垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用

标题: 垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用

发信站: 紫金飞鸿(2002年01月09日16:06:43 星期三), 站内信件

垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用

王莉陈弘达潘钟黄永箴吴荣汉 ( 中国科学院半导体研究所北京100083 ) 摘要：垂直腔面发射激光器VCSEL 具有常规半导体激光器不可比拟的优点其光束是园形的易于实现与光纤的高效耦合VCSEL 的有源区尺寸可做得非常小以获得高封装密度和低阈值电流适宜的设计可将激光二极管制成简单的单片集成二维列阵以实现二维光数据处理所用的激光源芯片生长后无须解理封装即可进行在片实验由于VCSEL 的优良性能从而获得 了国内外科技界企业界的高度关注本文对这种器件的性能开发现状及应用作简要的概述 关键词垂直腔面发射激光器光纤通信光网络光互连

1 引言

近年来由于人们对于超长距离超高速千兆比特/秒(Gbit/s)及至兆兆比特/秒(Tbit/s)光 纤网络的需求对于高性能低成本光互联网的需求以及对于光学存贮密度的不断提高的要 求使一种极其优秀的异型半导体激光器垂直腔面发射激光器(VCSEL)应运而生1979年东京工业大学的Iga 提出了垂直腔面发射激光器的思想并于1988 年研制出首枚VCSEL 器件自诞 生 之日起其优异的性能就获得了人们的青睐科学家们以极大的热情投身到它的研究和开发 中去 使其蓬勃发展短短的十几年来其波长材料结构应用领域都得到迅猛发展部份产品进 入市场据美国Cousultancy ElectroniCast 公司最近预测[1] 仅就用于全球消费的VCSE L 基光 收发机而言2003 年VCSEL 将达到11.43 亿美元2008 年将达到近60 亿美元

2 垂直腔面发射激光器性能及结构

2 . 1 垂直腔面发射激光器的特性

垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser 简称VCSEL)及其阵列 是一种新型半导体激光器它是光子学器件在集成化方面的重大突破VCSEL 与常规的侧向出光的端面发射激光器在结构上有着很大的不同端面发射激光器的出射光垂直于芯片的解理平面(见图1)[2] 与此相反VCSEL 的发光束垂直于芯片表面(见图2) 这种光腔取向的不同导致VCSE L 的性 能大大优于常规的端面发射激光器 图1 端面发射的常规半导体激光器图2 垂直腔面发射激光器 这种性能独特的VCSEL 易于实现二维平面列阵,而端面发射激光器由于是侧面出光而难以 实 现二维列阵小发散角和园形对称的远近场分布使其与光纤的耦合效率大大提高现已证实 与多模光纤的耦合效率大于90% 而端面发射激光器由于发散角大且光束的空间分布是非 对称的128 飞通光电子技术2001 年9 月 因此很难提高其耦合效率由于VCSEL 的光腔长度极短导致纵模间距拉大可在较宽的 温度范围内得到单纵模工作动态调制频率高腔体积减小使得其自发辐射因子较普通端面 发射 激光器高几个数量级这导致许多物理特性大为改善如能实现极低阈值甚至无阈值激射可 大 大降低器件功耗和热能耗由于从表面出光无须像常规端面发射激光器那样必须在外延片 解理封 装后才能测试它可以实现在片测试这导致工艺简化大大降低制作成本此外其工艺 与平面硅工艺兼容便于与电子器件实现光电子集成

2 . 2 V C S E L 的基本结构

典型的VCSEL 结构示于图3[2] 通常仅约20nm 厚的三量子阱发光区夹在称之为Bragg 反射器的两组高反射率平面镜 之间顶部和底部的Bragg 反射器由交替生长的不同X 和Y 组分的半导体薄层组成相邻层之间的折射率差使每组叠层 的Bragg 波长附近的反射率达到极高( 99%)的水平Bragg 反射镜中的每层厚度为出射光工作波长的四分之一需要制 作的高反射率镜的对数根据每对层的折射率而定激光器的 偏置电流流过所有镜面组它们被高掺杂以便减小串联电阻 有源区由提供光增益的量子阱结构构成典型的量子阱数为1 4

个量子阱被置于谐振腔内驻波图形的最大处附近以 便获得最大的受激辐射效率。

3 VCSEL 的发展水平

3 . 1 0 . 8 5 m 及0 . 9 8 m 波段V C S E L

0.85 m GaAs/AlGaAs 及0.98 m InGaAs/GaAs 系列的VCSEL 已趋于成熟[1] 当GaAs/AlG aAs 量子阱VCSEL 的腔面积做到2 2 m2 时其阈值电流低达90 A 频率响应40GHz 工作效率 达47% 在误码率(BER)<10-12 时其传输速率高达到10Gb/s 最近Lucent 公司采用0.85 m VCSEL 与新型多模光纤耦合实现了超过1.6km 10Gb/s 的传输实验0.85 m VCSEL 目前已实现了 商用 化Honeywell 公司典型的SV3639 器件性能如下 波长850nm 模式单纵模和单横模 驱动电压1.8V 驱动电流1 7mA 阈值电流100 A 输出功率0.5 1mW(在1mA 驱动电流下) 上升/下降时间200ps 斜率效率0.3mW/mA 相对强度噪声-130dB/Hz 在集成面阵方面据最新报道:Honeywell 公司研制的108 34 VCSEL 集成面阵成品率高达 94%

3 . 2 1 . 3 m 和1 . 5 5 m V C S E L

1.3 m 和1.55 m VCSEL 除具有上述VCSEL 的各种特点外还具有处于光纤的低色散和低衰 减窗口的特点它可作为低成本高性能激光光源在光纤通信网络高速数据传输并行光互 连等方面具有广泛的应用前景特别是在中长距离高速传输方面具有0.85 m 及0.98 m VC SEL 无法比拟的优点将来的光纤到户和光纤到路边等的实施必将给1.3 m 和1.55 m VCSEL 提 供 广阔市场 1.3 m VCSEL 是极具潜力的器件Honeywell 的Ashton 相信如果驱动电流低于1mA 速率高 于1GHz 的1.3 m VCSEL 的价格具有很大竞争力的话会淘汰0.85 m VCSEL[1] 目前InP 基1.3μm 和1.55μm VCSEL 的研究取得了一定的进展[1,2,5] 但是由于InP 系 弱电 子限制,导致载流子泄漏此外由于这种材料系统的大的非辐射复合以及电流限制结构及高 反 图3 VCSEL 结构示意图 第1 卷第3 期飞通光电子技术129 射率Bragg 反射镜(DBR)制备十分困难等原因[1,3] 使InP 基的InGaAsP VCSEL 研究进展 缓慢 最近对开拓 1.3 m 带隙新材料的愿望科学家们采用了传统合金材料--镓铟氮砷(GaInNAs ) 来制作VCSEL GaAs 基的GaInNAs 是一种极有前途的长波长通信用新材料[4,5] GaInNAs /GaAs 有 着非常好的电子限制导带差大于300meV 因此特征温度T0 可望有显著的提高(超过150K) 当In 原子引入GaAs 形成GaInAs 合金时晶格常数将增大禁带宽度将减小而当N 原子引入 GaAs 形成GaNAs 合金时晶格常数将减小禁带宽度将减小因此调整GaInNAs 中In 与N 的 含量可以得到与GaAs 晶格匹配的直接带隙材料或应变量子阱材料而其波长范围可从1.0 m 覆盖到

2.0 m 不言而喻GaInNAs 材料是一种潜在的极有发展前景的VCSEL 材料极有可能 取代InP 系材料未来的新器件将用于长波长高速宽带光通信 美国Sandia 国家实验室的科学家们用MBE 和MOCVD 技术制作GaInNAs/GaAs VCSEL[4] 并 取 得突破性进展他们已研制出该材料的端面发射激光器, 并有望于今年年底研制出VCSEL 德国 Würzburg 大学的M Reinhardt 等人[6]报道了第一支GaAs 基1.3μm 单纵模分布反馈激 光器有源 层为InGaNAs 的双量子阱结构其阈值电流密度低于1kA/cm2 Sandia 国家试验室的Meanw hile 等人声称在GaAs 上生长出了第一支该材料的电泵浦1.3μm VCSEL,其输出功率为60μW 在高达 55C 时仍可CW 工作阈值电流在1.5 10mA 之间 一种在GaAs 上生长的GaAsSbN 材料有可能担当制作更长波长VCSEL 的重任法国France Telecom R&D 的Giovanni Ungaro 等人对该材料进行了详细的组分和发光特性的研究实 现了 1.3μm 电致发光 此外一种含铊Tl 的TlInGaAs/InP 材料的带隙跨度为0.75 0.1eV,即波长范围为1.65 12μm Osaka 大学的H. Asahi 等人通过试验证实该种材料具有优良的波长温度稳定性随 着Tl 含量的增加波长随温度的变化率下降当Tl 含量为13%时温度变化率为0.03meV/K 即是0. 04nm/K, 而相应的InGaAsP/InP 却为0.1nm/K 因此它在波分复用中有重要的潜在意义然而研究此 种材料的最大障碍是它的