台湾半导体产业现况与IC简介-逢甲大学电子系
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1957年, Gordon Moore 和 Robert Noyce 離開 Shockley 公司, 成立 Fairchild Semiconductor 公司. 1958年積體電路時代來臨 (整個五O年代為分離式IC元 件的天下). 1966年, Gordon 和 Robert 離開 Fairchild 並創立 Intel ( 濃縮Integrated electronics).
台灣IC產業技術發展策略
工研院電子所
IC
聯電 台積 •德基 •華邦 •茂矽 •旺宏 世界先進 •力晶 •南亞 •茂德
主要技術來源 80 電子所 87 電子所 87 TI, IBM 87 電子所, Toshiba(98年加入DRAM) 87 Oki, Siemens 89 Matsushita (97年加入DRAM)
台灣半導體發展歷程
萌芽期 技術 引進期 技術自立及擴展期
交大半導體 設計,製造 後段封裝 實驗室成立 的研發
1964
培育人才
前段製造
專業設計 專業代工 專業測試
8吋 DRAM廠
12吋 DRAM廠 專業代工廠
1966Βιβλιοθήκη 19741966 高雄電子 1969 飛利浦 1970 德州儀器
1980
1980 UMC成立 1981 園區成立 1982 UMC量產 太欣成立 1974 工研院電子所成立 1976 工研院引進RCA技術 1977 工研院產出第一個CMOS 1979 國內設計第一個商用IC成功 電子錶
1987
1994
1987 台積電成立 茂矽成立 華邦成立 德基成立 1989 台灣光罩 旺宏成立 1994 世界先進成立 力晶成立 1995 南亞成立 1996 茂德成立
2000
＊台灣師範大學地理學系，徐進鈺教授 「台灣半導體產業技術發展歷程」
2000 台積電12吋廠成立 2001 聯電12吋廠成立 茂德12吋廠成立 2002 力晶12吋廠成立 2003 華亞12吋廠成立 台積電第二座12吋廠成立 (全球最大)
1950年第一個單晶鍺電晶體生產, 並取代電子產品中 的真空管.
1952年Gordon Teal發表第一個單晶矽電晶體. 1955年 Shockley 在舊金山南方成立 Shockley Semiconductor Lab. 帶動矽谷的成立.
1956年 Shockley, Bardeen, Brattain 共同獲頒諾貝爾物 理獎.
高科技產業
Ê ¤ ¦ À ¤ ñ (%)
＊ 參考 104 人力銀行
IC 的發展史
世界上第一個電晶體(1948, Bell Lab) 1947年聖誕前夕, AT&T 的 Bell 實驗室的 John Bardeen 及 Walter Brattain 展示第一個由鍺所製成的點接觸式 電晶體. 當電流訊號施加於鍺晶體接點, 輸出功率會大 於輸入功率. 並於1948年公諸於世. 1949年 William Shockley 發表雙載子電晶體運作理論. 並預測接面式雙載子電晶體(BJT)將出現.
電子系學程簡介 半導體學程 電子元件學程 VLSI 設計學程
大綱
•半導體產業歷史與現況 •積體電路簡介 •電子系兩學程的差異性
人才需求最多的十大行業
ô º Ú » º ô ¸ ô · ~ ø º ¥ Þ ¤ Î ä ¨ ¥ L u ¤ ° Ó Å U ° Ý Ê ¦ f ³ ¹ s ° â · ~ MIS¤ Î ³ n Å é · ~ ÷ ª Ä ¿ Ò Ã ÷ ¨ « O À I · ~ ú ¥ q ¹ q ³ H « ¾ ¹ § ÷ · ~ b ¾ ¥ É Å é · ~ i ¥ ¶ X f ¤ ¶ T © ö · ~ q ¹ £ ¸ ¶ g Ã ä · ~ q ¹ l ¤ » s ³ y · ~ 2 3 4 5 6 7 8 9 10 3.2 3.2 3.6 4.1 6.2 7.2 7.6 7.8 8.3 10.1 11
IC積集度的演進
1.0E+10 1.0E+09 1.0E+08
ó /IC) ¸ ¥ × (¤ ¥ « n · ¿
1.0E+07 1.0E+06 1.0E+05 1.0E+04 1.0E+03 1.0E+02 1.0E+01 1960 1965 1970 1975 1980 ¦è ¤ ¸ 1985 1990 1995 2000 2005
Foundry
我國IC技術發展三部曲
• 聯電IC技術建立 • 台積專業代工策略模式 • 世界先進自有品牌DRAM
DRAM
94 電子所, 鈺創 94 Mitsubishi, Elpida 95 Oki, IBM, Infineon 96 Siemens, Elpida
台灣半導體工業關聯圖
日矽華南立菱立 月品泰茂衛生生 光
日矽華南矽聯大京立菱鑫華力泰汎超全 月品泰茂豐測眾元衛生成鴻成林利豐懋 光
• 何謂積體電路(IC)
• IC=Integrated Circuit • 為很多電路元件積集在一起, 產生某些電性的功能. • IC就像是印刷電路板(PCB)的濃縮版.
• 依照IC積集度多寡, 可分為: • • • • • SSI: MSI: LSI: VLSI: ULSI: Small Scale Integration (<100) Medium Scale Integration (100~1000) Large Scale Integration (>1000) Very Large Scale Integration (>100,000) Ultra Large Scale Integration (>10000,000)
智 原 思 源
IP EDA
設計
聯松晶瑞智威凌聯偉揚旺義鈺民矽矽新敦 發瀚豪昱原盛陽詠詮智玖隆創生統成茂茂
IC 廠
台聯南茂茂旺華力世天立矽漢大 積電科矽德宏邦晶界下生統磊王 先 進
台台中漢 灣灣德磊 小信 松越
晶圓
製造
光罩
台翔中杜 灣準華邦 光 凸 罩 板
華耀 通文
佳順中旭 茂德信龍
基板 封裝 導線架 測試
IC 產品分類
記憶體IC (Memory IC)
揮發性
非揮發性
動態隨機存取記憶體 (DRAM) 靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 光罩唯讀記憶體 (MASK ROM) 可消除,可程式唯讀記憶體 (EPROM) 可電除,可程式唯讀記憶體 (EEPROM) 快閃記憶體 (FLASH)
台灣IC產業技術發展策略
工研院電子所
IC
聯電 台積 •德基 •華邦 •茂矽 •旺宏 世界先進 •力晶 •南亞 •茂德
主要技術來源 80 電子所 87 電子所 87 TI, IBM 87 電子所, Toshiba(98年加入DRAM) 87 Oki, Siemens 89 Matsushita (97年加入DRAM)
台灣半導體發展歷程
萌芽期 技術 引進期 技術自立及擴展期
交大半導體 設計,製造 後段封裝 實驗室成立 的研發
1964
培育人才
前段製造
專業設計 專業代工 專業測試
8吋 DRAM廠
12吋 DRAM廠 專業代工廠
1966Βιβλιοθήκη 19741966 高雄電子 1969 飛利浦 1970 德州儀器
1980
1980 UMC成立 1981 園區成立 1982 UMC量產 太欣成立 1974 工研院電子所成立 1976 工研院引進RCA技術 1977 工研院產出第一個CMOS 1979 國內設計第一個商用IC成功 電子錶
1987
1994
1987 台積電成立 茂矽成立 華邦成立 德基成立 1989 台灣光罩 旺宏成立 1994 世界先進成立 力晶成立 1995 南亞成立 1996 茂德成立
2000
＊台灣師範大學地理學系，徐進鈺教授 「台灣半導體產業技術發展歷程」
2000 台積電12吋廠成立 2001 聯電12吋廠成立 茂德12吋廠成立 2002 力晶12吋廠成立 2003 華亞12吋廠成立 台積電第二座12吋廠成立 (全球最大)
1950年第一個單晶鍺電晶體生產, 並取代電子產品中 的真空管.
1952年Gordon Teal發表第一個單晶矽電晶體. 1955年 Shockley 在舊金山南方成立 Shockley Semiconductor Lab. 帶動矽谷的成立.
1956年 Shockley, Bardeen, Brattain 共同獲頒諾貝爾物 理獎.
高科技產業
Ê ¤ ¦ À ¤ ñ (%)
＊ 參考 104 人力銀行
IC 的發展史
世界上第一個電晶體(1948, Bell Lab) 1947年聖誕前夕, AT&T 的 Bell 實驗室的 John Bardeen 及 Walter Brattain 展示第一個由鍺所製成的點接觸式 電晶體. 當電流訊號施加於鍺晶體接點, 輸出功率會大 於輸入功率. 並於1948年公諸於世. 1949年 William Shockley 發表雙載子電晶體運作理論. 並預測接面式雙載子電晶體(BJT)將出現.
電子系學程簡介 半導體學程 電子元件學程 VLSI 設計學程
大綱
•半導體產業歷史與現況 •積體電路簡介 •電子系兩學程的差異性
人才需求最多的十大行業
ô º Ú » º ô ¸ ô · ~ ø º ¥ Þ ¤ Î ä ¨ ¥ L u ¤ ° Ó Å U ° Ý Ê ¦ f ³ ¹ s ° â · ~ MIS¤ Î ³ n Å é · ~ ÷ ª Ä ¿ Ò Ã ÷ ¨ « O À I · ~ ú ¥ q ¹ q ³ H « ¾ ¹ § ÷ · ~ b ¾ ¥ É Å é · ~ i ¥ ¶ X f ¤ ¶ T © ö · ~ q ¹ £ ¸ ¶ g Ã ä · ~ q ¹ l ¤ » s ³ y · ~ 2 3 4 5 6 7 8 9 10 3.2 3.2 3.6 4.1 6.2 7.2 7.6 7.8 8.3 10.1 11
IC積集度的演進
1.0E+10 1.0E+09 1.0E+08
ó /IC) ¸ ¥ × (¤ ¥ « n · ¿
1.0E+07 1.0E+06 1.0E+05 1.0E+04 1.0E+03 1.0E+02 1.0E+01 1960 1965 1970 1975 1980 ¦è ¤ ¸ 1985 1990 1995 2000 2005
Foundry
我國IC技術發展三部曲
• 聯電IC技術建立 • 台積專業代工策略模式 • 世界先進自有品牌DRAM
DRAM
94 電子所, 鈺創 94 Mitsubishi, Elpida 95 Oki, IBM, Infineon 96 Siemens, Elpida
台灣半導體工業關聯圖
日矽華南立菱立 月品泰茂衛生生 光
日矽華南矽聯大京立菱鑫華力泰汎超全 月品泰茂豐測眾元衛生成鴻成林利豐懋 光
• 何謂積體電路(IC)
• IC=Integrated Circuit • 為很多電路元件積集在一起, 產生某些電性的功能. • IC就像是印刷電路板(PCB)的濃縮版.
• 依照IC積集度多寡, 可分為: • • • • • SSI: MSI: LSI: VLSI: ULSI: Small Scale Integration (<100) Medium Scale Integration (100~1000) Large Scale Integration (>1000) Very Large Scale Integration (>100,000) Ultra Large Scale Integration (>10000,000)
智 原 思 源
IP EDA
設計
聯松晶瑞智威凌聯偉揚旺義鈺民矽矽新敦 發瀚豪昱原盛陽詠詮智玖隆創生統成茂茂
IC 廠
台聯南茂茂旺華力世天立矽漢大 積電科矽德宏邦晶界下生統磊王 先 進
台台中漢 灣灣德磊 小信 松越
晶圓
製造
光罩
台翔中杜 灣準華邦 光 凸 罩 板
華耀 通文
佳順中旭 茂德信龍
基板 封裝 導線架 測試
IC 產品分類
記憶體IC (Memory IC)
揮發性
非揮發性
動態隨機存取記憶體 (DRAM) 靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 光罩唯讀記憶體 (MASK ROM) 可消除,可程式唯讀記憶體 (EPROM) 可電除,可程式唯讀記憶體 (EEPROM) 快閃記憶體 (FLASH)