蓝宝石各种生长方法
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一、蓝宝石生长
1.1 蓝宝石生长方法
1.1.1 焰熔法Verneuil (flame fusion)
最早是1885年由弗雷米(E. Fremy)、弗尔(E. Feil)
和乌泽(Wyse)一起,利用氢氧火焰熔化天然的红宝石粉末
与重铬酸钾而制成了当时轰动一时的“ 日内瓦红宝石”。后
来于1902年弗雷米的助手法国的化学家维尔纳叶(Verneuil)
改进并发展这一技术使之能进行商业化生产。因此,这种方
法又被称为维尔纳叶法。
1)基本原理
焰熔法是从熔体中生长单晶体的方法。其原料的粉末在
通过高温的氢氧火焰后熔化,熔滴在下落过程中冷却并在种
晶上固结逐渐生长形成晶体。
2)合成装置与条件、过程
焰熔法的粗略的说是利用氢及氧气在燃烧过程中产生
高温,使一种疏松的原料粉末通过氢氧焰撒下焰融,并落在
一个冷却的结晶杆上结成单晶。下图是焰熔生长原料及设备
简图。这个方法可以简述如下。图中锤打机构的小锤7按一
定频率敲打料筒,产生振动,使料筒中疏松的粉料不断通过
筛网6,同时,由进气口送进的氧气,也帮助往下送粉料。
氢经入口流进,在喷口和氧气一起混合燃烧。粉料在经过高温火焰被熔融而落在一个温度较低的结晶杆2上结成晶体了。炉体4设有观察窗。可由望远镜8观看结晶状况。为保持晶体的结晶层在炉内先后维持同一水平,在生长较长晶体的结晶过程中,同时设置下降机构1,把结晶杆2缓缓下移。
焰熔法合成装置由供料系统、燃烧系统和生长系统组成,合成过程是在维尔纳叶炉中进行的。
A.供料系统
原料:成分因合成品的不同而变化。原料的粉末经过充分拌匀,放入料筒。如果合成红宝石,则需要Al2O
粉末和少量的 Cr2O3参杂,Cr2O3用作致色剂,添加量为 1-3%。三氧化
3
二铝可由铝铵矾加热获得。料筒:圆筒,用来装原料,底部有筛孔。料筒中部贯通有
一根震动装置使粉末少量、等量、周期性地从筛孔漏出。
震荡器:驱动震动棒震动,使料筒不断抖动,以便原料的粉末能从筛孔漏出。
B.燃烧系统
氧气管:从料筒一侧释放,与原料粉末一同下降;
氢气管:在火焰上方喷嘴处与氧气混合燃烧。通过控制管内流量来控制氢氧比例,
O
2:H
2
=1:3;氢氧燃烧温度为2500℃,Al2O3粉末的熔点为2050℃;
冷却套:吹管至喷嘴处有一冷却水套,使氢气和氧气处于正常供气状态,保证火焰以上
的氧管不被熔化
C.生长系统
落下的粉末经过氢氧火焰熔融,并落在旋转平台上的种晶棒上,逐渐长成一个晶棒(梨晶)。水套下为一耐火砖围砌的保温炉,保持燃烧温度及晶体生长温度,近上部有一个观察孔,可了解晶体生长情况。耐火砖的作用是保持炉腔的温度,使之缓慢下降,以便结晶生长。
旋转平台:安置种晶棒,边旋转、边下降;落下的熔滴与种晶棒接触称为接晶;接晶后通过控制旋转平台扩大晶种的生长直径,称为扩肩;然后,旋转平台以均匀的速度边旋转边下降,使晶体得以等径生长。
1.1.2泡生法Kyropoulos
这种方法是将一根受冷的籽晶与熔
体接触,如果界面的温度低于凝固点,
则籽晶开始生长,为了使晶体不断长大,
就需要逐渐降低熔体的温度,同时旋转
晶体,以改善熔体的温度分布。也可以
缓慢的(或分阶段的)上提晶体,以扩
大散热面。晶体在生长过程中或生长结
束时不与坩埚壁接触,这就大大减少了
晶体的应力。不过,当晶体与剩余的熔
体脱离时,通常会产生较大的热冲击。
生长装置如下图所示。可以认为目前常
用的高温溶液顶部籽晶法是该方法的改良和发展。
采用泡生法生长大直径、高质量、无色蓝宝石晶体的具体工艺如下:
1.将纯净的G-A1 O。原料装入坩埚中。坩埚上方装有可旋转和升降的提拉杆,杆的下端有一个籽晶夹具,在其上装有一粒定向的无色蓝宝石籽晶(注:生长无色蓝宝石时不添加致
色剂,籽晶也采用无色蓝宝石);
2.将坩埚加热到2050℃以上,降低提拉杆,使籽晶插入熔体中;
3.控制熔体的温度,使液面温度略高于熔点,熔去少量籽晶以保证晶体能在清洁的籽晶表面上生长;
4.在实现籽晶与熔体充分沾润后,使液面温度处于熔点,缓慢向上提拉和转动籽晶杆;控制拉速和转速,籽晶逐渐长大;
5.小心地调节加热功率,使液面温度等于熔点,实现宝石晶体生长的缩颈——扩肩——等径生长——收尾全过程。
整个晶体生长装置安放在一个外罩内,以便抽真空后充入惰性气体,保持生长环境中需要的气体和压强。通过外罩上的窗口观察晶体的生长情况,随时调节温度,保证生长过程正常进行。
1.1.3温度梯度法Temperature gradient technique (TGT)
“导向温梯法”是以定向籽晶诱导的熔体单结
晶方法。包括放置在简单钟罩式真空电阻炉内的坩
埚、发热体和屏蔽装置,右图是装置简图。本装置
采用镅坩埚、石墨发热体。坩埚底部中心有一籽晶
槽,避免耔晶在化料时被熔化掉。为了增加坩埚稳
定性,籽晶槽固定在定位棒的圆形凹槽内。温场由
石墨发热体和冷却装置共同提供。发热体为被上下
槽割成矩形波状的板条通电回路的圆筒,整个圆筒
安装在与水冷电极相连的石墨电极板上。板条上半
部按一定规律打孔,以调节发热电阻使其通电后白
上而下造成近乎线性温差。而发热体下半部温差通
过石墨发热体与水冷电极板的传导来创造。籽晶附
近的温场还要依靠与水冷坩埚杆的热传导共同提供。
本方法与提拉法相比,有以下特点:
(1)晶体生长时温度梯度与重力方向相反,并且坩埚、晶体和发热体都不移动,这就避免了热对流和机械运动产生的熔体涡流。
(2)晶体生长以后,由熔体包围,仍处于热区。这样就可以控制它的冷却速度,减少热应力。而热应力是产生晶体裂纹和位错的主要因素。
(3)晶体生长时,固—液界面处于熔体包围之中。这样熔体表面的温度扰动和机械扰动在