纳米压印技术

射效应的限制，也不受二次电子的限制，不需要任何复杂的辐射化学。 它 也是一种潜在的简单和便宜的技术。 然而，对纳米尺度图案的延续性障碍 是目前依赖于其他光刻技术来生成模板。自组装结构可能为10纳米或更小 尺度的周期性图案的模板提供最终解决方案。
截至2007年10月，东芝是唯一一家经过验证的纳米压印光刻技术，面向22nm及以上的公司。
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分类
热塑性纳米压印光刻(T-NIL) 紫外纳米压印光刻(UV-NIL) 微接触印刷（μCP）
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热塑性纳米压印光刻（T-NIL）
在标准的T-NIL工艺中，将薄的抗 蚀刻层（热塑性聚合物）,旋涂在样 品基底上。 然后将具有预定义拓扑图 案的模具与样品接触并将它们在一定 压力下压在一起。 当加热到高于聚合 物的玻璃化转变温度时，模具上的图 案被压入软化的聚合物膜中。 冷却后 ，模具与样品分离，图案抗蚀剂留在 基材上。 可以使用图案转移过程 （ 反应离子蚀刻 ）将抗蚀剂中的图 案转印到下面的基底。
最近紫外压印一个新的发展是提出了步进 - 闪 光压 印。步进 - 闪光压印发明于 Austin（奥斯丁）的 Texas 大 学 ,它可以达到 10 nm 的分辨率。工艺如下图所示
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目标和结果
1. 石英印章接触压印 2. 进行UV曝光 3. 从基板分离印章 4. 清除残留层 5. 氧蚀剂蚀刻
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紫外纳米压印光刻技术
Ultraviolet nanoimprint lithography technology
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目录：
➢ 介绍 ➢ 过程 ➢ 应用 ➢ 未来前景
Content s
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介绍
纳米压印光刻（NIL）是制造纳米尺度图案
的方法。 它是一种简单的纳米光刻工艺，具有成本低，产量 高，分辨率高。 它通过压印抗蚀剂的机械变形和随后的工艺 形成图案。 印记抗蚀剂通常是在印迹期间通过热或UV光固化 的单体或聚合物制剂。 控制抗蚀剂和模板之间的粘合以允许 适当的释放。
微接触印刷（μCP）
是软光刻技术的一 种形式，通常使用PDMS模 板上的凹凸图案压膜来在 承印物的表面通过面接触 形成油墨自组装单层膜的 图案，就类似纳米转移印
刷的情况
1. 模板制备 2. 生成PDMS压膜 3. 压膜上墨 4. 将压膜转移到承印物 5. 直接接触
说明：PDMS,比例为10:1的硅橡胶和硅橡胶固化剂
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三种方法的对比
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应用
纳米压印光刻已被用于制造用于电，光， 光子和生物应用的器件。
对 于 电 子 设 备 ， NIL 已 被 用 于 制 造 MOSFET ， O-TFT ，单电子存储器。
对于光学和光子学，已经通过NIL制造亚波长谐振光栅滤波 器，表面增强拉曼光谱（SERS）传感器，波片，抗反射结构 ，集成光子电路和等离子体激元器件进行了深入研究。
注释：
OTFT: Organic thin film transistor有机薄膜晶体管
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金属氧化物半导体场
效电晶体
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未来前景
纳米压印光刻是一种简单的图案转印工艺，既不受衍射也不受散
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总结
纳米压印技术是纳米尺寸大面积结构复制的最 有前途的 下一代技术之一 , 这种成本低、效率高的纳米结构制作方法已 逐渐应用于生物医学、半导体加工和数据存储等领域 , 因为传 统热压印技术和紫外压印工艺存在模板成本高、图形转移不稳定、 压印效率低等缺点。
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THANKS
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T-NIL步骤
聚合物被加热到它的玻璃化温度 以上。
施加压力
模压过程结束后 ,整个叠层被冷 却到聚合物玻璃化温度以下
脱模。脱模时要小心 ,以防止用 说明力：过玻璃度化温而度使，高模聚物具由高损弹伤态转。变为玻璃态的温精品度课。件
紫外纳米压印光刻(UV-NIL)
流程如下：被单体涂覆的衬底和透明印章装载到对准 机中 ,通过真空被固定在各自的卡盘中。当衬底和印章的光 学对准完成后 ,开始接触。透过印章的紫外曝光促使压印区 域的聚合物发生聚合和固化成型。接下来的工艺类似于热压 工艺。