第四章-纳米压印技术
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微米纳米加工技术
1.2 纳米压印技术
普 林 士 顿 大 学 : Stephen Y.Chou 教授,将一具有纳米图
第三章:纳米压印技术
来的模版以机械力(高温、高压)
在涂有高分子材料的硅基板上 等比例压印复制纳米图案. 压印示意图 优点:其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关,而不受光学 光刻的最短曝光波长的物理限制。 MicroNano System Research Center
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微米纳米加工技术
第三章:纳米压印技术
1. 纳米压印技术简介
1.1 压印技术
说到压印技术,其实并不神秘,中国
古代四大发明之一的活字印刷术就是最 初压印技术的原型。通俗的说,压印就 是把一个刻有凸凹图案的印章盖在橡皮 泥上,然后在其上面留下与章的图形相
反的图案。 MicroNano System Research Center
2. 预先在基片底部涂一层与基底粘接性好的聚合物(如PMGI: 聚
甲基戊二酞亚胺),这样既有利于脱模,又可使基底平整化; 3. 用一种高抗粘连的材料涂镀在模板内表面,以利于脱模; 为避免压印时有机溶剂与模板腔体之间残留气孔,最好在真空
状态下工作。多层结构压印依靠模板四角标记对准,对准精度比
较差,通常在微米级,故多用于单层结构压印。
业; 1986年获麻省理工学院博士后; 先后在斯坦福大学及明尼苏达大 学任教;
Stephen Y.Chou
(http://www.princeton.edu/~chouweb/)
1997年应聘至普林斯顿大学主持 “纳米结构实验室”。
2007年当选为美国国家工程院院士,被称为改革开放后中国大
陆高校毕业生获取美国国家工程院院士的第一人。
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微米纳米加工技术
3. 紫外光固化压印技术(UV-NIL)
化高分子的压印光刻技术,其前处理与热压印类似。
第三章:纳米压印技术
M.Bender和M.Otto提出一种在室温、低压环境下利用紫外光硬
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第三章:纳米压印技术
脱模及刻蚀过程
热压印温度与时间曲线
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MicroNano System Research Center 降低热压印时 PMMA和模版的粘附,使之易于脱模。
微米纳米加工技术
第三章:纳米压印技术
为便于脱模应尽量减小有机溶剂和模板间的粘附力,常用方法 有: 1. 在光刻胶中添加一种特殊的氟化物材料(如用三乙氧基硅烷作 氟基添加剂),以减小光刻胶与模板的粘附作用;
第三章:纳米压印技术
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电沉积Ni 模版
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微米纳米加工技术
模板材料的选择:
第三章:纳米压印技术
选择模板材料的关键在于它们的机械特性。包括硬度,热膨胀
系数和导热性。通常要求模板材料硬度和拉伸强度高,热膨胀系数
小,抗腐蚀性好,确保模版耐磨,变形小,从而保证其压印精度和 使用寿命。 由于不同压印工艺对模板材料的要求不同,为了寻找使用周期更
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微米纳米加工技术
1.3 关键工艺步骤: 模版的制备:
第三章:纳米压印技术
压模的制作通常用高分辨电子束刻印术(EBL)制备,压模通常
用Si, SiO2.氮化硅、金刚石等材料制备。这些材料具有:高硬度、大
压缩强度、大抗拉强可以减少压模的变形和磨损;高热导率和低热
膨胀系数,使得在加热过程中压模的热变形很小。
1. 首先,利用电子束直写技术(EBDW)制作一片具有纳米图案的Si 或SiO2模版,并且准备一片均匀涂布热朔性高分子光刻胶 (通常以
PMMA为主要材料)的硅基板;
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模版的制备
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微米纳米加工技术
2. 将 硅 基 板 上 的 光 刻 胶 加 热 到 玻 璃 转 换 温 度 (Glass Transfer
长的模板材料作为大规模生产,研究人员研究更具灵活性和适应性
的材料作为模板材料。一般通过实验来测试这些通过纳米加工技术 得到的模板的耐用性。
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微米纳米加工技术
1)硬度: 分别进行不同的硬度试验测试,包括硬度划痕试验
第三章:纳米压印技术
和压痕硬度试验. 在硬度划痕试验中,测试莫式硬度。在压痕硬 度试验中,测试维氏硬度和努普硬度。 2) 导热性: 必须考虑到模板和基片这两种材料导热性的差异。
在降温过程中,两者导热性过大的差异,会使图形产生扭曲变
形。通常的选用原则是,导热性越强越好,可以缩短整个加工 周期,这有利于产量的提高.
模板材料随压印工艺而不同:
第三章:纳米压印技术
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实例 2 :
第三章:纳米压印技术
材料:4 m Plex 6792 熱壓:(79+90)C, 125 bar, 15 min
材料:50 nm mr-I 8030 熱壓:(115+90)C, 125 bar, 15 min
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第三章:纳米压印技术
基本概念:利用电子束刻印技术或 其他先进技术,把坚硬的压模毛坯加
工成一个压模: 然后在用来绘制纳米
图案的基片上旋涂一层聚合物薄膜, 将其放人压印机加热并且把压模压在 基片上的聚合物薄膜上,再把温度降 低到聚合物凝固点附近并且把压模与 聚合物层相分离,就在基片上做出了 凸起的聚合物图案(还要稍作腐蚀除去 热压印示意图 凹处残留的聚合物)
热压印的缺点是需要高温、高压、且即使在高温、高压很长时间,
对于有的图案,仍然只能导致聚合物的不完全位移,即不能够完全 填充印章的腔体。 存在的问题:使用热压印光刻技术的热朔性高分子光刻胶必须经 过高温、高压、冷却的相变化过程,在脱模之后压印的图案经常会 产生变形现象,因此使用热压印技术不易进行多次或三维结构的压 印,为了解决此问题,有人开始研发一些可以在室温、低压下使用 的压印光刻技术。
光刻胶发生聚合反应硬化成形; 4.
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然后脱模、进行刻蚀基板上残
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留的光刻胶便完成整个UV-NIL。
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1. Spin coating the polymer of PMMA (bottom layer); 2. Sputtering the metal of Germanium;
微米纳米技术
纳米压印技术 2015.05
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微米纳米加工技术
第三章:纳米压印技术
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微米纳米加工技术
第三章:纳米压印技术
普林斯顿大学电机系华裔教授,
1978年从中国科技大学物理系毕
近十年间 , 各种创新的NIL工艺的研究陆续开展,其实验结果越 来越令人满意,目前,大概归纳出四种代表技术: 热压印光刻技术 、紫外硬化压印光刻技术、软压印、激光辅助直接光刻技术。
2.1 热压印(HE-NIL ) 2.1.1热压印
热压工艺是在微纳米尺度获得并行复制结构的一种成本低而速 度快的方法,仅需一个模具,完全相同的结构可以按需复制到大 的表面上。
紫外纳米压印示意图
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微米纳米加工技术
紫外纳米压印工艺流程:
第三章:纳米压印技术
1. 首先都必须准备一个具有纳米图
案的模版,而 UV-NIL 的模版材料必
须使用可以让紫外线穿透的石英; 2. 并且在硅基板涂布一层低粘度、 对UV感光的液态高分子光刻胶; 3. 在模版和基板对准充成后,将
模版压入光刻胶层并且照射紫外光使
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熱壓溫度:175C 熱壓時間:30min
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PMMA热压后形状松弛
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热压印的优点及存在的问题 :
第三章:纳米压印技术
优点:热压印相对于传统的纳米加工方法,具有方法灵活、成
本低廉和生物相容的特点,并且可以得到高分辨率、高深宽比结构。
2. 剥离技术:先采用镀金工艺在表面形成一层金层,然后用有 机济剂进行溶解,有聚合物的地方要被溶解,于是连同它上面的 金一起剥离.这样就在衬底表面形成了金的图案层。
第三章:纳米压印技术
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纳米压印/剥离/刻蚀工艺
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微米纳米加工技术
实例 1 :
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微米纳米加工技术
第三章:纳米压印技术
日前, NIL 技术已经可以制作线宽
在5nm以下的图案。 由于省去了光学光刻掩模版和使用光 学成像设务的成本。因此NIL技术具有低 成木、高产出的经济优势。 广泛应用在纳米电子元件、生物或化
学的硅片实验室、微流道装臵,超高存
储密度磁盘、微光学元件等领域;
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1)软压印术先用硅作为母板,然后采用聚二甲基硅氧烷(PDMS )浇铸母板,最后得到PDMS模板(或模具);
2)热压印一般采用镍(Ni)、铬(Cr)或碳化硅(厚度5.5mm)作为模板;
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微米纳米加工技术
2. 纳米压印技术原理和分类
第三章:纳米压印技术
第三章:纳米压印技术
3. Spin coating the photo-curable
resist of Amonil (top layer) from top to bottom; 4. RIE etch the resuidal layer of Amonil, Ge and PMMA; 5. Deposition of Au and lift-off.
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主要内容
第三章:纳米压印技术
1.纳米压印技术简介 1.1 压印技术 1.2 纳米压印技术 1.3 纳米压印关键工艺步骤 2.纳米压印工艺 2.1 热压印技术 2.2 紫外光固化压印(步进-闪光工艺) 2.3 软模板压印技术(SCIL) 2.4 逆压印技术 2.5 滚筒压印技术 3.纳米压印技术应用领域及前景 MicroNano System Research Center
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图案转移技术:
第三章:纳米压印技术
1. 刻蚀技术:刻蚀技术以聚合物为掩模,对聚合物层进百度文库选择
性刻蚀,从而得到图案;
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纳米压印/刻蚀工艺
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热压印模版的制备
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第三章:纳米压印技术
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微米纳米加工技术
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MicroNano System Research Center 热压印法的工艺过程分三步 : 压模制备、压印过程、图形转移。
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第三章:纳米压印技术
纳米压印与图形转移技术
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热压印工艺流程:
第三章:纳米压印技术
第三章:纳米压印技术
Temperature) 以上,利用机械力将模版压入高温软化的光刻胶层内,
并且维持高温、高压一段时,使热塑性高分子光刻胶填充到模版的
纳米结构内;
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热压印流程
热压印温度与时间曲线
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3. 待光刻胶冷却固化成形之后,释放压力并且将模版脱离硅基板; 4. 最后对硅基板进行反应离了刻蚀(Reactive Ion Etching )去除残留 的光刻胶,即可以复制出与模版等比例的纳米图案。
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微米纳米加工技术
第三章:纳米压印技术
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光胶线宽、残余厚度和热压(50bar)温度、时间之间的关系
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第三章:纳米压印技术
模仁尺寸:44 mm PMMA厚度:270 nm