晶体三极管,输出特性曲线
合集下载
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
N
VCE
N
三极管 输出特性
总结:三极管工作状态由偏置情况决定
截止状态
偏置 条件 发射结反偏或零偏 集电结反偏
放大状态
发射结正偏 集电结反偏
VB≤VE
电位 即:VBE≤0 电压 (NPN) VBC<0,VBE<VCE 电位 即:VBE≥0 电压 V B 0,V VBC > PBE>VCE (PNP)
三极管 输出特性
想一想:
1.在截止状态下,IB能控制IC吗?三极管CE间等效电阻是大 还是小?相当于C、E断开吗? 2.在饱和状态下,IB能控制IC吗?三极管的CE间等效电阻是
大还是小?相当于C、E怎么样?
3.在放大状态下,IB能控制IC吗?三极管的CE间等效电阻有 什么特点?
三极管 输出特性
三极管 输出特性
ห้องสมุดไป่ตู้
B 新知引入
在电路维修和故障分析 中,常常要根据测量的 电压,判定三极管是否 正常工作,判定是三极 管坏了还是电路其他元 件坏了。就很有必要掌 握三极管的三种工作状 态及特点。
三极管 输出特性
C
讲授新知
RC IC
mA
以共射电路为例:
IB
RP
GB
R
uA
VCE
V V
GC
三极管的输出特性:IB为一定值,VCE和IC之间的相应数量关系, 可用三极管的输出特性曲线表示。
VB<VE,VB<VC 即:VBE<0,
VBC<0, VBE<VCE
﹢V
VBE
﹣ ﹣ V N
E
三极管 输出特性
C拓展新知:
1.判别三极管的工作状态 ,NPN为硅管,PNP为锗管。
N
6V 0.7V P N 2V
N 5V
4.8V P N 0V
N 4.5V
1.3V P
截止
放大
饱和
N
4V
-7V P
-12V 0.3V N
P
-0.3V
-0.1VP
-2V N
N P
放大
-1.6V
P
截止
饱和
0V
P
0V
三极管 输出特性
2. 工作人员在检修某放大电路时,
在无图纸又无管子型号标志的情况 下,他利用测电位的办法,在图中 测出“1”端对地为-6.2V,“2”端 对地为-6V,“3”端对地为-9V,从 而定出了管脚所属的电极和管子的 类型(PNP或NPN),你能说出其中 的道理吗? PNP锗管,“1”为B,“2”为E,“3”为C
D 说在最后
小结 作业p36 9,10
三极管 输出特性
敬请各位同仁提出宝贵意见!
2.4
2.4
0
4.1
4.3
4.4
4.4
4.4
4.4
三极管 输出特性
1.截止区
IB=0,三极管处于截止状态。 电流特点:IB=0,IC=ICEO≠0,ICEO为 穿透电流。 偏置条件:发射结反偏或零偏,集电 结反偏。
截止状态
VBC N
ICEO
P
以NPN管为例:
VCE
N
VBE
VBE≤0,VBC <0,VCE>VBE
三极管 输出特性
输出特性曲线族图
IB一定,VCE和IC对应的数据:
vCE/v
0 0.3 0.5 1 3 5 10
IC/mA
IB=0uA
0
0
0.1
0.1
0.15
0.2
0.3
IB=40 uA
IB=80 uA IB=120 uA
0
0.43
0.52
0.53
0.53
0.53
0.53
0
2.1
2.3
2.4
2.4
三极管 输出特性
2.饱和区
VCE=VCES ,VCES称为饱和压降,硅管约0.3V ,锗管约为0.1V ,三极管处于饱和状态。
电流特点: IC不随IB的增大而线性增大 。
饱和状态
偏置条件:发射结正偏,集电结正偏。
VBC P 以NPN管为例: VBE > 0,VBC > 0,VCE < VBE VBE
电子线路
晶体三极管的输出特性曲线
江苏省金湖中等专业学校
沈 萍
三极管 输出特性
教学设计
1.复习回顾 2.新知引入 3.讲授新知 4.拓展新知
三极管 输出特性
A 复习回顾
VBE与IB成非线性关系
输 入 特 性 曲 线
N P N N
P
P
当VBE大于三极管门坎电压时(硅管约0.5V,锗管约0.2V),三极管 开始导通。随后IB在较大的范围内变动时,VBE变化很小,近似一个常 数,此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值,硅管为0.7 V,锗管 约为0.3 V。
N VCE
N
三极管 输出特性
3.放大区
电流特点:IC受IB控制而变化,Δ IC=β Δ IB ,具有电流放大作用。
放大状态
恒流特性:IB一定,IC不随VCE而变化,即IC 恒定。 偏置条件:发射结正偏,集电结反偏。
VBC P 以NPN管为例: VBE > 0,VBC <0,VCE > VBE VBE
V C> V B > V E
VB N
发射结正偏 集电结正偏
E B
饱和状态 VC P
﹣
N V C VB≥VE ﹢ V C< V B < V E
即:VBE>0, VBC<0,VBE<VCE
V >V ,V >V ﹣
B
VC
Ec
> 0, VB 即:VBE ﹢
EBC>0,VBE>VCE V P E
﹢
即:VBE<0, VCE VBC>0,VBE>VCE