表示脉冲宽度占整个周期的百分比
上升时间tr 和下降时间tf ----从脉冲幅值的10%到90% 上升 下降所经历的时间( 典型值ns )
( N ) D b 1 2 1 b 2 2 2 b (n 1) 2 (n 1) b n 2 n
将上式两边分别乘以2，得
2 ( N ) D b 1 2 0 b 2 2 1 b (n 1) 2 (n 2) b n 2 (n 1)
电子技术基础(模拟部分)第五版课件(全部)
值，k为正整数。
end
2.1 集成电路运算放大器
2.2 理想运算放大器
2.3 基本线性运放电路
2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
§引 言
➢在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中元器 件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路， 称为集成电路。简单来说，集成电路是把元器件和 连接导线全部制作在一小块硅片上而成的电路。
• 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合；
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益，高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
(+60μV,+12V)
Avo=2×105
解：取a点（+60μV,+12V）， b点（60μV,-12V），连接a、b两点得ab线 段，其斜率Avo=2×105, ∣vP-vN∣<60 μV时，电路工作在线性区； ∣vPvN∣>60 μV，则运放进入非线性区。 运放的电压传输特性如图所示。
(-60μV,-12V)
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
Ri
vt it
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量
end
2.1 集成电路运算放大器
2.2 理想运算放大器
2.3 基本线性运放电路
2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
§引 言
➢在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中元器 件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路， 称为集成电路。简单来说，集成电路是把元器件和 连接导线全部制作在一小块硅片上而成的电路。
• 电容利用PN结结电容，一般不超过几十pF。需要大 电容时，通常在集成电路外部连接。不能制电感，级 与级之间用直接耦合；
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益，高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
(+60μV,+12V)
Avo=2×105
解：取a点（+60μV,+12V）， b点（60μV,-12V），连接a、b两点得ab线 段，其斜率Avo=2×105, ∣vP-vN∣<60 μV时，电路工作在线性区； ∣vPvN∣>60 μV，则运放进入非线性区。 运放的电压传输特性如图所示。
(-60μV,-12V)
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
Ri
vt it
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意：输入、输出电阻为交流电阻
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量
《电子技术基础》教学课件PPT
－
不论是N型半导体还是P型半导体，其中的多子和少子的 移动都能形成电流。但是，由于多子的数量远大于少子的 数量，因此起主要导电作用的是多数载流子。
注意：
掺入杂质后虽然形成了N型或P型半导体，但整个半 导体晶体仍然呈电中性。
一般可近似认为多数载流子的数量与杂质的浓度相等。
P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？
光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；
热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大；
掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电 能力极大地增强；
半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。
3. 本征半导体
最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价 元素，即每个原子最外层电子数为4个。
原子核
＋
导体的特点：
内部含有大量的自由电子
（2） 绝缘体
绝缘体的最外层电子数一般为6~8个，且距原子核较近，因此受原子核的束缚力较强而不易挣脱其束缚。 常温下绝缘体内部几乎不存在自由电子，因此导电能力极差或不导电。 常用的绝缘体材料有橡胶、云母、陶瓷等。
原子核
＋
绝缘体的特点：
1. 半导体中少子的浓度虽然很低 ，但少子对温度非常敏感，因此温度对半导体器件的性能影响很大。而多子因浓度基本上等于杂质原子的掺杂浓度，所以说多子的数量基本上不受温度的影响。
4. PN结的单向导电性是指：PN结正向偏置时，呈现的电阻很小几乎为零，因此多子构成的扩散电流极易通过PN结；PN结反向偏置时，呈现的电阻趋近于无穷大，因此电流无法通过被阻断。
半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中 则是由本征激发产生的自由电子和复合运动产生的空穴两种 载流子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，电 流的方向为空穴载流子的方向即自由电子载流子的反方向。
电工电子技术基础知识PPT通用课件
3 0011
8 1000
4 0100
9 1001
2.2.2 逻辑代数及应用
1 逻辑代数及基本运算 2 逻辑代数的运算法则
1 逻辑代数及基本运算
一、逻辑代数（布尔代数Boole Algebra）用来描述 数字电路和数字系统的结构和特性。
逻辑变量取值：0 1 分别代表两种对立的状态
一种状态
另一状态
高电平 真 是 有 低电平 假 非 无
平，则输出F 为低电平；只
R
有输入A、B 全为高电平时，
A
输出F 才为高电平。可见输
F 入与输出呈现与逻辑关系： B
与逻辑关系表达式
F = AB
与逻辑关系逻辑符号：
A
&
F
B
2、 二极管或门
与逻辑关系真值表：
AB F
00 0 01 0 10 0 11 1
A
只要输入A、B中一个为高
____、中间环节三部分组成。 • A．电阻 B．电容 C．电感 D．负载
1.2 正弦交流电的基本知识
1.2.1 正弦量 的三要素
1 频率与周期 2 振幅和有效值 3 相位、初相、相位差
引言
随时间按正弦规律变化的交流电压、电流称为 正弦电压、电流。
正弦量： 正弦电压、电流等物理量统称为正弦量。
对称正弦量特点为： U1 U 2 U 2 0
频率相同、幅值相等、 相位互差120°的三相电压称
u1 u2 u3 0 为对称正弦电压。
三相交流电压出现正幅值（或相应零值)的顺序称为 相序。 在此相序为1-2-3-1称为顺相序。 在电力系统中一般用黄、 绿、红区别1、2、3三相。
相序的实际意义：对三相电动机，如果相序反了，就会反转。
《数字电子技术基础》(第五版)教学课件
与（AND）
或（OR）
非（NOT）
以A=1表示开关A合上，A=0表示开关A断开； 以Y=1表示灯亮，Y=0表示灯不亮； 三种电路的因果关系不同：
《数字电子技术基础》（第五版） 教学课件
与
❖ 条件同时具备，结果发生 ❖ Y=A AND B = A&B=A·B=AB
AB Y 0 00 0 10 1 00 1 11
《数字电子技术基础》（第五版） 教学课件
或
❖ 条件之一具备，结果发生 ❖ Y= A OR B = A+B
AB 00 01 10 11
Y 0 1 1 1
《数字电子技术基础》（第五版） 教学课件
非
❖ 条件不具备，结果发生
❖ YANOT A
A
Y
0
1
1
0
《数字电子技术基础》（第五版） 教学课件
几种常用的复合逻辑运算
公式（17）的证明（真值表法）：
ABC BC 000 0 001 0 010 0 011 1 100 0 101 0 110 0 111 1
A+BC 0 0 0 1 1 1 1 1
A+B A+C （A+B）(A+C)
0
0
0
0
1
0
1
00
1
1
1
1
1
1
1
11
1
1
1
1
1
1
《数字电子技术基础》（第五版） 教学课件
ACBCADBCD
《数字电子技术基础》（第五版） 教学课件
2.5 逻辑函数及其表示方法
❖ 2.5.1 逻辑函数 ❖ Y=F(A,B,C,······)
电子技术基础知识PPT课件
8
.
9
.
收音机电路的原理图
10
.
11
.
装配图 它是为了进行电路装配而采用的一种图纸，图 上的符号往往是电路元件的实物的外形图。我 们只要照着图上画的样子，依样画葫芦地把一 些电路元器件连接起来就能够完成电路的装配 。这种电路图一般是供初学者使用的。装配图 根据装配模板的不同而各不一样，大多数作为 电子产品的场合，用的都是下面要介绍的印刷 线路板，所以印板图是装配图的主要形式。
陶瓷电容：体积小，自体电感小。 云母电容：性能优良，高稳定，高精密。 纸质电容：价格低，容量大。 薄膜电容：体积小，但损耗大，不稳定。 电解电容：容量大，稳定性差。（使用时应注意极性）
52
电容的参数识别和选用
.
主要参数是容量和耐压值。 常用的容量单位有μF（10-6 F）、nF
数字表示法：常见于贴片电阻，用3～4位整数 表示阻值，单位为Ω。（前2 ～ 3位表示有效 值，末位表示倍率）如102＝1000 Ω，1001 ＝1000 Ω
色环表示法：用不同颜色的色环在电阻表面上
标志出电阻主要参数的方法。
47
.
48
5位色环
10-1
±1％
.
1 7 5 在读色环电阻时，应正确识别第一色环，一般第 49
艺品及电子线路固定，
本产品的枪头比一般
产品细长，利于在狭
小空间内进行熔胶，
是电子爱好者必备的
33
工具。
.
8毫米胶棒
34
热熔胶枪专用胶棒 胶条
多功能电钻
.
电钻采用进口电机制造，
同心度高、运转平稳，
交直流两用配交流电源，
使用更方便，配套转夹
.
9
.
收音机电路的原理图
10
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11
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装配图 它是为了进行电路装配而采用的一种图纸，图 上的符号往往是电路元件的实物的外形图。我 们只要照着图上画的样子，依样画葫芦地把一 些电路元器件连接起来就能够完成电路的装配 。这种电路图一般是供初学者使用的。装配图 根据装配模板的不同而各不一样，大多数作为 电子产品的场合，用的都是下面要介绍的印刷 线路板，所以印板图是装配图的主要形式。
陶瓷电容：体积小，自体电感小。 云母电容：性能优良，高稳定，高精密。 纸质电容：价格低，容量大。 薄膜电容：体积小，但损耗大，不稳定。 电解电容：容量大，稳定性差。（使用时应注意极性）
52
电容的参数识别和选用
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主要参数是容量和耐压值。 常用的容量单位有μF（10-6 F）、nF
数字表示法：常见于贴片电阻，用3～4位整数 表示阻值，单位为Ω。（前2 ～ 3位表示有效 值，末位表示倍率）如102＝1000 Ω，1001 ＝1000 Ω
色环表示法：用不同颜色的色环在电阻表面上
标志出电阻主要参数的方法。
47
.
48
5位色环
10-1
±1％
.
1 7 5 在读色环电阻时，应正确识别第一色环，一般第 49
艺品及电子线路固定，
本产品的枪头比一般
产品细长，利于在狭
小空间内进行熔胶，
是电子爱好者必备的
33
工具。
.
8毫米胶棒
34
热熔胶枪专用胶棒 胶条
多功能电钻
.
电钻采用进口电机制造，
同心度高、运转平稳，
交直流两用配交流电源，
使用更方便，配套转夹
【精品PPT】数字电子技术基础全套课件-2(2024版)
一、逻辑函数
如果以逻辑变量作为输入，以运算结果作为 输出，当输入变量的取值确定之后，输出的取值 便随之而定。输出与输入之间的函数关系称为逻 辑函数。Y=F(A,B,C,…)
二、逻辑函数表示方法 常用逻辑函数的表示方法有：逻辑真值表（真
值表）、逻辑函数式（逻辑式或函数式）、逻辑 图、波形图、卡诺图及硬件描述语言。它们之间 可以相互转换。
( A B)
B A
( A B)
Y (( A B) ( A B)) ( A B)( A B) AB AB
5、波形图→真值表
A
1111
0000
B
11
11
00
00
C 1111
00
Y 11
00 11
0
00 0
ABC Y 00 0 0 t 00 1 1 01 0 1 t 01 1 0 10 0 0 t 10 1 1 11 0 0 t 11 1 1
A断开、B接通，灯不亮。
将开关接通记作1，断开记作0；灯亮记作1，灯 灭记作0。可以作出如下表格来描述与逻辑关系：
功能表
开关 A 开关 B 灯 Y
A
断开 断开
灭
0
断开 闭合
灭
0
1
闭合 断开
灭
1
闭合 闭合 亮
BY
00 真 10 值
00 表
11
两个开关均接通时，灯才会 Ｙ＝Ａ•Ｂ
亮。逻辑表达式为：
实现与逻辑的电路称为与门。
与门的逻辑符号：
A
&
Y Ｙ＝Ａ•Ｂ
B
二、或逻辑（或运算）
或逻辑：当决定事件（Y）发生的各种条件A，B，
C，…)中，只要有一个或多个条件具备，事件（Y）
如果以逻辑变量作为输入，以运算结果作为 输出，当输入变量的取值确定之后，输出的取值 便随之而定。输出与输入之间的函数关系称为逻 辑函数。Y=F(A,B,C,…)
二、逻辑函数表示方法 常用逻辑函数的表示方法有：逻辑真值表（真
值表）、逻辑函数式（逻辑式或函数式）、逻辑 图、波形图、卡诺图及硬件描述语言。它们之间 可以相互转换。
( A B)
B A
( A B)
Y (( A B) ( A B)) ( A B)( A B) AB AB
5、波形图→真值表
A
1111
0000
B
11
11
00
00
C 1111
00
Y 11
00 11
0
00 0
ABC Y 00 0 0 t 00 1 1 01 0 1 t 01 1 0 10 0 0 t 10 1 1 11 0 0 t 11 1 1
A断开、B接通，灯不亮。
将开关接通记作1，断开记作0；灯亮记作1，灯 灭记作0。可以作出如下表格来描述与逻辑关系：
功能表
开关 A 开关 B 灯 Y
A
断开 断开
灭
0
断开 闭合
灭
0
1
闭合 断开
灭
1
闭合 闭合 亮
BY
00 真 10 值
00 表
11
两个开关均接通时，灯才会 Ｙ＝Ａ•Ｂ
亮。逻辑表达式为：
实现与逻辑的电路称为与门。
与门的逻辑符号：
A
&
Y Ｙ＝Ａ•Ｂ
B
二、或逻辑（或运算）
或逻辑：当决定事件（Y）发生的各种条件A，B，
C，…)中，只要有一个或多个条件具备，事件（Y）
模拟电子技术基础(第五版)新-ppt课件
19
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散
运动。
20
3.2.2 PN结的形成
因浓度差 多子扩散 形成空间电荷区
促使少子漂移 阻止多子扩散
扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中 和掉，使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子， N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在 两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电 荷区(耗尽层) 。由于P区一侧带负电， N区一侧带正电， 所以出现了方向由N区指向P区的内电场
束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足 够的能量，不易脱离轨道。
因此，在绝对温度T=0K (-273 oC) 时，由于 共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子， 不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。
7
3、电子与空穴
当导体处于热
力学温度0oK时，
导体中没有自由电
子。当温度升高或
受到光的照射时，
向电流突然快速增加， 此现象称为PN结的反向 击穿。
它的耗散功率时， PN结将发生热 击穿。这时PN结的电流和温度之 间出现恶性循环，最终将导致PN 结烧毁。
热击穿——不可逆
雪崩击穿 齐纳击穿
电击穿——可逆
31
3.2.5 PN结的电容效应
(1) 扩散电容CD
是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。
(2) PN结加反向电压时
外加的反向电压方向 与PN结内电场方向相同， 加强了内电场。内电场对 多子扩散运动的阻碍增强， 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流，可忽略扩散 电流， PN结呈现高阻性。
3.2.1 载流子的漂移与扩散
漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。
扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散
运动。
20
3.2.2 PN结的形成
因浓度差 多子扩散 形成空间电荷区
促使少子漂移 阻止多子扩散
扩散到对方的载流子在P区和N区的交界处附近被相互中 和掉，使P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子， N区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这样在 两种半导体交界处逐渐形成由正、负离子组成的空间电 荷区(耗尽层) 。由于P区一侧带负电， N区一侧带正电， 所以出现了方向由N区指向P区的内电场
束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足 够的能量，不易脱离轨道。
因此，在绝对温度T=0K (-273 oC) 时，由于 共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子， 不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。
7
3、电子与空穴
当导体处于热
力学温度0oK时，
导体中没有自由电
子。当温度升高或
受到光的照射时，
向电流突然快速增加， 此现象称为PN结的反向 击穿。
它的耗散功率时， PN结将发生热 击穿。这时PN结的电流和温度之 间出现恶性循环，最终将导致PN 结烧毁。
热击穿——不可逆
雪崩击穿 齐纳击穿
电击穿——可逆
31
3.2.5 PN结的电容效应
(1) 扩散电容CD
是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。
(2) PN结加反向电压时
外加的反向电压方向 与PN结内电场方向相同， 加强了内电场。内电场对 多子扩散运动的阻碍增强， 扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的 作用下形成的漂移电流大 于扩散电流，可忽略扩散 电流， PN结呈现高阻性。
电子技术基础总复习ppt课件
耦合电容
特点：具有隔直电容，信号源、负载不与放大器直连
图2.2.5 阻容耦合共射放大电路
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
三、 放大电路的分析方法
——直流通路与交流通路
2.5.3 三种接法的比较
晶体管放大电路的三种组态： ➢ 共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流， 输入电阻居中，输出电阻较大，频带较窄。常作低频电 压放大。 ➢ 共集电极放大电路只能放大电流，不能放大电压。 输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点常 用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间隔离 级（缓冲级），起阻抗变换的作用。 ➢ 共基极放大电路只能放大电压，不能放大电流。输 入电阻最小，频率特性最好。
分析放大电路应注意：
▪ 在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”。 求解静态工作点时应利用直流通路； 求解动态参数时应利用交流通路。
▪ 静态工作点合适，动态分析才有意义。 ▪ 分析时不一定非画出直流通路不可。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
集成运算放大电路
集成运算放大电路概述 集成运算放大器：简称运放，一种高放大倍数 的线性（直接耦合集成）电路。
4.1.1 集成运放的电路结构特点
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
第2章 放大电路的基本原
理和分析方法
特点：具有隔直电容，信号源、负载不与放大器直连
图2.2.5 阻容耦合共射放大电路
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
三、 放大电路的分析方法
——直流通路与交流通路
2.5.3 三种接法的比较
晶体管放大电路的三种组态： ➢ 共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流， 输入电阻居中，输出电阻较大，频带较窄。常作低频电 压放大。 ➢ 共集电极放大电路只能放大电流，不能放大电压。 输入电阻最大、输出电阻最小，具有电压跟随的特点常 用于多级放大的输入级和输出级，有时还用作中间隔离 级（缓冲级），起阻抗变换的作用。 ➢ 共基极放大电路只能放大电压，不能放大电流。输 入电阻最小，频率特性最好。
分析放大电路应注意：
▪ 在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”。 求解静态工作点时应利用直流通路； 求解动态参数时应利用交流通路。
▪ 静态工作点合适，动态分析才有意义。 ▪ 分析时不一定非画出直流通路不可。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
集成运算放大电路
集成运算放大电路概述 集成运算放大器：简称运放，一种高放大倍数 的线性（直接耦合集成）电路。
4.1.1 集成运放的电路结构特点
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
第2章 放大电路的基本原
理和分析方法
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第二章 半导体三极管及其放大电路
2、 输出特性
每条曲线可分为
线性上升、弯曲、平 坦三部分.
对应不同IB
值得不同的曲线，从 而形成曲线簇.各条 曲线上升部分很陡， 几乎重合，平坦部分
则按IB值从下往上排 列，IB的取值间隔均
匀，相应的特性曲线 在平坦部分也均匀分 布，且与横轴平行.
在放大区内，有一 个特定的基极电流， 就有一个特定的集 电极电流，实现基 极对集电极电流的 控制.
按功率分 按用途分
种类
应用
NPN型三极管 目前常用的三极管，电流从集电极流向发射极
PNP型三极管 电流从发射极流向集电极
硅三极管
热稳定性好，是常用的三极管
锗三极管
反向电流大，受温度影响较大，热稳定性差
低频三极管 工作频率比较低，用于直流放大、音频放大电 路
高频三极管 工作频率比较高，用于高频放大电路
工作 状态
截止状态
（1）当 IB一定时， IC的 各电极电流都很大，IC 大小与UCE基本无关（但UCE不受IB控制，三极管失 的大小随IC的大小而变 去放大作用
化），具有C受IB控制，具有电流 放大特性，IC=hFEIB， △IC=β△IB
放大状态
饱和状态
在 图（d） 中，三极管为PNP型， UB= -0.3V，UC= -5V，UE=0V.因UB＜UE，发射结 正偏，UC＜UB，集电结反偏，所以图（d）中的三极管工作在放大状态.
三极管的输出特性曲线
第二章 半导体三极管及其放大电路
输出特性曲线的三个区域
名称 截 止 区
放大区
饱和区
范围IB=0曲线以下区域，平坦部分线性区，几乎与 曲线上升和弯曲部分
几乎与横轴重合 横轴平行
条件发射结反偏（或零 发射结正偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结正
偏），集电结反偏
偏（或零偏）
特征IB=0，IC=ICEO≈0
第二章 半导体三极管及其放大电路
提示： 对于NPN型三极管：工作于放大区时，
UC﹥UB﹥UE；工作于截止区时， UB≤UE；工作于饱 和区时，UC≤UB.PNP型三极管与之相反.
在模拟电子电路中三极管大多工作在放 大状态，作为放大管使用；在数字电子电 路中三极管工作在饱和或截止状态，作为 开关管使用.
第二章 半导体三极管及其放大电路
§2-1 半导体三极管
§2-2 共射极基本放大电路
§2-3 §2-4 §2-5 §2-6
分压式射极偏置电路 多级放大器 负反馈放大电路 功率放大电路
第二章 半导体三极管及其放大电路
§2-1 半导体三极管
一、三极管的结构、符号和类型 二、三极管的电流放大作用 三、三极管的特性曲线 四、三极管的主要参数 五、三极管的识别和简单测试
第二章 半导体三极管及其放大电路
【例2-1】已知三极管接在相应的电路中，测得三极管各电极的电 位，如下图所示，试判断这些三极管的工作状态？
（a）
（b）
（c）
（d）
解：在 图（a） 中，三极管为NPN型管，UB=2.7V，UC=8V，UE=2V，因UB＞UE，发射结
正偏，UC＞UB，集电结反偏，所以图（a）中的三极管工作在放大状态.
1、输入特性
三极管的输入特性曲线 与二极管的正向特性曲线 相似，只有当发射结的正
向电压UBE大于死区电压
（硅管0.5V，锗管0.2V）
时才产生基极电流IB，这时
三极管处于正常放大状态，
发射结两端电压为UBE（硅
管为0.7V，锗管为0.3V）.
锗管的输入特性曲线 硅管的输入特性曲线
三极管的输入特性曲线
通过调节电
位器RB的阻值，可调
节基极的偏压，从
而调节基极电流IB的 大小.每取一个IB值，
从毫安表可读取集
电极电流IC和发射电 流IE的相应值，实验
数据见表2-4.
三极管电流分配实验电路
第二章 半导体三极管及其放大电路
表2-4
三极管的电流放大作用
次数
项目
1
2
3
4
5
6
IB/mA
0
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
在 图（b）中，三极管为NPN型管，UB=3.7V，UC=3.3V，UE=3V，因UB＞UE，发射 结正偏，UC＜UB，集电结正偏，所以图（b）中的三极管工作在饱和状态.
在 图（c）中， 三极管为NPN型管， UB=2V，UC=8V，UE=2.7V，因UB＜UE，发射 结反偏，所以图（c）中的三极管工作在截止状态.
IC/mA
0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91
IE/mA
0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.96
第二章 半导体三极管及其放大电路
通过实验数据分析，三极管三个电极电流具有下表 所示的关系.
三极管三个电极电流关系
电流关系
说明
集电极与基极电流关系 三个电极电流之间的关系
第二章 半导体三极管及其放大电路
1.了解三极管的结构、分类、型号及主要用途. 2.熟悉三极管的符号、特性和主要参数. 3.能识别常用三极管的种类和三个管脚的极性. 4.能正确识读三极管上标识的型号，并了解该三极管的作用和用途. 5.会用万用表判别三极管的类型、管脚极性及质量好坏. 6.能根据三极管放大电路各管脚的电位判断三极管的管型、材料及各管 脚对应的电极. 7.能根据三极管各电极的电位判断三极管工作状态.
IC=βIB IE=IB+IC=（1+β）IB
结论：
三极管电流放大作用的条件是：发射结加正向电压，集 电结加反向电压.
三极管电流放大的实质是：用较小的基极电流控制较 大的集电极电流，是“以小控大”.
第二章 半导体三极管及其放大电路
三、三极管的特性曲线
三极管特性曲线测试电路
第二章 半导体三极管及其放大电路
第二章 半导体三极管及其放大电路
一、三极管的结构、符号和类型
1、结构和符号
集电极 c
b 基极
N
集电区
P
基区
发射区
N
集电结 V c b
发射结
e
e 发射极
NPN型三极管
集电极 c
b 基极
P
集电区
N
基区
发射区
P
集电结
Vc
b
发射结
e
e 发射极
PNP型三极管
第二章 半导体三极管及其放大电路
2、 类型
分类方法 按极性分 按材料分 按工作频率分
小功率三极管 输出功率小，用于功率放大器末前级
大功率三极管 输出功率较大，用于功率放大器末级（输出级）
放大管
应用在模拟电子电路中
开关管
应用在数字电子电路中
第二章 半导体三极管及其放大电路
二、三极管的电流放大作用 1、 三极管的工作电压
NPN型三极管
PNP型三极管
第二章 半导体三极管及其放大电路
2、 三极管的电流放大作用