(完整版)半导体三极管及其基本电路试题及答案.doc
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第二章半导体三极管及其基本电路
一、填空题
1、 (2-1,中 )当半导体三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置偏置时,三极管
具有放大作用,即基极电流能控制集电极电流。
2、 (2-1,低 )根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大
电路分为,,三种。
3、 (2-1,低 )三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
4、 (2-1,中 )三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,
与之间的关系。
5、(2-1,低 )为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外 ,还需输入信号。
6、(2-1 ,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。对 NPN 管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则
I B ,这样可克服失真。
7、 (2-1,低 )共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
8、 (2-1,低 )三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
9、 (2-1,低 )共射组态既有放大作用,又有放大作用。
10、 (2-1,中 )共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。
11、 (2-1,难 )某三极管 3个电极电位分别为 V =1V,V
B =1.7V,V =1.2V 。可判定该三极管是工
E C
作于区的型的三极管。
12、 (2-1,难 )已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为① 3.5V ,② 2.8 V ,③ 5V ,试判断:
a.①脚是,②脚是,③脚是( e, b, c);
b.管型是(NPN , PNP);
c.材料是(硅,锗)。
13、(2-1,中 )晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。
14、 (2-1,低 )温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C ,静态工作
点。
15、(2-1 ,低 )一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降 V BE则随温度的增加而。
16、 (2-1,低 )画放大器交流通路时,和应作短路处理。
17、 (2-2,低 )在多级放大器里。前级是后级的,后级是前级的。
18、 (2-2,低 )多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式
有:,,。
19、(2-2,中 )输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动,因此要抑制零漂,首先要抑制的零漂。目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
20、 (2-2,中 )在多级放大电路的耦合方式中,只能放大交流信号,不能放大直流信号的是
放大电路,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是放大电路,放大电路各级静态工作点是互不影响的。
22、 (2-3,低 )串联负反馈电路能够输入阻抗,电流负反馈能够使输出阻抗。
22、 (2-4,低 )放大电路中引入电压并联负反馈,可______输入电阻, _______输出电阻。
23、 (2-4,中 )在放大电路中,为了稳定静态工作点,宜引入________反馈;要展宽频、稳定增益,宜引入 _______反馈;为了提高输入阻抗,宜引入_________反馈。
24 、 (2-4 ,难 ) 正弦波振荡器的振幅起振条件是、相位起振条件是。
25、 (2-4,难 )振荡器用来产生低频信号,而振荡器一般用来产生高频信号。
26、 (2-4,低 )要使电路产生稳定的振荡,必须满足和两个条件。
27、(2-4,低 )正弦波振荡电路一般是由和组成,此外电路还应包
含有选频网络和稳幅环节。
28、(2-5,低 )常见的功率放大电路从功放管的工作状态分有___________ ,_______________,____________几种类型。
29、 (2-5,难 )功率放大器的性能指标主要有:,和;低频功率放大器主要有甲类、乙类和甲乙类等几种类型,最常用的是类功率放大器。
30 、 (2-5 ,中 ) 甲类、乙类和甲乙类放大电路中,_______________ 电路导通角最大;
_______________ 电路效率较高; _______________电路交越失真最大,为了消除交越失真而
又有较高的效率一般电路_______________ 。
二、选择题
1、 (2-1,中 )下列数据中,对NPN 型三极管属于放大状态的是。
A 、 V BE >0,V BE B 、 V BE <0,V BE C 、 V BE >0, V BE >V CE 时 D 、 V <0 ,V BE >V CE 时 BE 2、(2-1,中 )工作在放大区域的某三极管, 当 I B 从 20μA 增大到 40μA 时,I C 从 1mA 变为 2mA 则它的 β值约为 。 A 、 10 B 、 50 C 、 80 D 、 100 3、 (2-1,低 )NPN 型和 PNP 型晶体管的区别是 。 A 、由两种不同的材料硅和锗制成的 B 、掺入的杂质元素不同 C 、 P 区和 N 区的位置不同 D 、管脚排列方式不同 4、 (2-1,难 )三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是 A 、 B 、 C 、 D 、 5、 (2-1,低 )当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电流将 A 、增大 B 、减少 C 、反向 D 、几乎为零 6、 (2-1,低 )为了使三极管可靠地截止,电路必须满足 A 、发射结正偏,集电结反偏 B 、发射结反偏,集电结正偏 C 、发射结和集电结都正偏 D 、发射结和集电结都反偏 7、 (2-1,中 )检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态(工作区),最简便的方法是测量 A 、 I BQ B 、 U BE C 、 I CQ D 、 U CEQ 8、(2-1,中 )对放大电路中的三极管进行测量, 各极对地电压分别为 U B =2.7V ,U E =2V ,U C =6V , 则该管工作在 。 A 、放大区 B 、饱和区 C 、截止区 D 、无法确定 9、 (2-1,低 )某单管共射放大电路在处于放大状态时,三个电极 A 、 B 、 C 对地的电位分别是 U A =2.3V ,U B =3V , U C =0V ,则此三极管一定是 A 、 PNP 硅管 B 、 NPN 硅管 C 、 PNP 锗 管 D 、 NPN 锗管 10、 (2-1,难 )电路如图所示,该管工作在 。 A 、放大区 B 、饱和区 C 、截止区 D 、无法确定