51单片机原理介绍
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51单片机原理介绍
单片机是一种控制芯片,一个微型的计算机,而加上晶振,存储器,地址锁存器,逻辑门,七段译码器(显示器),按钮(类似键盘),扩展芯片,接口等那是单片机系统,以下是8051系列单片机原理和内部结构基础介绍
外部引脚功能
存储空间配置和功能
片内RAM结构和功能
特殊功能寄存器的用途和功能
程序计数器PC的作用和基本工作方式
I/O端口结构、工作原理及功能
时钟和时序
复位电路、复位条件和复位后状态
低功耗工作方式的作用和进入退出的方法§2-1 单片机原理简介和引脚功能
一、内部结构
二、引脚功能
40个引脚大致可分为4类:电源、时钟、控制和I/O 引脚。
⒈ 电源: ⑴ VCC - 芯片电源,接+5V;
⑵ VSS - 接地端;
⒉ 时钟:XTAL1、XTAL2 - 晶体振荡电路反相输入端和输出端。
⒊ 控制线:控制线共有4根,
⑴ ALE/PROG:地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲
① ALE功能:用来锁存P0口送出的低8位地址
② PROG功能:片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,此引脚输入编程脉冲。
⑵ PSEN:外ROM读选通信号。
⑶ RST/VPD:复位/备用电源。
① RST(Reset)功能:复位信号输入端。
② VPD功能:在Vcc掉电情况下,接备用电源。
⑷ EA/Vpp:内外ROM选择/片内EPROM编程电源。
① EA功能:内外ROM选择端。
② Vpp功能:片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,施加编程电源Vpp。
⒋ I/O线
80C51共有4个8位并行I/O端口:P0、P1、P2、P3口,共32个引脚。P3口还具有第二功能,用于特殊信号输入输出和控制信号(属控制总线)。
§2-1 存储空间配置和功能
80C51的存储器组织结构可以分为三个不同的存储空间,分别是:
⑴ 64KB程序存储器(ROM),包括片内ROM和片外ROM;
⑵ 64KB外部数据存储器(外RAM);
⑶ 256B内部数据存储器(内RAM)
(包括特殊功能寄存器)。
8051单片机存储空间配置原理
一、程序存储器(ROM)
地址范围:0000H~FFFFH,共64KB。其中:
低段4KB:0000H~0FFFH
80C51和87C51在片内,80C31在片外。
高段60KB:1000H~FFFFH。在片外。
读写ROM用MOVC指令,控制信号是PSEN和EA。
读ROM是以程序计数器PC作为16位地址指针,依次读相应地址ROM中的指令和数据,每读一个字节,
PC+1→PC,这是CPU自动形成的。
但是有些指令有修改PC的功能,例如转移类指令和MOVC指令,CPU将按修改后PC的16位地址读ROM。
读外ROM的过程:
CPU从PC中取出当前ROM的16位地址,分别由P0
口(低8位)和P2口(高8位)同时输出,ALE信号有
效时由地址锁存器锁存低8位地址信号,地址锁存器输
出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外ROM 16位地址输入端,当PSEN信号有效时,外ROM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线(P0口),CPU读入后存入指定单元。
二、外部数据存储器(外RAM)
地址范围:0000H~FFFFH
共64KB。
读外RAM的过程:
外RAM 16位地址分别由P0口(低8位)和P2口(高8位)同时输出,ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8
位地址信号,地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外RAM 16位地址输入端,当RD信号有效时,外RAM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线(P0口),CPU读入后存入指定单元。
三、单片机内部数据存储器原理(内RAM)
从广义上讲,8051内RAM(128B)和特殊功能寄存器(128B)均属于片内RAM空间,读写指令均用MOV指令。但为加以区别,内RAM通常指00H~7FH的低128B空间。
8051内RAM又可分成三个物理空间:工作寄存器区、位寻址区和数据缓冲区。
作用:
有专用于工作寄存器操作的指令,读写速度比一般内RAM要快,指令字节比一般直接寻址指令要短,还具有
间址功能,能给编程和应用带来方便。
工作寄存器区分为4个区:0区、1区、2区、3区。
每区有8个寄存器:R0~R7,寄存器名称相同。但是,当前工作的寄存器区只能有一个,由PSW中的D4、D3位决定。
⒉ 位寻址区
⑴地址:
从20H~2FH共16字节(Byte,缩写为英文大写字母B)。每B有8位(bit,缩写为小写b),共128位,每一位均有一个位地址,可位寻址、位操作。即按位地址对该位进行置1、清0、求反或判转。
⑵用途:
存放各种标志位信息和位数据。
⑶注意事项:
位地址与字节地址编址相同,容易混淆。
区分方法:位操作指令中的地址是位地址;
字节操作指令中的地址是字节地址。
位寻址区的位地址映象表
⒊ 数据缓冲区
内RAM中30H~7FH为数据缓冲区,用于存放各种数