计算机组成与结构部分习题及答案

计算机组成与结构部分习题及答案（仅供参考）

第四章主存储器

一、选择题

1、关于主存下列叙述正确的是（C ）

A 主存的速度可与CPU匹配。

B 内存是RAM，不包括ROM

C 辅存的程序调入主存中才能执行

D辅存中不能存放程序，只能存放数据

2、断电后将丢失信息的是（B ）

A）ROM B）RAM C）磁盘 D）光盘

3、关于主存下列叙述正确的是（A ）

A CPU可直接访问主存，但不能直接访问辅存

B CPU可直接访问主存，也直接访问辅存

C CPU不能直接访问主存，也不能直接访问辅存

D CPU不能直接访问主存，但能直接访问辅存

4、 16K×32位存储芯片的数据线有（C ）

A）5条 B）14条 C）32条 D）46条

5、 16K×32位存储芯片的地址线有（B ）

A）5条 B）14条 C）32条 D）46条

6、半导体静态存储器SRAM的存储原理是（A ）

A）依靠双稳态电路保存信息 B) 依靠定时刷新保存信息

C）依靠读后再生保存信息 D）信息存入后不在变化

7、动态RAM是指（C ）

A）存储内容动态变化 B) 需动态改变访问地址

C）需对存储内容定时动态刷新 D）每次读都要重写

动态RAM的基本单元电路。常见的动态RAM基本单元电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息的。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1～2ms，因此即使电源不掉电信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程叫再生或刷新。由于它与静态RAM相比，具有集成度更高、功耗更低等特点，因此目前被各类计算机广泛应用。

由T l、T2，T3三个MOS管组成的三管MOS动态RAM基本单元电路：读出时，先预充电使读数据线达高电平V DD，然后由读选择线打开T2，若T l的极间电荷Cg存有足够多的电荷(被认为原存“1”)，使T1导通，则因T2、T l导通接地，使读数据线降为零电平，读出“0”信息。若C g没足够电荷(原存“0”)，则T1截止，读数据线为高电平不变，读出“1”信息。可见，由读出线的高低电平可区分其是读“1”，还是读“0”，只是它与原存信息反相。

写入时，将写入信号加到写数据线上，然后由写选择线打开T3，这样，C g便能随输入信息充电(写“1”)或放电(写“0”)。

为了提高集成度，将三管电路进一步简化，去掉T l，把信息存在电容Cs上，将T2、T3合并成一个管子T，得单管MOS动态RAM基本单元电路。读出时，字线上的高电平使T导通，若C s有电荷，经T管在数据线上产生电流，可视为读出“1”。若C s无电荷，则数据线上无电流，可视为读出“0”。读操作结束时，C s的电荷已泄放完毕，故是破坏性读出，必须重写。

8、计算机主存储器读写的时间数量级为（D ）

A）秒 B）毫秒 C）微秒 D）纳秒

9、计算机主存由（D ）

A）RAM组成 B) ROM组成

C）ROM与RAM组成 D）内存与外存组成

10、用户程序所放的主存空间属于（B ）

A）RAM B) ROM

C）ROM与RAM D）内存与外存

11、在下列存储器中，( A )可以作为主存储器。

A 半导体存储器

B 硬盘

C 光盘

D 磁带

12、关于主存，以下叙述正确的是（A ）

A 主存比辅存小，但速度快。

B 主存比辅存大，且速度快。

C 主存比辅存小，且速度慢。

D 主存比辅存大，但速度慢。

13、EPROM是指(D )

A.随机读写存储器

B.只读存储器

C.可编程只读存储器

D.紫外光可擦除可编程只读存储器

14、下列说法正确的是(C )

A.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆

B.半导体RAM属易失性存储器，而静态RAM的存储信息是不易失的

C.静态RAM、动态RAM都属易失性存储器，前者在电源不掉时，不易失

D.静态RAM不用刷新，且集成度比动态RAM高，所以计算机系统上常使用它

15、CPU不能直接访问的是( D)

C.内存

D.外存

16、存储器的字线是(A )

A.存储体与读写电路连接的数据线.它们通过读写电路传送或接收数据寄存器的信息.一个数据寄存器的位数正好是机器字长,故称为字线

B.存储器的数据线.其线数正好与数据寄存器的位数相对应

C.经地址译码器译码之后的存储单元的地址线

D.以上三种说法都不对

17、CPU可随机访问的存储器是（B ）

A。光盘存储器B。主存储器C。磁盘存储器D。磁带存储器

18、和MOS和RAM比较，双极型RAM的特点是（A ）

A。速度快，集成度低，位功耗高B。速度快，集成度高，位功耗高

C。速度快，集成度低，位功耗低C。速度慢，集成度高，位功耗底

19、字位结构为1M*4位的DRAM存储芯片，其地址引脚与数据引脚之和为（C ）

A。28 B。14 C。24 D。12

二、填空题

1、 1GB=1024 MB= 1024*1024 KB =1024*1024*1024 B.

2、计算机中的存储器用于存放程序和数据。

3、主存储器的主要性能指标有主存容量主存容量、存储器存取时间、存储周期时间。

4、要组成容量为4Kⅹ8位的存储器，需要__8___片4Kⅹ1位的静态RAM芯片并联，或者需要_4__片1Kⅹ8位的静态RAM芯片串联。

5、静态RAM是利用触发器电路的两个稳定状态来表示信息“0”和“1”，故在不断开电源时，可以长久保持信息；动态RAM利用电容器上存储的电荷来表示信息“0”和“1”，因此需要不断进行刷新。

三、简答题

1、简述SRAM与DRAM的主要区别。

DRAM的优点：

1.DRAM的功耗仅为SRAM的1/6