内置X电容放电及高压同步整流的六级能效方案
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12V3A,内置X电容放电及高压同步整流的六级能效方案
如何实现低待机功耗? PN8275内置850V高压启动及放电模块，265Vac 轻松实现50mW待机功耗!
如何提高转换效率?PN8308H内置80V/10mQ智能功率MOSFET115Vac/ 230Vac平均效率大于92% !
如何简化EMC设计?PN8275内置X电容放电模块, 可通过增大X电容简化传导设计;PN8308H采用独特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压，改善辐射3dB以上!
本期，Chipown技术团队为大家介绍基于PN8275+PN8308H的12V3A六级能效方案，并分享应用设计要点。
PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-
1:2014标准要求(CB证书编号: DK- 76617-UL);PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。
PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mQ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用独特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。