常用电子元件性能介绍
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Electrical Characteristics﹕有關電氯特性
Min﹕最小的
Max﹕最大的
Typ﹕中間的
Units﹕單位
TEST CONDITIONS﹕測試條件
Breakdown Voltage﹕擊穿電壓BV
Reverse Leakage﹕反向漏電流IR
Forward Voltage﹕正向電壓降VF
Collector Dissipation﹕消耗功率PC
Collector-Base Breakdown Voltage﹕集電極-基極擊穿電壓BVCBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage﹕集電極-發射極擊穿電壓BVCEO
Emitter-Base Breakdown Voltage﹕發射極-基極擊穿電壓BVEBO
Base-Emitter Saturation Voltage﹕基極-發射極飽和電壓VBE(sat)
Current Gain Bandwidth Product﹕電流寬度fT
Output Capacitance﹕輸出電容Cob
Turn On Time﹕啟動時間tON
Turn Off Time﹕關閉時間tOFF
電阻的符號如下：
早期在厚膜製造技術還不是很成熟時，電阻就是利用細的電線，直接繞在棒子上，利用細電線的內阻來當電阻，如果家裡有早期的真空管電視、收音機的話，還可以見到其蹤影。它的阻值就與繞線的長度及繞線的電阻係數成正比，與線的截面積成反比線繞的越長，阻值越大，線徑用的越細，也會使阻值變大。
電阻的數學公式如下：
而功率消耗……………… P＝V* I
電阻上的消耗功率…….P ＝I2* R
P：功率，單位為：瓦特（W）
V：電阻上的壓降，單位：伏特（V）
I：流過電阻的電流值，單位為：安培（A）
R：電阻值，單位為：歐姆（Ω）
(b).材質選用：
每一種材質的溫度係數不相同（正溫度＆負溫度），如果該電阻用於偵測電壓，則需考慮在不同溫度時，對輸出電壓的影響，有些比較考究的產品，則利用正負溫度的電阻併聯，來校正溫度係數。
(1).陶瓷棒
(2).鍍上厚膜
(3).切割成長條
(4).兩端加接腳
(5).塗上包裝漆、條碼
2.電阻的種類：
(a).如果以插件加工的方式來分……分成 DIP ＆ SMD(Chip)兩種
(b).以瓦數來分……………………… 1／20W，1／16W，1／10W，1／8W，1／4W，1／2W，1W，2W，3W，4W，5W，6W，7W，10W，15W，20W，30W，40W
Fast Diode﹕快速恢復二極體
Schottky Barrier Diode﹕肖特基勢壘二極體
Switch Diode﹕開關二極體
Zener Diode﹕齊納二極體
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER﹕肖特基勢壘二極體的整流器
Absolute Maximum Ratings﹕絕對最大的等級
Storage Temperature﹕貯藏溫度Tstg
Operating Junction Temperature﹕工作接合溫度TJ
Working Inverse Voltage﹕工作反向電壓Viv
DC Forward Current (IF)﹕正向直流電流IF
Recurrent Peak Forward Current (IFRM)﹕峰值正向直流電流If
11.8
-
17.4
17.4
-
25.5
25.5
-
37.4
37.4
-
54.9
54.9
-
80.6
80.6
-
12.0
-
12
17.6
-
-
25.8
-
-
37.9
-
-
55.6
-
-
81.6
-
-
12.1
12.1
-
17.8
17.8
-
26.1
26.1
-
38.3
38.3
-
56.2
56.2
56
82.5
82.5
82
12.3
-
-
18.0
23.4
-
-
34.4
-
-
50.5
-
-
74.1
-
-
11.0
11.0
11
16.2
16.2
-
23.7
23.7
-
34.8
34.8
-
51.1
51.1
51
75.0
75.0
75
11.1
-
-
16.4
-
-
24.0
-
24
35.2
-
-
51.7
-
-
75.9
-
-
11.3
11.3
-
16.5
16.5
-
24.3
24.3
-
35.7
35.7
3.電阻的使用：
(a).功率選用：
一般決定電阻應該選用幾瓦，係考量消耗在電阻上的功率所產生的熱量，因為電阻會有Derating Curve（功率衰減曲線），例如：2W的電阻，實際使用消耗在電阻上的功率，最好小於1W（ie.＜50%），下圖就是Carbon Film固定電阻隨環境溫度不同的衰減曲線：
根據歐姆定律……………V ＝ I* R
再則是電阻的燃燒問題，部分電路因為申請安規時，要求不能有燃燒現象，則必須選則不可燃的塗裝。
4.色碼的判別：
電阻的阻值，通常可以直接從本體的顏色、條碼來得知其阻值，誤差值為2%以上者，條碼為4碼﹔誤差1%以下者，條碼為5碼﹔也有部分瓦數較大的電阻，直接用文字在本體印出其阻值。
(a).普通電阻的條碼：
顏色的代表數字：
SMD有0603、0805、1206、1812……等
(c).以外型區分………………………固定型、可變型、厚膜排阻、水泥電阻
(d).常見的材質種類…………………碳膜、金屬皮膜、金屬氧化皮膜、繞線有感、繞線無感
(e).以可燃性區分……………………一般型（可燃）、不可燃，因為表面塗裝的材料而異
(f).溫度係數區分……………………正溫度係數、負溫度係數
-
46.4
46.4
-
68.1
68.1
68
10.1
-
-
14.9
-
-
21.8
-
-
32.0
-
-
47.0
-
47
69.0
-
-
10.2
10.2
-
15.0
15.0
15
22.1
22.1
22
32.4
32.4
-
47.5
47.5
-
69.8
69.8
-
10.4
-
-
15.2
-
-
22.3
-
-
32.8
-
-
48.1
-
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70.6
-
-
10.5
-
18
26.4
-
-
38.8
-
-
56.9
-
-
83.5
-
-
12.4
12.4
-
18.2
18.2
-
26.7
26.7
39.2
39.2
39
57.6
57.6
-
84.5
Thermal Characteristics﹕電晶體特性
Collector-Emitter Voltage﹕VCEO
Collector-Base Voltage﹕VCBO
Emitter-Base Voltage﹕VEBO
Collector Current – Continuous﹕IC
Operating and Storage Junction Temperature Range﹕工作和貯藏接合溫度范圍Tstg
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
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0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
10.0
10.0
10
14.7
14.7
-
21.5
21.5
-
31.6
31.6
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15.4
15.4
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22.6
22.6
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33.2
33.2
33
48.7
48.7
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71.5
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33.6
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49.3
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10.7
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15.8
15.8
-
23.2
23.2
-
34.0
34.0
-
49.9
49.9
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73.2
73.2
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10.9
-
-
16.0
-
16
慣用的英文代碼：
K：1000= 103
M：1000K = 106
G：1000M = 109
‘m’：10-3
‘ u ‘：10-6
‘n’：10-9
‘ p‘：10-12
(b).精密電阻的條碼：
4
誤差碼用文字時：
G：2%
F：1%
D：0.5%
C：0.25 %
B：0.1%
A：0.05%
第一個數字
第二個數字
第三個數字
*10的幾次方
例如：紅色則為2
R = XXX *102
誤差碼：
紅色：2%
棕色：1%
綠色：0.5%
藍色：0.25 %
紫色：0.1%
灰色：0.05%
圖中的電阻值為：
1 2 2 * 102= 12200 = 12.2K
A1
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ2 %
Resistance電阻(被動元件)
電阻的功用及結構
電阻的種類
電阻的使用
色碼的判別
標準阻值級距
1.電阻的功用及結構：
在日常生活中常接觸到的電阻器，有很多的型態，如電燈泡的燈絲，可以將電能轉成光，電鍋、烤麵包機等電氣用品，則是電阻將電能轉成熱能的典型應用；電子電路中，電阻大多是用來衰減或偵測電流、電壓，在SMPS中，有時候用來作為放電用，其功用非常多，例如：耐壓較小的電晶體，則需要靠電阻幫忙衰減電壓，使其工作的電壓不致於超高而損壞。電阻本身不會產生能量，是典型的被動元件。
DiodeCharacteristics
二極體Diode是半導體(Semiconductors)器件﹐利用半導體的單向導電性造成﹐內部有一個PN結
由硅或鍺材料造成﹐可以用伏安特性來描述。
Smd﹕粘片Dip﹕插件PACKAGE﹕封裝形式specification﹕規格書
Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodes﹕共陰極雙個的肖特基勢壘整流二極體
三極﹕Collector(集電極)﹐Emitter(發射極)﹐Base(基極)
兩PN結﹕發射結﹐集電結
三區﹕發射區﹐基區﹐集電區
NPN Epitaxial Silicon Transistor﹕NPN型硅材料電晶體
PNP Epitaxial Silicon Transistor﹕PNP型硅材料電晶體
R =ρ* L / A
R：代表材料的電阻值，單位：歐姆Ω
ρ：代表所用材料的電阻係數
L：代表材料的長度
A：代表材料的截面積
圖1-1
後來膜層製造技術普遍了以後，人們就將各式的膜層先鍍在陶瓷棒上（因為陶瓷棒的膨脹係數最小），再利用雷射或鑽石刀切割膜層來改變其長度，達到製造不同阻值的目的；目前常用的碳膜或金屬氧化皮膜，其製造過程大致如下圖所示：
(g).以誤差範圍區分…………………0.1％，0.25％，0.5％，1％，2％，5％，10％
(h).耐壓範圍來區分…………………因瓦數不同而有400V、500V、700V、1000V
(i).偵測用途來區分…………………光敏電阻（CDS）、熱敏電阻（NTC: Negative TemperatureCoefficient＆PTC: Positive Temperature Coefficient）
Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 Second﹕峰值振蕩電流脈沖寬度IF(surge)1秒
Total Power Dissipation at 25℃﹕整體消耗的功率
Theta (Rth j-a) (Note 1) From junction to ambient mounted on a ceramic substrate of 10 mm x 8 mm x 0.6 mm
Capacitance﹕電容CT
Reverse Recovery Time﹕反向恢復時間TRR
TransistorCharacteristics電晶體特性
電晶體(Transistor)由半導體組成﹐利用基極電流IB控制集電極IC電流在放大區時IC=β*IB﹐它是一種電流控制器件﹐可以用﹕輸入特性﹐輸出特性(截止區﹐放大區﹐飽和區)描述
黑= 0
棕= 1
紅= 2
橙= 3
黃= 4
綠= 5
藍= 6
紫= 7
灰= 8
白= 9
第一個數字
第二個數字
*10的幾次方
例如：紅色則為2
R = XX *102
誤差碼：
金色：5%
銀色：10 %
上圖中的色碼所表示的阻值為：
第一個數字：棕（1）
第二個數字：紅（2）
10的次方數：紅（2）
1 2*102=12* 100 = 1200 = 1.2 K
-
52.3
52.3
-
76.8
76.8
-
11.4
-
-
16.7
-
-
24.6
-
-
36.1
-
36
53.0
-
-
77.7
-
-
11.5
11.5
-
16.9
16.9
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24.9
24.9
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36.5
36.5
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53.6
53.6
-
78.7
78.7
-
11.7
-
-
17.2
-
-
25.2
-
-
37.0
-
-
54.2
-
-
79.6
-
-
11.8
Base Cut-off Current﹕基極關閉電流IBEV
Collector Cut-off Current﹕集電極關閉電流ICEX
DC Current Gain﹕直流電流放大倍數hFE
Collector-Emitter Saturation Voltage﹕集電極-發射極飽和電壓VCE(sat)
Min﹕最小的
Max﹕最大的
Typ﹕中間的
Units﹕單位
TEST CONDITIONS﹕測試條件
Breakdown Voltage﹕擊穿電壓BV
Reverse Leakage﹕反向漏電流IR
Forward Voltage﹕正向電壓降VF
Collector Dissipation﹕消耗功率PC
Collector-Base Breakdown Voltage﹕集電極-基極擊穿電壓BVCBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage﹕集電極-發射極擊穿電壓BVCEO
Emitter-Base Breakdown Voltage﹕發射極-基極擊穿電壓BVEBO
Base-Emitter Saturation Voltage﹕基極-發射極飽和電壓VBE(sat)
Current Gain Bandwidth Product﹕電流寬度fT
Output Capacitance﹕輸出電容Cob
Turn On Time﹕啟動時間tON
Turn Off Time﹕關閉時間tOFF
電阻的符號如下：
早期在厚膜製造技術還不是很成熟時，電阻就是利用細的電線，直接繞在棒子上，利用細電線的內阻來當電阻，如果家裡有早期的真空管電視、收音機的話，還可以見到其蹤影。它的阻值就與繞線的長度及繞線的電阻係數成正比，與線的截面積成反比線繞的越長，阻值越大，線徑用的越細，也會使阻值變大。
電阻的數學公式如下：
而功率消耗……………… P＝V* I
電阻上的消耗功率…….P ＝I2* R
P：功率，單位為：瓦特（W）
V：電阻上的壓降，單位：伏特（V）
I：流過電阻的電流值，單位為：安培（A）
R：電阻值，單位為：歐姆（Ω）
(b).材質選用：
每一種材質的溫度係數不相同（正溫度＆負溫度），如果該電阻用於偵測電壓，則需考慮在不同溫度時，對輸出電壓的影響，有些比較考究的產品，則利用正負溫度的電阻併聯，來校正溫度係數。
(1).陶瓷棒
(2).鍍上厚膜
(3).切割成長條
(4).兩端加接腳
(5).塗上包裝漆、條碼
2.電阻的種類：
(a).如果以插件加工的方式來分……分成 DIP ＆ SMD(Chip)兩種
(b).以瓦數來分……………………… 1／20W，1／16W，1／10W，1／8W，1／4W，1／2W，1W，2W，3W，4W，5W，6W，7W，10W，15W，20W，30W，40W
Fast Diode﹕快速恢復二極體
Schottky Barrier Diode﹕肖特基勢壘二極體
Switch Diode﹕開關二極體
Zener Diode﹕齊納二極體
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER﹕肖特基勢壘二極體的整流器
Absolute Maximum Ratings﹕絕對最大的等級
Storage Temperature﹕貯藏溫度Tstg
Operating Junction Temperature﹕工作接合溫度TJ
Working Inverse Voltage﹕工作反向電壓Viv
DC Forward Current (IF)﹕正向直流電流IF
Recurrent Peak Forward Current (IFRM)﹕峰值正向直流電流If
11.8
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17.4
17.4
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25.5
25.5
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37.4
37.4
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54.9
54.9
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80.6
80.6
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12.0
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12
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25.8
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37.9
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55.6
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-
81.6
-
-
12.1
12.1
-
17.8
17.8
-
26.1
26.1
-
38.3
38.3
-
56.2
56.2
56
82.5
82.5
82
12.3
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18.0
23.4
-
-
34.4
-
-
50.5
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74.1
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-
11.0
11.0
11
16.2
16.2
-
23.7
23.7
-
34.8
34.8
-
51.1
51.1
51
75.0
75.0
75
11.1
-
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16.4
-
-
24.0
-
24
35.2
-
-
51.7
-
-
75.9
-
-
11.3
11.3
-
16.5
16.5
-
24.3
24.3
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35.7
35.7
3.電阻的使用：
(a).功率選用：
一般決定電阻應該選用幾瓦，係考量消耗在電阻上的功率所產生的熱量，因為電阻會有Derating Curve（功率衰減曲線），例如：2W的電阻，實際使用消耗在電阻上的功率，最好小於1W（ie.＜50%），下圖就是Carbon Film固定電阻隨環境溫度不同的衰減曲線：
根據歐姆定律……………V ＝ I* R
再則是電阻的燃燒問題，部分電路因為申請安規時，要求不能有燃燒現象，則必須選則不可燃的塗裝。
4.色碼的判別：
電阻的阻值，通常可以直接從本體的顏色、條碼來得知其阻值，誤差值為2%以上者，條碼為4碼﹔誤差1%以下者，條碼為5碼﹔也有部分瓦數較大的電阻，直接用文字在本體印出其阻值。
(a).普通電阻的條碼：
顏色的代表數字：
SMD有0603、0805、1206、1812……等
(c).以外型區分………………………固定型、可變型、厚膜排阻、水泥電阻
(d).常見的材質種類…………………碳膜、金屬皮膜、金屬氧化皮膜、繞線有感、繞線無感
(e).以可燃性區分……………………一般型（可燃）、不可燃，因為表面塗裝的材料而異
(f).溫度係數區分……………………正溫度係數、負溫度係數
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46.4
46.4
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68.1
68.1
68
10.1
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14.9
-
-
21.8
-
-
32.0
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-
47.0
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47
69.0
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-
10.2
10.2
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15.0
15.0
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22.1
22.1
22
32.4
32.4
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47.5
47.5
-
69.8
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10.4
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15.2
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48.1
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70.6
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10.5
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18
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38.8
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56.9
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83.5
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12.4
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18.2
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26.7
26.7
39.2
39.2
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57.6
57.6
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84.5
Thermal Characteristics﹕電晶體特性
Collector-Emitter Voltage﹕VCEO
Collector-Base Voltage﹕VCBO
Emitter-Base Voltage﹕VEBO
Collector Current – Continuous﹕IC
Operating and Storage Junction Temperature Range﹕工作和貯藏接合溫度范圍Tstg
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
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0.25%
1 %
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0.25%
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1 %
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0.25%
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10 %
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10 %
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10 %
0.5%
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10.0
10
14.7
14.7
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21.5
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31.6
31.6
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-
15.4
15.4
-
22.6
22.6
-
33.2
33.2
33
48.7
48.7
-
71.5
71.5
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10.6
-
-
15.6
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22.9
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33.6
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72.3
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34.0
34.0
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73.2
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10.9
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慣用的英文代碼：
K：1000= 103
M：1000K = 106
G：1000M = 109
‘m’：10-3
‘ u ‘：10-6
‘n’：10-9
‘ p‘：10-12
(b).精密電阻的條碼：
4
誤差碼用文字時：
G：2%
F：1%
D：0.5%
C：0.25 %
B：0.1%
A：0.05%
第一個數字
第二個數字
第三個數字
*10的幾次方
例如：紅色則為2
R = XXX *102
誤差碼：
紅色：2%
棕色：1%
綠色：0.5%
藍色：0.25 %
紫色：0.1%
灰色：0.05%
圖中的電阻值為：
1 2 2 * 102= 12200 = 12.2K
A1
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
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0.1%
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ2 %
Resistance電阻(被動元件)
電阻的功用及結構
電阻的種類
電阻的使用
色碼的判別
標準阻值級距
1.電阻的功用及結構：
在日常生活中常接觸到的電阻器，有很多的型態，如電燈泡的燈絲，可以將電能轉成光，電鍋、烤麵包機等電氣用品，則是電阻將電能轉成熱能的典型應用；電子電路中，電阻大多是用來衰減或偵測電流、電壓，在SMPS中，有時候用來作為放電用，其功用非常多，例如：耐壓較小的電晶體，則需要靠電阻幫忙衰減電壓，使其工作的電壓不致於超高而損壞。電阻本身不會產生能量，是典型的被動元件。
DiodeCharacteristics
二極體Diode是半導體(Semiconductors)器件﹐利用半導體的單向導電性造成﹐內部有一個PN結
由硅或鍺材料造成﹐可以用伏安特性來描述。
Smd﹕粘片Dip﹕插件PACKAGE﹕封裝形式specification﹕規格書
Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodes﹕共陰極雙個的肖特基勢壘整流二極體
三極﹕Collector(集電極)﹐Emitter(發射極)﹐Base(基極)
兩PN結﹕發射結﹐集電結
三區﹕發射區﹐基區﹐集電區
NPN Epitaxial Silicon Transistor﹕NPN型硅材料電晶體
PNP Epitaxial Silicon Transistor﹕PNP型硅材料電晶體
R =ρ* L / A
R：代表材料的電阻值，單位：歐姆Ω
ρ：代表所用材料的電阻係數
L：代表材料的長度
A：代表材料的截面積
圖1-1
後來膜層製造技術普遍了以後，人們就將各式的膜層先鍍在陶瓷棒上（因為陶瓷棒的膨脹係數最小），再利用雷射或鑽石刀切割膜層來改變其長度，達到製造不同阻值的目的；目前常用的碳膜或金屬氧化皮膜，其製造過程大致如下圖所示：
(g).以誤差範圍區分…………………0.1％，0.25％，0.5％，1％，2％，5％，10％
(h).耐壓範圍來區分…………………因瓦數不同而有400V、500V、700V、1000V
(i).偵測用途來區分…………………光敏電阻（CDS）、熱敏電阻（NTC: Negative TemperatureCoefficient＆PTC: Positive Temperature Coefficient）
Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 Second﹕峰值振蕩電流脈沖寬度IF(surge)1秒
Total Power Dissipation at 25℃﹕整體消耗的功率
Theta (Rth j-a) (Note 1) From junction to ambient mounted on a ceramic substrate of 10 mm x 8 mm x 0.6 mm
Capacitance﹕電容CT
Reverse Recovery Time﹕反向恢復時間TRR
TransistorCharacteristics電晶體特性
電晶體(Transistor)由半導體組成﹐利用基極電流IB控制集電極IC電流在放大區時IC=β*IB﹐它是一種電流控制器件﹐可以用﹕輸入特性﹐輸出特性(截止區﹐放大區﹐飽和區)描述
黑= 0
棕= 1
紅= 2
橙= 3
黃= 4
綠= 5
藍= 6
紫= 7
灰= 8
白= 9
第一個數字
第二個數字
*10的幾次方
例如：紅色則為2
R = XX *102
誤差碼：
金色：5%
銀色：10 %
上圖中的色碼所表示的阻值為：
第一個數字：棕（1）
第二個數字：紅（2）
10的次方數：紅（2）
1 2*102=12* 100 = 1200 = 1.2 K
-
52.3
52.3
-
76.8
76.8
-
11.4
-
-
16.7
-
-
24.6
-
-
36.1
-
36
53.0
-
-
77.7
-
-
11.5
11.5
-
16.9
16.9
-
24.9
24.9
-
36.5
36.5
-
53.6
53.6
-
78.7
78.7
-
11.7
-
-
17.2
-
-
25.2
-
-
37.0
-
-
54.2
-
-
79.6
-
-
11.8
Base Cut-off Current﹕基極關閉電流IBEV
Collector Cut-off Current﹕集電極關閉電流ICEX
DC Current Gain﹕直流電流放大倍數hFE
Collector-Emitter Saturation Voltage﹕集電極-發射極飽和電壓VCE(sat)