华南理工大学网络教育模拟电子技术-随堂练习
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A. B. D.
参考答案：C
A. B. C. D.
参考答案：B
A. B. D.
参考答案：C
4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
A. B. D.
参考答案：D
6.
稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比
B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值
C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
A. B. D.
参考答案：B
A. B. C. D.
参考答案：A
A. B. D.
参考答案：B
A. B. C. D.
参考答案：C
问题解析：
3.晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数
B.工作在放大区时的电流放大系数
C.工作在截止区时的电流放大系数
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。
A. B.
C.
答题： A. B. C. D. （已提交）
5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( )。
A.截止状态
B.放大状态
C.饱和状态
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约
为( )。
A.0V
B.＋2V
C.－2V
D.－1V
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为( )。
A.1mA./V
B.0.5mA./V
C.-1mA./V
D.-0.5mA./V
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：B
问题解析：
10.放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是( )。
A.适当增加RB2，减小RB1
B.保持RB1不变，适当增加RB2
C.适当增加RB1，减小RB2
D.保持RB2不变，适当减小RB1
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
11. 图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流
IC调整到1.5mA.，RB应取( )。
A.480kW
B.120kW
C.240kW
D.360kW
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
12. 电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC 应等于( )。
A.6V
B.0V
C.0.6V
D.5.3V
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
13. 某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q'需使( )。
A.偏置电阻RB增大
B.集电极电阻RC减小
C.偏置电阻RB减小
A. B. C. D.
参考答案：C
14. 单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：A
问题解析：
15. 对放大电路进行动态分析的主要任务是( )。
A.确定静态工作点Q
B.确定集电结和发射结的偏置电压
C.确定电压放大倍数和输入，输出电阻ri，r0。
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是( )。
A.管子的值太小
B.电路电源电压太高
C.偏置电阻太小
D.偏置电阻太大
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
17. 如图所示的放大电路( )。
A.不能稳定静态工作点。
B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好
答题： A. B. C. D. （已提交）
参考答案：C
问题解析：
A. B. C. D.
参考答案：A
问题解析：
19. 27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数( )。
A.小于但近似等于1
B.约几十倍
C.为