CdS:Co掺杂量子点的合成与表征

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图 4 C ¥: o量 子 点 荧 光 量 子 产 率 和 光 漂 白 图 d C
在 以报道的合成掺杂量子点的方法 中, 如果 按将掺杂离子和镉离子混合后加入硫源的方法来 制备掺杂量子点 , 由于掺杂 离子很难参 与晶体 的 形成 , 后 导致 大 部 分掺 杂 离子 吸 附 在 量子 点 的 最
溶液 中加 入丙 酮 , 离心 分离 领子 点 , 温 避光 干 并 室
氯 化镉 ( d 1,8 ) 氯化 钴 ( o I,9 ) C C29 % , C C29 % ,
硫化钠 ( aS 9 %) 氢 氧化钠 ( a H,6 分 N ,7 , N O 9 %)
析纯; 高纯 氮气 (9 99 ) 巯基 丙 酸 (9 ) 进 9 .9 % ; 9% ,
第2 卷 8
第7 期
吉 林 化 工 学 院 学 报
J UR A FJLN IS IU FC M C LT C N O Y O N LO II N TT TEO HE I A E H OL G
Vo _ 8 No 7 l2 .
2 1 7月 0 1年
J1 2 1 u. 01
2 . %. R E 照 片 中 可 以 观 察 到 清 晰 的 晶 格 94 H T M 线, 同时 衍射 花 纹 的 出 现说 明这 种 方 法 制 备 的量 子点 具 有完 整 的晶体 结 构.
W a e e gh nn v ln t/ l
图 3 C S: o量 子点的吸收光谱和荧光光谱 d C 随辐射 时间的变 化图
如图 1 所示 , 我们可 以确定这种方法制备 的 量子 点具 有 立方 闪 锌 矿 结 构 J同 时衍 射 峰 的宽 , 化说明量子点的粒径非常小. 另外 , T M照片 , 从 E 如图 2 所示可以发现 , 量子点外观 呈球形 并且具 有 良好的分散性 , 大小为 2 3n 粒 度分布约 为 . m,
收峰和荧光发射峰都相应地发生 了红 移. 通过 x射线 衍射 和高分辨投射 电镜表征发现 , 掺杂后的晶体依
然 为立体闪锌矿结构 , 并且 具有量子点 的晶体特征 ; 经过紫外 吸收 和荧 光光谱 表征 发现 , C S量 子点 与 d 相比 , 了荧光光谱 的发射 峰范围扩宽 了 5 m, 光稳定 性和化学稳定性得到 了很大 的提高. 除 0n 荧
量子产率和稳定性是衡量量子点质量的两个 重要因素 , 本方法制备 的 C S: o d C 量子点 的荧光
量 子产 率 随着 发射 峰波 长 的增 加 先上 升后 下 降如
图4所 示 , 最大 值 出现 在 50n 左右 , 为 其 5 m 约 3% , 0 这与以往 报道 c 掺 杂 C S量子点 发黄色 o d
关 键 词 : d C ; 子点 ; C S: o量 掺杂 ; 微波
文 献标 志 码 : A 中 图分 类 号 : 7 O4 1
量子 点 由于其 独 特 的随着 粒径 大小 而 改变 的 光 电特性 , 泛地 应用 于发 光二 极 管 、 光 器和生 广 激
附带 x 射线能量散射分析仪. 一 12 G . o掺 杂 G S量 子点 的合成 d
[ ] M ry ,oiDJ aedMG ea Ce . J. 5 ua CBNrs , wni , .hms ] r r B t1
是 由于 强光 能钝 化 量 子 点 表 面 , 减少 表 面 的 了非
左右.
参考文献 :
[ ] Z a ,a ekr Mur e a. aoLt J . 1 ho B r ee A, noA M,t 1N n et ] J d J [
20 ( )4 3 6 . 0 6 6 :6 4 4
会在量子点的禁带中引入掺杂原子能 子 反应 生 成硫 化钴 晶 核 , 表 面会 附伽 量 的硫 l 属离子后 , 其 吸 大 姗 蝴 莠 { 善 面的硫反应生成硫化镉并包 覆在硫 化钻 的表 面. 生成的晶核在微波作 用下 , 钴离子与镉离子在界 面处 相互 扩散 , 同时 溶 液 中含 有 的 镉 和 硫 单 体不
辐射复合中心 , 从而提高量子点的量子产率.
[ ] Kio , i aosyA A, use a.c ne J . 2 l vV IM k ivk X ,t 1Si c [ ] m hl e
3 结

20 ( 9 ) 34 0 0 20 :1 .
[ ] Bu hzJ M, o n eM, i P,ta S i c [ ] 3 rce r M r n Gn e 1 c ne J . o . e
荧 光是 一致 的.
一 日一皇一 l一 . 薯 u

图 2 Cd C S: o量子点 的 T M、 T M照 片 E HR E
和 粒 度 分 布 统 计 结 果
PL
随着微波辐射时间的延长 , 量子点 的紫外 可 见吸收峰波长和荧光发射峰波长都逐渐 的红移 , 如图 3 所示 , 这说 明量子点在微波作用下不断 的 生长. 而且 C S: o 子点 的吸收峰位相对于体 d C量 相材料都发生了蓝移 , 这也说 明量 子点具有很小 的体 积 .
率为 9%) 5 .
磷 发 光 分光 光度 计 ; 日本 S iaz h du公 司 m U -5 V2 0型紫外. 4 可见光光谱仪 ; 德国 Bue A S r r X 公 k 司 I (5型 X射线粉末衍射仪( )X 5) . 操作管压 4 ; 0 V 管 k
流 3 ; u 1 A=0 5 846n ; 国 F I 0I C l , . 1 1 m) 美 E T ca G 0透 射 电子 显微 镜 ( 作 电压 20k , eni 2 操 0 V)
节 其性 质 J .
M A, P 然后用 1 o ・ N O l L a H调节溶液的 p m H值 在8 9 ~ 之间, 搅拌均匀后得到溶液 I . 另外在 1 L 0 m 0 水 中加入 5m .1 l・ 的 C C2 L0O mo L o 1溶液 , 氮 通
气脱 氧 防 止 C 被 氧 化 成 C ¨ ,0mn 加 人 0 0 3 i后 12 nl A 并用 lm l・ N O 调 节 溶 液 .5t o MP u o L aH
19 ( 8 ) 2 l . 9 8 2 1 :0 3
利用微波辐射促进离子扩散的方法 , 在水相 中成功的合成出了掺杂离子主要分布在量子点 中 心位置的 C S C 量子点. d :o 该方法制备的掺杂量 子点的荧光发射波长可以在 5 0 60nl 2 — 2 l 内进行 / 调节 , 由于避免了掺杂离子 吸附在量子点表面导
致 的氧化 还原 反 应 , 而 提 高 了 C S: o量 子 点 从 d C
[ ] N rsD J Er , r i Sc,t 1S i c [ ] 4 o i , f sA L E wn e a c e e J . r o . n
20 ,1 ( 8 1 :76 17 . 0 8 39 5 7 ) 17 -7 9
断 的供 给硫化 镉 的 生 长 , 终 得 到 钴 离 子 主要 分 最 布在 中心 位置 的 C S: o 子点 . d C量
( 2 , < 0 m) 而用本方法制备出的 C S C 量子点 n d :o
的荧 光发射 波 长可 以在 5 0—60n 之 间 连续 调 2 1 m 节 . 这 种 合 成 方 法 中, o的掺 杂 量 要 远 远 大 于 在 C
文章编号 :072 5 (0 1 0 -040 10 - 3 2 1 )70 2 -3 8
C S: o掺 杂量 子 点 的合 成 与表 征 d G
刘 岩 , 大伟 , 娄 金 丽, 祝 波, 任 红, 王悦虹
( 吉林化工学院 化学 与制药工程学院 ,吉林 吉林 12 2 ) 3 0 2
摘要 : 通过微波辐射技术 , 过度金属钴离子可 以成功地掺杂到 C S量 子点 内部. d 由于钴离 子 占据 了量 子 点 的中心位置 , 随着辐 射时间的增加 , 离子逐渐向外渗透扩散 , 随此过 程 , 钴 伴 掺杂后 的量 子点的紫外 吸
口试剂. 本实验使用的去离子水. 上 海新 仪 微 波化 学 科 技 有 限 公 司 MA — ST l型
微 波反 应 器 ; 国 Pri Em r公 司 L 5 美 ek le n S5型 荧
燥后用于 x 射线衍射( R ) - X D 测试. 量子产率的测 定 以罗丹 明 6 G的 乙醇 溶 液 为 参 比溶 液 ( 子 产 量
p H在 8 9之间, — 在搅拌条件下加A0 2 o ・ . l L m
N aS溶液 1 . 搅拌 均匀后 迅速 加 入溶 液 I并 剧 mL ,
烈搅拌 3 i 得到 C S C 0rn a d : o量子点前驱体溶液.
1 实验部分
1 1 试 剂 与仪 器 .
将前驱体溶液防止在微 波炉 中,0 加热 50W 回流一定时间后取 出冷却至室温就得到 C S C d :o 量子 点溶 液 . 所 有 的测 试均 在 室 温 条 件 下进 行 . 量 子 点 在
在 40m 0 L水完全溶解 1 moC C2 25m o l d 1 . m l m 和
物标记¨ 但是不可避免 的 , 引. 量子点还是存在一 些显著的缺点 , 例如 : 猝灭现象 , 自 宽禁带量子点 的光电性质可调范围窄等. 近年来 , 过渡金属离子 掺杂的量子点不仅具备 量子点本身 的光 电特性 , 而且在一定程度上 可 以克服 了本体 量子点 的缺 点 , 外 , 过 掺 杂 可 以在 量 子 点 中 引 入 掺 杂 能 另 通 级, 从而可以在不改变量子点大小的前提下对调
表面, 与巯基 配 体发 生氧 化还 原反应 , 而 大大 降 从








21 0 1年
低量子点的荧光强度和稳定性 . 本文所采用的
方法可以使掺杂离子在强光照射条件下 , d : o C S C 量子点的荧光强度逐渐上升 , 在光照 l h以后 , 荧 光强 度 比光 照 前 提 高 1% 左 右 , 图 4所 示 , 2 如 这
以往的报道 , 因此 c 通过扩 散参与 晶体的形成 , o 使量子点的晶格发生畸变, 导致量子点 的禁带宽 度发生变化 , 其荧光发生峰从而能够在一个 比较 大的波长范围内进行调节.
1 O
2 0
3 0
4 o
5 o
6的 X I S: F D和 S E A D衍射图
第 7期

岩 , :d :C 等 C S o掺杂量子点的合成与表征
2 5
下 进行 . 合成 过程 中 , 离子 首先 与过 量 的硫 离 在 钴 离 子. 加入 到镉 离 子溶 液 中后 , 离 子会 与 晶核表 镉
在 以往 的报道 中 J在 量 子点 中掺 杂 其 他 金 , 级 , 此荧 光发 射 峰 的 波 长 主 要 由掺 杂 原 子 的能 因 级 来 决 定 , 能 在 很 小 的 范 围 内 进 行 调 节 只
2 结果与讨论
金属 离子 的 扩散 需 要 在 较 高 的 温 度 下 进 行 ,
而微波独特的电磁效应能大大提高金属离子的反 应活性 , 使得金属离子的扩散能够在较低 的温度
收稿 日期 :0 10 - 21- 0 6 3 作者简 介 : 刘 岩( 98 ) 女 , 17 . , 吉林松原人 , 吉林化 工学 院讲师 , 主要从事分析化学方面及实验教学研 究工作 通信 作者 : 娄大伟 ,— a : u l teu c . E m i l @jc.d .a lo i
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