涂层的制作方法

本技术公开了一种电子或电气装置或其元件，其包括在电子或电气装置或其元件表面上的交联聚合物涂层；其中，交联聚合物涂层通过使电子或电气装置或其元件在包含单体化合物和交联剂的等离子体中暴露足够时间，以允许在其表面上形成交联聚合物涂层而获得；其中，单体化合物具有下式：其中，R1、R2和R4各自独立地选自氢、任意经取代的支链或直链

C1C6烷基或卤代烷基、或可选被卤素取代的芳基，并且R3选自：其中，X各自独立地选自氢、卤素、任意经取代的支链或直链C1C6烷基、卤代烷基或可选被卤素取代的芳基；且n1为1至27的整数；并且交联剂包含借助于一个或多个连接部分连接的两个或多个不饱和键，并且在标准压力下具有小于500℃的沸点。

权利要求书

1.一种电子或电气装置或其电子或电气元件，其包括在所述装置或元件表面上的保护性交联聚合物涂层；

其中，所述保护性交联聚合物涂层通过使所述装置或元件暴露于包含单体化合物和交联剂的等离子体足够允许在其表面上形成所述保护性交联聚合物涂层的一段时间而可获得；

其中，所述单体化合物具有下式：

其中，R1、R2和R4各自独立地选自氢、任选地被取代的支链或直链C1-C6烷基、或卤代烷基、或任选地被卤素取代的芳基，且R3选自：

其中，每个X各自独立地选自氢、卤素、任选地被取代的支链或直链C1-C6烷基、卤代烷基、或任选地被卤素取代的芳基；且n1为1至27的整数；以及其中所述交联剂包含通过一个或更多的连接部分连接的两个或更多的不饱和键并且在标准压力下具有小于500℃的沸点。

2.根据权利要求1所述的装置或元件，其中，所述保护性交联聚合物涂层为针对质量和电子传输的物理屏障，和/或其中所述保护性交联聚合物涂层形成由至少90°的静态水接触角(WCA)限定的抗液表面。

3.一种用于处理电子或电气装置或其电子或电气元件的方法，其包括：使所述装置或元件暴露于包含单体化合物和交联剂的等离子体足够允许在所述装置或元件的表面上形成保护性交联聚合物涂层的一段时间；

其中，所述单体化合物具有下式：

其中，R1、R2和R4各自独立地选自氢、任选地被取代的支链或直链C1-C6烷基、或卤代烷基，或任选地被卤素取代的芳基，且R3选自：

其中，每个X各自独立地选自氢、任选地被取代的支链或直链C1-C6烷基、卤代烷基、或任选地被卤素取代的芳基；且n1为1至27的整数；以及其中所述交联剂包含通过一个或更多的连接部分连接的两个或更多的不饱和键并且在标准压力下具有小于500℃的沸点，所述交联剂任选地以占单体化合物和交联剂总体积的10-60(v/v)％的量存在。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述电子或电气装置或其元件放置在等离子体沉积腔室中，在所述积腔室中点燃辉光放电，并以脉冲场形式施加电压，且任选地以下一项或多项适用：

所施加的电压的功率为40至500W；

所述电压是序列脉冲，其中接通时间：断开时间的比在1:500至1:1500的范围内；

所述电压是序列脉冲，其中电源接通时为20至50μs，及断开时为1000μs至30000μs；

所述电压是以脉冲场形式施加30秒至90分钟的时期，任选地5至60分钟；

在所述脉冲电压被施加时的同时，将气态形式的所述单体化合物和/或所述交联剂以80至300mg/分钟的速率进料到所述等离子体中；

所述等离子体由平均功率为0.001至500w/m3的电压产生。

5.根据前述权利要求中任一项所述的装置、元件或方法，其中，所述交联剂具有以下结构之一：

(i)(ii)

其中，Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7和Y8各自独立地选自氢、任选地被取代的环状、支链或直链C1-C6烷基或芳基；且L为连接部分。

6.根据权利要求5所述的装置、元件或方法，其中，针对化合物(i)，L具有下式：

Y9各自独立地选自键、-O-、-O-C(O)-、–C(O)-O-、-Y11-O-C(O)-、-C(O)-O-Y11-、-OY11-和-Y11O-，其中，Y11为任选地被取代的环状、支链或直链C1-C8亚烷基；且

Y10选自任选地被取代的环状、支链或直链C1-C8亚烷基和硅氧烷基；以及其中任选地

Y10具有下式：

其中，每个Y12和Y13各自独立地选自H、卤素、任选地被取代的环状、支链或直链烷基、或-OY14，其中，Y14选自任选地被取代的支链或直链C1-C8烷基或烯基，并且n为1至10的整数；或

Y10具有下式：

其中，每个Y15各自独立地选自任选地被取代的支链或直链C1-C6烷基，任选地

其中Y15各自为甲基，且Y9各自为键；或

Y10具有下式：

其中，Y16至Y19各自独立地选自H和任选地被取代的支链或直链C1-C8烷基或烯基；任选地其中Y18为H或亚乙烯基，且Y16、Y17和Y19各自为H。

7.根据前述权利要求中任一项所述的装置、元件或方法，其中，所述交联剂选自己二酸二乙烯酯(DVA)、1,4-丁二醇二乙烯基醚(BDVE)、1,4-环己烷二甲醇二乙烯基醚(CDDE)、1,7-辛二烯(17OD)、1,2,4-三乙烯基环己烷(TVCH)、1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷(DVTMDS)、1,4-环己烷二甲酸二烯丙基酯(DCHD)、1,6-二乙烯基全氟己烷(DVPFH)、1H,1H,6H,6H-全氟己二醇二丙烯酸酯(PFHDA)和乙二醛双(二烯丙基缩醛)(GBDA)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的装置、元件或方法，其中，n1在1到12的范围内，和/或其中所述单体为式I(a)化合物：

I(a)

其中，R1、R2、R4和R5至R10各自独立地选自氢、或任选地被取代的C1-C6支链或直链烷基；每个X各自独立地选自氢或卤素；a为0或1；b为3至7；c为0或1；

或

所述单体为式I(b)化合物：