电子技术基础(含答案)
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习题
【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题
1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿
B. 截止
C. 放大
D. 饱和
2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子
B.只有空穴
C.有空穴也有电子
D.没有空穴也没有自由电子
4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50
B.80
C.100
D.180
6.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿区
D.正向死区
7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管
B.NPN锗管
C.PNP硅管
D.PNP锗管
8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.击穿
10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.大于或等于
11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子
B.空穴
C.硼元素
D.磷元素
12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结反偏，集电结正偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结反偏
13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
A.P型半导体带正电，N型半导体带负电
B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态
C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用
D.以上说法都是错误的
14. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D.不确定
15.当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )
A 增大
B 减小
C 不变
D 等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。
A．差分放大电路 B．共基放大电路 C．共射放大电路 D．共集放大电路
17.共模抑制比K CMRR是（）。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
D. 交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比
18.下列哪种失真不属于非线性失真（）。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
19.共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差（）。
A.90°
B.180°
C.60°
D.30°
20.收音机寻找要听的电台，利用的是（）原理。
A. 自激
B. 调谐
C. 整流
D. 稳压
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（）
A.放大
B.饱和
C.截止
D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
A.饱和
B.截止
C.交越
D.频率
23.射极输出器的主要特点是（）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
C.电压放大倍数为0，输出电阻低，输入电阻高
D.以上说法都不对
24.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如下图所示，当温度升高时Q将( )。
A.不改变
B.向Q'移动
C.向Q''移动
D.向右平移
/V CE μA
25. 电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流I C 减小，则应（ 〕。
A.保持U CC ，R B 一定，减小R C
B.保持U CC ，R C 一定，增大R B
V.保持R B ，R C 一定，增大U CC D.保持R C 一定，增大U CC ，R B
26. 理想运算放大器的（ ）。
A.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻等于零
B.差模输入电阻等于零，开环输出电阻等于零
C.差模输入电阻趋于无穷大，开环输出电阻趋于无穷大
D.差模输入电阻等于零，开环输出电阻趋于无穷大
27. 同相比例运算放大器中的反馈类型为（ ）。
A.电压串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电流串联负反馈
D.电流并联负反馈 28. （ ）比例运算电路的比例系数大于1。
A.
反相 B.同相 C. A 和B 都可以 D.A 和B 都不行
29. 在图所示电路中，A 为理想运放。输出电压u o 应等于（ ）。
A. 0.5V
B. 1V
C. 2V
D. 3V
30. 欲将三角波电压转换成方波电压，应选用（ ）运算电路。
A.比例
B.加减
C.积分
D.微分
31.集成运放级间耦合方式是 ( )。
A.变压器耦合
B.直接耦合
C.阻容耦合
D.光电耦合
32.理想运算放大器的共模抑制比为 ( )。
A.零
B.约120 dB
C.无穷大
D.60 dB
33.电路如图所示，该电路为 ( )。
A.加法运算电路
B.减法运算电路
C.比例运算电路
D.积分电路
-∞＋u O
u
i1
u
i2
34.电路如图所示，输入电压u i=10sin t (mV)，则输出电压u O为( )。
A.正弦波
B.方波
C.三角波
D.0
∞
u
O
35.电路如图所示，其电压放大倍数等于( )。
A.1
B.2
C.零
D.3
-∞
＋
O
36.交流负反馈是指（）。
A. 阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B. 只有放大交流信号时才有的负反馈
C. 在交流通路中的负反馈
D. 在交直流通路中的反馈
37.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小
38.电压串联负反馈使输入电阻（）。
A.增大
B.减小
C.不变
D.近似不变
39.放大电路中有反馈的含义是（）。
A.输出与输入之间有信号通路
B.电路中存在反向传输的信号通路
C.除放大电路以外还有信号通道
D.输出与输入信号成非线性的关系
40. 对于放大电路，所谓开环是指（ ）。
A ．无信号源
B ．无反馈通路
C ．无电源
D ．无负载 41. 整流的目的是（ ）。
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将正弦波变为方波
D.将直流变为交流 42. 串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ ）。
A.基准电压
B.采样电压
C.基准电压与采样电压之差
D.输出电压 43. 典型的串联型线性稳压电路正常工作时，调整管处于（ ）状态。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.倒置
44. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）。
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉
D.降低电压
45. 开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是（ ）。
A.输出端有LC 滤波电路
B.调整管工作在开关状态
C.可以不用电源变压器
D.可以不装散热器
46. 可以有多个有效输入电平的编码器为（ ）。
A.二进制编码器
B.二—十进制编码器
C.优先编码器
D.普通编码器 47. 要实现多输入、单输出逻辑函数，应选（ ）。
A.数据选择器
B.数据分配器
C.译码器
D.加法器
48. 根据逻辑代数基本定律可知，A+BC=（ ）。
A. A
B. A ·B+A ·C
C. A ·（B+C ）
D. （A+B ）·（A+C ） 49. 可以实现线与的逻辑门是（ ）。
A. OC 门
B.三态门
C.传输们
D.与非门
50. 逻辑函数F=AB+BC+CA ，则F =（ ）。 A. A C C B B A ++ B. A C C B B A ++ C. A C C B B A ++ D. A
51. 一个16选一的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端有（ ）个。
A.1
B.2
C.4
D.16
52. 下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是（ ）。
A.变量译码器
B.加法器
C.数码寄存器
D.数据选择器
53. 十进制数4用8421BCD 码表示为（ ）。
A.100
B.0100
C.0011
D.11
54. 已知二变量输入逻辑门的输入A 、B 和输出F 的波形如图所示，试判断这是（ ）种逻辑门的波形。
A.与非门
B.或非门
C.同或门
D.与门
55. 四变量逻辑函数F(ABCD)的最小项m 8为（ ）。 A.D ABC B. D BC A C. D C B A D. ABCD
56. 下列哪种逻辑表达式化简结果错误（ ）。
A. A+1=A
B. A+AB=A
C. A ·1=A
D. A ·A=A
57. 在函数L(A,B,C,D)=AB+CD 的真值表中，L=1的状态有（ ）个。
A.2
B.4
C.6
D.7
58. 已知A 、B 为逻辑门的输入端，F 为输出端，其输入、输出波形如图所示。试判断这是（ ）逻辑门的波形。
A.与非门
B.与门
C.或非门
D.或门
59. 已知二变量输入逻辑门的输入A 、B 和输出F 的波形如图所示，试判断这是（ ）种逻辑门的波形。
A.与非门
B.异或门
C.同或门
D.无法判断
60. 与最小项ABC 相邻的最小项是（ ）。 A. C B A B. BC A C. C B A D. C B A
61. N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为（ ）的计数器。
A. N
B. 2N
C. N 2
D. 2N
62. 数码寄存器的功能是（ ）。
A.寄存数码和清除原有数码
B.寄存数码和实现移位
C.清除数码和实现移位
D.计数
63. 主从JK 触发器可以避免的形象是（ ）。
A.空翻
B.一次翻转
C.置位
D.计数
64. 时序电路中（ ）。
A.必须有组合电路
B.可以没有组合电路
C. 没有门电路
D.不能有触发器 65. 若JK 触发器的初始状态为0，欲在CP 作用后变为1状态，则激励函数JK 的值应是（ ）。
A.J=1，K=1
B.J=0，K=0
C.J=0，K=1
D.J=×，K=×
66. 在下列器件中，不属于时序逻辑电路的是（）。
A.计数器
B.移位寄存器
C.全加器
D.序列信号检测器 67. 设计模值为36的计数器至少需要（ ）级触发器。
A.3
B.4
C.5
D.6
68. 构成计数器的基本电路是（ ）。
A.与门
B.或门
C.非门
D.触发器
69. 时序逻辑电路的一般结构由组合电路与（ ）组成。
A.全加器
B.存储电路
C.译码器
D.选择器
70. 可以用来实现并/串转换和串/并转换的器件是（ ）。
A.计数器
B.移位寄存器
C.存储器
D.全加器
71. 基本RS 触发器，当D D S R ,都接高电平时，该触发器具有（ ）。
A.置“1”功能
B.保持功能
C.不定功能
D.置“0”功能
72. 时序逻辑电路与组合逻辑电路的主要区别是（ ）。
A.时序电路只能计数，而组合电路只能寄存
B.时序电路没有记忆功能，组合电路则有
C.时序电路具有记忆功能，组合电路则没有
D. 时序电路只能寄存，而组合电路只能计数
73. 分析时序逻辑电路的状态表，判定它是（ ）。
A.加法计数器
B.减法计数器
C.移位寄存器
D.数码寄存器
74. 8位移位寄存器，串行输入时经( )个脉冲后，8位数码全部移入寄存器中。
A.1
B.2
C.4
D.8
75. 欲使D 触发器按Q n+1=n Q 工作，应使输入D=( )。
A. 0
B. 1
C. Q n
D. n Q
二、简答题
76.判断图所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
77.判断图所示电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。
78.判断图所示电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
79.写出图所示电路中R f的反馈类型。
80. 判断图中反馈元件R f 的类型。
三、计算题1
81. 电路如图(a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时U BEQ ＝0.7V 。利用图解法分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压U om （有效值）。
82. 电路如图所示，晶体管的 ＝80，'bb r =100Ω。分别计算R L ＝∞时的Q 点、u
A 、R i 和R o 。
83. 已知图所示电路中晶体管的β ＝100，r be =1k Ω。
（1）现已测得静态管压降U CEQ ＝6V ，估算R b 约为多少千欧；
（2）若测得i U 和o
U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？
84. 放大电路如图所示，已知图中R b1＝10k Ω， R b2＝2．5k Ω，R c ＝2k Ω，R e ＝750Ω，R L ＝1．5k Ω，R s ＝10k Ω，V cc ＝15V ，β＝150。设C l ，C 2，C 3都可视为交流短路，试用小信号分析法计算电路的电压增益A V ，源电压放大倍数A VS ，输入电阻R i ，输出电阻R o 。
85. 晶体管放大电路如图所示，已知15V CC U =，500k B R =Ω，5k C R =Ω，5k L R =Ω，50β=。
（1）求静态工作点；
（2）画出微变等效电路；
（3）求放大倍数、输入电阻、输出电阻。
四、作图题1
86. 如图所示的电路中，E ＝5V, tV u i ωsin 10=，二极管的正向压降可忽略不计，试画出电压uo 的波形。
87. 电路如图（a ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（b ）所示，试对应地画出输出uo 的波形。
(a) (b)
88. 图所示电路中，输入正弦交流信号)V (sin 5t u i ω=，试对应地画出输出信号的波形。
89. 在图所示中，E=5V, t v i ωsin 10=,二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压o v 的波形。
90. 电路如图示，已知ui ＝10sin ωt (V)，二极管是理想的。试画出ui 与uo 的波形，并标出幅值。
五、分析题
91. 逻辑电路如图所示，写出逻辑式，并化简。
92. 按照图所示逻辑图，完成下列内容：
（1）写出它的逻辑关系式并进行化简；
（2）写出该逻辑图的真值表；
（3）分析出逻辑功能。
A
B Y
93. 组合逻辑电路如图所示。已知A ，B ，C 是输入变量，Y 1和Y 2是输出函数，试写出输出函数Y 1和Y 2的逻辑表达式，并分析该组合逻辑电路的逻辑功能。
94. 已知逻辑电路如图所示，试分析该电路的逻辑功能。
95. 逻辑电路如图所示，试写出逻辑式并化简之。
六、化简题
96. C B A C B A Y +++=
97. Y ABCD ABD ACD =++
98. D C A BC B A C A F +++=
99. B A C B C A C B C A B A F +++++=
100. C B A ABC F +++=
101. C B A C B A L +++=
102. Y ABC ABC ABC =++
103. Y ABC BC ABCD =++
104. Y(A,B,C)=Σm(0,2,4,7)
105. Y(A,B,C)=Σm(1,3,4,5,7)
106. Y(A,B,C)=(0,1,2,3,4,5,6,7)m ∑
107. Y(A,B,C)(0,1,2,3,4,6,7)m =∑
108. ）
，，，，，，，（151********m ∑=F 109. ∑∑+=)7,6,5,4()3,2,1,0(),,(d m C B A Y
110. ∑=)7,6,4,0(),,(m C B A Y
七、计算题2
（略）……
八、作图题2
（略）……
答案
一、单选题
1. C
2. C
3. C
4. B
5. B
6. C
7. A
8. C
9. C
10. B
11. D
12. C
13. B
14. A
15. A
16. D
17. C
18. D
19. B
20. B
21. C
22. B
23. B
24. B
25. B
26. A
27. A
28. B
29. B
31. B
32. C
33. B
34. B
35. A
36. C
37. D
38. A
39. B
40. B
41. A
42. C
43. C
44. C
45. B
46. C
47. A
48. D
49. A
50. C
51. C
52. C
53. B
54. C
55. C
56. A
57. D
58. D
59. B
60. B
61. D
62. A
63. A
64. B
65. A
66. C
67. D
68. D
70. B
71. B
72. C
73. B
74. D
75. D
二、简答题
76.解：图所示电路中引入了直流负反馈。
77.解：图所示电路中引入了交、直流正反馈。
78.解：图所示电路中引入了直流负反馈。
79.解：电流并联负反馈。
80.解：电压并联负反馈。
三、计算题1
81.解：
空载时：I BQ＝20μA，I CQ＝2mA，U CEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为 5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：I BQ＝20μA，I CQ＝2mA，U CEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为 2.3V，有效值约为1.63V。
如解图所示。
82.解：在空载情况下，电路的静态电流、r be分别为（各2分）
Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV 26)1(mA
76.1 A
μ 22EQ
bb'be BQ CQ BEQ b BEQ
CC BQ I r r I I R U R U V I s ββ 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为（各2分）： CEQ CC CQ c c be 6.2V
308u U V I R R A r β=-≈=-≈-
// 1.3i b be be R R r r K =≈=Ω
5o c R R K ==Ω
83. 解：（1）求解R b
CC CEQ CQ c CQ BQ CC BEQ
b BQ
2mA (2)20μA (2)565k (4)V U I R I I V U R I β-=
==
=-=≈Ω分分分 （2）求解R L ：
''o L L i be L c L
100 (4) 1k 11 1 1.5k (4)u u U R A A R U r R R R β=-=-=-=Ω+==Ω分分
84. (1)静态分析，确定r be
V V R R R V V b b b CC B 35.2105.215212=??
????+?=+= mA A R V V I e BE B E 31075.07.033≈?-=-=
Ω=++=++=k I r E be 5.13
26)1501(20026)1(200β (2)画出小信号等效电路
先画出放大电路的交流通路，即将直流电源V CC 和所有的耦合电容、旁路电容都视为短路画出交流通路，然后根据交流通路画出H 参数小信号等效电路如图所示。
(3)求动态指标
根据小信号等效电路得
7.855.15.125.12150)//(-≈?????
? ??+??-=-==be L i o V r R Rc V V A β Ω=Ω??
????++===k k r R R I V R be b b i i i 85.05.115.211011////21 Ω=≈k R R C O 2（2分）
71.610
85.085.07.85-=+?-=+?=?==s i i V s i i o s o VS R R R A V V V V V V A 由以上分析结果可看出，由于R s 的存在而且较大，使A VS 比A V 比小得多。
85. 解：(1)求静态工作点：
30μA CC BE B B
U U I R -==， 1.5mA C B I I β== ()1 1.53mA E B I I β=+= 7.5V CE CC C C U U I R =-=
()263001 1.167k Ωbe E
r I β=++= (2)画出微变等效电路：
(3)求放大倍数、输入电阻、输出电阻
107//-=-=be
L c u r R R A β Ω≈=K r R R be B i 167.1//
5k Ωo C R R ==
四、作图题1
86. v i > 5v, v 0 = v i ；v i < 5v, v 0 = 5v
87.
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】 数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>Ω） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1 《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_） 电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020 一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对） 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min 周 授课 教学 执行 授课章节及内容摘要 学时 方式 课外作业及考核 次 情况 思考： 1、冬季穿脱毛衣时，静 1 绪论 安全用电常识 2 讲授 电有上千 v 的电压，为什么没有 出现电死人的情况？ 2 15、 16 级德育体验周， 17 级军训 2 3 触电急救 2 电教 练习急救措施 4 第一章 电路的结构和常用基本 2 电教 课后习题一、二 物理量（电压、电流） 5 国庆、中秋放假 2 6 电路的相关物理量（电位、电动 2 讲授 课后习题三 1、 2、 3、 4 势、电能 ） 7 电阻串、并联电路的结构与作用 2 讲授 练习册 1.3、 1.4 8 秋季田径运动会 2 9 电路相关名词及基尔霍夫电压、 2 讲授 练习册 1.5 一、填空题 电流定律 10 第二章 磁场及电磁感应 2 电教 练习册 2.1、 2.2 11 半期复习与测试 2 测试 半期测试题 12 第三章 电容、 电感的概念、 参数 2 电教 课后习题一 、二、 标注及应用 13 第四章单相正弦交流电路的概 2 电教 练习册 4.1 念、相关物理量 14 正弦交流电的表示法 2 讲授 课后习题 一、二、 15 纯电感、纯电容电路的结构及功 2 电教 课后习题 三、四 率 16 纯电阻电路的结构及功率、电路 2 讲授 练习册 4.2 4.5 的功率因数 17 第五章三相交流电源的产生与应 2 讲授 课后题一、二、三 用 18 三相负载的连接 2 电教 练习册 5.1 一、 19 三相电功率 2 讲授 练习册 5.1 二、三 5.2 一、 二、 三 电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（） 。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题 周 授课章节及内容摘要 授课次学时 1 绪论安全用电常识 2 2 15、16 级德育体验周， 17 级军训 2 3 触电急救 2 4 第一章电路的结构和常用基本 2 物理量（电压、电流） 5 国庆、中秋放假 2 6 电路的相关物理量（电位、电动 2 势、电能） 7 电阻串、并联电路的结构与作用 2 8 秋季田径运动会 2 9 电路相关名词及基尔霍夫电压、 2 电流定律 10 第二章磁场及电磁感应 2 11 半期复习与测试 2 12 第三章电容、电感的概念、参数 2 标注及应用 13 第四章单相正弦交流电路的概 2 念、相关物理量 14 正弦交流电的表示法 2 15 纯电感、纯电容电路的结构及功 2 率 16 纯电阻电路的结构及功率、电路 2 教学执行 课外作业及考核 方式情况 思考： 1、冬季穿脱毛衣时，静 讲授电有上千v 的电压，为什么没有 出现电死人的情况？ 电教练习急救措施 电教课后习题一、二 讲授课后习题三1、 2、 3、 4 讲授练习册1.3、 1.4 讲授练习册 1.5 一、填空题 电教练习册 2.1、 2.2 测试半期测试题 电教课后习题一、二、 电教练习册 4.1 讲授课后习题一、二、 电教课后习题三、四 讲授练习册 4.2 4.5 的功率因数 17 第五章三相交流电源的产生与应 2 讲授课后题一、二、三 用 18 三相负载的连接 2 电教练习册 5.1 一、 19 三相电功率 2 讲授练习册 5.1 二、三 5.2 一、二、 三 20 期末复习 2 讲授复习试题 第一章审核签字课题 第一节 授课时数 2 课时授课时间第1 周第 1 ~ 2 课时 知识1、了解电路的组成。 与 2、掌握电路中每部分的作用。 技能 教 学过程 目与讲授法与图示法相结合，便于学生回忆巩固。 标 方法 情感 态度 结合生活中常见的电器设备来进行讲解。 与价 值观 新学期开学，学生身心状态还未收回，切寒假后，此前所学知识部分已经遗忘或模糊，学情分析 需要通过复习收心和巩固知识，为新课内容做准备。 教学重点1、电路结构2、各部分的作用 教学难点1、讲电路图形符号和实物结合，识读简单电路图。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（）。 《电工基础》教案 《电工基础》教案 教 学 总 结 本节课内容较浅，再加上勤与学生互动，是可以达到教学目标的。 课堂练习 4个小组各选1名学生上黑板默画几种常用的标准图形符号。 作 业 1．名词解释(1) （P 36） 2．填空题(1) （P 36） 章 节 第1章 直流电路 1.1.2电路的基本物理量——电流 学 时 1学时 授课类型 新授课 教学目标 1、理解电流产生的条件和电流的概念， 2、掌握电流的计算公式。 教学重点、难点 重点：电流的计算公式。 难点：电流产生的原因、条件。 教 法 类比、讲解、练习 教学过程 过程设计 创设情景引入新课 复习提问：初中对电流是如何定义的？ 引 入：在初中我们就知道：大量的自由电荷定向移动形成电流。电流就如同水流一般，在大量自由电荷（自由运动的水分子）的两端 加上电压（水压）就发生定向移动而形成电流（水流）。 新课讲解 一、电流的形成 1、电流：大量的电荷的定向移动形成电流。 2、在导体中形成电流的条件： (1) 要有自由电荷。 (2) 必须使导体两端保持一定的电压（电位差）。 二、电流 1、电流的强弱用电流强度表示。电流强度简称为电流。 《电工基础》教案 《电工基础》教案 一、电能 1、设导体两端电压为U，通过导体横截面的电量为q，电场力所做 的功为：W = q U 而q = I t，所以 W = U I t 单位：W－焦耳（J）；U－伏特（V）；I－安培（A）；t－秒（s）。 2、电场力所做的功即电路所消耗的电能W = UIt 3、电流做功的过程实际上是电能转化为其他形式的能的过程。 二、电功率 1、定义：单位时间内，某段电路传送或转换的电能。 W P= t 或P= UI 单位：P－瓦特（W）。 常用单位：千瓦（kw）电能的常用单位（kW ? h) 1度 =h k W 1?= 3.6?106J 2 、电气设备的额定值 1）定义：电气设备在给定的工作条件下，正常运行时所规定的最大允许值。 2）实际工作时，如果超过电气设备的额定值，会是使用寿命缩短获造成损伤；如果小于电气设备的额定值，电气设备的利用率降低，甚至不能正常工作。 3）额定功率—P N 额定电压—U N ：。 额定电流—I N 例:有一功率为60 W的电灯，每天使用它照明的时间为4小时，如果平均每月按30天计算，那么每月消耗的电能为多少度？合为多少 试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年１２月１２日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和I CBO 增大，U BE 下降 B．β和U BE 增大，I CBO 减小 C．β减小，I CBO 和U BE 增大 D．β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A．A ｕ等于各级电压放大倍数之积 B．R ｉ 等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａ ｕ 等于各级电压放大倍数之和 （8）用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的 ( )。 A．︱A ｕｄ ︱ B．︱A ｕｅ ︱ C．Ｒ ｉｄ D．Ｋ ＣＭＲ (9)电路如图2所示，其中U ２ ＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０ ≈( )。 A．24V B．28V C．－28V D．－18V (图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题(每格１分，共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3．分析计算题（共60分） （17）电路如图３所示．已知R B1＝50KΩ, R B2＝10KΩ, R C＝6KΩ, R E＝750Ω,信号源内阻R S＝ 5KΩ,负载电阻R L＝10KΩ,电源电压＋V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求：（a）电压放大倍数A u（=U O/U I）及A us（=U O/U S）; （b）输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 － TR + u2 － D1 D4 D3 D 2 C + U o － 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 模拟电子技术基础试题2 一、填空题（每空2分，共30分） 1．N 型半导体中，多数载流子是_______。 2．PN 结方程是_______。 3．放大区工作的晶体三极管，实质是一个_______器件。 4．二极管最重要的特性是_______。 5．为使晶体管工作于放大状态，必须保证_______正偏，_______反偏。 6．晶体管三种基本放大电路中，只有较大电压增益的是_______电路。只有较大电流增益的是_______，既有较大电流增益又有较大电压增益的是_______。 7．二极管正向电压随温度升高而_______。 8．桥式全波整流电路中，变压器二次电压为10V ，则负载上的平均电压为_______V 。 9．为了使放大器静态工作点稳定，应引入_______反馈。为了提高输入电阻，减小输出电阻，应引入_______反馈。 10．多级放大器中，总电压放大倍数等于各级电压放大倍数。 11．差分放大器中，对管射极的公共用电阻Re 增大则共模抑制比K CMR _______。 二、简单计算题（共36分） 1．图1所示放大电路中，50=β，V 7.0BE =V ，容抗可略。求：（1）I BQ 、I CQ 、I CEQ ；（2）A V ，R i ，R o 。 2．图2所示电路中，运算放大器是理想的，求： （1）1 011 V V A V =；（2）2 022 V V A V = ；（3）?P =R 3．图3所示放大电路中50 =β ，V BE =0.7V 。求：（1）1 011 V V A V = ；（2）1 022 V V A V = 4．图4所示放大电路中：（1）判断反馈极性和接法；（2）如为负反馈，估算A V f 。 三、放大电路分析题（共50分） 1．判断图示电路中，（a ）（b ）（c ）（d ）有无放大作用，若无放大作用，说明理由。 数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下, 输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（ D）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（ C）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式数字电子技术基础期末考试试卷及答案
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