热释光简单介绍
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合
间接复合：导带中的自由电子与在R处被俘获的
空穴复合。
对于半导体或绝缘体，间接复合的概率大于直接复 合，尤其对宽禁带的半导体和绝缘体。 自由电子被俘获在能级T（b过程）上，被俘获的电 子吸收能量E后释放回到导带，则发生复合。单位时 间电子从陷阱中释出的概率为p
式中 s 为频率因子，在此模型中是与时间无关的一 常量，E是激活能（陷阱深度），к是波尔兹曼常数 ，T为绝对温度。
热释光材料及基本要素
热释光材料
当受到辐射之后加热时能发出热释光的物 质
材料的基本要素：
1. 必须是绝缘体或半导体，金属不存在热释光 2. 在受辐照时必须吸收能量 3. 加热时可激发光辐射
注意：热释光是一次发光，一旦材料已产生 热释光，为了再发光，就必须再次辐照该材料， 而不能简单的冷却样品后再加热的想法使其再次 发出热释光
我们知道,退火可以改变材料的缺陷分布,从而改 变材料的性能。在实际应用中要求TLD材料尽可能 的多次使用，而辐射之后经历的退火能有效的重新 建立缺陷平衡，进而使之能再次使用。不同的退火 温度对陷阱的排空不一样，进而产生不同的发光峰 和灵敏度，此外，冷却速率的不同可以影响缺陷的 存在形式（如聚合体和离子体）和存在状态（如沉 积态和游离态），这些都会影响TL的发光中心和发 光曲线形状。
剂量响应曲线
剂量响应：TL强度随吸收剂量的变化。 在理想情况下，TL随吸收剂量D的变化曲线 在很大范围内呈线性变化。但很多实际使用 的剂量材料都出现非线性，典型的情况是随 着剂量的增加，先是线性响应，再是超线性 响应，最后在接近饱和时是亚线性响应。如 下图：
能量响应
热释光材料的热释光强度随辐射能量的变化关系。
热释光简单介绍
李国栋 2013.10.
主要内容
➢热释光（TL）的基本概念 ➢热释光发光简单模型 ➢热释光剂量计（TLD）材料
的一般特征
基本概念
热释光的定义 热释光是绝缘体或半导体加热时从中
发出的光(TL) 注意：热释光是物质预先吸收了辐射
能量之后受热激发所发出的光，不能与物 质加热到白炽化时自发发射的光混淆。物 质能吸收并储存辐射能量是其在辐射剂量 方面应用的基础。
物理形态
一般TLD材料的物理形态是粉末和固体片。固体片 通常由单晶，多晶，磷光体粘合物压合等组成，而 它们的几何形状、尺寸，如薄膜，圆片，正方体以 及厚度都会影响材料的发光。对粉末，颗粒的大小 、直径也会影响材料的发光。以上这些都需要在实 验过程中引起注意。
Thank you ！
a:电子和空穴的产生 b:电子和空穴的俘获 c:热激发电子的释放 d:电子和空穴的复合
当辐射吸收能量大于Eg时，引起价带电子的电离 (a过程），在导带上产生自由电子，价带上产生 自由空穴。这些自由载流子可相互结合(d过程） 或者被定域能级俘获（b过程），但在它们各自 的非定域能带内保持自由
直接复合：导带中的电子与价带中的光衰减的现象。 一般，放置时间越长，放置温度越高，衰退越严重 ，并且低温热释光峰比高温热释光峰衰退更为严重 。
造成衰退的原因可能有以下几点： 一：在室温下浅陷阱中俘获的载流子可能在热、光 等作用下从陷阱中逃出。这就要材料在处理、使用 、保存尽可能的避光。 二：由于量子隧道效应造成的与温度无关的衰退。
材料中发射的热释光强度与吸收的能量成正比 ，故评估材料的吸收系数随辐射能量的变化很重要 。在计量学上，要求探测器在很宽的能量范围内都 呈现出恒定的响应。对个人剂量学，由于要评估身 体细胞的吸收剂量，所以要求有所谓的组织等效剂
量计。
退火行为
退火:将材料缓慢加热到一定温度，保持足够时间， 然后以一定速度冷却的过程。
（7）式可简化如下：
同样采取线性加热，可得到二级动力学发光 曲线表达式
二级动力学发光曲线特征：发光曲线显得更对称， 高温侧宽度略大约低温侧，随n的增加，温峰向低温 移动。如下图
通用级动力学：在实际的发光过程中一级、 二级动力学都不可能存在，May和Partridge给 出了如下经验表达式
式中b是动力学的级，不等于1和2，S’=
简单模型
一个陷阱中心一个复合中心
热释光发光过程
热释光发光是基于固体的能带理论，理 想的晶体材料（绝缘体或半导体）中电子处 于价带，当晶体中存在缺陷时，在禁带中会 产生定域能级，此时电子可以处在定域能级 上。如下图所示：
Ef ：费米能级 T ：势电子陷阱
俘获电子 H中心 R ：势空穴陷阱 俘获空穴 F中心 Eg ：禁带能
探测范围
TLD材料的探测范围是指材料可探测到的最 小辐射剂量和最大辐射计量。 材料的最小辐射计量在实际的一些低剂量应 用中很重要，如在环境监测中探测环境背景 剂量，在医学领域也需要很低计量范围内很 敏感的计量材料。最大辐射计量由于剂量响 应度曲线超线性接近于饱和，所以很难测量 具体值，我们一般取剂量响应度曲线线性区 的结束点为最大探测范围。
式中
。
当b=1,2时，通用级回到一级、二级动
灵敏度
TLD材料的灵敏度是由单位质量、单位吸 收剂量发出的热释光强度来确定。由此可看 出灵敏度依赖于热释光测量过程，例如加热 速率、光探测体系。灵敏度还与样品的制备 过程、物理形态（单晶、粉末、薄膜等）和 退火过程相关。此外，灵敏度还依赖于电离 辐射的种类和能量。
简单模型下动力学的“级”
一级动力学：Wilkins 和Randall假设在加热过
程中再俘获概率可忽略，有
，（7
）式可简化如下：
在实验中一般温度随时间线性升高 得到 一级动力学下热释光曲线的表达式：
二级动力学：Garlick和 Gibson考虑再俘获的 可能，并
假设陷阱远没有饱和，有
，
又
间接复合：导带中的自由电子与在R处被俘获的
空穴复合。
对于半导体或绝缘体，间接复合的概率大于直接复 合，尤其对宽禁带的半导体和绝缘体。 自由电子被俘获在能级T（b过程）上，被俘获的电 子吸收能量E后释放回到导带，则发生复合。单位时 间电子从陷阱中释出的概率为p
式中 s 为频率因子，在此模型中是与时间无关的一 常量，E是激活能（陷阱深度），к是波尔兹曼常数 ，T为绝对温度。
热释光材料及基本要素
热释光材料
当受到辐射之后加热时能发出热释光的物 质
材料的基本要素：
1. 必须是绝缘体或半导体，金属不存在热释光 2. 在受辐照时必须吸收能量 3. 加热时可激发光辐射
注意：热释光是一次发光，一旦材料已产生 热释光，为了再发光，就必须再次辐照该材料， 而不能简单的冷却样品后再加热的想法使其再次 发出热释光
我们知道,退火可以改变材料的缺陷分布,从而改 变材料的性能。在实际应用中要求TLD材料尽可能 的多次使用，而辐射之后经历的退火能有效的重新 建立缺陷平衡，进而使之能再次使用。不同的退火 温度对陷阱的排空不一样，进而产生不同的发光峰 和灵敏度，此外，冷却速率的不同可以影响缺陷的 存在形式（如聚合体和离子体）和存在状态（如沉 积态和游离态），这些都会影响TL的发光中心和发 光曲线形状。
剂量响应曲线
剂量响应：TL强度随吸收剂量的变化。 在理想情况下，TL随吸收剂量D的变化曲线 在很大范围内呈线性变化。但很多实际使用 的剂量材料都出现非线性，典型的情况是随 着剂量的增加，先是线性响应，再是超线性 响应，最后在接近饱和时是亚线性响应。如 下图：
能量响应
热释光材料的热释光强度随辐射能量的变化关系。
热释光简单介绍
李国栋 2013.10.
主要内容
➢热释光（TL）的基本概念 ➢热释光发光简单模型 ➢热释光剂量计（TLD）材料
的一般特征
基本概念
热释光的定义 热释光是绝缘体或半导体加热时从中
发出的光(TL) 注意：热释光是物质预先吸收了辐射
能量之后受热激发所发出的光，不能与物 质加热到白炽化时自发发射的光混淆。物 质能吸收并储存辐射能量是其在辐射剂量 方面应用的基础。
物理形态
一般TLD材料的物理形态是粉末和固体片。固体片 通常由单晶，多晶，磷光体粘合物压合等组成，而 它们的几何形状、尺寸，如薄膜，圆片，正方体以 及厚度都会影响材料的发光。对粉末，颗粒的大小 、直径也会影响材料的发光。以上这些都需要在实 验过程中引起注意。
Thank you ！
a:电子和空穴的产生 b:电子和空穴的俘获 c:热激发电子的释放 d:电子和空穴的复合
当辐射吸收能量大于Eg时，引起价带电子的电离 (a过程），在导带上产生自由电子，价带上产生 自由空穴。这些自由载流子可相互结合(d过程） 或者被定域能级俘获（b过程），但在它们各自 的非定域能带内保持自由
直接复合：导带中的电子与价带中的光衰减的现象。 一般，放置时间越长，放置温度越高，衰退越严重 ，并且低温热释光峰比高温热释光峰衰退更为严重 。
造成衰退的原因可能有以下几点： 一：在室温下浅陷阱中俘获的载流子可能在热、光 等作用下从陷阱中逃出。这就要材料在处理、使用 、保存尽可能的避光。 二：由于量子隧道效应造成的与温度无关的衰退。
材料中发射的热释光强度与吸收的能量成正比 ，故评估材料的吸收系数随辐射能量的变化很重要 。在计量学上，要求探测器在很宽的能量范围内都 呈现出恒定的响应。对个人剂量学，由于要评估身 体细胞的吸收剂量，所以要求有所谓的组织等效剂
量计。
退火行为
退火:将材料缓慢加热到一定温度，保持足够时间， 然后以一定速度冷却的过程。
（7）式可简化如下：
同样采取线性加热，可得到二级动力学发光 曲线表达式
二级动力学发光曲线特征：发光曲线显得更对称， 高温侧宽度略大约低温侧，随n的增加，温峰向低温 移动。如下图
通用级动力学：在实际的发光过程中一级、 二级动力学都不可能存在，May和Partridge给 出了如下经验表达式
式中b是动力学的级，不等于1和2，S’=
简单模型
一个陷阱中心一个复合中心
热释光发光过程
热释光发光是基于固体的能带理论，理 想的晶体材料（绝缘体或半导体）中电子处 于价带，当晶体中存在缺陷时，在禁带中会 产生定域能级，此时电子可以处在定域能级 上。如下图所示：
Ef ：费米能级 T ：势电子陷阱
俘获电子 H中心 R ：势空穴陷阱 俘获空穴 F中心 Eg ：禁带能
探测范围
TLD材料的探测范围是指材料可探测到的最 小辐射剂量和最大辐射计量。 材料的最小辐射计量在实际的一些低剂量应 用中很重要，如在环境监测中探测环境背景 剂量，在医学领域也需要很低计量范围内很 敏感的计量材料。最大辐射计量由于剂量响 应度曲线超线性接近于饱和，所以很难测量 具体值，我们一般取剂量响应度曲线线性区 的结束点为最大探测范围。
式中
。
当b=1,2时，通用级回到一级、二级动
灵敏度
TLD材料的灵敏度是由单位质量、单位吸 收剂量发出的热释光强度来确定。由此可看 出灵敏度依赖于热释光测量过程，例如加热 速率、光探测体系。灵敏度还与样品的制备 过程、物理形态（单晶、粉末、薄膜等）和 退火过程相关。此外，灵敏度还依赖于电离 辐射的种类和能量。
简单模型下动力学的“级”
一级动力学：Wilkins 和Randall假设在加热过
程中再俘获概率可忽略，有
，（7
）式可简化如下：
在实验中一般温度随时间线性升高 得到 一级动力学下热释光曲线的表达式：
二级动力学：Garlick和 Gibson考虑再俘获的 可能，并
假设陷阱远没有饱和，有
，
又