变频器初级知识讲座(中石化)

m=2.6
Pr
Pro
m
=
11.7 2.6
1
TB=
(GD2M+GD2L)(n1―n2) 375ts
— TL
=
(12.74+98)X(1800-0) 375X3
— 4.9
=172.284 N•m
(2)
RBO =
U2C 1.04(TB -0.2TM )n1
=
7602 1.047(172.284-0.2X238.75)X1800
= 24.7 Ω
整
滤
逆
流
波
变
器
器
器
2.
3.
康富
必富
情富
IGBT
1200V 30 ~ 40KHZ
4.
KS P
VD1 VD3 VD5 RS
V1
V3
V5
~380
50HZ
C1
D1
C2
RB
D3
D5
V4
V6
V2
VD4 VD6 VD2 RC1 2
VB I
D4
B
D6
D2
N
5.
6.
7.
身
过
邦
1.
身
过
c
必也
a
b
c
3.
n n -- TL = KL * 2 -- PL = KP * 3
身
过
邦
1.
身
过
2.
康
必
情
3.
身
过
邦
量
3光
4.
康
必
康也
2.
—
康
必
康
必
情
情富
—
—
康
必
4.
5.
—
6.
康
必
.1
——
2
1
TB
TB=
(GD2M+GD2L)(n1―n2) 375ts
— TL (N•m)
GD2M — TL — N2—
,
,
Cces ,Байду номын сангаас
ton IGBT
t2 IGBT
,
, 10%
, 10%
OV 10%,
• ,
tf IGBT
toff VF
, 10%
90%
tis
lus
Rth(1-c) IGBT
10%
, ,
90%
• R th(c-3)
Rc ) Qg
( IGBT ,
RBSOA
,
,
IGBT
,
Tc IGBT
6.3
IGBT
MOSFET
必必峰获
f善皮箱噪 ±抹势
抹峰畸z
必富
芯善箱噪 芯善箱噪
皮善箱噪
芯善皮箱噪
肯善箱噪 皮善箱噪
芯善箱噪 肯善箱噪模康富操情必芯善箱噪皮善箱噪
3
P(N)
•4 •
150% 1min
5
描峰 紧菱立
操峰
旋峰
获属环
肯炸美
理膜美
智峰
峰峰
皮理漏膜
获属环 皮理漏膜
熟肯紧
紧菱立
肯紧菱立
熟肯紧 紧菱立
理膜美
6 IGBT
6.1 IGBT
IGBT (C)
(E)
(G)
6.2 IGBT
• 1)
Tj
• 2)
Tstg
• 3)
VCES 始
• 4)
• 5) • 6) Ic pulse
VGES ,
IC
• 7)
PC
IGBT
• 8)
Vis
,
• ,
,
ICES
IGES
V GE(th) ,
V CE(sat)
•
Cles
,
,
Coes
情
必峰势
紧 磁菱
龙o
N1+n2
Pro=1.047(TB-0.2TM)
2
X 10-3 (KW)
(4)
Pr
Pr=
Pro
m
(KW)
45KW
TM=238.75(N•m)
=440V
=4
GD2M=12.74N•m2
1800~0 r/min
GD2L=98N•m2
TL=4.9N•m
T=100s,Ts=3s
D=ts/T=3/100=0.03
GD2 (N•m2) (N•m)
r/min
GD2L — n1— ts —
GD2 r/min s
2
20%
UC — TB —
TM — N1—
RBO
=
U2C 1.04(TB -0.2TM )n1
V (N•m)
TB<0.2 TM,
IC
Rmin(Ω)
Rmin =
UC IC
UC—
V
RB Rmin<RB<RBO
IGBT
IGBT
IGBT
6
康
立
肯康
状
量
肯慢
肯必 芯康
肯情
芯康 肯康始肯情
肯必始肯慢
肯康始肯情
f康 状量
肯康始肯情 肯必始肯慢
f必
肯必始肯慢
肯康 肯情 肯抹
菱 获 状量 芯
肯慢 肯描 肯必
状量 芯
芯获
芯 抹描康 描康必 康必情 必情慢 情慢抹 慢抹描 抹描康 描康必
获菱
芯
获菱
紧菱立
紧菱立 紧u首s金 菱集量t长 立o量u龙身t集o高 紧菱立 肯紧菱立
中原油XXX总产
XXX
• • • • • • •
•
•.
•
•
•
•
.
•
PLC
•
•
•
康必峰 康必峰
高模描峰f属紧
(
)
0.55 630kW
•
箱峰模描峰f属p
f媲
p媲
描势
箱模箱峰善康媲s噪模描峰f属紧善康媲s噪
s媲
峰 情势 峰
f
箱
高 描峰f属p善康媲s噪 高 f p s
1
始
获获获环 善 获身龙集身过首金 获o首t身钢金 获身龙集身过首金 环龙金qu金高邦y
必属慢
2
1 2 3 4 5
情
康 身
便便
过
便便
善必噪
身
过
善情噪
身
肯紧菱立
过
紧源立
善慢噪
身
过 “
”
善抹噪
身紧 过理 邦 紧属理
善描噪
身
过
4
康富
芯善皮箱噪 情旋峰获
±康峰势 媲康抹势~增康峰势
UC UC=760V
200V
Rmin<RB<RBO
12.8 Ω<RB<24.7Ω
UC=380V 400
1
3
Pro=1.047(TB-0.2TM)
N1+n2 2
X 10-3 (KW)
= 1.047(172.284-0.2X238.75)
1800+0 2
X 10-3
= 11.7 KW
(4)
D=0.03
高 描峰f属p 高 f p
箱
高
峰
膜
康
必
高
峰
膜
康
必
E1 = 4.44 K1 N1 f1 Φ
U1 E1
U1=KM f1 Φ
Φ = KΦU1 / f1 =
U1 / f1 =
1
2
1 2 3
3
身
膜
膜
量高
着
量t
紧 膜 ×箱 ×磁
膜 每膜
立
膜 概膜
膜
膜
膜 膜
属 峰
4
膜
属
5
操峰
6
4
发
展
时
间
理膜美
紧菱立 皮理漏膜
肯紧菱立
• •
•
2
获属环
果 情旋峰获 抹峰畸z 获属环
慢峰畸Z
慢峰畸Z 果情旋峰× 慢峰属抹峰噪 情峰慢获
•
•
•
• 90
•
获属环
概康果慢峰
康果康峰峰
噪始康果康峰峰峰善
噪
康旋峰势 峰富抹畸z 必峰峰势 峰 善
噪 噪
必媲情势噪
峰富抹势善
噪 峰富峰抹势善
噪
•3
富 情旋峰获属情 属抹峰畸Z
IGBT
20 30V IGBT
1
2
—
IGBT
3 )
IGBT
( IGBT
10KΩ
•4 IGBT
IGBT
IGBT IGBT
IGBT
IGBT
6.4 IGBT
•1
•
R×1KΩ
G •
C
•
E
•2 •
E IGBT
E
R×10KΩ
C
IGBT
G
C
IGBT
G IGBT
IGBT
•3 •
IGBT R×10KΩ
R×1KΩ
必必峰获属 属抹峰畸Z
抹峰属描峰畸z±抹
•
–
– –
– – – –
• • IP20(
•5
康
描抹
慢
情
必
220V/380V 3PH
220V 1PH
键键
操
善抹富抹磁菱
概抹富抹磁菱噪 键键
控控控
旋
控控控控
必富
康 必
情属慢 描 抹
操 旋
皮理漏膜
皮理漏膜 始
立炸芯善
熟肯紧善
立炸芯
必慢获噪
1. — —