电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三极管及其基本放大电路
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PC = iC uCE uCE (3)U(BR)CEO — 基极开路时 C、E
极间反向击穿电压。
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三
极管及其基本放大电路
5.2 放大电路的组成和工作原理
5.2.1 放大电路概述
放大电路的功能是将微弱的电信号不失真放大到所需 要的数值,从而使电子设备的终端执行器件工作。
放大器:不可能产生能量, 作用:能量的控制和转换
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路
5.2.2 基本共射极放大电路
组成原则:
1、放大器工作在放大状态
共
2、放大的信号通路应畅通
发
射
极
基
本
放
大
电
路
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路
VT:NPN 型三极管,为放大元件; VCC:为输出信号提供能量;并保证集电结反偏。 RC:当 iC 通过 Rc,将电流的变化转化为集电 极电压的变化,传送到电路的输出端; VBB 、Rb:为发射结提供正向偏置电压,提供 静态基极电流(静态基流)。
• 图解法
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路
(1)晶体管的微变等效电路模型
晶体管及其等效电路 在输入特性曲线上,Q点越高,rbe越小!
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路
(2)放大电路的微变等效电路
画交流通路的原则: 1. 固定不变的电压源都视为短路。 2. 固定不变的电流源都视为开路。 3. 大电容对交流信号短路。
ICEO=(1+ )(IC2B)O集电极-发射极反向饱和电流ICEO
iC3.极限参数 ICM
安
全 PCM
(1)集电极最大容许电流 ICM (2)集电极最大容许耗散功率PCM
(1)ICM — 集电极最大允许电 流,超过时 值明显降低。
工
(2) PCM — 集电极最大允许功率损耗
ICEO O
作
区
U(BR)CEO
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用放大电路的直流通路计算静态值
静态值是直流量,故可用放大电路的直流通路 (直流流过的路径)来分析计算。
静态时的基极电流为
ICQ= IBQ
例5.3.1 见课本
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路
用图解法确定静态值
• (1)画出直流通路 • (2)利用输入特性曲线来确定IBQ和UBEQ
BC E
→
电压放大倍数:
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+VCC (+12V) RC IC
Rb 1
3 T2
+
VBB
IB
U CE
U BE -
符号说明
基本共射放大电路的电压
放大作用是利用晶体管的
电流放大作用,并依靠RC 将电流的变化转化成电压 的变化来实现的。
各电压、电流的波形
D:低频大功率管
G:高频小功率管
A:高频大功率管
图5.1.1 三极管的外形
三极管有两种类型:NPN 型和 PNP 型。
主要以 NPN 型为例进行讨论。
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5.1.1 晶体管的结构及其类型
常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。
二氧化硅 e
• 按结构工艺分类,有NPN和PNP型; • 按制造材料分类,有锗管和硅管; • 按照工作频率分类,有低频管和高频管; • 按照容许耗散功率大小分类,有小功率管
和大功率管。
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5.1.2 晶体管的电流分配与放大作用
三极管若实现放大, 必须从三极管内部 结构和外部所加电 源的极性来保证。
5.3 放大电路的分析 放大电路可分为静态和动态两种情况来 分析。 静态是当放大电路没有输入信号时的工 作状态;主要是确定电路的静态工作点。 动态则是有输入信号时的工作状态;确 定放大电路的电压放大倍数、输入电阻和 输出电阻。
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画直流通路的原则:
b
发射N 区 P 基区
b
N
发射区
集电区
e PP
c
N 集电区
c
(a)平面型(NPN)
图5.1.3a 三极管的结构
e 发射极, b基极, c 集电极。
基区
(b)合金型(PNP)
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路
集电极 c
N
基极 b
P
N
集电区
集电结
c
基区 发射结 b
发射区
e 符号
1. 信号源都视为短路,但保留内阻。 2. 电容视为开路。 3.电感线圈视为短路。
画交流通路的原则:
1. 固定不变的电压源都视为短路。 2. 固定不变的电流源都视为开路。 3. 大电容对交流信号短路。
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5.3.1 静态分析
• 用放大电路的直流通路计算静态值 • 用图解法确定静态值
c
三极管内部结构要求:
N
b
PP
NN
1. 发射区高掺杂。
2. 基区做得很薄。通常只有 几微米到几十微米,而且掺杂较 少。
3. 集电结面积大。
e
三极管放大的外部条件:外加电源的极性应使发射 结处于正向偏置状态,而集电结处于反向偏置状态。
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晶体管的种类
NPN型晶体管的电流关系
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一、晶体管内部载流子的运动
c
Rc
IB
b Rb
e IE
1. 发射结加正向电压,扩散 运动形成发射极电流IE
2.
2. 扩散到基区的自由电子与 空穴的复合运动形成基极 电流Ib
3.集电结加反向电压,漂移 运动形成集电极电流Ic
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5.1.4 晶体管的主要参数
(1)共射直流电流放大系数 1.电流放大系数 (2)共射交流电流放大系数 (1)共射直流电流放大系数
(2)共射交流电流放大系数
例5.1.2 见课本
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2.极间反向电流 (1)集电极-基极反向饱和电流ICBO
输出电阻愈小,带载能力愈强。
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以共射极放大电路为例:
放大电路的 交流等效电路
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阻容耦合共射放大电路的动态分析
电路动态参数的分析就是 求解电路电压放大倍数、 输入电阻、输出电阻。
解题的方法是: 作出h参数的交流等效电路
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表 示,如图:
ui
Au
uo
放大电路放大的本质是能量的控制和转换。
放大的前提是不失真,即只有在不失真的 情况下放大才有意义。
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放大电路的结构示意图
信号源:待放大的输入信号
负载:经过放大的较强的信 号输出到终端执行器件
二、输出特性曲线
iC / mA
4 3
50 µA 40 µA
1. 截止区:发射结电压小
于开启电压,集电结反偏。
2
30 µA
2. IB = 0
20 µA
3. IC = ICEO 0
1
10 µA
ICEO
O
2
截止区
4
IB = 0
4.
6 8 uCE /VFra Baidu bibliotek
条件:两个结反 偏
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C1、C2:耦合电容,隔直通交。
放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。
静 态工作点Q(直流值):UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
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以右图为例介绍电路的放大原理:
若设置了适当静态工作点
→△uBE →△iB
→△iC(△iB)
→△uCE(-△iC×Rc)
解 求基极电流
实际中晶体管的 值变化很大,不同型号的晶体管的 值 相差很远,从几十到几百;相同型号的晶体管也有不同的 值。
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5.1.3 晶体管的共射特性曲线
一、输入特性
输入 回路
(1) 与二极管特性相似
输出 回路
uCE = 0V
uBE /V
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共射极放大电路
图 5.3.1(b)
发射极 e
三极管结构示意图和符号 NPN 型
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集电极 c
集电区
基极 b
NP NN
P
集电结
c
基区
发射结 b
发射区
发射极 e 图 5.3.1(b) 三极管结构示意图和符号
e 符号
(b)PNP
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电路与模拟电子技术ppt 第5章晶体三极管及其基
本放大电路
2020/11/28
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路
5.1 晶体三极管
又称半导体三极管、双极性晶体管,或简称晶体管。 (Bipolar Junction Transistor)
三极管的外形如下图所示。
X:低频小功率管
(3)放大电路交流性能指标的计算
电路动态参数的分析就是求解电路电压放大 倍数、输入电阻、输出电阻。
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放大倍数:表示放大器的放大能力
根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求, 放大器可分为四种类型,所以有四种放大倍数的定义。
(1)电压放大倍数为: (2)电流放大倍数为:
晶体管内部载流子的运动
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二、晶体管的电流分配关系
IE =IC+IB
三、晶体管的共射电流放大系数
共射交流电流放大系数:
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【例5.1.1】 一个晶体管的发射极电流为12.1mA ,集电极电流为12.0mA,晶体管的 是多少?
Auu=UO/UI(重点)
Aii=IO/II
(3)互阻放大倍数为:
Aui=UO/II
(4)互导放大倍数为:
Aiu=IO/UI
本书重点研究电压放大倍数Auu
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输入电阻Ri
输入电阻是衡量放大电路从其前级取电流大小的 参数。输入电阻越大,从其前级取得的电流越小, 对前级的影响越小。
30 µA
uCE u BE
uCB = uCE u BE 0
条件:两个结正偏
2
20 µA 特点:IC IB
1
10 µA
ICEO
O
2
截止区
4
临界饱和时:
IB = 0 6 8 uCE /V
uCE = uBE
深度饱和时:
模拟电路中,放大状态
UCE(SAT)=
数字电路或开关电路:饱和 截止状态
0.3 V (硅管) 0.1 V (锗管)
O
(2)
特性右移(因集电结开始吸引电子)
(3)
特性基本重合(电流分配关系确定)
对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
导通电压 UBE(on)
硅管: (0.6 0.8) V 锗管: (0.2 0.3) V
取 0.7 V 取 0.2 V
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Ii
US ~
Ui
Au
Ri=Ui / Ii
一般来说, Ri越大越好。
(1)Ri越大,ii就越小,从信号源索取的电流越小。 (2)当信号源有内阻时, Ri越大, ui就越接近uS。
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输出电阻 Ro
从放大电路输出端看进去的等效电阻。
输入端正弦电压 ,分别测量空载和输出端接负载 RL 的输出电压 、 。
iC / mA
4
2. 放大区:
50 µA
3
40 µA 放大区
30 µA
条件:
2
20 µA
发射结正偏
1
10 µA
集电结反偏
ICEO
O
2
截止区
4
6
IB
=
0
8
uCE
特点:
/V
水平、等间隔
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3. 饱和区:
iC / mA 4饱
50 µA
3和 区
40 µA 放大区
• (3)利用输出特性曲线确定 ICQ和UCEQ uCE = VCC - iCRc
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利用图解法求静态工作点
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5.3.2 动态分析
• 微变等效电路法
晶体管的微变等效电路模型 放大电路的微变等效电路 放大电路交流性能指标的计算
ui
O
t
iB IBQ
O
t
iC
ICQ
O
uCE
t
UCEQ
uOo
t
O
t
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基本共射极放大电路的简化:
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• 5.1 • 5.2 • 5.4
习题
电路与模拟电子技术ppt第5章晶体三 极管及其基本放大电路