开关电源待机功耗
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如何降低电源待机功耗 CMG
一个典型电源
功耗的分类
1. 与开关工作无关的损耗 1）无功电流造成的损耗 2）启动损耗 2. 与开关工作有关的损耗
输入部分的损耗
脉冲电 流造成T 内阻的 损耗加 大
交流电压造成 R18,19的损耗
无功电流造成 RT的损耗
电流有效值低 T损耗比原来 低
源自文库
启动损耗
电源工作后此部分 损耗继续存在
4 T1 5 5.7V/300mA Vo
无嵌位
D1 1N4007 L FR1 1N4007 10R 1W 90-265Vac C1 2.2 uF 400 V C2 4.7 uF 400 V R1 11 k C10 10 uF 50 V
FB BP
C7 330 uF 16 V D7 3 D5 2 6 SB260 R4 10 R3 20 k 1% EE12.5 C12 1 nF 50 V
25 20 15 10 5 0 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 Io =0 mA
Input Voltage (Vac)
提高变比有利于降低此损耗 在满足EMI的要求下尽量降低 C34的值
输出嵌位电路损耗
RC吸收的电流
次级总电流
两者之差，流过肖 特基的电流
输出反馈部分的损耗
用低损耗431可加 大或取消此电阻
选用高 CTR光耦
选用较大电阻 值，动态通过 其他部分调节
选用低工作 电流431
实例1
无电阻
实例1
实例2
嵌位电路的损耗
RCD嵌位能量损耗掉
TVS嵌位，电压保持无损耗
嵌位电路的损耗
尽量让每次开关的能 量送到次级 此处电压达到反射电压 后能量才开始送到次级
供电绕组的损耗
高频电容对降 低损耗有利
IC消耗的电流是一定的， 在保证不触发欠压保护的 前提下尽量降低供电电压
变压器的损耗
由于待机时有效工作频率很低，并且一般限流点很小 ，磁通变化小，磁心损耗很小，对待机影响不大 但绕组的影响不可忽略
R10 18 k
D2 1N4007
RTN
N
D
U1 LNK632D D3 1N4007 D4 1N4007
S
1
C13 1 uF 50 V L1 1 mH
R2 3.3 k 1%
6.4V/0.25A的 工作电压/电流
实例2
No-Load Input Power (By YOKOGAWA WT210) Input Power (mW)
恒流启动，启动完 后关闭启动电路
用MOSFET效果 更好
与开关工作有关的损耗
空载时需要传递的功率
1 2 P空载 = Li f 2
尽量降低空载 时电路的消耗 这是问题的本 质 电源IC要有降频功能 才能降低待机功耗
嵌位电路的损耗
由于有电阻存在，每次 开关都会产生损耗
C29电压保持，最高200V，没 有放电回路，没有放电损耗。 R C的主要作用在于降低EMI
变压器绕组引起的损耗
层间分布电容
开通时通过 MOS放电
变压器绕组引起的损耗
主要部分为变压 器分布电容引起
变压器绕组引起的损耗
加胶带降低分布电容
MOSFET损耗
存在驱动损耗、导通损 耗和开关损耗，主要为 开关损耗 选用低栅荷的MOSFET
输出嵌位电路损耗
肖特基电容比较大，和 C34一起反射到初级起到 分布电容的作用。 R41消耗能量CV2，输出 电压高时这部分能量很大
一个典型电源
功耗的分类
1. 与开关工作无关的损耗 1）无功电流造成的损耗 2）启动损耗 2. 与开关工作有关的损耗
输入部分的损耗
脉冲电 流造成T 内阻的 损耗加 大
交流电压造成 R18,19的损耗
无功电流造成 RT的损耗
电流有效值低 T损耗比原来 低
源自文库
启动损耗
电源工作后此部分 损耗继续存在
4 T1 5 5.7V/300mA Vo
无嵌位
D1 1N4007 L FR1 1N4007 10R 1W 90-265Vac C1 2.2 uF 400 V C2 4.7 uF 400 V R1 11 k C10 10 uF 50 V
FB BP
C7 330 uF 16 V D7 3 D5 2 6 SB260 R4 10 R3 20 k 1% EE12.5 C12 1 nF 50 V
25 20 15 10 5 0 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 Io =0 mA
Input Voltage (Vac)
提高变比有利于降低此损耗 在满足EMI的要求下尽量降低 C34的值
输出嵌位电路损耗
RC吸收的电流
次级总电流
两者之差，流过肖 特基的电流
输出反馈部分的损耗
用低损耗431可加 大或取消此电阻
选用高 CTR光耦
选用较大电阻 值，动态通过 其他部分调节
选用低工作 电流431
实例1
无电阻
实例1
实例2
嵌位电路的损耗
RCD嵌位能量损耗掉
TVS嵌位，电压保持无损耗
嵌位电路的损耗
尽量让每次开关的能 量送到次级 此处电压达到反射电压 后能量才开始送到次级
供电绕组的损耗
高频电容对降 低损耗有利
IC消耗的电流是一定的， 在保证不触发欠压保护的 前提下尽量降低供电电压
变压器的损耗
由于待机时有效工作频率很低，并且一般限流点很小 ，磁通变化小，磁心损耗很小，对待机影响不大 但绕组的影响不可忽略
R10 18 k
D2 1N4007
RTN
N
D
U1 LNK632D D3 1N4007 D4 1N4007
S
1
C13 1 uF 50 V L1 1 mH
R2 3.3 k 1%
6.4V/0.25A的 工作电压/电流
实例2
No-Load Input Power (By YOKOGAWA WT210) Input Power (mW)
恒流启动，启动完 后关闭启动电路
用MOSFET效果 更好
与开关工作有关的损耗
空载时需要传递的功率
1 2 P空载 = Li f 2
尽量降低空载 时电路的消耗 这是问题的本 质 电源IC要有降频功能 才能降低待机功耗
嵌位电路的损耗
由于有电阻存在，每次 开关都会产生损耗
C29电压保持，最高200V，没 有放电回路，没有放电损耗。 R C的主要作用在于降低EMI
变压器绕组引起的损耗
层间分布电容
开通时通过 MOS放电
变压器绕组引起的损耗
主要部分为变压 器分布电容引起
变压器绕组引起的损耗
加胶带降低分布电容
MOSFET损耗
存在驱动损耗、导通损 耗和开关损耗，主要为 开关损耗 选用低栅荷的MOSFET
输出嵌位电路损耗
肖特基电容比较大，和 C34一起反射到初级起到 分布电容的作用。 R41消耗能量CV2，输出 电压高时这部分能量很大