电磁加热控制技术交流

2、数字模拟混合控制
更 快 的 速 度
1、纯模拟控制
功率模块的进一步集成和小型化
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339 地
8 C1 0 0 80 5-1 01 9 +5V 14 GND U2 C L M 33 9 R2 2 0 80 5-4 70 Ω 10 13 11 C1 1 0 80 5-1 04 U2 D L M 33 9
高 压门 限
PW M
R2 3 0 80 5-1 0K* R2 4 0 80 5-5 1K*
+5V R2 6 0 80 5-2 K
+18 V
4 .6 2 7 V
6
R2 7 0 80 5-3 30 1 C9 0 80 5-1 01 7 C8 L M 33 9 U2 B 0 80 5-2 21 *
D1 7 4 14 8 C6 2 N2J/6 3V
R2 8 0 80 5-
4 .9 9 1 V
R1 8 0 80 5-1 6K*
感应回路监控
四管串联谐振式全桥变频电磁炉
半桥串联电磁加热典型电路
Half Bridge Topology
AC
驱动电路
功率电流反馈
控制电路
感应回路监控
双管串联谐振式半桥变频电磁炉
半桥串联电磁加热典型波形
目录
【CONTENTS】
电磁加热控制技术发展趋势
4、纯数字控制 （DSC、DSP等）
3、数字模拟集成控制
1 .2 9 4 V (1 0 9 8 V ->4 .5 8 3 V)
0 80 5-2 21 *
R1 7 0 80 5-1 0K* R1 9 0 80 5-5 . 6K*
339 地
8 C1 0 0 80 5-1 01 9 +5V 14 U2 C L M 33 9 R2 5 0 80 5-2 7K*
Vpwm
电磁炉的原理与结构
电磁炉原理框图
【Principium】
220V－240V电压
桥式整流器
直流电
LC震荡回路
高频交流电
IGBT功率管
高频磁场
锅具底部产生涡流
大量热能
电磁加热技术的几种常见拓补结构
Single Ended Topology
AC
电流反馈
控制回路
驱动电路
单端并联谐振式变频电磁炉
电磁加热技术的几种常见拓补结构
+18 V
12
+18 V
U2 A
R4 6 0 80 5-3 . 3K R4 7 0 80 5-5 K
L M 33 9
3பைடு நூலகம்
A
5
0 80 5-1 04 *
B
6
目录
【CONTENTS】
串联谐振式电磁加热技术解析
全桥串联电磁加热典型电路
Full Bridge Topology
AC
驱动电路
功率电流反馈
控制电路
控制回路
驱动电路
电磁炉核心电路
300V
C5 0 . 3UF/80 0VAC R1 5 1 /2W -6 60 K* R1 6 1 /2W -1 42 0K* T rig &Fee db ac k R2 7 6 0 80 5-3 30 1 C6 2 N2J/6 3V IGBT 1 IH2 0T 1 20 C9 0 80 5-1 01 7 C8 L M 33 9 U2 B 0 80 5-2 21 * +5V R2 6 0 80 5-2 K +18 V
浪涌 IGBT 驱 动 电 流 小 的 话 （ 如 西 门 子 ） ， 则 R8 1 SURGE
可 统 一 一 种 方 式 ， 但 为 了 调 试 ， 还 是 先 保 留
D2 0 4 14 8 R4 0 8 20 K/1W C1 5 1 0 2/5 0 0V 插脚 +5V E C3 4 7UF/16 V R4 1 3 30 K*/1 W R3 9 0 80 5-1 0K 4 C1 3 0 80 5-1 01 5 R4 2 D1 9 0 80 5-1 0K* 4 14 8 C1 6 0 80 5-2 22 R3 3 0 80 5-1 M GND C1 8 R4 5 0 80 5-2 20 K 2 C1 7 0 80 5-4 71 R4 4 0 80 5-4 7K
目录
电磁加热原理
【CONTENTS】
电磁加热技术的几种常见拓补结构
并联谐振式电磁加热技术解析 串联谐振式电磁加热技术解析
电磁炉的原理与结构
电磁炉原理效果图
【Principium】
产生大量热能 ▲ 锅具底部产生涡流
▲ 铁质锅具感应磁场
▲ 产生高频交变的磁场 ▲ 电流通过线圈盘
通过电路控制将电能转换成电磁能，然后由铁质材料吸收电磁波转换成热能，实现加 热的目的。
+5V R2 6 0 80 5-2 K
4 .6 2 7 V 4 .9 9 1 V
R1 8 0 80 5-1 6K* R1 7 0 80 5-1 0K* R1 9 0 80 5-5 . 6K*
D1 7 4 14 8
驱 动R2 8 电 0 80 5-6 2K* 路
IGBT
+18 V
IH2 0T
339 地
PWM =0 ,V p w m=1 .1 8 2V (3 .5 us); PWM =0 FFH,V p w m= 4.37 4V (3 3u s); PWM =4 0H,V pw m= 1 .9 8V (1 0u s);
IGBT 兼 容 性 设 计 ， 采 用 的 IGBT 需 要 驱 动 电 流 R8 2 不 接 ， R8 1 接 跳 线 短 路 ； +5V
结构简单、成本低，适于民用。 功率范围小、IGBT处于“三高”工况、 风险高。 结构较复杂，成本适中。 功率范围较大，工况柔和，民用商业 用皆适宜
半桥串联
全桥串联
结构复杂、成本高 功率范围大，适用于商用及工业领域。
目录
【CONTENTS】
并联谐振式电磁加热技术解析
单管并联电磁加热典型电路
AC
电流反馈
R2 5 0 80 5-2 7K*
Vpwm
驱 动 电 路
C7
E C5 4 . 7U/1 6V
同步与驱动电路
C5 0 . 3UF/ 80 0VAC R1 5 1 / 2W -6 60 K* R1 6 1 / 2W -1 42 0K* T ri g & Fee db ac k R2 7 6 0 80 5-3 30 1 C6 2 N2J/ 6 3V U2 B C9 0 80 5-1 01 7 C8 L M 33 9 0 80 5-2 21 *
8 C1 0 0 80 5-1 01 9 +5V 14 U2 C L M 33 9
高 压门 限
R2 2 0 80 5-4 70 Ω
C5 0 . 3UF/80 0VAC
IGBT的保护—C极高压保护
T rig &Fee db ac k
R1 5 1 /2W -6 60 K*
R1 6 1 /2W -1 42 0K*
4 .6 2 7 V 4 .9 9 1 V
R1 8 0 80 5-1 6K*
D1 7 4 14 8
R2 8 0 80 5-6 2K*
1 .2 9 4 V (1 0 9 8 V ->4 .5 8 3 V)
0 80 5-2 21 *
R1 7 0 80 5-1 0K* R1 9 0 80 5-5 . 6K*
Half Bridge Topology
AC
驱动电路
功率电流反馈
控制电路
感应回路监控
双管串联谐振式半桥变频电磁炉
电磁加热技术的几种常见拓补结构
Full Bridge Topology
AC
驱动电路
功率电流反馈
控制电路
感应回路监控
四管串联谐振式全桥变频电磁炉
电磁加热技术的三种拓补结构对比
描 述
单管并联
C7
高 压门 限
R2 2 0 80 5-4 70 Ω
PW M
R2 3 0 80 5-1 0K* R2 4 0 80 5-5 1K*
驱 动 电 路
10 11
E C5 4 . 7U/1 6V
C1 1 0 80 5-1 04
339 地
R3 8 0 80 5-4 . 7K
IGBT的保护—浪涌
Z1 1 8V/0 . 5W R3 7 1 0/1 W