7第七讲 光功能与复合材料PPT课件

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一定加速电压下发射的连续 X射线的强度随波长的变化
示意图。
激发K电子和空位被L电子填
充而引起的特征X射线发射示
意图。KαX射线:L-K;KβX
射线:M-K。
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光功能复合材料
光功能复合材料是指具有光学或光电功能特性的复合材料,它可以 由具有光功能特性的功能体与普通基体复合而成,也可以由具有光功 能特性的功能体与具有光功能特性的基体复合而成。
特点:单色性;准直性(collimation)
3
泵浦效率(pumping efficiency)和占据数反转 (population inversion) 在两能级体系中相互制 约,所以不会产生激光 行为。
测不准原理:
➢三能级激光:非辐射、声子辅
助的衰退用虚线表示,E2、E3分别是 高反转数和高泵浦效率的能级
✓蜡烛,白炽灯等
2
受激辐射(激光)(Stimulated Emission)
条件:电子占据数的反转,并且电子能够在高能态停留一定时间
产生过程:发射光子,能量
;发射的光子可以激励第二个
电子的到低能级,同时位相相干;最终大量的光子产生。
LASER: light amplification by stimulated emission of radiation
色彩图,其中一些商用的二极管被标出 9
液晶显示器
不发射光,依靠外部光照。
液晶显示器单元示意图(a)透光模式;(b)不通光模式,所 加电压改变了液晶分子的取向。
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发射平板显示器(Emissive flat-panel displays)
电 致 发 光 器 件 : 在 导 电 材 料 Al 和 ITO间加脉冲电压,电子注入到磷 光材料中,当电压超过一定值,电 子加速并激发磷光材料中活跃原子 如 ZnS 中 的 Mn 到 更 高 能 级 , 电 子 跃回发生光子。 ZnS:Mn: 橘黄 ZnS:Tb和SrS:Ce:绿等
根据发光产生的原因,可分为:
➢光致发光; ➢场致发光:由于应用电场引起; ➢阴极发光(cathodoluminescence):由于高能电子照射物体表面引起。
✓电视机屏幕(ZnS;掺银蓝色;掺铜绿色)
✓荧光灯:钨酸盐,硅酸盐;由于水银辉光放电产生的紫外光照射
✓电子显微镜的图像: 由于磷光剂,比如ZnS
缺点: ➢耐久性差:7-10年; ➢透明度差:玻璃透光率99%;玻璃钢最高90%。
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影响玻璃钢透光率的因素:
➢玻璃纤维和黏结剂的折射率
折射率的差值越小,玻璃钢的透射率越大。
➢玻璃纤维和黏结剂的光吸收系数
材料本身的性质。另一方面在粒子体积含量不变时,散射随粒子尺寸成三次幂增 加。对于聚合物,若能将粒子尺寸减少至100nm,其散射强度将非常小。
➢透明玻璃钢的透光率高达85%-90%,与普通玻璃向近似,但他具 有足够的强度和刚度,特别是冲击强度优于玻璃,不像玻璃那样容 易自爆,是一种能采光又能承受载荷的多功能材料。 ➢透明玻璃钢的密度小于玻璃约为玻璃的60%-80%,同时使用时玻 璃钢可以很薄,如温室用玻璃5 mm,而玻璃钢为0.8-1.5 mm。 ➢透明玻璃钢属非均质透光材料,光线透过时能产生散射作用,而使 室内光线均匀。 ➢透明玻璃钢可按设计研究任意配色,使制品色泽鲜艳、美观 ➢透明玻璃钢成型工艺简便
透光功能复合材料
通常所说的透光复合材料主要指玻璃纤维增强透明基体的复合材料, 其透明基体可以是透明的聚合物、玻璃、单晶或玻璃陶瓷等。
透明玻璃纤维增强塑料,俗称透明玻璃钢是目前最常用的聚合物基透光 复合材料,它是以玻璃纤维(直径6-10μm)与不饱和聚酯或丙烯酸酯复 合而成的一种新型的采光材料。
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透明玻璃钢性能的特点:
:
电子能带和直接带间跃迁
间接带间跃迁
带内跃迁
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光的发射
自发辐射(Spontaneous Emission)
发光:由于电子从较高的能态跃迁到较低空能态而发射光子,同 时可能伴随热量的产生(声子)
根据电子跃迁所需时间,发射的光可分为: ➢荧光:纳秒或更快; ➢磷光:微秒或毫秒; ➢余晖:秒
磷光材料:ZnS, 钨酸盐;Zn过剩的ZnO, 许多有机物
晶体管换相器中的光波示意图,窗口的反射率大约90%。(a)形成干涉:腔体的长 度等于半波长的整数倍;(b)没有形成相干,前进波和反射波的总和降低了光强。
非线性光学材料:光强的变化 改变材料的折射率。
“AND”门
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X射线
一束电子被强的电场向电极加速,会产生连续X射线和单色(特征)x 射线。连续x射线由于原子中电场减速电子而引起,特征 X射线依赖 于材料的电子结构如图所示。
等离子显示器件:和荧光灯类似。He/Ne气体等在较高的交流电压 下放电,产生等离子体,电子和离子的复合产生高能光子(如紫 外),被磷光剂吸收而发射可见光。
场发射显示器:和阴极射线管类似。通过尖端场发射发射电子, 然后打到磷光剂上发光。
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光存储器件
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光学计算机
晶体管换相器:具有小强度的一束光能够激发具有高强度光的发射。
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300 K下一些三元和四元化合物半导体的晶格常数、 能隙、发射波长。二元化合物之间的线表示三元。
阴影表示间接带间跃迁。
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同质结和异质结激光
量子阱激光
同质结二极管激光器的耗尽层附近声子分布示意图
活跃区包含n型掺杂GaAs层的双异质 结激光器的示意图
单量子点结构的能带结构
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发光二极管(Light-Emitting Diodes (LED)) 原理和半导体激光类似,只是表面没有处理
正偏压下重掺杂半导体的能带示意图 和半导体激光器结构示意图
间接带隙半导体中的直接带间跃迁导致的 电子注入和声子参与的间接电子复合
➢直接带隙半导体材料比间接带隙 半导体具有高很多的发光效率。 ➢声子的参与使得电子复合时间变 长(0.25 s),此时间内电子和空 穴可以和材料内的缺陷态发生某 种非辐射的复合
➢四能级激光
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He-Ne激光
(a)激光谐振腔示意图;(b)He和Ne的能级示意图。电子 在电场下加速,通过电子-原子碰撞激发He气,一些He能级与 Ne能级共振,通过共振能量传递使Ne原子激发,这使得电子 非常有效的注入到Ne的2s和3s能级(电子和Ne原子的直接碰 撞也有贡献)。
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半导体激光
腔体包括重掺杂的 n-和p-型半导体材 料,如GaAs。在正 偏压下,在耗尽区 存在电子的反转
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