CREE公司及主推产品概要
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LED CITY计划于2006年发起成立，旨在推动节能高效LED照明在全球城 市中的广泛应用。目前已有来自美国、中国（天津、惠州、台湾新竹）、 加拿大、德国、意大利、韩国、印度等7个国家25座城市加入到LED CITY计划，共享项目实施信息与经验，实现LED照明更好的应用。
天津
罗利（美） 多伦多(加） 阿恩 阿波尔（美） 奥斯汀（美） 天津（中） 托卡拉(意） 安克雷奇（美） 韦兰（加）
ML-E
3.5 mm * 3.5 mm 150 - 500 mA 56.8 lm @ 150 mA 51.7 lm @ 150 mA 45.7 lm @ 150 mA 120 11
2011年6月13日，美国总统奥巴马参访科锐总部
奥巴马：科锐是先锋
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 9
CREE全球合作发展：美国
2011年6月13日，美国总统奥巴马参访科锐总部
奥巴马：科锐是先锋
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 10
CREE市场应用发展: LED城市
模组型
XM-L XM-L EZW MC-E XP-E HEW MX-6 MX-3 XM-L MP-L MT-G MP-L CXA2011
LMR2 LMR4 LMR2
XP-E HEW
MT-G
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 21
XLamp照明级系列-XT-E/ HVW/Royal Blue (Tj = 85℃)
LED取自Light Emitting Diode三个字母的缩写，这是一种会发光的半导体 组件，同时具有二极管的电子特性 LED基本发光原理： 所谓的载子（一颗为电子，带负电N，一颗为电洞，带正电P），在某些条
下结合产生电子，从而形成发光
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 15
6英寸SiC衬底技术，进一步降低LED照明成本
CREE特有的SiC材料/外延核心技术
*二维简单示意图 GaN
全球唯一在SiC衬底生长InGaN
LED的制造商 SiC材料能够提供最低的缺陷密度
GaN
SiC
SiC上生长GaN
1: 0.967 （失配度3.3%）
蓝宝石
蓝宝石上生长GaN
（失配度14.8%）
pg. 4
CREE在中国
惠州生产基地
华东-上海
华南-深圳
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 5
亚太-香港
CREE 惠州生产基地（1）
全称:惠州科锐光电有限公司
固晶
注册资本: 3.3亿港元 投资总额: 7.6亿港元
金线机
广东省高新技术企业 国家(CNAS)光电实验室
自动分级
SiC是已知与GaN晶格匹配度最好 和最接近的材料
1: 1.148
外延缺陷产生的来源
* 注：按比例绘制， SiC、GaN和蓝宝石真实结构是三维六边形晶体结构
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 18
CREE LED 基本参数定义
Copyright © 2012, Cree, Inc.
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 20
CREE LED照明应用一览表
离散型
室内 非指向性应用 球泡, 蜡烛灯 指向性应用 MR & PAR, 射灯, 轨道灯 下射式应用 筒灯，吸顶灯, 吊灯 分散泛光式应用 暗槽灯, 格栅灯, 面板灯 低棚& 高棚应用 仓库照明, 工矿灯 室外 道路& 停车场应用 路灯，隧道灯，车库照明 建筑外围亮化应用 洗墙灯 景观亮化 便携式 普通应用 高端应用 便携式射灯.手电等
160 140 120
XM 131 LPW
XP-G
高压气体放电灯 荧光灯 XR-E 节能灯 LED XP-C XP-E
100
80 60 40 20 0 2003
白炽灯
2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 11
CREE市场应用发展: LED工作场所
- 公司办公室 - BP(加油站) - 星巴克休闲屋 - JRC(公司办公室,停车场) - 大型商场停车厂 - 学校停车厂 - Sofidel (造纸厂商 仓库)
Copyright © 2011, Cree, Inc.
pg. 12
CREE市场应用发展: LED大学
XP-G 3.45 mm * 3.45 mm 350-1500 mA 139 lm @ 350 mA
130 lm @ 350 mA 122 lm @ 350 mA 107 lm @ 350 mA
107 lm @ 350 mA 93.9 lm @ 350 mA 87.4 lm @ 350 mA 125 6
XT-E 350 - 1500 mA
XT-E HVW 3.45 mm * 3.45 mm 22-66 mA
XT-E Royal Blue 350 - 1000 mA
139 lm @ 350 mA
122 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA 93.9 lm @ 350 mA 115 2.85 - 3.4 5.5
pg. 19
LED关键特性：结温Tj与热阻
•LED芯片的PN结处是LED发光的唯一來源。 •在通电发光状态下,PN结区域将变得非常热。
结温Tj
焊点温度Tsp
用热阻来衡量LED热量从 PN结通过导热通道将热量导出的能力 • 低热阻 = 良好散热 • 热阻(Rth j-sp) = PN结(j)到焊点 (sp)的低温差
规格 尺寸 电流 冷白 (8300 – 5000 K) 中性白 (5000 – 3700 K) 暖白 (3700 – 2600 K) ≥ 80 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 85 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 90 CRI (4300 – 2600 K) 视角宽° 电压范围 (V) C/W) 热阻(°
CREE已经实施“LED City”计划的15个大学
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 13
CREE LED 器件类别
照明
显示屏 & 信号标识
多彩 (交通信号, 建筑装饰, 休闲娱乐)
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 14
LED 基本发光原理
pg. 7
CREE全球合作发展：美国
2009年7月2日Cree的CEO与奥巴马会晤： 讨论最新的节能技术以及对美国经济的潜在益处 节能的LED照明技术以及新兴产品的出现令人对未来感到振奋! ——奥巴马语
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 8
CREE全球合作发展：美国
pg. 25
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XLamp照明级系列-ML-E/ML-B（白光）
规格
尺寸 电流 冷白 中性白 暖白 8300 - 4300 K 4300 - 3700 K 3200 -2800 K 视角宽° 热阻(°C/W)
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XM-L
5.0 mm * 5.0 mm 350-3000 mA 44-125 mA 300 lm @ 700 mA 280 lm @ 700 mA 240 lm @ 700 mA 280 lm @ 700 mA 182 lm @ 700 mA 182 lm @ 700 mA 2.9 V @ 350 mA 2.5 240 lm @ 44 mA 220 lm @ 44 mA 182 lm @ 44 mA 172 lm @ 44 mA / / 46 V @ 44 mA 3.5
114 lm @22 mA
93.9 lm @ 22 mA 87.4 lm @ 22 mA
465 nm @ 350 mA
/ / / 46 - 55 6.5
pg. 22
140 2.85 - 3.5 5
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XLamp照明级系列-XB-D (Tj = 85℃)
CREE公司及主推产品概要
Tomas 朱明
CREE 历程
• 1987年：公司成立，碳化硅半导体产业化
• 1989年：推出世界第一款蓝光LED
• 1993年：在NASDAQ上市 (名称: CREE) LED技术的领导者之一
• 全球最主要的InGaN LED晶片供应商 • 全球第一个照明级LED的缔造者 • 在美国拥有827项专利技术 • 在全球拥有1800项专利技术 • 专利碳化硅芯片+第四代白光技术。
Copyright © 2012, Cree, Inc.
新
XB-D
2.45 mm * 2.45 mm 350 - 1000 mA 130 lm @ 350 mA 114 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA
93.9 lm @ 350 mA 93.9 lm @ 350 mA
87.4 lm @ 350 mA 115 2.9 - 3.5 6.5
ML-E XR-E XP-G XP-E XP-E XP-C XM-L XP-G XP-E MX-6 ML-E ML-B XM-L CXA2011 LMR4 LMR2 MX-6 MX-3 XP-G XP-E MX-6 ML-E ML-B XP-G XP-E HEW CXA2011 LMR4 LMR2
阵列型
新
规格 尺寸 电流 冷白 (8300 – 5000 K) 中性白 (5000 – 3700 K) 暖白 (3700 – 2600 K) ≥ 80 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 85 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 90 CRI (4300 – 2600 K) 视角宽° 电压范围 (V) 热阻(°C/W)
LED 核心技术组成
Package封装
• LED 芯片 --决定亮度和功效 • 荧光粉 --确定色点、色温和显色性 • 封装 --保护晶片和荧光粉
Phosphor荧光粉 LED Chip芯片
--光通量和热量的导出
--初步决定了LED寿. 16
自动贴片
国家认证LED实验室（中国目前唯一拥有企业）
•光学/热学试验 •不良解析实验室 •信赖性实验
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 6
CREE 惠州生产基地（2）
全称：惠州科锐半导体照明有限公司 注册资金：5000万美元
厂房面积：5.8万平方米
Copyright © 2012, Cree, Inc.
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 2
科锐使命
驱动LED照明变革，淘汰低能效照明
加速实现LED光源的广泛应用
CREE LED 光效发展路线图
光效 lm/W 260 240 220 200 180
R&D Capability Product
231 LPW 208 LPW 186 LPW 161 LPW
pg. 23
XLamp照明级系列-XP-G（白光）
规格 尺寸 电流
冷白 (8300 – 5000 K) 室外白 (5300 – 4000 K) 中性白 (5000 – 3700 K) 暖白 (3700 – 2600 K) 80 - CRI (4300 – 2600 K) 85 -CRI (3200 – 2600 K) 90 - CRI (3200 – 2600 K)
pg. 24
视角宽° C/W) 热阻(°
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XLamp照明级系列-XM-L
新
XM-L HVW
规格 尺寸 电流 冷白 (8300 - 5000 K) 中性白 (5000 - 3700 K) 暖白 (3700 - 2600 K) ≥ 80 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 85 CRI (3200 – 2600 K) ≥ 90 CRI (4300 – 2600 K) 正向电压Vf C/W) 热阻(°
惠州
印第安维尔斯 (美） 查普希尔（美） 光州(韩) 费尔维(美) 丹维尔(美) 阿佩基奥（意） 惠州（中）
波士顿 (美） 瓦代兹 (美） 布莱梅 (德） 达勒姆 (美） 蒂鲁帕蒂 (印） 亨廷顿 (美）
安布勒 (美） 森伯里 (美） 波特利翁（美） 台湾新竹（中）
Copyright © 2012, Cree, Inc.
天津
罗利（美） 多伦多(加） 阿恩 阿波尔（美） 奥斯汀（美） 天津（中） 托卡拉(意） 安克雷奇（美） 韦兰（加）
ML-E
3.5 mm * 3.5 mm 150 - 500 mA 56.8 lm @ 150 mA 51.7 lm @ 150 mA 45.7 lm @ 150 mA 120 11
2011年6月13日，美国总统奥巴马参访科锐总部
奥巴马：科锐是先锋
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 9
CREE全球合作发展：美国
2011年6月13日，美国总统奥巴马参访科锐总部
奥巴马：科锐是先锋
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 10
CREE市场应用发展: LED城市
模组型
XM-L XM-L EZW MC-E XP-E HEW MX-6 MX-3 XM-L MP-L MT-G MP-L CXA2011
LMR2 LMR4 LMR2
XP-E HEW
MT-G
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 21
XLamp照明级系列-XT-E/ HVW/Royal Blue (Tj = 85℃)
LED取自Light Emitting Diode三个字母的缩写，这是一种会发光的半导体 组件，同时具有二极管的电子特性 LED基本发光原理： 所谓的载子（一颗为电子，带负电N，一颗为电洞，带正电P），在某些条
下结合产生电子，从而形成发光
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 15
6英寸SiC衬底技术，进一步降低LED照明成本
CREE特有的SiC材料/外延核心技术
*二维简单示意图 GaN
全球唯一在SiC衬底生长InGaN
LED的制造商 SiC材料能够提供最低的缺陷密度
GaN
SiC
SiC上生长GaN
1: 0.967 （失配度3.3%）
蓝宝石
蓝宝石上生长GaN
（失配度14.8%）
pg. 4
CREE在中国
惠州生产基地
华东-上海
华南-深圳
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 5
亚太-香港
CREE 惠州生产基地（1）
全称:惠州科锐光电有限公司
固晶
注册资本: 3.3亿港元 投资总额: 7.6亿港元
金线机
广东省高新技术企业 国家(CNAS)光电实验室
自动分级
SiC是已知与GaN晶格匹配度最好 和最接近的材料
1: 1.148
外延缺陷产生的来源
* 注：按比例绘制， SiC、GaN和蓝宝石真实结构是三维六边形晶体结构
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 18
CREE LED 基本参数定义
Copyright © 2012, Cree, Inc.
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 20
CREE LED照明应用一览表
离散型
室内 非指向性应用 球泡, 蜡烛灯 指向性应用 MR & PAR, 射灯, 轨道灯 下射式应用 筒灯，吸顶灯, 吊灯 分散泛光式应用 暗槽灯, 格栅灯, 面板灯 低棚& 高棚应用 仓库照明, 工矿灯 室外 道路& 停车场应用 路灯，隧道灯，车库照明 建筑外围亮化应用 洗墙灯 景观亮化 便携式 普通应用 高端应用 便携式射灯.手电等
160 140 120
XM 131 LPW
XP-G
高压气体放电灯 荧光灯 XR-E 节能灯 LED XP-C XP-E
100
80 60 40 20 0 2003
白炽灯
2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 11
CREE市场应用发展: LED工作场所
- 公司办公室 - BP(加油站) - 星巴克休闲屋 - JRC(公司办公室,停车场) - 大型商场停车厂 - 学校停车厂 - Sofidel (造纸厂商 仓库)
Copyright © 2011, Cree, Inc.
pg. 12
CREE市场应用发展: LED大学
XP-G 3.45 mm * 3.45 mm 350-1500 mA 139 lm @ 350 mA
130 lm @ 350 mA 122 lm @ 350 mA 107 lm @ 350 mA
107 lm @ 350 mA 93.9 lm @ 350 mA 87.4 lm @ 350 mA 125 6
XT-E 350 - 1500 mA
XT-E HVW 3.45 mm * 3.45 mm 22-66 mA
XT-E Royal Blue 350 - 1000 mA
139 lm @ 350 mA
122 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA 93.9 lm @ 350 mA 115 2.85 - 3.4 5.5
pg. 19
LED关键特性：结温Tj与热阻
•LED芯片的PN结处是LED发光的唯一來源。 •在通电发光状态下,PN结区域将变得非常热。
结温Tj
焊点温度Tsp
用热阻来衡量LED热量从 PN结通过导热通道将热量导出的能力 • 低热阻 = 良好散热 • 热阻(Rth j-sp) = PN结(j)到焊点 (sp)的低温差
规格 尺寸 电流 冷白 (8300 – 5000 K) 中性白 (5000 – 3700 K) 暖白 (3700 – 2600 K) ≥ 80 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 85 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 90 CRI (4300 – 2600 K) 视角宽° 电压范围 (V) C/W) 热阻(°
CREE已经实施“LED City”计划的15个大学
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 13
CREE LED 器件类别
照明
显示屏 & 信号标识
多彩 (交通信号, 建筑装饰, 休闲娱乐)
Copyright © 2012, Cree, Inc.
pg. 14
LED 基本发光原理
pg. 7
CREE全球合作发展：美国
2009年7月2日Cree的CEO与奥巴马会晤： 讨论最新的节能技术以及对美国经济的潜在益处 节能的LED照明技术以及新兴产品的出现令人对未来感到振奋! ——奥巴马语
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 8
CREE全球合作发展：美国
pg. 25
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XLamp照明级系列-ML-E/ML-B（白光）
规格
尺寸 电流 冷白 中性白 暖白 8300 - 4300 K 4300 - 3700 K 3200 -2800 K 视角宽° 热阻(°C/W)
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XM-L
5.0 mm * 5.0 mm 350-3000 mA 44-125 mA 300 lm @ 700 mA 280 lm @ 700 mA 240 lm @ 700 mA 280 lm @ 700 mA 182 lm @ 700 mA 182 lm @ 700 mA 2.9 V @ 350 mA 2.5 240 lm @ 44 mA 220 lm @ 44 mA 182 lm @ 44 mA 172 lm @ 44 mA / / 46 V @ 44 mA 3.5
114 lm @22 mA
93.9 lm @ 22 mA 87.4 lm @ 22 mA
465 nm @ 350 mA
/ / / 46 - 55 6.5
pg. 22
140 2.85 - 3.5 5
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XLamp照明级系列-XB-D (Tj = 85℃)
CREE公司及主推产品概要
Tomas 朱明
CREE 历程
• 1987年：公司成立，碳化硅半导体产业化
• 1989年：推出世界第一款蓝光LED
• 1993年：在NASDAQ上市 (名称: CREE) LED技术的领导者之一
• 全球最主要的InGaN LED晶片供应商 • 全球第一个照明级LED的缔造者 • 在美国拥有827项专利技术 • 在全球拥有1800项专利技术 • 专利碳化硅芯片+第四代白光技术。
Copyright © 2012, Cree, Inc.
新
XB-D
2.45 mm * 2.45 mm 350 - 1000 mA 130 lm @ 350 mA 114 lm @ 350 mA 100 lm @ 350 mA
93.9 lm @ 350 mA 93.9 lm @ 350 mA
87.4 lm @ 350 mA 115 2.9 - 3.5 6.5
ML-E XR-E XP-G XP-E XP-E XP-C XM-L XP-G XP-E MX-6 ML-E ML-B XM-L CXA2011 LMR4 LMR2 MX-6 MX-3 XP-G XP-E MX-6 ML-E ML-B XP-G XP-E HEW CXA2011 LMR4 LMR2
阵列型
新
规格 尺寸 电流 冷白 (8300 – 5000 K) 中性白 (5000 – 3700 K) 暖白 (3700 – 2600 K) ≥ 80 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 85 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 90 CRI (4300 – 2600 K) 视角宽° 电压范围 (V) 热阻(°C/W)
LED 核心技术组成
Package封装
• LED 芯片 --决定亮度和功效 • 荧光粉 --确定色点、色温和显色性 • 封装 --保护晶片和荧光粉
Phosphor荧光粉 LED Chip芯片
--光通量和热量的导出
--初步决定了LED寿. 16
自动贴片
国家认证LED实验室（中国目前唯一拥有企业）
•光学/热学试验 •不良解析实验室 •信赖性实验
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 6
CREE 惠州生产基地（2）
全称：惠州科锐半导体照明有限公司 注册资金：5000万美元
厂房面积：5.8万平方米
Copyright © 2012, Cree, Inc.
Copyright © 2012, Cree, Inc. pg. 2
科锐使命
驱动LED照明变革，淘汰低能效照明
加速实现LED光源的广泛应用
CREE LED 光效发展路线图
光效 lm/W 260 240 220 200 180
R&D Capability Product
231 LPW 208 LPW 186 LPW 161 LPW
pg. 23
XLamp照明级系列-XP-G（白光）
规格 尺寸 电流
冷白 (8300 – 5000 K) 室外白 (5300 – 4000 K) 中性白 (5000 – 3700 K) 暖白 (3700 – 2600 K) 80 - CRI (4300 – 2600 K) 85 -CRI (3200 – 2600 K) 90 - CRI (3200 – 2600 K)
pg. 24
视角宽° C/W) 热阻(°
Copyright © 2012, Cree, Inc.
XLamp照明级系列-XM-L
新
XM-L HVW
规格 尺寸 电流 冷白 (8300 - 5000 K) 中性白 (5000 - 3700 K) 暖白 (3700 - 2600 K) ≥ 80 CRI (4300 – 2600 K) ≥ 85 CRI (3200 – 2600 K) ≥ 90 CRI (4300 – 2600 K) 正向电压Vf C/W) 热阻(°
惠州
印第安维尔斯 (美） 查普希尔（美） 光州(韩) 费尔维(美) 丹维尔(美) 阿佩基奥（意） 惠州（中）
波士顿 (美） 瓦代兹 (美） 布莱梅 (德） 达勒姆 (美） 蒂鲁帕蒂 (印） 亨廷顿 (美）
安布勒 (美） 森伯里 (美） 波特利翁（美） 台湾新竹（中）
Copyright © 2012, Cree, Inc.