MEDICI仿真DMOS的耐压

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2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
终端优化方法
对于场板与场限环(、截止环)结合使用的终端,其优
化方法主要有以下几个方面:
1.场限环的浓度、结深 2.场限环的宽度 3.场限环间距 4.截止环与最外侧场限环之间的距离 5.场板长度与位置等
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
models consrh auger bgn fldmob CONMOB
symbolic gummel carrier=0 methode damped iccg
solve
models consrh auger bgn fldmob impact.i CONMOB btbt symbol newton carriers=2
methode damped iccg
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
偏置条件的设定举例(2)
LOG OUT.FILE=bvBOT.LOG solve previous contact name=float1 current solve i(float1)=0 solve continu elect=drain c.vstep=.5 c.imax=1e-8 c.vmax=800 solve out.f=00bv plot.1d x.axis=v(drain) y.axis=i(drain)
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
仿真结果的分析
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
其他的BV仿真结果举例
20wenku.baidu.com2-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
2)终端的仿真
终端的BV仿真是在先通过TSUPREM4得到终端结构的
mesh文件之后,再设定电极(浮空电极)、选取模型、
MEDICI仿真DMOS的耐压
CSMC培训
--马荣耀
2012-7-19
PITL
功率集成技术实验室
内容
MEDICI仿真DMOS的耐压分为三个部分
1)元胞的BV仿真
2)终端的BV仿真
3)版图上其他结构的BV仿真
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
1)元胞的BV仿真
元胞的BV仿真是在通过TSUPREM4得到器件元胞结构的
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
偏置条件的设定
终端仿真BV时,源极和漏极的偏置条件的设定与元胞是
相同的。唯一区别和麻烦的地方在于浮空电极的设定。
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
偏置条件的设定举例(1)
mesh tsuprem4 in.file=vdmos
methode damped iccg
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
偏置条件的设定
LOG OUT.FILE=bvBOT.LOG solve previous solve continu elect=drain c.vstep=.5 c.imax=1e-8 c.vmax=800 solve out.f=00bv plot.1d x.axis=v(drain) y.axis=i(drain) plot.2d bound fill depl end
设定偏置条件,来进行器件击穿特性的仿真 关键点: A、电极的设定 B、偏置条件的设定 C、仿真结果的分析
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
终端结构举例
问题: 1.电极的设定 2.偏置的设定
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
电极的设定
终端的电极设定与元胞有不一样的地方
结果的分析也是比较复杂的。与此相对的,终端结构的 优化需要一定的理论分析、计算和反复的实验。
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
终端优化举例(1)
电阻率0.81、厚度6时, BV=65.84V
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
终端优化举例(2)
EPI电阻率0.81、 厚度6um的终端优 化结果如下,BV =70.789V
A、一般情况下栅电极并不一定要设定,并不影响结果
B、源电极和漏电极的设定与元胞基本相同
C、浮空电极的设定
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
电极设定例子
load in.f=out16 select z=1 print layers x.v=5.5 electrode name=source x=0 y=-26 electrode name=drain bottom electrode name=float1 x=80 y=-25 浮空电极的设定 savefile out.file=vdmos medici poly.ele elec.bot
plot.2d bound fill depl
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
仿真结果的分析(1)
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
仿真结果的分析(2)
结终端的结构有许多种,在实际设计中,往往根据需求,
将多种结构组合起来使用。根据情况的不同,终端仿真
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
模型的选取
mesh tsuprem4 in.file=vdmos models consrh auger bgn fldmob CONMOB symbolic gummel carrier=0 methode damped iccg solve models consrh auger bgn fldmob impact.i CONMOB btbt symbol newton carriers=2
MESH文件后,调入medici内,进行器件的击穿特性仿真。
关键点: A 电极的定义 B 模型的选取 C 偏置条件的设定 D 仿真结果的分析
2012-7-19
PITL--------功率集成技术实验室
电极定义(语句的解释)
程序语句例子: load in.f=out16 select z=1print layers x.v=5.5 electrode name=source x=0 y=-20 electrode name=gate x=5.5 y=-16 electrode name=drain bottom savefile out.file=vdmos medici poly.ele elec.bot
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