半导体激光器封装工艺与设备[优质ppt]
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半导体激光器(一)PPT课件
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•
1 P ( E ) 费米能级 ——用于描述半导体中各能级被电子占据的状态，在费米能级，被电子占据 E Ef 和空穴占据的概率相同。在本征半导体中， 1 exp[ ] KT 位于禁带中央；N型半导体中 增大；在P型半导体中 减小。
Ef
Ef
Ef
P 区
PN 结空 间电 场区
N 区
+ + + + ++
• • • • •
是 阈值增益系数； ln( 1 ) R1 R2 是谐振腔内激活物质的损耗系数； th 2L 为谐振腔长度 th 激光振荡的相位条件为： 或
L
L q
2n
L
2 nL
半导体激光器的基本结构
• 同质结 • 单异质结（LH） • 双异质结（DH）
双异质结（DH)LD的结构
E2
初态
hf12
E1
hf12
E2
终态
hf12
E1
hf12
(c)受激辐射
(a)受激吸收
能级与电子跃迁示意图
(b)自发辐射
粒子数反转分布
设在单位物质中低能级电子数和高能级电子数分别为 N1 和N2物质在正常状态下N1＞N2，受激吸收与受激辐射的速率 分别比例于N1和N2且比例系数相等，此时光通过该物质时， 光强会衰减，物质为吸收物质。若N2＞N1，受激吸收小于受 激辐射，光通过该物质时，光强会放大，该物质成为激活 物质。N2＞N1的分布与正常状态相反，故称为粒子数反转分 布。
光与物质相互作用的三种基本方式
• 自发辐射——无外界激励而高能级电子自发跃迁到低能级， 同时释放出光子。 • 受激辐射——高能级电子受到外来光作用，被迫跃迁到低 能级，同时释放出光子，且产生的新光子与外来激励光子 同频同方向，为相干光。 • 受激吸收——低能级电子在外来光作用下吸收光能量而跃 迁到高能级。
半导体激光器 制造 封装
TO封装技术
❖ TO封装，即Transistor Outline 或者Throughhole封装技术，原来是晶体管器件常用的封装形式， 在工业技术上比较成熟。TO封装的寄生参数小、工艺 简单、成本低，使用灵活方便，因此这种结构广泛用 于 2.5Gb/s以下LED、LD、光接收器件和组件的封装。 TO管壳内部空间很小，而且只有四根引线，不可能安 装半导体致冷器。由于在封装成本上的极大优势，封 装技术的不断提高，TO封装激光器的速率已经可以达 到 10Gb/s。
半导体LD的特点及与LED区别
特点：效率高、体积小、重量轻、 可 靠 ， 结构简 单 ； 其缺点是输出功率较小。目前半导体激光器 可选择的波长主要局限在红光和红外区域。
LD 和LED的主要区别 LD发射的是受激辐射光。 LED发射的是自发辐射光。 LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结
(DH)芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间， 不同的是LED不需要光学谐振腔，没有阈值。
2二次外延生长
生长：
1.低折射率层 2.腐蚀停止层 3.包层 4.帽层：接触层
DFB-LD
3一次光刻
❖ 一次光刻出双 沟图形
DFB-LD
4脊波导腐蚀
选择性腐蚀到四元 停止层
DFB-LD
5套刻
PECVD生长SiO2 自对准光刻 SiO2腐蚀
DFB-LD
6三次光刻：电极图形
DFB-LD
7欧姆接触
半导体激光器的制作工艺、 封装技术和可靠性
目录
1.半导体材料选择 2.制作工艺概述 3.DFB和VCSEL激光器芯片制造 4.耦合封装技术
1.半导体激光器材料选择
❖ 半导体激光器材料主要选 取Ⅲ-Ⅴ族化合物（二元、 三元或四元），大多为直 接带隙材料，发光器件的 覆盖波长范围从0.4μm到 10μm。
半导体激光器ppt课件
Ⅱ、与同质结激光器相比，异质结激光器具有以下优点： 1）阈值电流低，同时阈值电流随温度的变化小； 2）由于界面处的折射率差异，光子被限制在作用区内； 3）能实现室温下的连续振荡。
应用：
半导体激光器应用十分广泛，主要分布在军事、生产和医疗方面：
军事：Ⅰ)激光引信。半导体激光器是唯一能够用于弹上引信的激光器。 Ⅱ)激光制导。它使导弹在激光射束中飞行直至摧毁目标。 Ⅲ)激光测距。主要用于反坦克武器以及航空、航天等领域。 Ⅳ)激光雷达。高功率半导体激光器已用于激光雷达系统
目录
CONTENTS
1 基本介绍及发展 2 基本原理及构成
3 主要特性
4 分类、应用及发展前景
基本介绍及发展
高能态电子束>低能态电子束
高能态
低能
态
同频同相
的光发射
同频同相光 谐振腔内多次往返
放大
激光
激光：通过一定的激励方 式，实现非平衡载流子的 粒子数反转，使得高能态 电子束大于低能态电子束， 当处于粒子数反转状态的 大量电子与空穴复合时， 便产生激光。
激光具有很好的方向性和 单色性。用途十分广泛
高功率半导体激光器
① 、1962年9月16日，通用电气公司的罗伯特·霍尔 （Robert Hall） 带领的研究小组展示了砷化镓（GaAs）半导体的红外发射， 首个半 导体激光器的诞生。 ②、70年代，美国贝尔实验室研制出异质结半导体激光器，通过对光 场和载流限制，从而研制出可在室温下连续运转且寿命较长的激光器。 ③、80年代，随着技术提升，出现了量子陷和超晶格等新型半导体激 光器结构； 1983年，波长800nm的单个输出功率已超过100mW，到 了1989年，0.1mm条宽的则达到3.7W的连续输出，转换效率达39%。 ④、90年代在泵浦固体激光器技术推动下，高功率半导体激光器出现 突破进展。。1992年，美国人又把指标提高到一个新水平：1cm线阵 连续波输出功率达121W，转换效率为45%。
应用：
半导体激光器应用十分广泛，主要分布在军事、生产和医疗方面：
军事：Ⅰ)激光引信。半导体激光器是唯一能够用于弹上引信的激光器。 Ⅱ)激光制导。它使导弹在激光射束中飞行直至摧毁目标。 Ⅲ)激光测距。主要用于反坦克武器以及航空、航天等领域。 Ⅳ)激光雷达。高功率半导体激光器已用于激光雷达系统
目录
CONTENTS
1 基本介绍及发展 2 基本原理及构成
3 主要特性
4 分类、应用及发展前景
基本介绍及发展
高能态电子束>低能态电子束
高能态
低能
态
同频同相
的光发射
同频同相光 谐振腔内多次往返
放大
激光
激光：通过一定的激励方 式，实现非平衡载流子的 粒子数反转，使得高能态 电子束大于低能态电子束， 当处于粒子数反转状态的 大量电子与空穴复合时， 便产生激光。
激光具有很好的方向性和 单色性。用途十分广泛
高功率半导体激光器
① 、1962年9月16日，通用电气公司的罗伯特·霍尔 （Robert Hall） 带领的研究小组展示了砷化镓（GaAs）半导体的红外发射， 首个半 导体激光器的诞生。 ②、70年代，美国贝尔实验室研制出异质结半导体激光器，通过对光 场和载流限制，从而研制出可在室温下连续运转且寿命较长的激光器。 ③、80年代，随着技术提升，出现了量子陷和超晶格等新型半导体激 光器结构； 1983年，波长800nm的单个输出功率已超过100mW，到 了1989年，0.1mm条宽的则达到3.7W的连续输出，转换效率达39%。 ④、90年代在泵浦固体激光器技术推动下，高功率半导体激光器出现 突破进展。。1992年，美国人又把指标提高到一个新水平：1cm线阵 连续波输出功率达121W，转换效率为45%。
半导体封装工艺介绍ppt课件
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有 出现废品。
最新课件
Chipping Die 崩边
19
FOL– Die Attach 芯片粘接
Write Epoxy 点银浆
Die Attach 芯片粘接
Epoxy Cure 银浆固化
Epoxy Storage： 零下50度存放；
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
最新课件
3
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装材料划分为：
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
塑料封装用于消费电子，因为其成本低
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片)：
Life Time：900~1500M； Spindlier Speed：30~50K rpm： Feed Speed：30~50/s;
最新课件
18
FOL– 2nd Optical Inspection二光 检查
Epoxy Write： Coverage >75%;
Diቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ Attach： Placement<0.05mm;
最新课件
22
FOL– Epoxy Cure 银浆固化
银浆固化：
175°C，1个小时； N2环境，防止氧化：
Die Attach质量检查： Die Shear（芯片剪切力）
最新课件
23
FOL– Wire Bonding 引线焊接
半导体激光器封装工艺与设备PPT幻灯片课件
芯片
7
TO管座
Au80Sn20焊片
封装工艺与设备-烧结
真空焊接系统
主要用途：
通过预成型焊片，实现芯片与管座或热 沉共晶贴片。
芯片
8
C-mount
Au80Sn20焊片
封装工艺与设备-金丝球焊
主要用途：
芯片与陶瓷金属或管座之间导电连接。
超声波金丝球焊机
C-mount
9
TO
封装工艺与设备-焊引线
电烙铁
铜引线
主要用途：
C-mount管座引线连接。
焊锡丝
10
助焊剂
C-mount
封装工艺与设备-目检
主要用途：
贴片、键合、封帽等精细观察与 测量，不良品外观异常Hale Waihona Puke 析。金相显微镜11
体式显微镜
封装工艺与设备-老化
直流稳压电源
主要用途：
激光器封装后不同温度下可靠性 测试与分析。
冷水机（温控）
12
热沉
选择要求：热导率高、不易污染、易加工、易研磨、易烧 焊、热膨胀系数与芯片匹配，如无氧铜、AlN和CuW等。
5
封装工艺与设备-蒸镀
主要用途：
热沉蒸镀焊料； 陶瓷片蒸镀金属电极。
电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜设备
热沉
6
镀金属陶瓷片
封装工艺与设备-共晶贴片
精密共晶贴片机
主要用途：
通过预成型焊片，实现芯片与管座或热 沉共晶贴片。
老化台
封装工艺与设备-测试
主要用途：
单管和裸管芯（结合探针台）P-IV曲线、光谱及远场发散角测量。
半导体激光器光电参数测试系统
13
P-I-V
光谱
【优】半导体激光器最全PPT
VCSEL的发展历程
2001年在室温下用含19个单元的阵列实现了1W的连续波方式 工作或是10W的脉冲方式工作。2005年通过增大口径大小， 实现了3W的输出功率，波长为980nm。2007年，一个 5mm*5mm的阵列实现了200W的输出功率，这是一个高功率 VCSEL方面的重大突破。 年在808nm功率达到了大于100W 这个等级。现在vcsel朝着脉冲方式工作，更低的阈值电流， 更多种发射波长，更高输出功率的方向发展。
VCSEL的原理结构
VCSEL的优点
波长 VCSEL激射波长非常稳定，因为它是由短期（1稳定性 -1.5波长厚）法布里 - 珀罗腔固定。
波长 均匀性
生长技术改善了腔波长为2nm的标准偏差，这允许制 造的VCSEL2-D数组数组的元素（<1nm的全宽半高 谱宽）之间的小波长变化。
可靠性 由于VCSEL的不受灾难性的光学损伤，其可靠性比
VCSEL的原理结构
一个激光谐振腔是由两面布拉格反射镜 (DBR)平行于一个芯 片反应区的表面构成， 在一般的VCSEL中，较高和较低的两 个透镜分别镀上了p型材料和n型材料，形成一个接面二极管。 在较为复杂的结构中，p型和n型区域可能会埋在透镜中，使 较复杂的半导体在反应区上加工做电路的连接，并除去在 DBR结构中电子能量的耗损。
VCSEL的应用
条形码扫描 VCSEL与以往的激光器相比，VCSEL具有阈值电流0.5~5mA， 7 mW／mA斜，射率线角效l5度，率光谱0宽.2度4小~于0，.象7散m为零W， ／射线m的形A状，为圆射形等线优点角。 l5度，光谱宽度小于， 象散为零， 射线的形状为圆形等优点。这些优点正预示着它 相比过去的单个激光管，VCSEL的阵列集成结构可以同时进行多行的扫描。
《半导体激光器》课件
激光器的原理和结构
三层异质结构
由P型层、N型层和增益区组 成，形成电荷分布不均衡。
激发电子跃迁
通过半导体材料注入载流子， 使电子跃迁并辐射出激光。
反射和增强
利用反射镜将光不断反射， 形成受激辐射和光放大。
半导体激光器的分类
基于材料
可见光范围：GaN、InGaN、 AlGaInP
基于结构
激光二极管、垂直腔面发射激 光器（VCSEL）、边缘发射激光 器
半导体激光器将继续追求更高功率输出
新材料和结构
2
和更短波长的发展。
新型半导体材料和结构设计将推动半导
体激光器的进一步发展。
3
光电子集成
半导体激光器将与其他光电子器件集成， 进一步拓展应用领域。
总结和展望
半导体激光器的发展已经取得了显著的成就，但仍有许多待解决的挑战。我们期待看到半导体激光器在更多领 域发挥重要作用，并推动科技进步和社会发展。
1 小尺寸、易集成
半导体激光器的微小尺寸 使其在集成电路和微型设 备中具有广泛应用。
2 低功耗、高效率
相较于其他激光器，半导 体激光器具有更低的功耗 和更高的能量转换效率。
3 快速开关、调制
半导体激光器具有快速调 制和切换特性，适用于光 通信和传感器等领域。
半导体激光器的发展趋势
1
更高功率和更短波长
基于应用
光通信、激光打印、医疗、工 业加工、激光雷达等
半导体激光器的应用
光通信
作为信息传输的关键技术，广泛 应用于光纤通信和无线光通信领 域。
医疗
各种激光治疗设备，如激光手术 刀和激光美容仪，受到医疗界的 青睐。
工业加工
激光切割、激光焊接和激光打标 等应用，提高了工业加工的效率 和精度。
半导体激光器(一)PPT教学课件
GaAs衬底
光辐射
金属接触
+ (a)
P GayAl1-yAs
E
(b)
能 量
空穴
N 折
(c) 射
率
P GaAs
－
N GaXAl1-XAs 电子
复合
异质势垒
＜5%
P 光
(d) 功
率
双异质结（DH)LD的工作原理示意图
双异质结（DH)LD的工作原理
双异质结（DH)LD由三层不同类型的半导体材料构成，不同材 料发不同的波长。结构中间一层窄带隙P型半导体为有源层， 两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体是限制层，三层半导 体置于基片上，前后两个晶体解理面为反射镜构成谐振腔。 光从有源层沿垂直于PN结的方向射出。
光学谐振腔
光学谐振腔——由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成。 腔内物质具备粒子数反转分布，可用其产生的自发辐射光作入射 光，经反射镜反射沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向传 播的光被减弱，反射光经反射镜多次反射不断被放大，方向性不 断改善，使增益大幅度提高。
激光振荡
• 激活物质在被置于光学谐振腔后，能对光的频率和方向进行选择，可获 得连续的光放大和激光振荡输出激光起振阈值条件：腔内增益与损耗相 当时开始建立稳定的激光振荡，阈值条件为：
• • • •
激光t是是为振h 谐谐荡阈振振的值腔腔相增内长位益激度条系t活件h数物为；质： 的损ln耗( 系12R数L1；R2 )
•
或
L
Lq
2n
L 2nL
半导体激光器的基本结构
• 同质结 • 单异质结（LH） • 双异质结（DH）
双异质结（DH)LD的结构
限制层GayAl1-yAs 有源层GaAs 限制层GaXAl1-XAs
光辐射
金属接触
+ (a)
P GayAl1-yAs
E
(b)
能 量
空穴
N 折
(c) 射
率
P GaAs
－
N GaXAl1-XAs 电子
复合
异质势垒
＜5%
P 光
(d) 功
率
双异质结（DH)LD的工作原理示意图
双异质结（DH)LD的工作原理
双异质结（DH)LD由三层不同类型的半导体材料构成，不同材 料发不同的波长。结构中间一层窄带隙P型半导体为有源层， 两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体是限制层，三层半导 体置于基片上，前后两个晶体解理面为反射镜构成谐振腔。 光从有源层沿垂直于PN结的方向射出。
光学谐振腔
光学谐振腔——由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成。 腔内物质具备粒子数反转分布，可用其产生的自发辐射光作入射 光，经反射镜反射沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向传 播的光被减弱，反射光经反射镜多次反射不断被放大，方向性不 断改善，使增益大幅度提高。
激光振荡
• 激活物质在被置于光学谐振腔后，能对光的频率和方向进行选择，可获 得连续的光放大和激光振荡输出激光起振阈值条件：腔内增益与损耗相 当时开始建立稳定的激光振荡，阈值条件为：
• • • •
激光t是是为振h 谐谐荡阈振振的值腔腔相增内长位益激度条系t活件h数物为；质： 的损ln耗( 系12R数L1；R2 )
•
或
L
Lq
2n
L 2nL
半导体激光器的基本结构
• 同质结 • 单异质结（LH） • 双异质结（DH）
双异质结（DH)LD的结构
限制层GayAl1-yAs 有源层GaAs 限制层GaXAl1-XAs
半导体激光器讲解PPT课件
光纤通信基础
可编辑
§4.半导体激光二极管LD(续）
14针双列直插式封装：
2019/11/7
36
光纤通信基础
可编辑
§4.半导体激光二极管LD(续）
蝶式封装：
2019/11/7
37
光纤通信基础
可编辑
§5.分布反馈激光二极管（DFB--LD）
无集总式反射机构（F-P），由有源区波导上的 Bragg光栅提供反射功能，
2019/11/7
32
光纤通信基础
可编辑
§4.半导体激光二极管LD(续）
同轴激光器的封装：
2019/11/7
33
光纤通信基础
可编辑
§4.半导体激光二极管LD(续）
插拔式同轴封装：
2019/11/7
34
光纤通信基础
可编辑
§4.半导体激光二极管LD(续）
尾纤式同轴封装：
2019/11/7
35
Eg=h
2019/11/7
4
光纤通信基础
可编辑
§2.半导体中光的发射和激射原理(续）
本征半导体（I型）：杂质、缺陷极少的纯净、 完整的半导体。
电子半导体（N型）：通过掺杂使电子数目大 大地多于空穴数目的半导体。（GaAs-Te）
空穴半导体（P型）：通过掺杂使空穴数目大 大地多于电子数目的半导体。（GaAs-Zn）
原理：Bragg光栅周期，发射波长满足 2=m/n (m=0,1,2,……)
干涉增强方向 2sin=m/n
特点：单纵模特性好（边模抑制比可达35dB以上） 窄线宽，波长选择性好； 温度特性好，波长温度飘移为0.09nm/℃, 调制特性好，
2019/11/7
半导体激光器 ppt课件
布
1
p(E)1expE( Ef )
(3.3)
kT
式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。Ef 称为费米能 级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。
在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。
一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见图3.2(a)。
在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体，见图3.2(b)。
半导体激光器（Laser Diode 即LD）
6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构 一、半导体激光器的工作原理
受激辐射和粒子数反转分布 PN结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔 二、半导体激光器基本结构 6.3.2 半导体激光器的主要特性 一、发射波长和光谱特性 二、激光束的空间分布 三、转换效率和输出光功率特性 四、 频率特性 五、 6.3.3 分布反馈激光器 一、 工作原理 二、DFB激光器的优点
能量 Eg
导带
Ec Eg/2
Ef
Eg
Eg/2
Ev
价带
Ec
Ec
Ef Eg Ef
Ev
Ev
(a)
(b)
(c)
图 3.2
(a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体
能量 Eg
导带
Ec Eg/2
Ef
Eg
Eg/2
Ev
价带
Ec
Ec
Ef Eg Ef
Ev
Ev
在热平衡状态下(a，) 能量为E的能级(b)被电子占据的概(c率) 为费米分
如果N1>N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物 质时，光强按指数衰减， 这种物质称为吸收物质。
半导体激光器ppt课件
半导体激光器
目录
半导体激光器简介
半导体激光器工作原理
半导体激光器的分类
半导体激光器的应用
• 半导激光器简介：
• 半导体激光器是以一 定的半导体材料做工 作物质而产生激光的 器件。.
• 半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被 成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来 经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构 造的激光二极管（Laser diode）等，广泛使用于 光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激 光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光 器。
• （7）动态单模激光器
• （9）量子阱激光器
（8）分布反馈激光器
（10）表面发射激光器
• （11）微腔激光器
半导体激光器的应用
•军事领域
•如激光制导跟踪、激光雷 达、激光引信、激光测距、 激光通信电源、激光模拟 武器、激光瞄准告警、激 光通信和激光陀螺等。目 前世界上的发达国家都非 常重视大功率半导体激光 器的研制及其在军事上的 应用。
•印刷业和医学领域
•如CD播放器，DVD系统和高密度光存储器可见光面发射激光器在光 盘、打印机、显示器中都有着很重要的应用，特别是红光、绿光和蓝 光面发射激光器的应用更广泛蓝绿光半导体激光器用于水下通信、激 光打印、高密度信息读写、深水探测及应用于大屏幕彩色显示和高清 晰度彩色电视机中。
供应平板刻绘机
The end,thank you!
半导体激光雷达 半 导 体 激 光 武 器 模 拟
半导体激光瞄准和告警
半导体激光测距
半导体激光引信
半导体激光制导跟踪
军用光纤陀螺
•光纤通信系统
半导体激光器可以作为光纤通信的光源和指示器以及通过大规模集成电 路平面工艺组成光电子系统。
目录
半导体激光器简介
半导体激光器工作原理
半导体激光器的分类
半导体激光器的应用
• 半导激光器简介：
• 半导体激光器是以一 定的半导体材料做工 作物质而产生激光的 器件。.
• 半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被 成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来 经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构 造的激光二极管（Laser diode）等，广泛使用于 光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激 光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光 器。
• （7）动态单模激光器
• （9）量子阱激光器
（8）分布反馈激光器
（10）表面发射激光器
• （11）微腔激光器
半导体激光器的应用
•军事领域
•如激光制导跟踪、激光雷 达、激光引信、激光测距、 激光通信电源、激光模拟 武器、激光瞄准告警、激 光通信和激光陀螺等。目 前世界上的发达国家都非 常重视大功率半导体激光 器的研制及其在军事上的 应用。
•印刷业和医学领域
•如CD播放器，DVD系统和高密度光存储器可见光面发射激光器在光 盘、打印机、显示器中都有着很重要的应用，特别是红光、绿光和蓝 光面发射激光器的应用更广泛蓝绿光半导体激光器用于水下通信、激 光打印、高密度信息读写、深水探测及应用于大屏幕彩色显示和高清 晰度彩色电视机中。
供应平板刻绘机
The end,thank you!
半导体激光雷达 半 导 体 激 光 武 器 模 拟
半导体激光瞄准和告警
半导体激光测距
半导体激光引信
半导体激光制导跟踪
军用光纤陀螺
•光纤通信系统
半导体激光器可以作为光纤通信的光源和指示器以及通过大规模集成电 路平面工艺组成光电子系统。
7-3 半导体激光器封装PPT课件
z
(z=0)
(x=0,x=a)
H
(
)
1 0
0 0
计算结果
利用傅立叶变换法求解以上方程组得到温度场t（x,y,z）：
t(x, y, z) T (z) R( y, z) J (x, z) I (x, y, z)
qdg qdgc
T(z)
z
ab
ab
2q
db
s
in
m
g
e
2
m b
c
m z
R(y z)
热阻与热沉长、(1) 宽的关系 热阻与热沉(2)厚度与长度的关系
10000
845 0
2000
4000
6000
8000
Lateral position (µm)
10000
半导体激光器的热特性
阈值电流随有源区温度的指数增长； 电光转换效率随有源区温度的指数下降； 有源区温度增加器件寿命下降； 腔面温度升高非辐射复合导致ＣＯＤ问题。
有源区温度控制大功率半导体激光器 应用的核心问题。
典型的封装形式
Bar p面朝下焊接到热沉上，热沉充当正极； 热沉根据散热量不同分为有源、无源热沉； N面电连接采用Cu箔或金丝引线。
上电极 下电极
电流方向 发光方向
热散出方向
Bar焊接焊料的选择
软焊料 纯In材料具有非常好的延展性，抗疲劳
性以及抗裂纹传播率.适用于CTE与GaAs差别 较大的热沉材料与激光bar之间的焊接，例如： CVD金刚石、无氧铜和AlN等材料。 硬焊料
q=hΔt
h: 表面传热系数
斯泰藩-波尔兹曼定律（热辐射） q=ξA（T1- T2）
固体中的热传导
半导体封装制程及其设备ppt课件
width direction
24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
6
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Wafer Mount
Plasma
UV Cure (Optional)
Wire Bond
Molding
Post Mold Cure Laser mark
Laser Cut
Package Saw
Cleaner
Memory Test
Card Asy
Card Test
Packing for Outgoing
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
5
Through Hole Mount
SK-DIP
Skinny Dual In-line
Package
PBGA
Pin Grid Array
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles) half-size pitch in the
24~32
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles)
6
Surface Mount
SOP Small Outline Package
QFP Quad-Flat
Pack
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Wafer Mount
Plasma
UV Cure (Optional)
Wire Bond
Molding
Post Mold Cure Laser mark
Laser Cut
Package Saw
Cleaner
Memory Test
Card Asy
Card Test
Packing for Outgoing
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Plastic
2.54 mm (100miles) 1 direction
lead
16~24
Plastic
1.778 mm (70miles)
20 ~64
5
Through Hole Mount
SK-DIP
Skinny Dual In-line
Package
PBGA
Pin Grid Array
封裝型式
Shape
Typical Features
Material Lead Pitch No of I/O
Ceramic Plastic
2.54 mm (100miles) half-size pitch in the
半导体激光器原理ppt课件
整理版课件
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端面镀膜
• 先解理成条 • 端面镀膜:高反膜\增透膜
端面镀膜的作用: 1.增大出光功率，2.减小阈值电流 高反膜80-90%，增透膜5-10%
整理版课件
48
面发射激光器
Vertical Cavity Surface Emitting Laser
整理版课件
49
VCSEL 的优点
●易于实现二维平面和光电集成； ●圆形光束易于实现与光纤的有效耦合；
• 对DFB-LD，激射波长主要由光栅周期和等效折射 率决定，温度升高时光栅周期变化很小，所以Δλb / ΔT 小于0.1nm /℃ 。
整理版课件
36
F-P-LD与DFB-LD的频率啁啾
整理版课件
37
工作特性
5.光谱宽度 6边模抑制比 7上升/下降时间 8串联电阻 9热阻
整理版课件
38
各特性的关系
1-能在所需的 波长发光
2-晶格常数与 衬底匹配
整理版课件
16
半导体激光器的工作原理
基本条件：
1有源区载流子反转分布 2谐振腔：使受激辐射多
次反馈，形成振荡 3满足阈值条件，使增益
>损耗，有足够的注入 电流。
整理版课件
17
双异质结激光器
整理版课件
18
分别限制异质结单量子阱激光器
整理版课件
19
横模（两个方向）
整理版课件
7
能带中电子和空穴的分布
P型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）
整理版课件
8
量子跃迁
• 光的自发发射 （是半导体发光的基
础）
• 光的受激吸收 （是半导体探测器工
半导体激光器原理 ppt课件
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能带中电子和空穴的分布
N型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）
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能带中电子和空穴的分布
P型半导体中的电子和空穴在能级中的分布（热平衡状态）
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量子跃迁
• 光的自发发射 （是半导体发光的基
础）
• 光的受激吸收 （是半导体探测器工
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管芯截面图
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湿氮氧化实验设备
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VCSEL 芯片制造
1 一次光刻、干法或湿法腐蚀
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VCSEL 芯片制造
2 湿氮氧化
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作的基础）
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量子跃迁
• 光的受激发射：光子激励导带中的电子与价带中的空穴复合，产生 一个所有特征（频率、相位、偏振）完全相同的光子。它是半导体 激光器的工作原理基础。
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量子跃迁
非辐射跃迁： 1. 异质结界面态的复合 2. 缺陷复合：有源区都
是本征材料 3. 俄歇复合：对长波长
• 如果老师最后没有总结一节课的重点的难点，你 是否会认为老师的教学方法需要改进？
• 你所经历的课堂，是讲座式还是讨论式？ • 教师的教鞭
• “不怕太阳晒，也不怕那风雨狂，只怕先生骂我 笨，没有学问无颜见爹娘 ……”
• “太阳当空照，花儿对我笑，小鸟说早早早……”
半导体激光器.制造.封装00[PPT课件]
![半导体激光器.制造.封装00[PPT课件]](https://img.taocdn.com/s3/m/68c16e3690c69ec3d5bb75b5.png)
如图 (b)所示，如果对核心部分（即光 电子芯片）用气密小室封装技术实现局 部气密封装（黑色区域），其它电子芯 片采用非气密封装，这样就可以大大降 低气密的难度，提高模块的气密可靠性。
(a)整体气密封装模块 (b)气密小室封装模块
子载体封装激光器
子载体封装激光器
微波封装设计
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半导体激光器的制作工艺、 封装技术和可靠性
目录
半导体激光器材料主要选 取Ⅲ-Ⅴ族化合物（二元、 三元或四元），大多为直 接带隙材料，发光器件的 覆盖波长范围从0.4μm到 10μm。 GaAlAs/GaAs是应用最 普通的双异质结材料；与 InP衬底匹配的GaInAsP 四元合金用于1.31μm和 1.55μm光电子器件最广 泛。 常见的材料参数为：禁带 宽度、晶格常数、相对介 电常数。
蝶式封装半导体激光器
14脚蝶式封装激光器结构
与TO管壳相比，蝶型管壳主要还 引入了热敏电阻和致冷器，热敏电阻 紧贴激光器芯片放置，实时监测激光 器芯片的温度，然后反馈给外电路控 制芯片；驱动致冷器工作来调节激光 器温度，使之保持在一个恒定的范围 内。 此外根据光发射模块中不同激光 器驱动芯片的输出阻抗（25Ω或 50Ω），在激光器芯片的交流回路中 需要串联一个电阻来实现阻抗匹配， 如图中驱动芯片输出阻抗 25Ω，激 光器芯片交流阻抗大约 5Ω，于是串 联电阻等于 20Ω。 还有在激光器芯片的直流偏置回 路中需要串联一高频电感，其理想作 用是对偏置电流短路而对交流调制信 号开路，隔离直流偏置支路对交流回 路的影响。
在一个单晶衬底上生长一层或多层同质或异质的半 导体层的技术称为外延生长技术。 目前应用最广泛的外延生长技术有三种： 液相外延（LPE） 有机金属化合物化学气相沉淀（MOCVD） 分子束外延（MBE）
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芯片
TO管座
Au80Sn20焊片
封装工艺与设备-烧结
真空焊接系统
主要用途：
通过预成型焊片，实现芯片与管座或热 沉共晶贴片。
芯片
C-mount
Au80Sn20焊片
封装工艺与设备-金丝球焊
主要用途：
芯片与陶瓷金属或管座之间导电连接。
超声波金丝球焊机
C-mount
TO
封装工艺与设备-焊引线
电Hale Waihona Puke 铁主要用途：单管和裸管芯（结合探针台）P-IV曲线、光谱及远场发散角测量。
半导体激光器光电参数测试系统
P-I-V
光谱
远场发散角
封装工艺与设备-封帽
主要用途：
不同型号TO管封帽。
封帽机
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半导体激光器封装工艺与设备
半导体激光器的优点与应用
优点：
波长范围宽（400 ~ 1550nm）； 体积小、寿命长、重量轻，便于集成； 可直接进行高频电流调制； 电光转换效率高（接近50%）。
应用：
光纤通信、激光指示、激光打印、 激光打标、激光测距、激光医疗等。
封装工艺流程简介
原料准备
老化前测试
铜引线
主要用途：
C-mount管座引线连接。
焊锡丝
助焊剂
C-mount
封装工艺与设备-目检
主要用途：
贴片、键合、封帽等精细观察与 测量，不良品外观异常分析。
金相显微镜
体式显微镜
封装工艺与设备-老化
直流稳压电源
主要用途：
激光器封装后不同温度下可靠性 测试与分析。
冷水机（温控）
老化台
封装工艺与设备-测试
清洗、蒸镀 共晶贴片
目检 焊引线
烧结
金丝球焊
老化 老化后测试
封帽 包装入库
封装工艺与设备-清洗
超纯水机
烘箱
全玻璃钢通风柜 （耐酸碱）
超声波清洗机
化学试剂（无水乙醇、丙酮、 三氯乙烯、磷酸、硝酸等）
主要用途：热沉、管座、陶瓷片及芯片盒清洗。
封装工艺与设备-蒸镀
焊料
软 焊 料 ： 焊 接 应 力 小 ， 如 纯 I n ， 适 用 于 热 膨 胀 系 数 (Coefficient of thermal expansion，CTE)与芯片差别较大的热 沉材料； 硬焊料：有较大的焊接应力，具有良好抗疲劳性和导热性， 如Au80Sn20焊片，适用于CTE与芯片差别较小的热沉材料。
热沉
选择要求：热导率高、不易污染、易加工、易研磨、易烧 焊、热膨胀系数与芯片匹配，如无氧铜、AlN和CuW等。
封装工艺与设备-蒸镀
主要用途：
热沉蒸镀焊料； 陶瓷片蒸镀金属电极。
电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜设备
热沉
镀金属陶瓷片
封装工艺与设备-共晶贴片
精密共晶贴片机
主要用途：
通过预成型焊片，实现芯片与管座或热 沉共晶贴片。