X-FAB公布首款0.35微米100V高压纯晶圆代工厂技术

X-FAB公布首款0.35微米100V高压纯晶圆代工厂技术

X-FAB Silicon Foundries，业界领先的模拟/混合信号晶圆厂及超越摩尔定律技术的专家，今天公布了业界首款100V 高压0.35 微米晶圆厂工艺。它能用于电池管理,提供新类型的可靠及高性能电池监控与保护系统。它也非常适合用于功率管理设备，以及用于使用压电驱动器的超声波成像和喷墨打印机的喷头。此外，X-FAB 加入了新兴改良式N 类与P 类双扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管，对于达到100V 的多运作电压，导通电阻可降低45%，晶片的占位能够降低40%，从而降低了晶粒的成本。X-FAB 将于7 月27 日至28 日向全球提供一次免费的网络讲座,探讨这些新功能，网络讲座的议题是将业界首款0.35 微米100V 纯晶圆代工厂工艺应用于高压装置。

X-FAB 首席技术官Jens Kosch 说：随著可再生能源越来越流行，混合动力与电动车、光电池与风力涡轮机等都需要安全高效的能源存储管理方案。當客户使用X-FAB 最新的专业高压工艺時,便能够应对这些问题,以及用较低的成本应对其他一些潜力巨大的新兴设备。例如我们发现锂电池的功率管理解决方案很受关注，全球的主要汽车制造商都表现出浓厚兴趣。通过X-FAB 的最新HV 工艺，他们就能实现更安全、更高性能的电池监控与保护系统。

各功能的平均成本更低

X-FAB 最新改良型N 类与P 类DMOS 晶体管门氧化物厚度为14 纳米或40 纳米，客户根据其设备的要求有5V 或12V 驱动能力可选，操作电压为

55V、75V 和100V。通过大幅降低导通电阻，将EEPROM 功能集成到基线工艺，进行修整和程序存储，并使用一个厚金属层作为第三个金属层，X-FAB 已经大大降低了各功能的平均成本。此外，新加入的独立5V NMOS 与PMOS 设备能够操作于0V 至100V 之间的电压。其他设备改良包括肖特基(Schottky)二