重庆航伟光电科技有限公司
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Associated Opto-electronics (Chongqing) Co., Ltd.
InGaAs 雪崩光电二极管
特点:
l 平面正照型
l 光纤耦合或TO-Can封装
l 响应度高
l 暗电流低
l 最大可用增益20
用途:
l 光通讯接收设备
l CA TV接收机
l OTDR
最大额定值
项目参数值单位
正向电流(连续) 10 mA
反向电流(连续) 3 mA
工作温度-40~+85 ℃
存储温度-55~+85 ℃
焊接温度260 ℃
焊接时间10 秒
光电参数(T=22℃)
参数名称符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ-- 1000~1700 nm 光敏面直径Φ-- 50/200 um 响应度Re λ=1.55um,M=10,φ=1uw8.0 8.5 A/W 击穿电压V BR I D=100uA,φ=030 60 V 击穿电压温度系数δT C=-40~+85℃0.1 0.15 V/℃暗电流I D M=10,φ=01/10 10/50 nA 总电容C tot M=10,φ=0,f=1MHz0.6/3 1.0/3.5 PF
响应时间f T M=10,φ=0, λ=1.55um0.3/0.6 0.5/1.0 ns 最大可用增益M max V R=0.98V BR20 - 推荐工作电流V R M=10,φ=1, λ=1.55um0.9 0.95 xV BR 具体参数见每只器件参数
管脚接线图：
1 PD（+） 3 Case
2 PD（-）
注意事项：
a. 静电对器件有极大伤害，使用中要保证人体、测试仪表、检验装置及工作台接地良好。
b. 电源需有稳压装置，且不可在开关电源过程中产生冲击电压损害器件。
c. 焊接时烙铁应接地良好，温度控制在260℃±5℃，时间不超过5秒。
d. 测试正向电压时要监控正向电流，不超过100uA,否则会击穿器件而失效。