薄膜晶体管及显示设备的制作技术

本技术公开了一种薄膜晶体管及显示装置，属于显示技术领域，能够降低第一金属层与第二金属层之间的寄生电容，提高液晶显示器的显示品质。该薄膜晶体管包括栅极；覆盖在所述栅极上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述半导体层具有一延伸部分，所述延伸部分的平面投影超出所述栅极的边缘，且所述漏极覆盖所述延伸部分。本技术可应用于手机、平板电脑等高PPI的显示装置。

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

覆盖在所述栅极上的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；

形成于所述半导体层上的源极和漏极；

所述半导体层具有一延伸部分，所述延伸部分的平面投影超出所述栅极的边缘，且所述漏极

覆盖所述延伸部分。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极呈直线形结构。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极包括爬坡部分和平铺部分，所述爬坡部分覆盖着所述半导体层的延伸部分。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述爬坡部分的宽度大于所述平铺部分的宽度。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极呈马蹄形结构。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极包括一个弧形部分和两个直线部分，所述两个直线部分连接在所述弧形部分的两端。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极位于所述源极的两个直线部分之间。

8.一种显示装置，其特征在于，包括阵列基板、彩膜基板，以及填充在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层；

所述阵列基板上形成有多个如权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为手机或平板电脑。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置的PPI值在400以上。

技术说明书

薄膜晶体管及显示装置

技术领域

本技术涉及显示技术领域，具体的说，涉及一种薄膜晶体管及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)已经成为最为常见的显示装置，是当前平面显示装置的主要品种之一，已经成为了现代IT、视讯产品中重要的显示平台。

其中的薄膜晶体管在有源矩阵显示技术中有着非常重要的作用。具体来说，在主动矩阵式(active matrix)液晶显示器中，每个子像素都配置有一个薄膜晶体管，使得每一个子像素可以独立的运作，且不易受到其他子像素的影响。如图1和图2所示，目前的薄膜晶体管大多采用底栅型结构，自下而上依次为栅极11、栅极绝缘层12、半导体层13，以及位于同一层的源极14和漏极15。其中，栅极11与扫描线110连接，源极14与数据线140连接。在这样结构的薄膜晶体管中，第二金属层(源极14和漏极15所在的图层)覆盖在半导体层之上。

在实际设计中，源极14和漏极15的线宽较细，同时为了降低在蚀刻过程中发生断线的风险，在漏极15的爬坡部分(即覆盖住半导体层13边缘的部分)往往会增加其局部的线宽。这就使得第二金属层与第一金属层(栅极11所在的图层)的交叠程度增大，因此增加了第一金属层与第二金属层之间的寄生电容。而增加的寄生电容会导致更大程度的电容耦合效应与信号延迟效应，这将会影响液晶显示器的显示效果，降低液晶显示器的显示品质。

技术内容

本技术的目的在于提供一种薄膜晶体管及显示装置，以降低第一金属层与第二金属层之间的寄生电容，提高液晶显示器的显示品质。

本技术提供一种薄膜晶体管，包括：

栅极；

覆盖在所述栅极上的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；

形成于所述半导体层上的源极和漏极；

所述半导体层具有一延伸部分，所述延伸部分的平面投影超出所述栅极的边缘，且所述漏极覆盖所述延伸部分。

优选的是，所述漏极呈直线形结构。

进一步的是，所述漏极包括爬坡部分和平铺部分，所述爬坡部分覆盖着所述半导体层的延伸部分。

进一步的是，所述爬坡部分的宽度大于所述平铺部分的宽度。

优选的是，所述源极呈马蹄形结构。

进一步的是，所述源极包括一个弧形部分和两个直线部分，所述两个直线部分连接在所述弧形部分的两端。

进一步的是，所述漏极位于所述源极的两个直线部分之间。

本技术还提供一种显示装置，包括阵列基板、彩膜基板，以及填充在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层；

所述阵列基板上形成有多个上述的薄膜晶体管。

优选的是，所述显示装置为手机或平板电脑。

优选的是，所述显示装置的PPI值在400以上。

本技术带来了以下有益效果：本技术提供的薄膜晶体管中，对半导体层的形状进行了改进，在半导体层中增加了一延伸部分。该延伸部分的平面投影超出栅极的边缘，且漏极覆盖着该延伸部分。因为半导体层的延伸部分位于栅极之外，所以避免了漏极的爬坡部分与栅极重叠。为了防止发生断线而在漏极中增加线宽的部分也不会与栅极重叠，从而降低了第一金属层与第二金属层之间的寄生电容，因此减弱了电容耦合效应和信号延迟效应，提高了液晶显示器的显示品质。

本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚的说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是现有的薄膜晶体管的平面示意图；

图2是图1中沿A-A线的截面图；

图3是本技术实施例提供的薄膜晶体管的平面示意图；

图4是图3中沿B-B线的截面图。

具体实施方式